CONFIGURACION DE

TRANSISTORS PARA
CIRCUITOS DIGITALES
Equipo # 4 Los Caballeros Del Zodiaco
Ledesma Baruch Cristobal
Lopez Soria Ricardo
Martinez Cortez Jesus Joel
LOS TRANSISTORES SEMICONDUCTORES

Empezaremos por recordar que es un transistor. Se denominan
transistores a los dispositivos semiconductores que utiliza la
electronica moderna para diversos fines a saber: Amplificacin de
seales elctricas analgicas, generacin de niveles de tensin
para materializar las funciones lgicas que utiliza la electronica
digital, Interruptor de corriente para controlar el flujo de potencia
elctrica, en los sistemas desarrollados por la electronica de
potencia , etc. En gral.
Como lo dice, el titulo de esta exposicion nos enfocaremos en hablar sobre los transistors para circuitos digitales y explicar su configuracion .

Cicuitos digitales. Familias lgicas
Se denomina familia lgica, al conjunto de circuitos integrados que son fabricados
utilizando una puerta bsica determinada. Las caractersticas esenciales de cada farmilia lgica
son:
1) todos los circuitos de una misma familia poseen propiedades elctricas y temporales
similares, es decir, los mismos parmetros de conmutacin. Como consecuencia de esto ltimo,
2) todos los circuitos de una misma familia se pueden conectar entre s directamente. Para
conectar puertas de diferentes familias normalmente hay que utilizar circuitos especiales o
etapas de interfase.
En funcin del tipo de transistor utilizado para realizar las puertas, hay dos grandes grupos
de familias:
- Familias bipolares: Utilizan como base el BJT (Familias TTL, ECL, etc.).
- Familias MOS: Utilizan el transistor MOS (Familias NMOS, CMOS, etc.).
Adems, dentro de cada familia, existen subfamilias que tienen caractersticas especiales
para mejorar determinados comportamientos especficos necesarios en aplicaciones
particulares. Por tanto, a la hora de hacer un diseo habr que elegir aquella familia y subfamilia que mejor cumpla los requerimientos del mismo,
en base a flexibilidad lgica, velocidad de operacin, catlogo de funciones lgicas disponibles, ruido, temperatura de operacin, consumo
de potencia, tensin de alimentacin, rea y coste final. Daremos a continuacin unas breves pinceladas sobre la implantacin actual de las
tecnologas indicadas en la Fig. 5.1, y de sus ventajas e inconvenientes. Posteriormentre, en el resto del tema se analizarn circuitos digitales
realizados con cada una de ellas.Las tecnologas CMOS son actualmente las que dominan el mercado de circuitos
integrados (ICs) gracias a una serie de ventajas, entre las que sobresale un reducido consumo de potencia frente, no solo a tecnologas bipolaes,
sino tambin a otras alternativas MOS. Bsicamente, las tecnologas CMOS han triunfado gracias a varias propiedades:
- Los circuitos lgicos CMOS disipan mucha menos potencia que las alternativas BJTs.
Esto hace factible una mayor densidad de encapsulado dentro de un mismo chip, sin un
incremento de la temperatura excesivo y controlado.
- Poseen muy alta impedancia de entrada (puerta del MOS), que puede ser utilizada para
el almacenamiento de carga temporalmente en circuitos lgicos de memoria. Inviable en
circuitos bipolares.
Las familias lgicas bipolares son (TTL y ECL) poco utilizadas en la actualidad. A pesar de ello, la familia TTL (Transistor Transditor Logic) fue la
primera que apareci con capacidad de resolver de forma completa un problema de diseo lgico. En la actualidad es incapaz de
competir con la CMOS VLSI.
Caracterizacin de un circuito lgico
Los circuitos digitales utilizan seales lgicas para el procesado de la informacin. Estas
seales toman valores discretos (0 y 1), que son adimensionales y que cambian, generalmente,
regidos por un ciclo de reloj o mquina. Por contra, las seales elctricas que
soportan fsicamente a las digitales, se componen de tensiones e intensidades, que evolucionan
en el tiempo a una determinada velocidad. La caracterizacin de un circuito lgico supone
relacionar las seales elctricas, reales, con el modelo lgico empleado en circuitos digitales,
teniendo en cuenta naturaleza elctrica de las estas seales. Para ello se definen una serie de
parmetros (denominados parmetros de conmutacin) y variables adecuada que modelen el
comportamiento de los circuitos digitales en funcin de su realizacin y permitan distinguirlos
a unos de otros dependiendo de sus prestaciones. Podemos definir tres grupos de parametros de
comportamniento:
- Parametros de conmutacin estticos.
- Parametros de conmutacin dinmicos.
- Parametros energticos. Potencia esttica y dinmica. Producto potencia-retardo.

