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INTRODUCCION
Materiales intermedio entre conductores y aislantes Para entender como funcionan: Diodos, transistores y circuitos integrados Dos tipos de portadores de carga: electrones y huecos
CONDUCTORES
Cobre: Buen conductor (Zcu=29)
1. Capa= 2 e (la mas interna)
2. Capa = 8 e 3. Capa = 18 e Ultima capa = 1 e
ORBITAS ESTABLES
Fuerza elctrica de Coulomb
mv q k 2 r r
ORBITAL DE VALENCIA Determina las propiedades elctricas del tomo
Que pasa si una fuerza externa arranca el electrn de valencia en el tomo de cobre?
ION POSITIVO: Atomo que pierde electrones ION NEGATIVO: Atomo que gana electrones
m 1
Distr. elec
Plata Ag
Oro Au Cobre Cu Aluminio Al Platino Carbon C Germanio Ge Silicio Si
47
79 29 13 78 6 32 14
6.3 x 107
4.1 x 107 5.9 x107 3.55 x 107 9.09 x 107 2.86 x 104 2.17 1.56 x 10-3
4d10 5s1
5d106s1 3d104s1 3s 3p1 5d106s1 2s 2p2 4s 4p2 3s 3p2
Kripton
Neon
36
10
4s 4s6
2s22p6
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Muestra de cristal de Ge
Estructura cristalina de Ge
tomo de Silicio
El Si, segundo elemento mas abundante en la tierra despus del oxigeno
Polvo de silicio
Cristal de silicio
Cuando los tomos se unen para formar un slido se disponen en un patrn ordenado llamado CRISTAL
Cada tomo de Si comparte sus electrones de valencia con los tomos de Si vecinos El atomo en el cristal tiene 8 e de valencia Atomo con 8 electrones se vuelve qumicamente estable
Enlace covalente: Fuerza que mantiene unido un tomo al compartir un electrn con el tomo vecino Estabilidad qumica (8 electrones)
La vibracin hace que un electrn se desligue del tomo y deja un vaco: HUECO en el orbital de valencia Electrn libre
El hueco se comporta como una carga positiva La perdida de un electrn produce un ion positivo
Algunos conceptos necesarios para entender a los semiconductores Hueco: Vacio en la orbita de valencia
Se comporta como carga positiva El numero de electrones y huecos creados por energa trmica es pequeo Cristal de silicio puro a T ambiente se comporta como aislante En un cristal de Si puro la energa trmica(calor) crea igual numero de electrones libres que huecos Ne =Nh RECOMBINACION: Proceso por el cual un electrn es atraido por un hueco TIEMPO DE VIDA: Tiempo entre la creacin y desaparicin del electrn libre del orden de s o s depende de la perfeccin del cristal
Semiconductores intrnsecos
Es un semiconductor completamente puro
Ejemplo: Un cristal de Si es un semiconductor intrnseco si cada tomo del cristal es un tomo de Si No tiene impurezas (99,99999% de pureza) A Temperatura ambiente Si es mas o menos aislante Puesto que tiene algunos electrones libres y sus huecos correspondientes producidos por energa trmica Dos tipos de flujo: electrones libres y huecos
Flujo de e de valencia
FEDCBA
Movimiento de huecos
Los electrones libres en terminal negativo de la batera circulan hacia el extremo derecho del cristal No hay flujo de huecos fuera del semiconductor
Dopado de un semiconductor
Impurezas trivalentes
Elementos con 3 electrones de valencia (grupo III de la tabla peridica) Ej. Boro (B), Aluminio (Al), Galio (Ga) Se denominan impurezas aceptoras (porque cada uno de los huecos con que contribuye puede aceptar un electrn libre durante la recombinacin)
C/u de los huecos con que contribuye puede aceptar un electrn libre durante la recombinacin
pregunta
Suponga que un semiconductor dopado 10.000 millones de tomos de Si y 15 millones de tomos pentavalentes. Si la temperatura ambiente es de 20C Cuantos electrones libres y huecos hay dentro del semiconductor? Solucin Cada tomo pentavalente aporta con un electrn libre Por tanto en semiconductor tiene 15 millones de electrones libres producidos por el dopado Casi no habr huecos, los nicos sern los producidos por excitacin trmica
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
Un semiconductor es extrnseco cuando ha sido dopado es decir se le han agregado impurezas, hay dos tipos
Tipo n y tipo p SEMICONDUCTOR TIPO n. Si que ha sido dopado con impureza pentavalente. Los electrones superan a los huecos Electrones portadores mayoritarios Huecos portadores minoritarios (creados por energa trmica) Que pasaria si le aplicamos una diferencia de potencial?
Semiconductor tipo n
Electrones portadores mayoritarios Huecos portadores minoritarios
SEMICONDUCTOR TIPO p
Semiconductor de tipo p. Si que ha sido dopado con impureza trivalente. Los huecos superan a los electrones Huecos portadores mayoritarios Electrones portadores minoritarios (creados por energa trmica) Que pasara si le aplicamos una diferencia de potencial?
