La conduccin en los semiconductores Tipos de Semiconductores Dopado de semiconductores Tipos de Diodo

27/02/2014

Semiconductor

Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

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Tipos de semiconductores

Semiconductores intrnsecos Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica.

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En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero.

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Semiconductores extrnsecos Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado.

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Semiconductor tipo N Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (negativos o electrones). El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.

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Semiconductor tipo P Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (positivos o huecos). El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.

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Dopado de Semiconductores

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El dopado consiste en la introduccin controlada de impurezas en la red. Se sustituye un elemento por otro que tenga: Un electrn mas de valencia que es sustituido impureza donadora: ionizada genera un electrn mvil por la red.

Un electrn menos de valencia que el sustituido, impureza aceptadora que ionizada genera un enlace incompleto mvil por la red que es un portador denominado hueco.

Cada impureza donadora genera un e- libre y se transforma en un ion positivo fijo en la red, origina un semiconductor tipo-n *Conduce por electrones *Los electrones son mayoritarios *Los huecos son minoritarios

Cada impureza aceptora genera un h+ y se transforma en un ion negativo fijo en la red, origina un semiconductor tipo-p, que: *Conduce por huecos *Los huecos son mayoritarios *Los electrones son minoritarios

Donadoras: P, As, Sb, elementos del grupo V con 5 electrones valencia. Aceptoras: B, Al, Ge, In, elementos del grupo III con 3 electrones valencia.

Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electrn que le hace mucho mejor conductor. De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N.

En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio, se forman tres enlaces covalentes con tres tomos de silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con un electrn sin enlazar, provocando un hueco en la red cristalina. De un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.

Tipos de Diodo

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Diodo Zener Es un diodo cromo1 que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura.

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Diodo Schottky Se asemeja al diodo semiconductor comn con la diferencia que en lugar de tener una unin p-n este tiene una unin metal-n permitiendo as que se produzca una conmutacin mas rpida, haciendo que dicho diodo sea capaz de trabajar a una frecuencia mayor a 300Mhz cosa que un diodo rectificador comn no es capaz de hacer, por lo cual se dice que el diodo Schottky es el mas cercano al diodo ideal.

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Diodo Tunnel Es un tipo muy particular de diodo en el cual se da el siguiente efecto cuando es conectado en polarizacin directa: la corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta (Ip).

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Diodo Gunn Este tipo de diodo es similar al diodo tunnel ya que tambin entra en los semiconductores osciladores de resistencia negativa. Se trata de un generador de microondas formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn.

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Diodo avalancha Es un dispositivo semiconductor diseado especialmente para trabajar en tensin inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensin en polarizacin inversa alcanza el valor de la tensin de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de conduccin por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo elctrico incrementando su energa cintica

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Diodo IMPATT Funciona por el efecto de "avalancha" utilizndose en rgimen pulsante. Se lo polariza negativamente con un tensin de corriente continua (DC) cercana al valor de ruptura y se le inyecta superpuesta una seal de Radio Frecuencia (RF). Durante los semiciclos positivos de la seal de RF se produce el efecto "avalancha".

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Diodo BARITT Es similar al diodo IMPATT con la diferencia que la avalancha de electrones no es provocado por el voltaje de ruptura sino que esta se alcanza gracias a cargas de menor valor polarizado el diodo en forma directa

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Diodo TRAPATT este es tambin un diodo de hiperfrecuencia y esta relacionado con los semiconductores osciladores de resistencia negativa, ya que al estar polarizado en inversa y alcanzar el voltaje de ruptura se produce una avalancha de electrones y se presenta la resistencia negativa.

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Diodo Varicap El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es un diodo que aprovecha determinadas tcnicas constructivas para comportarse, ante variaciones de la tensin aplicada, como un capacitor (o condensador) variable.

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Diodo PIN Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo).

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DIODOS DE SEAL Es utilizado con el fin de detectar seales dbiles, por lo que son de baja potencia. El encapsulado de los diodos de seal corresponde a un pequeo cilindro de materia plstica o vidrio, y las dos terminales de conexin se ubican a los extremos del mismo. La tensin a partir de la cual el diodo conduce electricidad (tensin umbral) es de 0,3 voltios.

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DIODOS DE CONMUTACIN Son aquellos que tienen un tiempo de respuesta muy breve, con respecto al cambio del sentido de la corriente elctrica. Es decir, que el tiempo de recuperacin inverso (TRR) es inferior a 400 nanosegundos en diodos de media potencia, y 5 nanosegundos en aquellos de potencia baja.

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Diodos de unin Estn basados en los materiales semiconductores y en sus propiedades. Los materiales semiconductores tienen una conductividad media entre los conductores y los aislantes, y son la base de la tecnologa moderna, ya que se usan tambin para la fabricacin de transistores y circuitos integrados.

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DIODO LASER Diodos lser, emiten luz por el principio de emisin estimulada, la cual surge cuando un fotn induce a un electrn que se encuentra en un estado excitado a pasar al estado de reposo, este proceso esta acompaado con la emisin de un fotn, con la misma frecuencia y fase del fotn estimulante.

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Diodo Unitunel o blackward. Son diodos con tensin umbral nula. y se usan para deteccin de seales extremadamente dbiles, conmutacin muy rpida..

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Equipo 3

Integrantes: Jos Daniel Moran Buenrostro Efran de la torre Garca Jos Damin

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