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SEMICONDUCTORES

INTRODUCCION
Materiales intermedio entre conductores y aislantes Para entender como funcionan: Diodos, transistores y circuitos integrados Dos tipos de portadores de carga: electrones y huecos

CONDUCTORES
Cobre: Buen conductor (Zcu=29)
1. Capa= 2 e (la mas interna)
2. Capa = 8 e 3. Capa = 18 e Ultima capa = 1 e

ORBITAS ESTABLES
Fuerza elctrica de Coulomb

mv q k 2 r r
ORBITAL DE VALENCIA Determina las propiedades elctricas del tomo

CUAL ES LA CARGA NETA PARTE INTERNA DEL ATOMO DE COBRE ?

Que pasa si una fuerza externa arranca el electrn de valencia en el tomo de cobre?

La carga neta del tono seria +1 ION POSITIVO

ION POSITIVO: Atomo que pierde electrones ION NEGATIVO: Atomo que gana electrones

Como se clasifican los materiales de acuerdo al los electrones de valencia?


CONDUCTOR 1,2 e de valencia Ejemplos. Cu Ag, Au AISLANTES de 5 a 8 e de valencia Ejemplos. Gases nobles SEMICONDUCTORES 4 e de valencia Ejemplos. Si, Ge

Conductividad elctrica de algunos elementos a 20C


Material Z Cond.

m 1

Distr. elec

Plata Ag
Oro Au Cobre Cu Aluminio Al Platino Carbon C Germanio Ge Silicio Si

47
79 29 13 78 6 32 14

6.3 x 107
4.1 x 107 5.9 x107 3.55 x 107 9.09 x 107 2.86 x 104 2.17 1.56 x 10-3

4d10 5s1
5d106s1 3d104s1 3s 3p1 5d106s1 2s 2p2 4s 4p2 3s 3p2

Kripton
Neon

36
10

4s 4s6
2s22p6

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tomo de Germanio (Z=32)


4 electrones de valencia

Muestra de cristal de Ge

Era el nico material utilizado para fabricar dispositivos semiconductores

Estructura cristalina de Ge

tomo de Silicio
El Si, segundo elemento mas abundante en la tierra despus del oxigeno

Polvo de silicio

Cristal de silicio
Cuando los tomos se unen para formar un slido se disponen en un patrn ordenado llamado CRISTAL
Cada tomo de Si comparte sus electrones de valencia con los tomos de Si vecinos El atomo en el cristal tiene 8 e de valencia Atomo con 8 electrones se vuelve qumicamente estable
Enlace covalente: Fuerza que mantiene unido un tomo al compartir un electrn con el tomo vecino Estabilidad qumica (8 electrones)

SATURACION DE VALENCIA Electrones ligados

Explica porque el Si puro es aislante a T ambiente

NUEVO CONCEPTO: EL HUECO


Temperatura ambiente es Temperatura del aire circundante Cuando T > -273C, la energa trmica de aire circundante Los tomos de Si vibren dentro del cristal
A mayor T mayor intensidad de la vibracin

La vibracin hace que un electrn se desligue del tomo y deja un vaco: HUECO en el orbital de valencia Electrn libre

El hueco se comporta como una carga positiva La perdida de un electrn produce un ion positivo

Algunos conceptos necesarios para entender a los semiconductores Hueco: Vacio en la orbita de valencia
Se comporta como carga positiva El numero de electrones y huecos creados por energa trmica es pequeo Cristal de silicio puro a T ambiente se comporta como aislante En un cristal de Si puro la energa trmica(calor) crea igual numero de electrones libres que huecos Ne =Nh RECOMBINACION: Proceso por el cual un electrn es atraido por un hueco TIEMPO DE VIDA: Tiempo entre la creacin y desaparicin del electrn libre del orden de s o s depende de la perfeccin del cristal

Ideas: dentro del cristal de Si


Se estn creando pares electrn-hueco por accin energa trmica Otros electrones libres y huecos se estn recombinando Algunos electrones libres y huecos existen temporalmente esperando una recombinacin (estado intermedio) Preguntas
Si un cristal de Si puro tiene 1 millon de electrones libres cuantos huecos tiene? Rta. Igual numero Que sucede con este numero si aumenta la temperatura? Rta. aumenta

