Leccin 5

EL MOSFET DE POTENCIA
Sistemas Electrnicos de Alimentacin
5 Curso. Ingeniera de Telecomunicacin
Universidad de Oviedo
E
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S
F
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D
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P
O
T
E
N
C
I
A

El nombre hace mencin a la estructura interna: Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo
de portador
Los usados en Electrnica de potencia son de tipo acumulacin
G
D
S
Canal N
Conduccin debida
a electrones
D
G
S
Canal P
Conduccin
debida a huecos
Los ms usados son los MOSFET de canal N
La conduccin es debida a los electrones y, por tanto, con mayor
movilidad menores resistencias de canal en conduccin
Ideas generales sobre el transistor de Efecto de Campo de Metal-xido-
Semiconductor
Curvas caractersticas del MOSFET
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T
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C
I
A

I
D
[mA]
V
DS
[V]
4
2
4 2
6
0
- Curvas de salida
- Curvas de entrada:
No tienen inters (puerta aislada del canal)
V
GS
< V
TH
=
2V
V
GS
= 2,5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 3,5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 4,5V
Referencias normalizadas
+
-
V
DS
I
D

+
-
V
GS
G
D
S
Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin
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C
I
A

V
DS
[V]
I
D
[mA]
4
2
8 4
12
0
V
GS
= 2,5V
V
GS
= 3V
V
GS
= 3,5V
V
GS
= 4V
V
GS
= 4,5V
V
GS
= 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V
Comportamiento resistivo
V
GS
< V
TH
= 2V
< 4,5V
Comportamiento como circuito abierto
10V
+
-
V
DS
I
D

+
-
V
GS
2,5KW
G
D
S
Zonas de trabajo
Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin
Comportamiento como fuente de corriente
(sin inters en electrnica de potencia)
G
D
S
D S G
+

P
-

Substrato
N
+
N
+

Precauciones en el uso de transistores MOSFET
- El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
- El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de
los dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin
- Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET
de enriquecimiento
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A

Ideas generales sobre los MOSFETs
G
D
S
Estn formados por miles de celdas puestas en paralelo (son
posibles integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada)
Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fcilmente
Algunas celdas posibles
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A

Estructura de los MOSFETs de Potencia
Puerta
Drenador
Fuente
n
+
n
-
p
n
+
n
+
Estructura planar
(D MOS)
Estructura en
trinchera
(V MOS)
Drenador
n
+
n
-
p n
+
Puerta
Fuente
En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los
encapsulados axiales)
Existe gran variedad
Ejemplos: MOSFET de 60V
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C
I
A

Encapsulados de MOSFETs de Potencia
R
DS(on)
=9,4mW, I
D
=12A
R
DS(on)
=12mW, I
D
=57A
R
DS(on)
=9mW, I
D
=93A
R
DS(on)
=5,5mW, I
D
=86A
R
DS(on)
=1.5mW, I
D
=240A
Otros ejemplos de MOSFET de 60V
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I
A

Encapsulados de MOSFETs de Potencia
R
DS(on)
=3.4mW, I
D
=90A
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A

Caractersticas fundamentales de los MOSFETs de potencia
1 -Mxima tensin drenador-fuente
2 -Mxima corriente de drenador
3 -Resistencia en conduccin
4 -Tensiones umbral y mximas de puerta
5 -Velocidad de conmutacin
1 Mxima tensin drenador-fuente
Corresponde a la tensin de ruptura de la unin que forman el substrato (unido a
la fuente) y el drenador.
Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qu pequea
circulacin de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
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A

1 Mxima tensin drenador-fuente
Baja tensin
15 V
30 V
45 V
55 V
60 V
80 V
Media tensin
100 V
150 V
200 V
400 V
Alta tensin
500 V
600 V
800 V
1000 V
Ejemplo de
clasificacin
La mxima tensin drenador-fuente de representa como V
DSS

o como V
(BR)DSS

Ayuda a clasificar a los transistores MOSFET de potencia
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A

