Solidificacin Direccional de

Aleaciones Monofasicas Interfaz

plana
S L
T
X
Como Tk, es bastante pequeo en los
Metales, la temperatura de la intercara
Estara siempre muy cerca de la temperatura
De liquidus, del diagrama de equilibrio


L
X
T
K
X
T
K
V
L
L
S
S
|
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|
c
c
|
.
|

\
|
c
c
=
Donde:
V: Velocidad de Interfaz, m/s
L: Calor latente de Fusin, J/m3
KS y KL: Conductividad Trmica
en Slido y Liquido, J/mol C
Solidificacin Direccional de
Aleaciones Monofasicas Interfaz
plana
1. Solidificacin controlada: constituye la esencia
de la metodologa introducida por la escuela de Chalmers
(Harvard, USA), gracias a ello fue posible entender
fenmenos tales como:
A. Predistribucin de soluto o segregacin
B. estabilidad morfolgica del crecimiento cristalino
C. evolucin morfolgica del crecimiento cristalino



Solidificacin Direccional de
Aleaciones Monofasicas Interfaz
plana
Y algunas aplicaciones de tal metodologa
han sido:
A. Crecimiento de grandes monocristales semiconductores
B. purificacin de metales por fusin zonal
C. Dopado de materiales con impurezas


2. Coeficiente de Particin: K


*
*
L
s
C
C
K =
C
*
s

C
*
l

T
C
S
L
S+L
T
*

K<1
Si K<<1 o k>>1, las composiciones en
Ambas fases seran muy distintas, la
Aleacion tiende a una fuerte segregacin
De soluto cuando solidifique bajo
Condiciones de no equilibrio
S L Equil
T T T = A
3. Equilibrio local en la Interfaz
Cuando un sistema esta solidificando y
globalmente se halla fuera del equilibrio
termodinmico, existe una barrera despreciable al
transporte de calor y de especies qumicas en la
interfaz, siendo posible aplicar la termodinmica
de equilibrio de manera local. Esta hiptesis
implica que la interfaz de un metal puro se hallara
siempre a la temperatura de fusin cualquiera sean
los gradientes trmicos en las fases liquidas y
slidas
4. Solidificacin de equilibrio.
S L L s
D D a a )) )) ~
seg
m
a a
L s
2
5
10

~ ~
seg
m
D
L
2
9
10

=
La cintica del proceso difusional ser controlada por la etapa
Mas lenta y esta dad por D
S ,
quiere decir la difusin qumica
Este parmetro gobernara y controlara la cintica el proceso
Difusinal, que lleva al sistema que esta solidificando hacia el
Equilibrio termodinmico


seg
m
D
S
2
13 12
10 10

=
5. Solidificacin de equilibrio
T
L
T
L

T*
T
S

Kco C*
S
Co C*
L
Co/k C
C
l
= Co/k
V << Ds/L
K = C
S
/C
L
Para : T =T
L
C
S
= kC
0


Para : T=T
S

kCo C*
s
Co=C
L
C*
L
L
I
Q
U
I
D
O
L
T=T*
T=T
S
Co/k

C
S
= Co

Curva de la fase slida

X/L=1

Curva de la fase lquida

COMPOSICIN

V << 10
-11
m/seg = 4 m/h
Para, D
S
=10
-12
m
2
/seg y L=10 cm.
Solidificacin de equilibrio
L
2
= Dt
V<<
kCo C*
s
Co=C
L
C*
L
L
I
Q
U
I
D
O
L
T=T*
T=T
S
Co/k

C
S
= Co

Curva de la fase slida

X/L=1

Curva de la fase lquida

COMPOSICIN

Regla de la palanca:

F
S
*C
S
+ F
l
*C
L
= C
o

F
S
+ F
L
= 1
Dt L =
L
D
V
L
D
t
L
= =
T
L
T
L

T*
T
S

Kco C*
S
Co C*
L
Co/k C
5.SOLIDIFICACION DE NO EQUILIBRIO
} }

S S
F C
KC
S
S
S
S
C
dC
k F
dF
0
*
* *
0
1
1
) 1 (
1 *
) 1 (

=
k
S S
F kCo C
D
S
= 0 , D
L
=
Ecuacin de Sheill o regla de la
Palanca de no equilibrio
T
No equilibrio
= T
L
- T
Eutectica

T
no equil
> T
Equil

T

T
L


T*
T
S
C*
L
L

T
EUT
Co C
M
C
E
a

L

Co=T
L
C
S
=kCo

x

1

x/L

C


S

L
KCo C*
S
Co C*
L
C
C*
S
C*
L
x/L

1


S

L

KCo C*
S
C*
L
C
dF
S

F
L
C*
S
C*
L
dF
S

dC*
L
T = T
L
T = T*
5.SOLIDIFICACION DE NO EQUILIBRIO
(C*
L
-C*
S
)dF
S
= F
L
dc*
l

f
S
+ f
L
= 1
C*
L
= C*
S
/K
C*
S
(1-K)dF
S
= (1-F
S
)dc*
s


} }

S S
F C
KC
S
S
S
S
C
dC
k F
dF
0
*
* *
0
1
1
) 1 (
1 *
) 1 (

=
k
S S
F kCo C
dC*
L
= dC*
S
/K
| |
S
k
S
S
F
F Co
C
) 1 ( 1
=

S
k
F
S S
F
S
S
S
df f kCo df C C
S S
1
0 0
*
) 1 (

} } }
= =
F
S
C
S
F
L
C
L
= C
o
6. Solidificacin de No equilibrio- mezcla en el liquido
Solo por Difusin y ausencia de conveccin
Esta hipotesis de distribucin de soluto fue introducida
por tiller y coautores
D
S
= 0 , 0 < D
L
<
C
o