Semiconductores intrnsecos
Es un semiconductor completamente puro

Ejemplo: Un cristal de Si es un semiconductor intrnseco si cada tomo del cristal es un tomo de Si No tiene impurezas (99,99999% de pureza) A Temperatura ambiente Si es mas o menos aislante Puesto que tiene algunos electrones libres y sus huecos correspondientes producidos por energa trmica Dos tipos de flujo: electrones libres y huecos

Dos tipos de portadores: electrones libres y huecos


CRISTAL de Si entre dos placas metlicas cargadas

Flujo de huecos: ABCDEF

Flujo de e de valencia
FEDCBA

Movimiento de huecos

Dos tipos de flujo


Semiconductor intrnseco conectado a una fuente de voltaje
El mismo numero de electrones que de huecos Ne = Nh La energa trmica produce electrones libres y huecos por pares

Los electrones libres en terminal negativo de la batera circulan hacia el extremo derecho del cristal No hay flujo de huecos fuera del semiconductor

Dopado de un semiconductor

Como aumentar el numero de electrones libres?


Se aaden tomos pentavalentes al Si fundido
Elementos con 5 electrones de valencia (grupo V de la tabla peridica) Ej. Arsnico (As), Antimonio (Sb), Fsforo (P) Se denominan impurezas donadoras (donan un electrn extra al cristal de Si)

Estructura semiconductor tipo n


Semiconductor puro al que se le han aadido impurezas pentavalentes
Cada tomo pentavalente produce un electrn libre

Le sobran electrones libres para la conduccin elctrica


La conduccin es controlada controlado el dopaje

Ligeramente dopado resistencia alta

fuertemente dopado resistencia baja

Como aumentar el numero de huecos?

Impurezas trivalentes
Elementos con 3 electrones de valencia (grupo III de la tabla peridica) Ej. Boro (B), Aluminio (Al), Galio (Ga) Se denominan impurezas aceptoras (porque cada uno de los huecos con que contribuye puede aceptar un electrn libre durante la recombinacin)

Estructura semiconductor tipo p

Solo hay 7 electrones en el orbital de valencia

Aparece un HUECO un hueco en el orbital de valencia de c/atomo trivalente

tomo trivalente tomo aceptor

C/u de los huecos con que contribuye puede aceptar un electrn libre durante la recombinacin

pregunta
Suponga que un semiconductor dopado 10.000 millones de tomos de Si y 15 millones de tomos pentavalentes. Si la temperatura ambiente es de 20C Cuantos electrones libres y huecos hay dentro del semiconductor? Solucin Cada tomo pentavalente aporta con un electrn libre Por tanto en semiconductor tiene 15 millones de electrones libres producidos por el dopado Casi no habr huecos, los nicos sern los producidos por excitacin trmica

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
Un semiconductor es extrnseco cuando ha sido dopado es decir se le han agregado impurezas, hay dos tipos
Tipo n y tipo p SEMICONDUCTOR TIPO n. Si que ha sido dopado con impureza pentavalente. Los electrones superan a los huecos Electrones portadores mayoritarios Huecos portadores minoritarios (creados por energa trmica) Que pasaria si le aplicamos una diferencia de potencial?

Semiconductor tipo n
Electrones portadores mayoritarios Huecos portadores minoritarios

SEMICONDUCTOR TIPO p
Semiconductor de tipo p. Si que ha sido dopado con impureza trivalente. Los huecos superan a los electrones Huecos portadores mayoritarios Electrones portadores minoritarios (creados por energa trmica) Que pasara si le aplicamos una diferencia de potencial?

Semiconductor tipo p
Huecos portadores mayoritarios Electrones portadores minoritarios

Un semiconductor tipo n o p se comporta como una resistencia de carbn

Piezas separadas de un semiconductor

Elctricamente neutro

Que pasa si se juntan las dos piezas N y P?


DIODO de union (dos electrodos)

Pieza sola de un semiconductor resistencia de C Es til cuando se une dos partes n y p juntas La separacin fsica entre p y n : UNION pn La unin pn tiene propiedades tan tiles que ha propiciado inventos tales como : diodos, transistores, en general circuitos integrados

Que ocurre en la union P-N


En el lado n repulsin mutua entre electrones tiende a dispersarlos hacia el lado p Al entrar en p se convierte en un portador minoritario Con tantos huecos en p dura muy poco como electrn libre Cae en un hueco Desaparece el hueco El electrn libre pasa a ser electrn de valencia

Cada vez que un electrn pasa de np Crea un par de iones Al abandonar el tomo pentavalente crea un ion positivo Luego que el electrn cae en un hueco en el lado p el tomo trivalente se convierte en un ion negativo Los iones estn fijos en la estructura del cristal no pueden moverse Cada pareja de iones positivo y negativo crea un dipolo Cada dipolo crea su campo electrico

Que mas ocurre?

