MOSFET DE POTENCIA

Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect Transistor

HISTORIA DEL MOSFET

Julius

Edgar Lilienfeld (Lemberg, 18 de abril de 1882 Carlota Amalia, Islas Vrgenes de los Estados Unidos, 28 de agosto de 1963) fue un fsico de origen austrohngaro, inventor del tipo de transistores llamados actualmente Transistor de efecto de campo.

HISTORIA DEL MOSFET

Dawon

Kahng Naci el 4 de mayo de 1931 en Sel , Corea del Sur . Invent MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field- transistor de efecto ), que es el elemento bsico en la mayora de los equipos electrnicos de hoy en da , con Martin M. Atalla en 1959.

INTRODUCCIN AL MOSFET
utilizado

para amplificar o conmutar seales electrnicas. ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.

INTRODUCCIN AL MOSFET

INTRODUCCIN AL MOSFET

ESTRUCTURA
Un

transistor de efecto de campo metal-xidosemiconductor (MOSFET) se basa en controlar la concentracin de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta.

FUNCIONAMIENTO

Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran campo de aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada. Los segundos tienen una mayor aplicacin en circuitos digitales y sobre todo en la construccin de circuitos integrados, debido a su pequeo consumo y al reducido espacio que ocupan.

FUNCIONAMIENTO

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TIPOS DE MOSFET
Existen

dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento. Un MOSFET tipo empobrecido permanece activo con voltaje cero Un MOSFET tipo enriquecimiento permanece apagado con voltaje cero de compuerta

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MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO
El MOSFET de empobrecimiento fue parte de la evolucin hacia el MOSFET de enriquecimiento que es tambin llamado de acumulacin. Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar corriente al terminal de puerta o graduador

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MOSFET DE EMPOBRECIDO

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MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO

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MOSFET ENRIQUECIDO
tienen

un gran campo de aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada. Sin el MOSFET de enriquecimiento no existiran los ordenadores.

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MOSFET ENRIQUECIDO

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MODOS DE OPERACION
El

funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de operacin, dependiendo de las tensiones en sus terminales.

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CORTE
Cuando

VGS < Vth

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LINEAL
Cuando

VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth )

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SATURACION
Cuando

VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth )

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MOSFET ENRIQUECIDO

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CURVA MOSFET

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CURVAS MOSFET

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VENTAJAS DEL MOSFET

Consumo en modo esttico muy bajo. Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao. Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nano amperios. Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

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COMO PROTEGER TU MOSFET

La

descarga electrosttica es una fuente de quemado del MOSFET. Otra fuente es el uso del dispositivo ms all de sus especificaciones de corriente y tensin. Para proteger un MOSFET de potencia del quemado, usa medidas preventivas para evitar o disipar la electricidad esttica y para protegerlo de los transitorios.

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