T
L

T
s

K*C
o

C
o
/K
C
E

C
L
=C
o
/K
C
C
F
S

F
S

S


L
S
Transitorio inicial
Transitorio final
Estado estacionario
Transitorio inicial
Estado estacionario
Transitorio final
V K
D
h
L
*
=
V
D
h
L
=
Transitorio Inicial:

L s
T T T s (
*
Estado estacionario:

s
T T =
*
Transitorio Final:

s E
T T T ( s
*
(

|
.
|

\
|
+ =
L
I
o L
D
X V
K
C C
*
exp * 1
1
1
(

|
.
|

\
|
+ =
L
I
o L
D
X V
K
C C
*
exp * 1
1
1
X
I
= 0
C
L =
C
o
/K

X
I
=
C
L =
C
o
SOBRENFRIAMIENTO
CONSTITUCIONAL
T
L

T
S

K*C
o

C
o

C
o
/K C
E

K*C
o

C
o

C
o
/K
X
T
R

dT/dX
I

T
L

T
S

X=0
T
L
(x
I
) obtenida del diagrama
De equilibrio
SOBREENFRIAMIENTO
(

|
.
|

\
|
+ =
L
I
o L
D
X V
K
C C
*
exp * 1
1
1
Considerando una aleacin de composicin C
o
, en el estado estacionario habr una
acumulacin de soluto enfrente de la interfaz que vara en forma exponencial desde
C
o
/K hasta C
o
desde la interfaz hacia el liquido
Cada punto de la distribucin de soluto tendr una temperatura de equilibrio dad por el
diagrama de equilibrio consecuentemente, la distribucin de temperatura de equilibrio
enfrente de la interfaz tendr tambin una funcin exponencial entre T
s
(C
o
/K) y T
L
(
C
o
), por lo tanto la temperatura a la cual avanza la interfaz es T
L

El sobreenfriamiento cintico necesario para que progrese el proceso, traer como
consecuencia que la temperatura real ser menor a a la que indica el diagrama de
equilibrio
Comparando estas dos temperaturas la real y la calculada por el diagrama de equilibrio,
podemos ver una zona donde existir, liquido sobre enfriado a esto CHALMERS Y
COAUTORES (1953) LA LLAMO SOBREENFRIAMIENTO CONSTITUCIONAL
DE las ecuaciones anteriores:
(

|
.
|

\
|
+ =
L
I
o L
D
X V
K
C C
*
exp * 1
1
1
L L F
I Calculado
L
C m T X T * ) ( + =
T
F
: Temperatura de fusin
C
L
: Concentracin del liquido
m
L
: pendiente de la lnea de liquidus
Ecuacin 1:
Ecuacin 2
Remplazando 1 en 2 tenemos:

(
(

|
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
+ + =
I
L
o L F
I Calc
L
D
X V
k
C m T X T
*
exp * 1
1
1 * * ) (
Calculamos el umbral donde no habra subenfriamiento constitucional y derivamos

I
Calc
L
dX
dT
En X
I
= 0
L
o L
I
I
Calc
L
D
V
K
C m X
dX
dT

|
.
|

\
|
=
=
* 1
1
* *
0
Criterio de sobreenfriamiento constitucional para la
estabilidad de la interfaz Solido-Liquido
( )
V
D K
K C m
dX
dT
L
o L
X I
Calc
L
L
*
*
1 * *
0

=
=
( )
V
D K
K C m
dX
dT
T
L
o L
X I
Calc
L
Calc
L
L
*
*
1 * *
0

= = V
=
Calculado
L
al
L
T T (V > V
Re
< Umbral de inestabilidad de la interfaz
> Interfaz plana Estable
= Umbral de estabilidad de la interfaz
L
o L
al
L
D K
K C m
V
T
*
) 1 ( * *
Re

( >
V
Para crecer monocristales altos gradientes y bajas velocidades, Ejm. 100
o
C/cm
Si aumenta C
o
, aumenta la pendiente y por lo tanto el campo de interfaz no plana
al
L
T
Re
V
al
L
T
Re
V
V
Interfaz plana
Interfaz no plana
Umbral de estabilidad
Si, C
o
tiende a cero, basta tener un (+), para tener interfaz plana. Ej.
: metal puro, es mas fcil obtener monocristales puros que combinados
La teora del sobreenfriamiento nos dice si la interfaz es plana o no.

al
L
T
Re
V
al
L
T
Re
V
.
1
2
.
T T )
V (m/seg)
) / ( 1
.
Seg C T
o
Interfaz plana
C
o

Se observa que los parmetros que pueden ser
controlados, son gradiente de temperatura,
velocidad de solidificacin y la concentracin
Esto ha permitido estudiar el efecto de estas
variables sobre el crecimiento dendrtico
Con el aumento de la velocidad de enfriamiento se
afina la estructura, ya sea celular o dendrtica