Por cada dipolo creado desparece un electrn y un hueco Zona sin portadores zona de deplexion

Zona de deplexion barrera de potencial

La zona de deplexion detiene la difusin de electrones a travs de la unin El campo elctrico creado trata de devolver los electrones al lado n El campo elctrico entre iones equivale a una Barrera de potencial A 25C barrera de potencial = 0,3 V para diodos de Ge y 0.7 V para diodos de Si

Si los electrones no tienen suficiente energa ya no pueden superar la barrera de potencial

Polarizacin directa
Que hacemos para que se establezca la conduccin Aplicamos una fuente de CC pon un potencial mayor que la barrera de potencial Positivo al lado P y negativo al lado n

Que ocurrir con los portadores ahora?


Cuando la fuente de voltaje V>barrera de potencial (Vp), La batera empuja electrones y huecos hacia la unin Los electrones en n ganan energa y pueden pasar la zona de deplexion Se recombina con los huecos en p Imagine huecos movindose hacia derecha Y electrones hacia la izquierda Siguen entrando electrones de la batera Se establece una corriente continua

Que le sucede a un electrn en el cristal?


Despus de abandonar la Terminal negativa de la fuente, entra al extremo derecho del cristal

Se desplaza a travs de la regin n como electrn libre Si tiene suficiente energa (E>0.7V) en la unin se recombina con un hueco y se convierte en un electrn de valencia Se desplaza a travs de la regin p como electrn de valencia Despus de abandonar el cristal, fluye a la Terminal positiva de la fuente

Recordar
La corriente circula fcilmente en un diodo de silicio polarizado en directa. Cuando la tensin aplicada sea mayor que la barrera de potencial habr una gran corriente continua en el circuito Si la fuente de tensin es mayor que 0,7 V, un diodo de silicio produce una corriente continua en la direccin directa.

Polarizacin inversa
Se invierte la polaridad de la fuente CC Terminal negativo lado p, terminal positivo lado n

Terminal negativo atrae huecos Terminal positivo atrae electrones libres Huecos y electrones se alejan de la unin Zona de deplexion se ensancha

Ensanchamiento de la union

A mayor anchura de la zona corresponde mayor diferencia de potencial Vo Aumenta hasta Vo=V batera Existir alguna corriente en polarizacin directa? Si Existe una pequea corriente por energa trmica debida los portadores minoritarios Recordar la energa trmica crea pares electrn- hueco

Corriente de portadores minoritarios


suponga que la energa trmica creo par electrn-hueco cerca de la unin

El electrn es empujado hacia la derecha Haciendo que un electrn salga hacia el exterior hacia el terminal positivo de la batera Hueco es empujado hacia la izquierda Hace que un electrn entre al lado p desde el terminal negativo y se recombine con un hueco La energa trmica esta creando constantemente pares electrn-hueco se crea una pequea corriente

Corriente inversa de saturacion


Originada por los portadores minoritarios producidos trmicamente Is Is = f(T) Aumentar la tensin inversa no aumenta Is Is A diodo de Ge Is pA diodo de Si Is solo depende de T

Voltaje de ruptura
Voltaje inverso mximo que soporta un diodo sin destruirse (VIP) >= 50 V Para V > VIP una gran cantidad de portadores minoritarios aparecen repentinamente en la zona de deplexin Efecto avalancha: proceso de crecimiento geomtrico de portadores en la zona de deplexin por aumento de V inverso en un diodo

Efecto avalancha

Niveles de energia
La energa total del electrn tamao de su orbita(r) Cada radio a un nivel de energa

ET

q2 8 0 r

clsica

Para entender: Atomo de Hidrogeno

De acuerdo a los postulados de Bohr fsica moderna (para el H)


mq 4 1 ET 2 2 2 8h 0 n n 1, 2, 3

Se requiere energa para llevar un electrn a una orbita mayor (n) Cuando un electrn salta de la 1 a la 2 orbita gana energa potencial respecto al ncleo El calor, luz o voltaje, etc pueden suministrar energa al electrn para llevarlo a ganar Ep Los electrones de regreso emiten luz (REM) (diodos LEDS)

