CIRCUITOS

ANALOGICOS 1


EL DIODO SEMICONDUCTOR

UNIVERSIDAD PRIVADA ANTENOR ORREGO

FACULTAD DE INGENIERIA

ESCUELA PROFESIONAL DE Ing. ELECTRONICA


Ing. Oscar Morales G.

DIODO SEMICONDUCTOR:

Es un dispositivo que consta de la unin de dos tipos de un cristal s.c.
(semiconductor), de diferentes dopajes.
La unin semiconductora P-N contacto rectificante tiene una
distribucin de portadores de acuerdo a la Ecuacin de Continuidad,
formando la denominada Regin de Transicin (r.t.), que es una
distribucin de carga espacial con alta probabilidad, dando origen a la
barrera de potencial Vo
P N
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
- Vo +
nodo
Ctodo
N
A
N
D

Vo = (KT/q) Ln -----------
ni
2
P N
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
- Vo +
nodo
Ctodo
Regin de Transicin
Vo = Barrera de Potencial
P N
nodo
Ctodo
Pp -
mayoritarios
Pn -
minoritarios
Si consideramos la distribucin de cargas positivas en el lado P
(Pp - mayoritarias) y en el lado N (Pn minoritarias), podemos
dibujar las concentraciones en ambos lados del diodo, de la
siguiente manera:
Se puede asumir una distribucin lineal dentro de la regin de
transicin, lo interesante es que la diferencia de concentraciones
tiene relacin directa con la barrera de potencial
P N
nodo
Ctodo
Ppx
Pnx
Cuando sometemos a una polarizacin directa con Vext (+ al lado
P y al lado N) y una R en serie:
R
+ V ext -
Por Ecuacin de Continuidad se logra deducir que la diferencia de
concentraciones se recombina segn la frmula:

Pnx Pn = Pn [E
V/VT
1] E
-x/Lh

Considerando la densidad de corriente de difusin J
D
= k d(Pnx)/dx =
I/A, en el borde de la regin de transicin x=0, sumando las cargas
positivas y negativas, se obtiene:

Dh De
I = e A ----------- + ---------- n
i
2
(E
V/VT
1) = Io (E
V/VT
1)
Lh ND Le NA

Donde Io es la corriente inversa de saturacin del diodo:

Dh De
Io = e A ----------- + ---------- Ao T
3
E
-EGO/KT
E
/K

Lh ND Le NA
La ecuacin:

I = Io (E
V/VT
1)

Para V negativos, es esencialmente igual a - Io.

Para V mayores que VT, por ejemplo 100 mV (E
4
>> 1) la
corriente empieza a crecer rpidamente.

Para V = 1 v ; ( E
40
>>> 1) el diodo es prcticamente un
corto circuito, dejando pasar una gran corriente que ser
limitada por la resistencia serie R

No olvidar que Io es del orden de los micro amperios uA
para el Germanio y del orden de los nA para el silicio
Curvas del diodo para corrientes elevadas
Curvas del diodo para corrientes < 2 Amp
La longitud de la regin de transicin se modifica, de acuerdo a la
ecuacin de Poisson, segn la frmula:

2 1 1
Lr.t. = ------ ( Vo ) ------ + ------
q NA ND

Cuando tiene polarizacin, esta regin se modifica como:


2 1 1
Lr.t. = ------ ( Vo + V ) ------ + ------
q NA ND


Usando el + para polarizacin Inversa (crece la r.t.)

Y el para polarizacin directa (se reduce la r.t.)
La capacidad asociada a las cargas almacenadas a cada lado de la
juntura, se puede calcular de la frmula:

C = A / d = A / Lr.t.

Cuando se polariza en inverso se denomina capacidad de
transicin
Kc
C
T
= ------------------
Vo + Vext

Cuando se polariza en directo se denomina Capacidad Dinmica
de Difusin

A e Dh w p
g
o
= ----------- Pn E
V/VT
= dIo/dv g = g
o
------- = dI/dv
Lh VT 2

De donde,

Para frecuencias bajas: w p <<1

g p
C
D
= ---------
2


Para frecuencias altas: w p >> 1


p
C
D
= go --------
2 w

Algunos diodos se especializan en esta capacidad y conforman la
familia de los VARICAPs o diodos Varactores, muy utilizados como
sintonizadores capacitivos
Dependencia con la temperatura:

Teniendo la frmula de Io, en la prctica se aproxima a la relacin:

Io = K T
m
E
V
Go
/nVT

Si tomamos logaritmos, se obtiene:

Ln (Io) = Ln K + m Ln T - VGo/nVT

Derivando la ecuacin:

1 dIo m VGo d(1/VT)
--- ----- = ------ - ----- -----------
Io dT T n d T

1 dIo 1 VGo
--- ----- = ----- m + ------
Io dT T n VT
Asumiendo valores de resultados experimentales:









La variacin promedio de = 0.07.

Como (1.07)
10
= 2 ; Se puede decir que:

Cada 10 C de elevacin de la temperatura, se
duplica la corriente inversa de saturacin I o .