2 Mxima corriente de drenador
El fabricante suministra dos valores (al menos):
- Corriente continua mxima I
D
- Corriente mxima pulsada I
DM
La corriente continua mxima I
D
depende de la
temperatura de la cpsula (mounting base aqu)

A 100C, I
D
=230,7=16,1A
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A

3 Resistencia en conduccin
Es uno de los parmetro ms importante en un MOSFET.
Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo
Se representa por las letras R
DS(on)

Para un dispositivo particular, crece con la temperatura
Para un dispositivo particular, decrece con la tensin de
puerta. Este decrecimiento tiene un lmite.
Drain-source On Resistance, R
DS(on)
(Ohms)

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A

3 Resistencia en conduccin
Comparando distintos dispositivos de valores de I
D
semejantes,
R
DS(on)
crece con el valor de V
DSS
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A

3 Resistencia en conduccin
En los ltimos tiempos se han mejorado sustancialmente los valores
de R
DS(on)
en dispositivos de V
DSS
relativamente alta (600-1000 V)

MOSFET de los aos 2000
MOSFET de 1984
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I
A

4 Tensiones umbral y mximas de puerta
La tensin puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que
comience a haber conduccin entre drenador y fuente
Los fabricantes definen la tensin umbral V
GS(TO)
como la tensin
puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA
Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V

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A

4 Tensiones umbral y mximas de puerta
La tensin umbral cambia con la temperatura
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A

4 Tensiones umbral y mximas de puerta
La mxima tensin soportable entre puerta y fuente es
tpicamente de 20V
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A

5 Velocidad de conmutacin
Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos
usados en electrnica de potencia (tiristores, transistores bipolares,
IGBT, etc.)
Los MOSFET de potencia son dispositivos de conduccin unipolar. En
ellos, los niveles de corriente conducida no estn asociados al aumento
de la concentracin de portadores minoritarios, que luego son difciles de
eliminar para que el dispositivo deje de conducir
La limitacin en la rapidez est asociada a la carga de las capacidades
parsitas del dispositivo
Hay, esencialmente tres:
- C
gs
, capacidad de lineal
- C
ds
, capacidad de transicin C
ds
k/(V
DS
)
1/2

- C
dg
, capacidad Miller, no lineal, muy importante

S
D
G
C
dg

C
gs
C
ds

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S
F
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D
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P
O
T
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N
C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran informacin de
tres capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:
- C
iss
= C
gs
+ C
gd
con V
ds
=0 ( capacidad de entrada)
- C
rss
= C
dg
(capacidad Miller)
- C
oss
= C
ds
+ C
dg
( capacidad de salida)

C
iss
C
oss
S
D
G
C
dg
C
gs
C
ds
S
D
G
S
D
G
D
GG
C
dg
C
dg
C
gs
C
gs
C
ds
C
ds
S
D
G
C
dg
C
gs
C
ds
S
D
G
S
D
G
D
GG
C
dg
C
dg
C
gs
C
gs
C
ds
C
ds
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C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
Ejemplo de informacin de los fabricantes
C
iss
= C
gs
+ C
gd

C
rss
= C
dg

C
oss
= C
ds
+ C
dg

V
1
R
C
Carga y descarga de un condensador desde una resistencia
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T
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C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
La carga y la descarga de estas capacidades parsitas generan
prdidas que condicionan las mximas frecuencias de conmutacin
de los MOSFET de potencia

En la carga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV
1
2

- Energa almacenada en C = 0,5CV
1
2

En la descarga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV
1
2


Energa total perdida: CV
1
2
= V
1
Q
CV1

Adems, en general estas capacidades parsitas retrasan las
variaciones de tensin, ocasionando en muchos circuitos convivencia
entre tensin y corriente, lo que implica prdidas en el proceso de
conmutacin
E
L

