SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio.

 Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPON"

 Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si) formando una celosa. Esta estructura se ha dopado aadiendo tomos de antimonio (Sb) para crear un material semiconductor extrnseco. Los tomos de silicio (con cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia) se unen formando enlaces covalentes con los tomos de antimonio (con cinco en su ltima rbita banda de valencia). En esa unin quedar un electrn libre dentro de la estructura cristalina del silicio por cada tomo de antimonio que se haya aadido. De esa forma el cristal. de silicio se convierte en material semiconductor tipo-N (negativo) debido al exceso electrones libres con cargas negativas presentes en esa estructura.

 Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica en sus extremos, los electrones libres portadores de cargas negativas contenidos en la sustancia impura aumentan. Bajo esas condiciones es posible establecer un flujo de corriente electrnica a travs de la estructura cristalina del semiconductor si le aplicamos una diferencia de potencia o corriente elctrica.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPOP"

 Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si). que forman, como en el caso anterior, una celosa, dopada. ahora con tomos de galio (Ga) para formar un. semiconductor extrnseco. Como se puede observar en. la. ilustracin, los tomos de silicio (con cuatro electrones en. la. ltima rbita o banda de valencia) se unen formando. enlaces covalente con los tomos de galio (con tres. electrones en su banda de valencia). En esas condiciones. quedar un hueco con defecto de electrones en la. estructura. cristalina de silicio, convirtindolo en un. semiconductor tipo-P (positivo) provocado por el defecto de. electrones en la estructura

ESTRUCTURA DE UN ELEMENTO SEMICONDUTOR

Un diodo semiconductor de estado slido consta de dos partes, formadas por cristales de silicio (Si) de diferente polaridad. Un cristal de silicio en estado puro constituye un elemento qumico tetravalente por estar compuesto por tomos de valencia +4, pero para obtener dos cristales semiconductores de polaridad diferente es necesario doparlos durante el proceso de produccin del diodo, aadindole a la estructura molecular de cada uno de esos cristales cierta cantidad de impurezas pertenecientes a tomos de otros elementos qumicos (tambin semiconductores), pero de valencias diferentes para cada una de las partes que formarn el diodo, con sus correspondientes polaridades

FORMACIN DE UN DIODO DE SILICIO DE UNIN "p-n"

 En el punto de unin p-n de las dos piezas semiconductoras de diferente polaridad que forman el diodo, se crea una barrera de potencial, cuya misin es impedir que los electrones libres concentrados en la parte negativa salten a la parte positiva para unirse con los huecos presentes en esa parte del semiconductor. Hasta tanto los electrones no alcancen el nivel de energa necesario que le debe suministrar una fuente de energa externa conectada a los dos extremos del diodo, no podrn atravesar esa barrera

 En la parte de arriba de esta ilustracin aparece el smbolo general. utilizado para identificar un diodo semiconductor comn y abajo el. aspecto fsico externo que presentan la mayora de los diodos de. silicio. Como se puede observar en ambas ilustraciones, el nodo A constituye la parte positiva y el ctodo K la negativa. En un diodo real, el extremo correspondiente al ctodo se identifica por. medio de una marca o anillo color plata impreso junto al terminal. negativo de conexin al circuito elctrico.

Polarizacin directa

al circuito cediendo electrones a la regin N del diodo.

Diodo polarizado inversamente