Familia TTL (Transistor Transistor Logic)
El inversor TTL bsico se muestra en la Fig. 5.6. En l se incluyen dos transistores Q1 y
Q3. La entrada al circuito es el emisor de Q1 y la salida por el colector de Q3






Para demostrar que este circuito funciona como un inversor suponemos las dos estados de
entrada:
a) Si vI = 1 (es decir, vI=5V). La unin BE de Q1 est en polarizacin inversa y la BC en polarizacin directa, lo cual nos indica
que este transistor est en activa inversa (ZAI). Las intensidad de colector de Q1 es negativa e igual a la de base de Q3,
haciendo que Q3 este en zona de conducin, en concreto saturacin, si la intensidad de base de Q1 tiene el valor
suficientemente alto como para llevar a Q3 a saturacin.Por tanto la salida es VCE = 0.2V que
es un valor bajo salida. o cero lgico.
b) Si vI = 0 (es decir, vI=0.2V) . En este caso, la unin base emisor de Q1, esta polarizada
directamente, situando la base de Q1 a 0.9V aproximadamente. La intensidad de colector tiende
a ser positiva, debido a que la unin base-emisor conduce. Sin embargo, como la intensidad de
base solo puede ser positiva, llega un momento en que ambas intensidades, iC1 e iB3 se anulan,
provocando el corte de Q3. La salida se hace entonces igual a VCC o equivalentemente, un uno
lgico.
Veremos cmo se comporta este circuito en los transitorios, es decir, la evolucin del
circuito cuando las entradas conmutan de estado. Es necesario para ello tener en cuanta la carga
capacitativa CL a la salida del circuito que aparece como resultado del modelado las
capacidades parsitas asociads a los posibles circuitos conectados a dicha salida, as como las
propias capacidades internas del circuito.
La puerta NAND TTL bsica
La puerta NAND bsica sigue la misma estructura que el inversor TTL, y se muestra en
la Fig. 5.9. Se observa en ella que el transistor de entrada es multiemisor, es decir, tiene tantos
emisores como entradas tenga la puerta. Vamos a comprobar que cumple la funcin NAND.
a) Si todas las entradas estn a nivel alto. En este caso, los emisores quedan cortados y
circula corriente desde VCC a travs de Rl y de la unin BC de Ql hacia la base de Q2. El elevado
valor de esta corriente de base de Q2 es suficiente para llevar para a saturacin, tanto a este
transistor como a Q3 por lo que la salida es VCEsat de Q3 y por tanto un valor bajo. Adems con
este estado de los transistores, el valor de la tensin de colector de Q2 ser
vC2 =vCE2 +vBE3 =0.2v + 0.8v=1v
y esa tensin no es suficiente para polarizar directamente a la unin BE de Q4 y al diodo por lo que esa rama est abierta y la
salida es efectivamente un valor bajo.









b) Alguna entrada tiene valor bajo.
En este caso, la unin BE conduce, correspondiente
dando lugar a una intensidad de base del transistor Ql procedente de VCC y que sale al exterior a travs de la unin BE de este
transistor (es por tanto una intensidad saliente). En estas condiciones, la tensin en la base de Q1 es del orden de 0,9 V
insuficiente para hacer conducir a Q2 y Q3 que por tanto estarn cortados. Esto lleva a saturacin al transistor Q4 y la salida
ser un valor alto.











La puerta NOR TTL

La puerta NOR TTL tiene la estructura que se muestra en la Fig. 5.10. El funcionamiento es similar al de la puerta
NAND. Aqu el transistor de entrada no es multiemisor, sino que existe un transistor Q1 por cada entrada y los
divisores de fase Q2 estn en paralelo de forma que basta con que uno de los dos conduzca para que la salida
sea baja.






