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S
F
E
T


D
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P
O
T
E
N
C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
Anlisis de una conmutacin tpica en conversin de energa:
- Con carga inductiva
- Con diodo de enclavamiento
- Suponiendo diodo ideal
C
dg

C
gs
C
ds

V
1
R
V
2
I
L

E
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S
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D
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P
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T
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N
C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
Situacin de partida:
- Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conduccin
- Por tanto:

v
DG
= V
2
, v
DS
= V
2
y v
GS
= 0
i
DT
= 0 y i
D
= I
L

+
-
v
DS
v
GS
+
-
+
-
v
DG
C
dg

C
gs
C
ds
V
1
R
V
2
I
L

i
DT
i
D
B
A
- En esa situacin, el
interruptor pasa de B a A
+
-
+
-
E
L

M
O
S
F
E
T


D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
i
DT
= 0 hasta que v
GS
= V
GS(TO)

v
DS
= V
2
hasta que i
DT
= I
L

+
-
v
DS
v
GS
+
-
+
-
v
DG
C
dg

C
gs
C
ds
V
1
R
V
2
I
L

i
DT
i
D
B
A
V
GS(TO)

v
DS

i
DT

v
GS

BA
I
L
Pendiente determinada
por R, C
gs
y por C
dg
(V
2
)
+
-
+
-
+
-
E
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M
O
S
F
E
T


D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
La corriente que da V
1
a travs de R se
emplea fundamentalmente en descargar
C
dg
prcticamente no circula
corriente por C
gs
v
GS
= Cte
+
-
v
DS
v
GS
+
-
+
-
v
DG
C
dg

C
gs
C
ds
V
1
R
V
2
I
L

i
DT
B
A
V
GS(TO)

v
DS

i
DT

v
GS

BA
I
L
+
-
+
-
+
-
E
L

M
O
S
F
E
T


D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
C
gs
y C
dg
se continan
V
GS(TO)

v
DS

i
DT

v
GS

BA
I
L
+
-
v
DS
v
GS
+
-
+
-
v
DG
C
dg

C
gs
C
ds
V
1
R
V
2
I
L

i
DT
B
A
+
-
V
1
Constante de tiempo determinada
por R, C
gs
y por C
dg
(V
1
)
+
-
E
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F
E
T


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O
T
E
N
C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de prdidas entre t
0
y t
2
:

- Hay que cargar C
gs
(grande) y
descargar C
dg
(pequea) V
M
voltios
- Hay convivencia tensin corriente
entre t
1
y t
2
i
DT
+
-
v
DS
v
GS
+
-
C
dg

C
gs
C
ds

V
2
+
-
+
-
+
-
i
DT
t
0
t
1
t
2
t
3

V
GS(TO)

v
DS

i
DT

v
GS

BA
I
L
V
1
V
M
P
VI
E
L

M
O
S
F
E
T


D
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P
O
T
E
N
C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de prdidas entre t
2
y t
3
:

- Hay que descargar C
ds
hasta 0 e
invertir la carga de C
dg
desde V
2
-V
M

hasta -V
M

- Hay convivencia tensin corriente
entre t
2
y t
3
V
1
V
M
t
0
t
1
t
2
t
3

V
GS(TO)

v
DS

i
DT

v
GS

BA
I
L
P
VI
i
DT
= I
L
+
-
v
DS
v
GS
+
-
C
dg

C
gs
C
ds

+
-
+
-
+
-
I
L
i
Cds
i
Cdg
+i
Cds
+I
L
i
Cdg
E
L

M
O
S
F
E
T


D
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P
O
T
E
N
C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de prdidas a partir de t
3
:

