Que es un transistor FET

El transistor FET es un dispositivo semiconductor que

controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El transistor FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre si.

Partes de un transistor FET

Los terminales de este tipo de transistor se llaman

Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S).

Fundamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas

dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representacin se muestran en la tabla.
Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal p

 Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta

estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN. La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta).

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador (buffer)

Amplificador de RF

Impedancia de entrada alta y de salida baja

Bajo ruido Baja distorsin de intermodulacin Facilidad para controlar ganancia Baja capacidad de entrada

Uso general, equipo de medida, receptores

Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV,equipos para comunicaciones Receptores, generadores de seales Instrumentos de medicin, equipos de prueba Amplificadores de cc, sistemas de control de direccin Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controlas de tono Audfonos para sordera, transductores inductivos Generadores de frecuencia patrn, receptores Integracin en gran escala, computadores, memorias

Mezclador

Amplificador con CAG

Amplificador cascodo

Troceador

Ausencia de deriva

Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador

Se controla por voltaje

Capacidad pequea de acoplamiento Mnima variacin de frecuencia Pequeo tamao

Circuito MOS digital

Ventajas del FET

1) Son dispositivos controlados por tensin con

una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohmios). 2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI. 5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenaje-fuente. 6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas que limitan la utilizacin de los FET

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia

pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. 3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica. En este apartado se estudiarn brevemente las caractersticas de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analgicas.

Ecuacin de Shockley
El modelo matemtico ms empleado en el estudio

del diodo es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente) q es la carga del electrn T es la temperatura absoluta de la unin k es la constante de Boltzmann n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).

Referencias
http://www.uaq.mx/matematicas/estadisticas/xu4.html http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php