Familia ECL (Emiter Couple Logic)
La familia ECL (Emitter Coupled Logic) es considerada como la ms rpida actualmente,
con tiempos de propagacin menores de 1 ns. Se trata de circuitos en los que se evita la
saturacin de los transistores bipolares con lo que disminuye el tiempo de conmutacin.
El inversor ECL bsico
En la Fig. 5.11 se muestra el inversor bsico. Consta de un circuito de entrada constituido
por un amplificador diferencial y una etapa de salida basada en un circuito seguidor de emisor
que acta como separador y restaurador de nivel









Cualquiera de las fuentes, VBB, VCC y VEE, pueden llevarse a tierra. Sin embargo siempre tieneque cumplirse que VCC > V BB > V
EE. La mayor inmunidad al ruido se consigue cuando es
VCC la que se conecta a tierra
a) vI es baja y menor que VBB: En ese caso el transistor Q1 est cortado con lo que 1a
seal en y1 es VCC y la salida por el terininal NOR es V CC -vBE4 cual es un valor alto
b) vI es alta. Ahora el transistor Q1 conduce y la tensin en el emisor ser vI -vBE1 > VBB
por lo que el transistor Q2 se corta. La situacin por tanto es simtrica de la anterior: la seal en
y1 es la tensin de colector de un transistor en activa directa por lo que vNOR baja despus de
pasar por el seguidor de emisor


Funcin OR y NOR con lgica ECL
Para conseguir la funcin OR o NOR de varias entradas, se conectarn como se muestra
en la Fig. 5.12.








Los terminales A, B y C en la figura, son las entradas de una puerta ECL. A la salida se
obtendrn las funciones OR y NOR de estas entradas. El modo de funcionamiento es el
siguiente:
a) Todas las entradas tienen valor BAJO: Entonces todos los transistores de entrada
estarn cortados, lo que hace que Q2 est en activa. Por tanto y1 est en ALTO y la salida NOR
es ALTA. As mismo y2 est en BAJO y la salida OR es BAJA.
b) Alguna entrada es ALTA. El transistor de entrada correspondiente conduce por lo que
se corta el Q2. La situacin es la contraria de la anterior e y1 est en BAJO y la salida NOR es
BAJA. As mismo y2 est en ALTA y la salida OR es ALTA. Se cumple por tanto la funcin
OR y NOR de las entradas.


Circuitos CMOS
Se van a considerar a continuacin la realizacin de circuitos lgicos combinacionales
basados en el comportamiento del inversor CMOS estudiado en el tema 4. En estos circuitos, la
salida depende en cada momento de las entradas actuales, careciendo de memoria o
realimentacin alguna.
La estructura bsica de estos circuitos se ilustra en la Fig. 5.14. Al igual que en el inversor
CMOS, se dispone un red de polarizacin del nivel bajo (pull-down) formada por transistores
NMOS, y una equivalente para el nivel alto (pull-up) constituida por transistores PMOS. Las
dos redes se activan por variables de entrada, de forma que trabajen de forma complementaria,
impidiendo que ambos caminos (al nivel alto y bajo) esten activados simultneamente.








La red PDN conducir con todas aquellas combinaciones que requieran un valor de Y=0,
establecienndo un camino a tierra. A la vez, la red PUN deber estar desactivada, eliminando
todo camino a la alimentacin VDD.



Circuitos lgicos de transistor de paso
Se pueden realizar implementaciones de funciones lgicas mediante la combinacin serie
y paralelo de conmutadores controlados por variables lgicas de entrada, conectando los nudos
de entrada y salida. Los conmutadores pueden ser realizados por transistores NMOS o PMOS,
o por ambos a la vez, si se trata de puertas CMOS. El resultado es simple y prctico. Puede
apreciarse en la Fig. 5.20. Se conoce con el nombre de lgica PTL (Pass Transistor Logic) o
lgica de puertas de transmisin.











La lgica PTL exige que todos los nudos del circuito tengan un camino de baja
impedancia a tierra y VDD para garantizar el correcto establecimiento de los niveles lgicos.






Bibliografia :
http://www.frsf.utn.edu.ar/matero/visitante/bajar_apunte.php?id_catedra=141&id_a
punte=2702

https://www.google.com.mx/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=2&cad=rja
&uact=8&ved=0CC4QFjAB&url=http%3A%2F%2Fes.wikipedia.org%2Fwiki%2FL%25C3%2
5B3gica_resistencia-transistor&ei=s3pDU7-
VJeO0yAHliID4AQ&usg=AFQjCNHutJ02CbW_Tt1x6GqzjBq8fnLHGQ

http://www.dte.us.es/tec_inf/itis/tcomp/Tema5/Tema5.pdf