Captulo 42

Conduo de eletricidade nos slidos

42.1 Os slidos

Fsica do estado agregado compacto de um grande nmero de tomos ligados quimicamente (Ibach & Lth)
1023
Permite modelos tpicos de estado slido

Quais so os mecanismos que fazem um slido ser um bom condutor de eletricidade?

14 Redes de Bravais

Espao 3D Grupos espaciais

42.2 Propriedades eltricas dos slidos

Slidos cristalinos: rede cristalina = rede matemtica + base
Rede do diamante Rede hexagonal

Si, Ge, diamante

ZnO, GaN, AlN

Ponto de vista eltrico

Resistividade r
Coeficiente de temperatura da resistividade

Concentrao de portadores de carga n

Isolantes, metais e semicondutores

Algumas propriedades eltricas

Valores para temperatura ambiente

O que faz do diamante um isolante, do cobre um metal e do silcio um semicondutor?

42.3 Nveis de energia em um slido cristalino

ligante

Aproximando 2 tomos

anti-ligante

anti-ligante Energia E
energia de ligao

ligante

Aproximando os tomos

Bandas de energia
Sdio (11 eltrons): 1s2 2s2 2p6 3s1

Bandas de energia
Sdio (11 eltrons): 1s2 2s2 2p6 3s1

Bandas de energia
Nveis muito prximos

tomo isolado
4p 4s 3p 3s

Slido
Banda permitida

Banda proibida Banda permitida

2p 2s

Banda proibida

Banda permitida
Banda proibida Banda permitida

1s

Bandas de energia

Eg
EF
T>0

Energia de Fermi

Bosons

Fermions

42.4 Isolantes
Corrente eltrica = energia cintica media dos eltrons

Isolante

Metal

Eg

EF

EF

Relembrando

tomos em equilbrio trmico (Boltzmann)

Ex E0
Caso do diamante, Ex - E0 = Eg = 5,5 eV:

42.5 Metais
E
Metal

T=0K

EF

DDP

corrente

O modelo de eltrons livres

Eq. de Schrdinger: z Lz x Ly Lx y

(ondas planas)

No explica diferena entre metais, isolantes e semicondutores

Interao com a rede cristalina: potencial peridico

Bandas proibidas

Bandas de energia: metais, isolantes, semic.

Superfcie de Fermi

Princpio de excluso de Pauli

Quantos eltrons de conduo existem?

Nmero de eltrons de conduo da amostra

)=(

Nmero de tomos da amostra

)(

Nmero de eltrons de valncia por tomo

Concentrao de portadores: n=

nmero de eltrons de conduo na amostra Volume da amostra, V

Nmero de tomos da amostra

)= =

Massa da amostra, Mam massa atmica

Massa da amostra, Mam (massa molar M)/NA

(massa especfica do material)(volume da amostra, V) (massa molar M)/NA

NA = 6,02 x 1023 mol-1

Exemplo do Mg
Quantos eltrons de conduo existem num cubo de Mg com 2 cm de aresta? (lembrando que o Mg divalente e tem densidade de 1,738 g/cm3)

( (

Nmero de eltrons de conduo da amostra

)=(

Nmero de tomos da amostra

)(

Nmero de eltrons de valncia por tomo

Nmero de tomos da amostra

Nmero de eltrons de conduo na amostra

)= = )=

(massa especfica do material)(volume da amostra, V) NA (massa molar M)

8,61 x 1022 8,61 x 1022 x (2 eltrons)

1,72 x 1023

Condutividade para T > 0

E
Metal

T=0K

EF

O que acontece com esta distribuio de eltrons quando a temperatura aumenta?

Quantos estados qunticos existem?

(densidade de estados)

N(E) dE o nmero de estados entre E e E+dE

Verificao
(a) A distncia entre nveis de energia vizinhos em uma amostra de cobre nas proximidades da energia E = 4 eV maior, igual ou menor que a distncia entre nveis vizinhos nas proximidades de E = 6 eV? (b) A distncia entre nveis de energia vizinhos no cobre nas proximidades de uma certa energia maior, igual ou menor que a distncia entre nveis vizinhos em uma amostra de mesmo volume de alumnio nas proximidades da mesma energia?

A probabilidade de ocupao P(E)

(probabilidade de ocupao)

P (E, T)

P (E, T)

Funo da temperatura

Quantos estados ocupados existem?

