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abreviado A.O., op-amp u OPAM), es un circuito electrnico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia):
ESTRUCTURA INTERNA
Los terminales son: - V+: entrada no inversora - V-: entrada inversora - VOUT: salida - VS+: alimentacin positiva - VS-: alimentacin negativa
Los terminales de alimentacin pueden recibir diferentes nombres, por ejemplos en los A.O. basados en FET VDD y VSS respectivamente. Para los basados en BJT son VCC y VEE.
Configuraciones
Comparador
Seguidor No inversor Sumador inversor Restador Inversor
Comparador
Esta es una aplicacin sin la retroalimentacin. Compara entre las dos entradas y saca una salida en funcin de qu entrada sea mayor. Se puede usar para adaptar niveles lgicos.
Seguidor
Es aquel circuito que proporciona a la salida la misma tensin que a la entrada. Se usa como un buffer, para eliminar efectos de carga o para adaptar impedancias (conectar un dispositivo con gran impedancia a otro con baja impedancia y viceversa) Como la tensin en las dos patillas de entradas es igual: Vout = Vin Zin =
No inversor
El voltaje de entrada, ingresa por el pin positivo, pero como conocemos que la ganancia del amplificador operacional es muy grande, el voltaje en el pin positivo es igual al voltaje en el pin negativo y positivo, conociendo el voltaje en el pin negativo podemos calcular la relacin que existe entre el voltaje de salida con el voltaje de entrada haciendo uso de un pequeo divisor de tensin. Zin = , lo cual nos supone una ventaja frente al amplificador inversor.
Sumador inversor La salida est invertida Para resistencias independientes R1, R2,... Rn La expresin se simplifica bastante si se usan
Restador Inversor
Para resistencias independientes R1,R2,R3,R4: Igual que antes esta expresin puede simplificarse con
resistencias iguales La impedancia diferencial entre dos entradas es Zin = R1 + R2 Cabe destacar que este tipo de configuracin tiene una resistencia de entrada baja
Amplificador diferencial.
Es un amplificador con dos entradas, dos alimentaciones (positiva y negativa con respecto a masa), y una o dos salida. Como tensiones de salida Vs pueden tomarse: Vc1, Vc2 o Vc2-Vc1 (salida flotante) El amplificador diferencial tiene por objeto amplificar la diferencia entre las tensiones aplicadas a sus entradas, proporcionando una salida Vs que no est influida (en pequea medida) por cualquier tensin comn a las seales de entrada. siendo D la amplificacin o ganancia.
Alimentacin. El amplificador operacional puede ser polarizado, tanto con tensiones simples cmo con tensiones simtricas, si utilizamos tensiones simples, a la salida no podremos conseguir valores menores de 0V. EL valor de estas tensiones no suele ser fijo, dando los fabricantes un margen entre un mximo y un mnimo, no teniendo ninguna consecuencia en el funcionamiento del amplificador, el valor de tensin que se escoja, nicamente las tensiones de salida nunca superaran las tensiones de alimentacin.
EL BJT EN CONMUTACIN
Los circuitos de conmutacin son aquellos en los que el paso de bloqueo a saturacin se considera inmediato, es decir, el transistor no permanece en la zona activa. Los circuitos tpicos del transistor en conmutacin son los multivibradores y la bscula de Schmitt. Los multivibradores se aplican en los sistemas electrnicos de temporizacin, generacin de seales cuadradas, intermitencias, etc. Las bsculas de Schmitt tienen su principal aplicacin en sistemas de deteccin que utilizan sensores, de forma que se comporta como un interruptor activado por las variaciones de algn parmetro fsico detectado por el sensor. El transistor BJT en CORTE. El transistor BJT en SATURACION.
controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El transistor FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre si.
Tiene mayor sensibilidad en su salida a Tiene menor sensibilidad en su salida cambio en su variable de entrada, por respectivo a su variable de entrada. tanto tiene una ganancia de voltaje en ca. Son inestables , cambios en la Son mas estables a cambios en la
El MOSFET se ha convertido en uno de los dispositivos ms utilizados en el diseo y construccin de circuitos integrados para computadoras digitales, en parte debido a su estabilidad trmica.
TRANSISTOR MOSFET
MOSFET es un transistor
de juntura. Un BJT tiene un emisor, colector y la base BJT se prefieren para aplicaciones de baja corriente. La operacin de BJT es depende de la corriente en la base.
Metal Oxide Semiconductor Field-Efecto. un MOSFET tiene una puerta, fuente y el drenaje. los MOSFET son para funciones de alta potencia. El funcionamiento del MOSFET depende de la tensin en el electrodo de puerta de aislamiento de xido.
Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S).
respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET
operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El transistor FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal.
dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representacin se muestran en la tabla.
Modelo de transistor FET canal n
estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN. La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta).
para ms de un voltaje de compuerta a surtidor (Vgs), se obtiene un conjunto de grficos. Ver que Vgs es "0" voltios o es una tensin de valor negativo. Si Vds se hace cero por el transistor no circular ninguna corriente. (ver grficos a la derecha)
un transistor FET de canal tipo P en el grfico inferior derecha. La frmula es: ID = IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)] )
donde:
- IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0 - Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID = 0) - Vgs es el voltaje entre entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID
Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital
una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohmios). 2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI. 5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenaje-fuente. 6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. 3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica. En este apartado se estudiarn brevemente las caractersticas de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analgicas.