Esto es usado en los fotodiodos, que generalmente se usan en
inversa
Silicio m = 1.5 n = 2 Vgo = 1.21 v T = 300 k 0.08 1/C
Germanio m = 2 n = 1 Vgo = 0.785 v T = 300 k 0.11 1/C
Para obtener la variacin de la tensin con la
temperatura, se parte de la ecuacin y se deriva:

I = Io (E
V/nVT
1)

dI/dT = [dIo/dT].(E
V/nVT
1) + Io E
V/nVT
.d(V/nVT)/dT

Derivando el ltimo trmino se logra:

d(V/nVT)/dT = dV/dT . (1/nVT) + (V/n) . d(1/VT)/dT

1 dV V
d(V/nVT)/dT = -------- ------- - -----
n VT dT T

Y aproximando: I/Io = (E
V/nVT
1) = (E
V/nVT
)
dI/dT = [dIo/dT] . I/Io + Io I/Io (1/nVT) [dV/dT - V/T]

Manteniendo constante I, esto es dI/dT = 0:

0 = [dIo/dT] + (Io/nVT) [dV/dT - V/T]

Despejando, se obtiene:
V 1 dIo
dV/dT = ----- - n VT ----- -------
T Io dT

dV V n VT Vgo
----- = ----- - ------- m + --------
dT T T n VT
dV V - n m VT - Vgo
----- = --------------------------
dT T

Experimentalmente se obtiene que, con las constantes
expuestas anteriormente,

dV/dT = - 2.1 mV/C para el Germanio
dV/dT = - 2.3 mV/C para el silicio

Con aproximacin a las partes resistivas, se considera:

dV/dT = - 2.5 mV/C

Cada 10 C se obtiene un corrimiento de - 25 mV,
pegndose las curvas hacia el eje de tensiones
To
To+10C
Io
2Io
- 25 mV
I mA
V
I uA
TIPOS DE DIODOS:

1. DIODOS DE CONMUTACION Diodos de seal (Switching diodes)
2. DIODOS DE RECTIFICACION
3. DIODOS DE AVALANCHA - Diodos ZENER o de referencia
4. DIODOS DE SEALIZACION - Diodos LED
5. DIODOS VARACTORES Diodos VARICAP o sintonizadores
6. DIODOS TUNEL - ESAKI - Diodos de generacin de armnicos
7. FOTO DIODOS - Diodos que transforman luz en I (corriente)
8. DIODOS DE MICROONDAS Diodos PIN , GUNN , IMPATT
9. DIODOS SCHOTTKY
10. DIODOS LASSER
11. DIODOS Peltier
12. Current-limiting field-effect diodes
13. Transient voltage suppression diode
14. Cats whisker or crystal diodes
15. Point-contact diodes
16. Snap-off or Step recovery diodes
17. Gold-doped diodes
18. Super Barrier Diodes
TIPOS DE DIODOS:

1. DIODOS DE CONMUTACION Diodos de seal



Son diodos pequeos, de cpsula de cristal, de baja corriente pero
pueden trabajar con altas frecuencias
1N 4148
TIPOS DE DIODOS:

2. DIODOS DE RECTIFICACION



Son de altas concentraciones de Dopajes,
altas corrientes, bajas frecuencias y
cpsula de EPOXI o disipador metlico.
Operan a bajas frecuencias
1N 4004
TIPOS DE DIODOS:

3. DIODOS DE AVALANCHA - Diodos ZENER o de referencia



TIPOS DE DIODOS:

4. DIODOS DE SEALIZACION - Diodos LED



TIPOS DE DIODOS:

5. DIODOS VARACTORES Diodos VARICAP o sintonizadores



TIPOS DE DIODOS:

6. DIODOS TUNEL - Diodos de generacin de armnicos




TIPOS DE DIODOS:

7. FOTO DIODOS - Diodos que transforman luz en I (corriente)





TIPOS DE DIODOS:

8. DIODOS DE MICROONDAS Diodos PIN , GUNN , IMPATT





TIPOS DE DIODOS:

8. DIODOS DE MICROONDAS Diodos PIN , GUNN , IMPATT





Diodo Gunn

Dispositivo semiconductor impropiamente calificado de
diodo ya que no contiene una unin sino una sucesin
de tres capas de tipo n , con ms o menos dopadas.
En presencia de campos elctricos elevados, el diodo
Gunn es escenario de oscilaciones a muy alta
frecuencia.

TIPOS DE DIODOS:

8. DIODOS DE MICROONDAS Diodos PIN , GUNN , IMPATT





Diodo IMPATT

(Del ingls:
IMPact Avalanche and Transit Time)

Diodo cuyo funcionamiento asocia la
multiplicacin por avalancha de los portadores
de carga y su tiempo de propagacin en la
unin. Esto conduce, para ciertas frecuencias
muy elevadas, a una resistencia negativa que
permite utilizar el diodo en modo amplificador
o en modo oscilador.

