Radiometra fototrmica (PTR) como tcnica

para el calculo de la emisividad trmica de un

recubrimiento de selectivo de NiO.
Jorge Andrs Ramrez Rincn
Estado Solido
Maestra en fsica aplicada
Contenido

Radiometra fototrmica (PTR).

Modelo matemtico.

Aparato experimental.

Recubrimiento selectivos.



Radiometra fototrmica
(PTR)
Esta tcnica se basa en el monitoreo de la radiacin infrarroja emitida
por una superficie luego de que esta es calentada por un fuente
modulada.
Con un sensor de HgCdTe, se monitorea el comportamiento de la
temperatura en el material calentado, y dada la naturaleza de la fuente
dos seales se obtienen dos seales.
Amplitud : Temperatura superficial
Fase: Difusin del calor en el material.
Difusin del calor sobre un
sistema de capas
Ley de Fourier para la conduccin de calor.



Usando la transformada de Fourier para cambiar la dependencia
en el tiempo por la frecuencias a la cual se modula la fuente
queda:



Para solucionar la ecuacin diferencial 2.1, debemos conocer
algunas propiedades trmicas y pticas del material como:

Conductividad y difusividad trmica.
Longitud de difusin.

Para este caso el sistemas a estudiar tiene la forma:


Con las condiciones de frontera habituales para la solucin de
una ecuacin diferencial, (continuidad de la funcin y su
derivada) adems de asegurar la continuidad del flujo de energa,
la solucin buscada tiene la forma:







Potencia radiada por la superficie
La ley de Stefan Boltzmann establece:


Considerando que se hace un pequeo incremento de la
temperatura, la variacin en la potencia radiada es:


Relacionando (5) y (3) queda:





Aparato experimental
Sensor IR
El sensor se basa en una superficie de HgCdTe (Mercurio
Cadmio Telurio) diseada de tal forma que su Gap coincida con
la energa de la radiacin infrarroja. Para nuestro caso el rango
de medicin esta entre 2 y 12m.

El CdTe es un semiconductor de Gap 1.5 eV, y el HgTe es un
semimetal de Gap cero, por tanto su unin de cmo resultado un
material de Gap entre 0 y 1.5 eV.

Los semimetales a diferencian de los metales se caracterizan en
que la densidad de portadores en la superficie es nula.


Estructura del HgCdTe.

Zinc-Blenda
Amarillo : Cd o Hg
Gris: Te

La cantidad de Telurio en la aleacin determina el tamao del
Gap.

Adicionalmente para incrementar la movilidad de las cargas, el
sistema es enfriado con Nitrgeno liquido.

Este tipo de materiales tambin son utilizados por los ejrcitos
para las lentes de visin nocturna y bombas teledirigidas.




Recubrimientos selectivos
Materiales depositados regularmente sobre acero, que se
caracterizan por tener una alta absorbancia en el espectro visible,
y una baja emisividad en el infrarrojo, de tal manera que dicha
energa se pueda utilizar para calentar un fluido o una cmara
para el secado de frutas, hierbas etc.