Semiconductor tipo p
Huecos portadores mayoritarios Electrones portadores minoritarios
Elctricamente neutro
Pieza sola de un semiconductor resistencia de C Es til cuando se une dos partes n y p juntas La separacin fsica entre p y n : UNION pn La unin pn tiene propiedades tan tiles que ha propiciado inventos tales como : diodos, transistores, en general circuitos integrados
Cada vez que un electrn pasa de np Crea un par de iones Al abandonar el tomo pentavalente crea un ion positivo Luego que el electrn cae en un hueco en el lado p el tomo trivalente se convierte en un ion negativo Los iones estn fijos en la estructura del cristal no pueden moverse Cada pareja de iones positivo y negativo crea un dipolo Cada dipolo crea su campo electrico
Por cada dipolo creado desparece un electrn y un hueco Zona sin portadores zona de deplexion
La zona de deplexion detiene la difusin de electrones a travs de la unin El campo elctrico creado trata de devolver los electrones al lado n El campo elctrico entre iones equivale a una Barrera de potencial A 25C barrera de potencial = 0,3 V para diodos de Ge y 0.7 V para diodos de Si
Polarizacin directa
Que hacemos para que se establezca la conduccin Aplicamos una fuente de CC pon un potencial mayor que la barrera de potencial Positivo al lado P y negativo al lado n
Se desplaza a travs de la regin n como electrn libre Si tiene suficiente energa (E>0.7V) en la unin se recombina con un hueco y se convierte en un electrn de valencia Se desplaza a travs de la regin p como electrn de valencia Despus de abandonar el cristal, fluye a la Terminal positiva de la fuente
Recordar
La corriente circula fcilmente en un diodo de silicio polarizado en directa. Cuando la tensin aplicada sea mayor que la barrera de potencial habr una gran corriente continua en el circuito Si la fuente de tensin es mayor que 0,7 V, un diodo de silicio produce una corriente continua en la direccin directa.
Polarizacin inversa
Se invierte la polaridad de la fuente CC Terminal negativo lado p, terminal positivo lado n
Terminal negativo atrae huecos Terminal positivo atrae electrones libres Huecos y electrones se alejan de la unin Zona de deplexion se ensancha
Ensanchamiento de la union
A mayor anchura de la zona corresponde mayor diferencia de potencial Vo Aumenta hasta Vo=V batera Existir alguna corriente en polarizacin directa? Si Existe una pequea corriente por energa trmica debida los portadores minoritarios Recordar la energa trmica crea pares electrn- hueco
El electrn es empujado hacia la derecha Haciendo que un electrn salga hacia el exterior hacia el terminal positivo de la batera Hueco es empujado hacia la izquierda Hace que un electrn entre al lado p desde el terminal negativo y se recombine con un hueco La energa trmica esta creando constantemente pares electrn-hueco se crea una pequea corriente
Voltaje de ruptura
Voltaje inverso mximo que soporta un diodo sin destruirse (VIP) >= 50 V Para V > VIP una gran cantidad de portadores minoritarios aparecen repentinamente en la zona de deplexin Efecto avalancha: proceso de crecimiento geomtrico de portadores en la zona de deplexin por aumento de V inverso en un diodo
Efecto avalancha
Niveles de energia
La energa total del electrn tamao de su orbita(r) Cada radio a un nivel de energa
ET
q2 8 0 r
clsica
Se requiere energa para llevar un electrn a una orbita mayor (n) Cuando un electrn salta de la 1 a la 2 orbita gana energa potencial respecto al ncleo El calor, luz o voltaje, etc pueden suministrar energa al electrn para llevarlo a ganar Ep Los electrones de regreso emiten luz (REM) (diodos LEDS)
Postulados de Bohr
Calculo numericos
Con los valores de las constantes se puede demostrar
carga electrn q masa electrn m constante de Planck h permitividad vacio o 1 electron voltio 1.60E-19 9.11E-31 6.63E-34 8.85E-12 1.60E-19 C Kg Js F/m J
m
1 2 3 4 5 6 5.29E-11 2.12E-10 4.76E-10 8.47E-10 1.32E-09 1.91E-09
J
-2.18E-18 -5.45E-19 -2.42E-19 -1.36E-19 -8.72E-20 -6.06E-20
eV
-13.61 -3.40 -1.51 -0.85 -0.54 -0.38
Se agrupan todos los electrones de segundo orbital Se agrupan todos los electrones de primer orbital
A T ambiente la E trmica puede hacer saltar un electrn de Banda Valencia a Banda de conduccin Electrones libres Banda de conduccin Huecos Banda de valencia La energa Trmica produce pocos portadores La corriente es muy pequea
No hay portadores
Electrones ligados
BARRERA DE ENERGIA
Antes de la difusin(no existe zona de deplexin) Suponiendo un unin abrupta Electrn al cruzar la unin se recombina con un hueco y emite REM Crea la zona de deplexion
Es un caso ideal
Otra pregunta
Cual ser el valor de la barrera de potencial a 0 C Aumenta o disminuye
Respuesta
La barrera de potencial crece 40 mV Y su valor ser 0.74 V
Is se duplica por cada aumento de 10C de la temperatura Es decir un aumento del 7% en la corriente de saturacin por cada aumento de un grado Celsius
Ejemplo: Un diodo de Si tiene una corriente de saturacin de 5 nA a 25C. Estime la corriente de saturacin a 100C Rta.Is =903,8 nA Encuentre una ecuacin para el crecimiento Is en funcin de T
Modelo matemtico
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:
Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin inversa q es la carga del electrn cuyo valor es 1.603 x 1019 C T es la temperatura absoluta de la unin kB es la constante de Boltzmann = 1.381 x 10-23 J/K es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el Ge) y del orden de 2 (para el Si a corrientes bajas). El trmino VT = kB T/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C). Se la puede escribir asi:
Curvas Diodos Si y Ge