UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE ELECTRNICA DE POTENCIA

TIRISTOR GTO
INTEGRANTES

NASIMBA EDWIN ROS SIMN SALAZAR HUGO

INTRODUCCIN
Un tiristor de puerta de encendido-apagado (conocido como un GTO) es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales que pertenece a una familia de tiristores con una estructura de cuatro capas. Tambin pertenecen a un grupo de dispositivos semiconductores de potencia que tienen la capacidad de controlar totalmente los estados de encendido y apagado a travs de la terminal de control (puerta). Al igual que un tiristor convencional, aplicando una seal de compuerta positiva a su terminal de puerta se puede convertir en un GTO. A diferencia de un tiristor estndar, un GTO est diseado para apagar mediante la aplicacin de una seal de puerta negativa.

 Hay dos tipos de GTO: asimtricos y simtricos. Los GTO asimtricos son el tipo ms comn en el mercado. Este tipo se utiliza normalmente con un diodo anti paralelo y por lo tanto, la capacidad de inverso-bloqueo alto no est disponible. La conduccin inversa se lleva a cabo con un diodo antiparalelo integrado en la misma capa de silicio. Los GTO simtricos tienen igual capacidad de avance- e inverso-bloqueo.

ESTRUCTURA BSICA Y OPERACIN

Smbolo para un tiristor GTO

 Se requiere un alto grado de interdigitacin en los GTO con el fin de lograr la eficiencia de encendido-apagado.

El diseo ms comn emplea el rea del ctodo separados en mltiples segmentos (dedos de ctodo) y dispuestos en anillos concntricos alrededor del centro del dispositivo. La estructura interna se muestra en la figura.

 Un disco de contacto comn presionado contra los dedos del ctodo conecta los dedos juntos.
Es importante que todos los dedos se apague simultneamente, de lo contrario la corriente puede ser concentrada en menos dedos, probablemente con daos por sobrecalentamiento. El alto nivel de interdigitacin tambin da lugar a un rpido encendido y alto rendimiento.

La estructura bsica de un GTO, un dispositivo semiconductor p-n-p-n de cuatro capas, es muy similar en su construccin a un tiristor.
Tiene varias caractersticas de diseo que permiten que se enciende y se apaga mediante la inversin de la polaridad de la seal de puerta. Las diferencias ms importantes son que el GTO tiene dedos emisores largos y estrechos rodeados de electrodos de puerta y ctodos cortos.

 El modo de encendido es similar a la de un tiristor estndar. La entrada de la corriente desde los huecos hacia la puerta polariza el ctodo unin p-base, causando la emisin de electrones desde el ctodo. Estos electrones fluyen hacia el nodo e inducen entrada de huecos por el nodo emisor. La entrada de huecos y electrones en las regiones de la base contina hasta que los efectos de multiplicacin de carga provocan la conduccin del GTO.

 Al igual que con un tiristor convencional, slo el rea del ctodo adyacente al electrodo de puerta se enciende inicialmente y el rea restante se pone en conduccin por la difusin de plasma. Sin embargo, a diferencia del tiristor, el GTO se compone de muchos elementos estrechos de ctodo, en gran medida interdigitados con el electrodo de puerta, y por lo tanto el rea de apagado inicialmente es muy grande y el tiempo requerido para el plasma de dispersin es pequea.

 Con el fin de desactivar un GTO, la puerta est polarizada inversamente con respecto al ctodo y los agujeros del nodo se extraen de la base de p.

 Como resultado de ello, una cada de tensin se desarrolla en la regin p-base, que eventualmente invierte la polarizacin de la puerta del ctodo y corta la entrada de electrones. Como la extraccin agujeros contina, el p-base se agota an ms, apretando de este modo el rea de conduccin restante. Entonces, la corriente del nodo fluye a travs de las zonas ms alejadas de los contactos de puerta, formando altos y densos filamentos de corriente. Esta es la fase ms importante del proceso de apagado en los GTO, porque los filamentos de alta densidad conducen a un calentamiento localizado, que puede causar fallas en el dispositivo a menos que estos filamentos se extingan rpidamente.

IGM: corriente de puerta maxima diG/dt: rango de incremento de la corriente de puerta (10% and 90%) tw: ancho de pulso de la corriente en estado de encendido [tw=2t on] IG: corriente de puerta en estado estable

diGQ/dt:rango de variacin de la velocidad

De apagado (10%~50%) tav: tiempo de avalancha 15us<tav<30us. VGR:Turn-off gate voltaje [set VGR to be the highest possible value but not to exceed VGRM.] VRB: voltaje de polarizacin de estado estable [2V<VRB(GK)<VGRM]

tGW: tiempo de polarizacin inverso en la

Puerta [VGR se debe aplicar con una impedancia baja]

CIRCUITO AMORTIGUADOR [ Snubber circuit ]

El circuito amortiguador de un GTO es similar al circuito de conmutacin de un tiristor comn Debe ser capaz de absorber la fluctuacin de voltaje que ocurre cuando el GTO apaga la corriente

Donde Ls es la inductancia total del circuito amortiguador [diodo Ds, capacitor Cs y cables]

OPERACIN PRACTICA DE APAGADO DE UN GTO

Se limita por el problema de una distribucin no uniforme de corriente. Se concentra la corriente en pocas celdas del GTO, lo cual destruye el dispositivo por la alta concentracin de potencia lo que genera calor Bajo condiciones de voltaje y corriente altos, se requiere un circuito amortiguador dV/dt, debido a que el GTO tiene una pequea zona de operacin segura en polarizacin inversa [RBSOA]

RESUMEN
VENTAJAS Bajo costo Capacidad de voltaje y Corriente altas Bajas prdidas por conduccin DESVENTAJAS Apagado no uniforme, pobre RBSOA [rea de operacin segura en polarizacin inversa], se requiere amortiguacin

Encendido no uniforme, se requiere amortiguacin

No tiene capacidad de limitacin de corriente [FBSOA: rea de operacin segura en polarizacin directa]

REFERENCIAS
Muhammad H. Rashid, POWER ELECTRONICS HANDBOOK: devices, circuits, and applications handbook, 3rd edition, Elsevier, 2011 Timothy L. Skvarenina, THE POWER ELECTRONICS HANDBOOK, Purdue University,CRC Press LLC, 2002

MITSUBISHI HIGH POWER SEMICONDUCTORS, FEATURE AND APPLICATION OF GATE TURN-OFF THYRISTORS, 1998