INSTITUTO TECNOLOGICO DE TEPIC

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

INGENIERIA EN SISTEMAS COMPUTACIONALES

PRINCIPIOS ELECTRICOS Y APLICACIONES DIGITALES

MATERIALES SEMICONDUCTORES Caractersticas de los Semiconductores

Silicio Germanio Materiales Tipo P y Tipo N

Caractersticas de los Semiconductores

CONDUCTOR: Cualquier material capaz de soportar un flujo generoso de carga cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a travs de sus terminales. AISLANTE: Cualquier material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presin de una fuente de voltaje aplicado SEMICONDUCTOR: Cualquier material que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

Ejemplos de materiales conductores, aislantes y semiconductores

Conductores: Plata, Cobre, Oro, Aluminio, Wolframio, Nquel, Hierro, Estao. Aislantes: Plstico, cuarzo, madera, mica, vidrio, cermica, porcelana, losa, hules, minerales.

Semiconductores: Silicio, Germanio , Arseniuro de Galio, Cadmio, Boro, Indio, Carbono, Fosforo, Arsnico, Antimonio, Selenio, Telurio.

Resistividad de un material
De manera inversa y relacionada con la conductividad de un material se encuentra su resistencia al flujo de la carga o corriente. =Resistividad=(Resistencia*Area)/longitud= -cm =|R| rea= 1 cm cuadrado longitud= 1 cm

Valores Tpicos de Resistividad en 3 categoras Amplias de Materiales

CONDUCTOR SEMICONDUCTOR AISLANTE

P= 10^-6 -cm cobre

P= 50 -cm Germanio

P= 50 x 10^12 -cm Mica

P= 50 x 10^3 -cm Silicio

Semiconductores Silicio (Si) y Germanio (Ge)

Silicio (Si)

Germanio Ge

Semiconductores Silicio (Si) y Germanio (Ge)

Pueden ser fabricados con un muy alto nivel de pureza. Se ha logrado reducir sus niveles de impureza a una parte por cada 10mil millones.

Es necesario reducir los niveles de impureza a estas cantidades?......si, pues al aplicar una impureza del (tipo adecuado) por millon, en una oblea de silicio, puede cambiar dicho material relativamente pobre a un buen conductor de electricidad.

Semiconductores Silicio (Si) y Germanio (Ge)

La capacidad de cambiar las caractersticas del material en forma significativa a travs del proceso de inyeccin de impurezas se le conoce como Dopado. Si y Ge pueden alterar sus caractersticas en forma significativa a travs de la aplicacin de calor o luz (Dispositivos sensibles a la luz o al calor).

Semiconductores Silicio (Si) y Germanio (Ge)

Sus tomos forman un patrn muy definido que es peridico en la naturaleza. A este patrn se le denomina Cristal , y al arreglo peridico de los atomos se le denomina red cristalina.

Para el Ge y Si el cristal tiene la estructura de DIAMANTE en 3D .

Semiconductores Silicio (Si) y Germanio (Ge)

Estos materiales semiconductores de aplicacin en el campo practico de electrnica, tienen caracterstica de cristal nico es decir estos materiales estn compuestos solo de estructuras repetidas de cristal del mismo tipo, adems, la periodicidad de la estructura no cambia en forma significativa con la adicin de impurezas en el proceso de DOPADO.

Niveles Atmicos de Silicio (Si) y Germanio (Ge)

El tomo de Silicio tiene 14 electrones en orbita y 4 en la ultima orbita (Valencia).

El tomo de Germanio tiene 32 electrones en orbita y 4 en la ultima orbita (Valencia).

A los tomos de Silicio y de Germanio se les conoce TETRAVALENTES

Niveles Atmicos de Silicio (Si) y Germanio (Ge)

Enlace covalente en un cristal de Silicio puro. Los materiales intrnsecos son aquellos semiconductores que han sido cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo.

Una unin de tomos fortalecida por el compartimiento de electrones se denomina UNION COVALENTE.

Niveles Atmicos de Silicio (Si) y Germanio (Ge)

A pesar del enlace covalente, aun es posible para los electrones de valencia absorber suficiente energa cintica por causas naturales, para romper la unin covalente y asumir el estado libre.
El termino libre revela que su movimiento es muy sensible a los campos elctricos aplicados, energa lumnica y energa trmica. Un incremento de la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento sustancial en el numero de electrones libres en el material.

Bandas de Energa en tomos de(Si) y Germanio (Ge)

Materiales Tipo P y Tipo N

Un material semiconductor que ha sido sujeto al proceso de dopado(1 parte en 10 millones) se denomina un material extrnseco. Materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de dispositivos electrnicos son: el tipo p y el tipo n.

Material Tipo N
Se crea a travs de la introduccin de elementos de impurezas que poseen 5 electrones de valencia (pentavalentes) como el antimonio, arsnico y fosforo.

A las impurezas difundidas con 5 electrones de Valencia se les llama tomos DONORES.

Material Tipo P
Se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o silicio con tomos de impurezas que poseen tres electrones de valencia como son el Boro, Galio e Indio.

Existe un numero inferior de electrones para completar las uniones covalentes en la red cristalina formada, a la vacante se le llama huecoy se denomina con signo positivo debido a la ausencia de una carga negativa. A las impurezas difundidas con 3 electrones de valencia se les conoce como tomos aceptores.

FLUJO DE ELECTRONES COMPARADO CON FLUJO DE HUECOS

Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa cintica para romper su unin covalente llena un hueco, entonces se creara un hueco en la unin covalente que libero el electrn.

Existe una transicin de huecos hacia la izquierda y de electrones a la derecha.

PORTADORES MAYORITARIOS Y PORTADORES MINORITARIOS

En el material TIPO P el HUECO es el portador MAYORITARIO y el electrn es el portador minoritario.

PORTADORES MAYORITARIOS Y PORTADORES MINORITARIOS

En el material TIPO N el ELECTRON es el portador MAYORITARIO y el hueco es el portador minoritario.

DIODO SEMICONDUCTOR