IGBT Y GTO

INTEGRANTES: WILMAR WILCHES JAVIER URREA

JORGE MENDOZA

08/09/2013 10:22:56

El transistor Bipolar de Puerta Aislada Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Este dispositivo aparece en los aos 80 Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET

La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no por corriente

C EL IGBT DE POTENCIA
MOSFET
Bipolar

G E
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar) Facilidad de manejo (MOSFET) Menor capacidad de conmutacin (Bipolar) No tiene diodo parsito

EL IGBT DE POTENCIA

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Funcionamiento del IGBT

EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa El IGBT enciende inmediatamente la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero

EL IGBT DE POTENCIA

LA corriente ID persiste para el tiempo t ON en el que la seal en el gate es aplicada

EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate.

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El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

Bajo ciclo de trabajo

Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT

EL IGBT DE POTENCIA

Control de motores Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia

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Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.

EL IGBT DE POTENCIA

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Gran capacidad de manejo de corriente

Comparacin IGBT-MOSFET con el mismo rea de semiconductor El IGBT tiene menor cada de tensin

Menores prdidas en conduccin Problema:

EL IGBT DE POTENCIA

Coeficiente de temperatura negativo A mayor temperatura, menor cada de tensin Conduce ms corriente

Se calienta ms
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Esto es un problema para paralelizar IGBTs

Parmetros fundamentales para seleccionar un IGBT

Tensin de ruptura Corriente mxima Tensin colector-emisor en saturacin

EL IGBT DE POTENCIA

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales Media tensin 250 V 300 V (Poco usuales) Alta tensin 600 V 900 V 1200 V

Caractersticas bsicas

EL IGBT DE POTENCIA

C
En ocasiones, el encapsulado incorpora internamente un diodo

G E
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EL IGBT DE POTENCIA

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Encapsulados de IGBT
Mdulos de potencia TO 220

MTP

EL IGBT DE POTENCIA

TO 247

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Caractersticas elctricas
Tensin de saturacin colector-emisor (como en bipolares)

Tensin umbral de puerta (como en MOSFETS) Caractersticas trmicas

EL IGBT DE POTENCIA

EL GTO

GATE TURN OFF:

El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar las dos transiciones con seal de tensin: paso de bloqueo a conduccin y viceversa, esta condicin hace que mejore las caractersticas de un SCR.
Tensin umbral de puerta (como en MOSFETS) Tensin de saturacin colector-emisor (como en bipolares)
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EL GTO
ESQUEMA

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EL GTO
Funcionamiento Si est directamente polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y ctodo. Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atrados por el potencial del nodo, dando inicio a la corriente andica.

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EL GTO
Funcionamiento La aplicacin de una polarizacin inversa en la unin puertactodo puede llevar a la abertura o bloqueo del GTO. Portadores libres (agujeros) presentes en las capas centrales del dispositivo son atradas por la puerta, haciendo que sea posible el restablecimiento de la barrera de potencial en la unin J2.

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EL GTO
Funcionamiento
Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasar del estado OFF al estado ON. Por el contrario, si la corriente por la puerta es negativa, el semiconductor dejar de conducir, pasando del estado de ON a OFF. Con ello se tiene un control total del estado del semiconductor en cualquier momento.

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EL GTO
FORMA DE ONDA EN EL ENCENDIDO DEL GTO

Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes para poner en conduccin todo el cristal. Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente.

EL GTO
FORMA DE ONDA EN EL APAGADO DEL GTO

Para cortar el GTO se aplica una corriente IG- =IA/boff muy grande. Ya que boff es del orden de 5 a 10. Esta corriente negativa debe mantenerse para evitar que el dispositivo entre en conduccin espontneamente.

EL GTO
CARACTERISTICAS
El GTO es bsicamente igual que un SCR

Se han modificado algunos parmetros constructivos para poder apagarlo por puerta.
En muchas aplicaciones, el hecho de no poder apagar el SCR es un grave problema

El GTO solventa ese inconveniente con corriente entrante por la puerta, se dispara.
Soporta altas tensiones y corrientes 5 Kv 45 KA Se utiliza en aplicaciones de mucha potencia.

Es muy robusto
La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR.
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Con corriente saliente por puerta, se apaga

EL GTO
CARACTERISTICAS
Algo ms rpido que un SCR Algo ms rpido que un SCR La cada de tensin en conduccin es relativamente baja Cada de tensin en conduccin ligeramente superior al SCR Menor ganancia que SCR (mas marcado en apagado) La corriente de disparo es mayor. La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar mas dimensionado.

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EL GTO
IMAGENES

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EL GTO
IMAGENES

EL GTO
IMAGENES

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EL GTO
IMAGENES

EL GTO
APLICACIONES

GRACIAS

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