Postulados de Bohr

Calculo numericos
Con los valores de las constantes se puede demostrar
carga electrn q masa electrn m constante de Planck h permitividad vacio o 1 electron voltio 1.60E-19 9.11E-31 6.63E-34 8.85E-12 1.60E-19 C Kg Js F/m J

m
1 2 3 4 5 6 5.29E-11 2.12E-10 4.76E-10 8.47E-10 1.32E-09 1.91E-09

J
-2.18E-18 -5.45E-19 -2.42E-19 -1.36E-19 -8.72E-20 -6.06E-20

eV
-13.61 -3.40 -1.51 -0.85 -0.54 -0.38

Niveles de energa atmica

BANDAS DE ENERGIA (SEMICONDUCTOR)


La descripcin anterior es valida para un tomo aislado Cuando los tomos por ejemplo en el cristal de Si estn en el cristal el orbital de c/e se ve influenciado por las cargas de muchos tomos de Si Cada electrn tiene una posicin nica dentro de la red cristalina Principio de Exclusin de Pauli "En un sistema electrnico no puede haber 2 electrones con los mismos nmeros cunticos". No hay 2 electrones que tengan exactamente el mismo patrn de cargas alrededor El orbital de c/ electrn es diferente Es decir los niveles de energa de cada electrn es diferente La agrupacin de tomos en un slido forma bandas de energa

Bandas de energa de un semiconductor intrnseco a T= 298K (25C)


Cuando se cierra el circuito los pocos electrones de mueven a travs de banda de conduccin y los huecos en banda de valencia

Se agrupan todos los electrones libres

Se agrupan todos los huecos y electrones ligados

Se agrupan todos los electrones de segundo orbital Se agrupan todos los electrones de primer orbital

A T ambiente la E trmica puede hacer saltar un electrn de Banda Valencia a Banda de conduccin Electrones libres Banda de conduccin Huecos Banda de valencia La energa Trmica produce pocos portadores La corriente es muy pequea

Bandas de energa de un semiconductor intrnseco a 0 K

No hay portadores

Electrones ligados

Bandas de energa de un semiconductor tipo n

Bandas de energa de un semiconductor tipo p

Estructura de bandas de un aislante

Estructura de bandas semiconductor

Estructura de bandas conductor

BARRERA DE ENERGIA
Antes de la difusin(no existe zona de deplexin) Suponiendo un unin abrupta Electrn al cruzar la unin se recombina con un hueco y emite REM Crea la zona de deplexion

Es un caso ideal

Cambio gradual: caso real


La difusin de portadores modifica las bandas de energa

Los electrones no tienen suficiente energa para cruzar la barrera

Bandas de energa con polarizacin directa


La polarizacin directa hace que disminuya la altura de energa, la batera aumenta el nivel energtico de los electrones libres Equivale a empujar la banda n hacia arriba

Barrera de potencial y la temperatura

La barrera de potencial decrece 160 mV

Otra pregunta
Cual ser el valor de la barrera de potencial a 0 C Aumenta o disminuye

Respuesta
La barrera de potencial crece 40 mV Y su valor ser 0.74 V

Diodo con polarizacin inversa


Cuando el voltaje inverso aumenta, los electrones y los huecos se alejan de la unin Van quedando atrs iones positivos y negativos La capa de deplexin se ensancha Fluye inicialmente una pequea corriente transitoria, depende de la constante de tiempo RC del circuito externo Se puede ignorar para frecuencia <10MHz

Desciende la banda n al contrario de la polarizacin directa


Pero existe un pequea corriente de saturacin inversa

La energa trmica produce par electrnhueco en la zona de deplexin

Is se duplica por cada aumento de 10C de la temperatura Es decir un aumento del 7% en la corriente de saturacin por cada aumento de un grado Celsius

Ejemplo: Un diodo de Si tiene una corriente de saturacin de 5 nA a 25C. Estime la corriente de saturacin a 100C Rta.Is =903,8 nA Encuentre una ecuacin para el crecimiento Is en funcin de T

Silicio frente a germanio

Modelo matemtico
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin inversa q es la carga del electrn cuyo valor es 1.603 x 1019 C T es la temperatura absoluta de la unin kB es la constante de Boltzmann = 1.381 x 10-23 J/K es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el Ge) y del orden de 2 (para el Si a corrientes bajas). El trmino VT = kB T/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C). Se la puede escribir asi:

Comportamiento de la ecuacin terica del diodo

Curva del diodo 1

Caracterstica I-V diodo Si

Curvas Diodos Si y Ge

Curva del diodo 2