Semiconductores Intrnsecos

Hidalgo Avalos Juan Manuel

Bandas de energa de semiconductores

Supongamos una red cristalina formada por tomos de silicio (o cualquier mezcla de las mencionadas). Cuando los tomos estn aislados, el orbital s (2 estados con dos electrones) y el orbital p (6 estados con 2 electrones y cuatro vacantes) tendrn una cierta energa Es y Ep respectivamente (punto A). A medida que disminuye la distancia interatmica comienza a observarse la interaccin mutua entre los tomos, hasta que ambos orbitales llegan a formar, por la distorsin creada, un sistema electrnico nico. En este momento tenemos 8 orbitales hbridos sp3 con cuatro electrones y cuatro vacantes (punto B). Si se continua disminuyendo la distancia interatmica hasta la configuracin del cristal, comienzan a interferir los electrones de las capas internas de los tomos, formndose bandas de energa (punto C). Las tres bandas de valores que se pueden distinguir son:
O O O

Banda de Valencia. 4 estados, con 4 electrones. Banda Prohibida. No puede haber electrones con esos valores de energa en el cristal. Banda de Conduccin. 4 estados, sin electrones.

Semiconductor
Elemento que se comporta como conductor o como aislante dependiendo del campo elctrico en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla siguiente.

Definicin
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin.

Semiconductores intrnsecos
Cuando un semiconductor se calienta los electrones de valencia ganan energa de la red y pasan a la banda de conduccin , dejando estados vacantes o huecos en la banda de valencia. Por lo tanto podemos afirmar que la concentracin de portadores intrnsecos aumenta con la temperatura. Tambin es necesario indicar que la concentracin depende de la energa de la banda prohibida.

La conductividad
El estado vacante de un electrn puede considerarse como un hueco positivo , el cual tiene movilidad, contrario al movimiento de los electrones

Concentracin de Carga
Es un semiconductor intrnseco , en equilibrio trmico, la concentracin de electrones en la banda de conduccin Ne es igual a la de los huecos en La banda de valencia Nh es decir Ne= Nh

Bandas de los semiconductores intrnsecos

Semiconductores Extrnsecos
Hidalgo Avalos Juan Manuel

Definicin
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en dia se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material.

Semiconductores extrnsecos tipo n

Son los que estn dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (As, P, Sb). Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que tienen cinco electrones en la ltima capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina, un electrn quede fuera de ningn enlace covalente, quedndose en un nivel superior al de los otros cuatro. Como consecuencia de la temperatura, adems de la formacin de los pares eh, se liberan los electrones que no se han unido. Como ahora en el semiconductor existe un mayor nmero de electrones que de huecos, se dice que los electrones son los portadores mayoritarios, y a las impurezas se las llama donadoras. En cuanto a la conductividad del material, esta aumenta de una forma muy elevada, por ejemplo; introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio, la conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro.

Semiconductores

extrnsecos de tipo p

En este caso son los que estn dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In). El hecho de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina, dejen una vacante con un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de valencia, pues no existe el cuarto electrn que lo rellenara. Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando huecos en la banda de valencia, y siendo los huecos portadores mayoritarios.

La energa de Fermi en los semiconductores Extrnsecos

Para los semiconductores tipo N, la energa de Fermi se ubica muy cerca de la banda de conduccin, de acuerdo a la distribucin de Fermi Dac, significa que existe una mayor probabilidad de encontrar electrones en la banda de conduccin que huecos en la banda de valencia

Diferencia entre un semiconductor Intrnseco e Extrnseco

Semiconductores intrnsecos: un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro, cuando se le aplica una tensin externa los electrones libres fluyen hacia el terminal positivo de la batera y los huecos hacia el terminal negativo de la batera. semiconductor extrnseco: es aquel que se puede dopar parta tener un exceso de electrones libres o un exceso de huecos. aqu encontraremos dos tipos de unin en el que es la unin tipo p y la unin tipo n. Sucede que los semiconductores intrnsecos actan como un aislante en el caso del silicio cuando es un cristal puro, ahora cuando lo dopamos con impurezas se llega al material extrnseco y en ese caso tendremos un material semiconductor por ejemplo un diodo.

Difusin de huecos y electrones

Fuentes de informacin
O http://ocw.ehu.es/ensenanzas-tecnicas/electronicaO O O O O

general/teoria/tema1 http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor http://es.answers.yahoo.com/question/index?qid=2008 0718153722AAHFDSj http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925813.html http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/k e_semiconductor_4.htm