Clculo da energia de Fermi

Para T=0:

Como para T=0, P(E)=1 para energias abaixo das de Fermi, substitumos N0(E) por N(E):

42.6 Semicondutores
Isolante Semicondutor T=0

E Eg

EF

Eg

EF

Egisolante >> Egsemicondutor

Semicondutores

T>0

Semicondutores
T>0

T=0

Semicondutores

T>0

&

&

Concentrao de portadores, n

Valores para temperatura ambiente

Resistividade, r

Valores para temperatura ambiente

Modelo do gs de eltrons livres:

Coeficiente de temperatura da resistividade, a

Cobre: T Silcio: T

t
n

Valores para temperatura ambiente

42.7 Semicondutores dopados

dopagem

Aprox. 1 em 107 tomos de Si substitudo Si

Semicondutores tipo n
Silcio neutro (14 eltrons): 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
doadores para Si

Si tipo n

Eltrons: maioria Buracos: minoria

Semicondutores tipo p
aceitadores para Si

Si tipo p

Eltrons: minoria Buracos: maioria

Semicondutores dopados

Energia do eltron

Energia Ed dos nveis doadores a partir da banda de conduo do Si e Ge

Energia Ea dos nveis aceitadores a partir da banda de valncia do Si e Ge

42.8 A juno p-n

Fsica do estado slido desenv. de dispositivos eletrnica

Inomogeneidade

Juno p-n
Difuso Implantao inica

contato Schottky

Semicondutor tipo p Semicondutor tipo n

Esquema de bandas da juno p-n

Carga espacial devido a defeitos ionizados

log da concent.

--++ --++ --++ --++ --++

d0

Concentrao de doadores e aceitadores

Posio

42.9 O diodo retificador

Curva caracterstica I x U
inversamente diretamente

Polarizaes
diretamente inversamente

--++ --++ --++ --++ --++

---+++ ---+++ ---+++ ---+++ ---+++

dD

di

42.10 O diodo emissor de luz (LED)

O fotodiodo

O fotodiodo

O laser semicondutor

O laser semicondutor

42.11 O transistor

1947 - John Bardeen, William Shockley e Walter Brattain

O transistor

O transistor de efeito de campo (FET)

MOSFET

Perguntas
7. Os valores de Eg para os semicondutores silcio e germnio so, respectivamente, 1,12 e 0,67 eV. Quais das seguintes afirmaes so verdadeiras? (a) As duas substncias tm a mesma concentrao de portadores temperatura ambiente. (b) temperatura ambiente, a concentrao de portadores no germnio maior que no silcio. (c) As duas substncias tm uma concentrao maior de eltrons que de buracos. (d) Nas duas substncias, a concentrao de eltrons igual a de buracos.

T>0

&

&

Exerccios e problemas
17P. Suponha que o volume total de uma amostra metlica seja a soma do volume ocupado pelos ons do metal que formam a rede cristalina com o volume ocupado pelos eltrons de conduo. A densidade e a massa molar do sdio (um metal) so 971 kg/m3 e 23,0 g/mol, respectivamente; o raio do on Na+ e 98 pm. (a) Que porcentagem do volume de uma amostra de sdio ocupada pelos eltrons de conduo? (b) Repita o clculo para o cobre, que possui uma densidade, massa molar e raio inico de 8960 kg/m3, 63,5 g/mol e 135 pm, respectivamente. (c) Em qual dos dois metais o comportamento dos eltrons de conduo mais parecido com o das molculas de um gs?

Exerccios e problemas
38P. A funo probabilidade de ocupao pode ser aplicada tanto a metais como a semicondutores. Nos semicondutores, a energia de Fermi est praticamente a meio caminho entre a banda de valncia e a banda de conduo. No caso do germnio, a distncia entre a banda de conduo e a banda de valncia 0,67 eV. Determine a probabilidade (a) de que um estado na extremidade inferior da banda de conduo esteja ocupado e (b) de que um estado na extremidade superior da banda de valncia esteja ocupado. Suponha que T = 290 K.

k = 1,3807 x 10-23 J/K = 0,8617 x 10-4 eV/K

1.0

Ge
0.8

T=290K

energia de Fermi banda de valncia

P(E)

0.6

0.4

banda de conduo

0.2

0.0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Energia (eV)

(a) P(E) = 1,5 x 10-6 (b) P(E) = 0,999998

Exerccios e problemas
47P. Em um certo cristal, a ltima banda ocupada est completa. O cristal transparente a todos os comprimentos de onda maiores que 295 nm, mas opaco a comprimentos de onda menores. Calcule a distncia, em eltrons-volts, entre a ltima banda ocupada e a primeira banda vazia neste material.

h = 4,14 x 10-15 eV.s