PROPIEDADES

ELECTRONICAS DE LOS
MATERIALES


SEMICONDUCTORES
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES INTRODUCCION
Un semiconductor se puede convertir en un conductor o en un
aislante dependiendo de la conveniencia


Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES HUECOS Y ELECTRONES
Los electrones y los huecos se crean por pares. Las reglas de
los electrones van a revs para los huecos.


Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES
SEMICONDUCTOR
INTRINSECO
En un semiconductor intrnseco, la concentracin de electrones
para conducir es igual a la concentracin de huecos.

Ni = concentracin de portadores en equilibrio

Para Si Ni = 1.5 x 10
10
1/cm
3
a temperatura ambiente

Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES DOPAJES
> Los semiconductores se dopan para generar una mayor cantidad
de portadores

> Dopajes con elementos del grupo V: As, Sb, Bi Donan e
-
(Nd)
> Dopajes con elementos del grupo III: B, Al, Ga Donan h
+
(Na)
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES RESISTIVIDAD
( )
p n
p n q o + = = / 1
m O = 640
> Para Si Intrnseco
Supongamos que dopamos con Na y Nd. Por conservacin de la
carga
+
+ = + Na n Nd p
0 0
Donde
2
0 0 i
n p n =
Normalmente solo Nd >> Na o Na >> Nd. En cada caso, cuando estas
cantidades son >> ni, entonces


Na p
Nd n
=
=
0
0
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES RESISTIVIDAD (Cont)
Normalmente Si se dopa con Nd 10
17
1/cm
3
n
0

Entonces hay un aumento en la conductividad de aproximadamente
7 ordenes de magnitud!

Podemos manipular un semiconductor y convertirlo en un metal!
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES DIAGRAMA DE ENERGIA
KT Ei Ef
i
e n n
/ ) (
0

=
Nivel de Fermi nos ayuda a medir la cantidad de portadores
disponibles para la conduccin
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES JUNTURA PN
Juntamos dos materiales de
manera abrupta
Difusin
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES JUNTURA PN (Cont)
Lo ms importante es la formacin de la
zona de agotamiento
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES
DIAGRAMA ENERGIA JUNTURA
PN
En equilibrio
0 =
dx
dEf
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES
DIAGRAMAS PARA UNA JUNTURA
PN
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES POLARIZACIN
|
|
.
|

\
|
= 1
nkT
qV
O D
D
e I I Ec del diodo
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES TRANSISTORES
Un transistor se disea para funcionar
como un switch. Puede estar
conduciendo como un metal o no
conduciendo como un aislante
> BJT
> FET
> Transistores Modernos
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES BJT (Bipolar Junction Transistor)
> Inventado en 1947 en Bell Laboratories.
> Ha revolucionado la electrnica, reemplazando los tubos de vacio
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES FET (Field Effect Transistor)
> Base de la electrnica digital moderna
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES
TRANSISTOR DE TUNELAMIENTO
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES SET (Single Electron Transistor)
La base de su funcionamiento es
el tunelaje
Est Solido
2006-I
SEMI-
CONDUCTORES SET (Single Electron Transistor)