- Hay que acabar de cargar C
gs
y C
dg

hasta V
1

- No hay convivencia tensin
corriente salvo la propia de las
prdidas de conduccin

t
0
t
1
t
2
t
3

V
GS(TO)

v
DS

i
DT

v
GS

BA
I
L
P
VI
V
1
V
M
i
DT
= I
L
+
-
v
DS
v
GS
+
-
C
dg

C
gs
C
ds

+
-
+
-
I
L
i
Cdg
i
L
E
L

M
O
S
F
E
T


D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga
de puerta:
- La corriente que da la fuente V
1
es aproximadamente
constante entre t
0
y t
3
(comienzo de una exponencial,
con I
V1
V
1
/R)
- De t
0
a t
2
, la corriente I
V1
se ha encargado
esencialmente en cargar C
gs
. Se ha suministrado una
carga elctrica Q
gs

- De t
2
a t
3
, la corriente I
v1
se ha encargado en invertir la
carga de C
dg
. Se ha suministrado una carga elctrica Q
dg

- Hasta que V
GS
= V
1
se sigue suministrando carga. Q
g

es el valor total (incluyendo Q
gs
y Q
dg
)
- Para un determinado sistema de gobierno (V
1
y R),
cuanto menores sean Q
gs
, Q
dg
y Q
g
ms rpido ser el
transistor
- Obviamente t
2
-t
0
Q
gs
R/V
1
, t
3
-t
2
Q
dg
R/V
1
y P
V1
=
V
1
Q
g
f
S
, siendo f
S
la frecuencia de conmutacin
v
GS

i
V1

t
0
t
2
t
3

V
1
i
V1

R

Q
gs

Q
dg

Q
g

E
L

M
O
S
F
E
T


D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga de puerta:
Informacin de los fabricantes
IRF 540
MOSFET de los aos 2000
BUZ80
MOSFET de 1984
E
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M
O
S
F
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P
O
T
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N
C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
Otro tipo de informacin suministrada por los
fabricantes: conmutacin con carga resistiva
V
DS
V
GS

10%
90%
t
r

t
d on
t
f
t
d off

t
d on
: retraso de encendido
t
r
: tiempo de subida
t
d off
: retraso de apagado
t
f
: tiempo de bajada
+
-
v
DS
i
DT

+
-
v
GS
G
D
S
+
R
G
R
D
E
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M
O
S
F
E
T


D
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O
T
E
N
C
I
A

5 Velocidad de conmutacin
Otro tipo de informacin suministrada por los
fabricantes: conmutacin con carga resistiva
IRF 540
t
d on
: retraso de encendido
t
r
: tiempo de subida
t
d off
: retraso de apagado
t
f
: tiempo de bajada
+
-
v
DS
i
DT

+
-
v
GS
G
D
S
+
R
G
R
D
E
L

M
O
S
F
E
T


D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Prdidas en un MOSFET de potencia
Prdidas por convivencia tensin corriente entre drenador y fuente
v
DS

i
DT

v
GS

P
VI
Prdidas en
conduccin
Prdidas en conmutacin
P
cond
= R
DS(on)
i
DT(rms)
2

W
on

W
off

P
conm
= f
S
(w
on
+ w
off
)

E
L

M
O
S
F
E
T


D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Prdidas en un MOSFET de potencia
Prdidas en la fuente de gobierno

v
GS

i
V1

t
0
t
2
t
3

Q
gs

Q
dg

Q
g

P
V1
= V
1
Q
g
f
S

V
1
i
V1

R

Circuito terico
V
1
i
V1

R
B
Circuito real
E
L

M
O
S
F
E
T


D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

El diodo parsito de los MOSFETs de potencia
El diodo parsito suele tener malas caractersticas, sobre
todo en MOSFETs de alta tensin
G
D
S
IRF 540
E
L

M
O
S
F
E
T


D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

El diodo parsito de los MOSFETs de potencia
El diodo parsito en un MOSFET de alta tensin
E
L

M
O
S
F
E
T


D
E

P
O
T
E
N
C
I
A

Caractersticas trmicas de los MOSFETs de potencia
Es vlido todo lo comentado para los diodos de potencia
Este fabricante denomina mounting base a la cpsula
y suministra informacin de la R
THja
= R
THjc
+ R
THca