TIPOS DE DIODOS:

9. DIODOS SCHOTTKY






TIPOS DE DIODOS:

10. DIODOS LASSER







Diodo lser

Diodo electroluminescente (LED) cuya
estructura contiene una cavidad ptica y
que est concebido de modo que permita
la emisin estimulada, y por tanto la
radiacin de una onda luminosa quasi-
monocromtica y coherente
(laser = light amplification by stimulated emission
of radiation).
(MASER = Microwave Amplification by Stimulated Emission
of Radiation".

Diodo BARITT

(Del ingls: BARrier Injected Transit Time)

Diodo semejante al diodo IMPATT donde los
portadores de carga llamados a atravesar la
regin de deplexin no provienen de una
avalancha sino que son engendrados por
inyeccin de portadores minoritarios en
uniones polarizadas en el sentido de la
conduccin.

Resistencia Esttica y resistencia Dinmica de los diodos:

Si consideramos la ecuacin exponencial de la corriente del diodo,
podemos definir dos tipos de relacin V-I, es decir relacin tipo Ley de
Ohm:
a) Resistencia Esttica: En un circuito con diodo; dado un punto de
operacin, donde se cumple la ley de Ohm, la resistencia esttica es la
relacin entre el voltaje del dispositivo y la corriente que lo circula.

Sea el circuito:

Se puede escibir, por la Segunda Ley de Kirchhoff:

V1 = V
R
+ V

V1 = I (R) + V

Y con la ecuacin de la corriente del diodo:

I = Io (E
V/VT
1)

Se forman las 2 ecuaciones, considerando V>VT:

5 = I (1K) + V

I = 20uA . (E
V/VT
)

Como es un sistema de ecuaciones complejo, lo podemos resolver por
aproximacin, esto es:

1- Consideramos V = 0 en la ecuacin roja

I = 5 mA
2- Ahora, con esta I reemplazamos en la ecuacin azul

V = VT Ln( 5mA/20 uA ) = 0. 14355798 v

3- Nuevamente en la ecuacin roja

I = ( 5 0.14355798v ) / 1k = 4.856442 mA

4- 0tra vez en la ecuacin azul:

V = VT Ln( 4.856442mA/20 uA ) = 0.1428 v

5- Reiteradamente sobre la ecuacin roja:

I = ( 5 0.1428v ) / 1k = 4.8572 mA

6- Repitiendo las iteraciones:

V = VT Ln( 4.8572mA/20 uA ) = 0. 1428046 v

To
I mA
V
I uA
5 mA
1
2
3
4
5
6
..

Podemos seguir con las aproximaciones y observamos que luego de 4
iteraciones, la diferencia entre corrientes y voltajes est en microamperios
mili voltios. Por esto, en forma prctica se aproxima:

V = Vu = Voltage umbral de un diodo de germanio = 0.2 v

I = (5 Vu)/1K = (5 0.2)/1k = 4.8 mA
La resistencia esttica se determina por la relacin entre el voltage V y la
corriente I que circula por el diodo:

R = V/I = 0.2 v / 4.8 mA = 0.416 K Ohms

R
ESTATICA
= 416,6 Ohms

b) Resistencia Dinmica, diferencial o incremental: r
d

Representa la pendiente o derivada de la tensin versus la corriente en la
curva del diodo, en el punto de operacin.

dV 1
r
d
= ------ = --------
dI dI/dV


VT 0.026
r
d
= ------ = ---------- = Resistencia Dinmica
I I

En nuestro caso r
d
= 0.026/4.8mA = 5.41 Ohms
P:
Pto. De Operacin
del DIODO
I mA
V
I uA
5 mA
R = V/I = 416.4 Ohms
Resistencia Esttica
I
V
I mA
V
I uA
5 mA
I
V
r
d
= dI/dV = V/I = 5.41 Ohms
Resistencia dinmica
P:
Pto. De Operacin
del DIODO
I mA
V
I uA
5 mA
I
Vu=0.2 v
Pto. De Operacin:
I = 4.8 mA
V = 0.2 v
Aproximacin lineal del diodo con elementos ideales
I mA
V
I uA
Primera aproximacin lineal del diodo con elementos ideales
I mA
V
I uA
Vu
Segunda aproximacin lineal del diodo con elementos ideales
I mA
V
I uA
Vu
Tercera aproximacin lineal del diodo con elementos ideales
r
d

I
V
r
d
= V/I
I mA
V
I uA
Vu1
Cuarta aproximacin lineal del diodo con elementos ideales
r
d1
= R1
r
d2
= (R1.R2)/(R1+R2) = R1//R2
r
d1

r
d2

Vu2
I mA
V
I uA
Vu1
Quinta aproximacin lineal del diodo con elementos ideales
r
d1
= R1
r
d2
= (R1.R2)/(R1+R2) = R1//R2
r
d1

r
d2

Vu2
Io
I mA
V
I uA
Vu1
Aproximacin lineal del diodo ZENER con elementos ideales
r
d1
= R1
r
d2
= (R1.R2)/(R1+R2) = R1//R2
r
d1

r
d2

Vu2
Io
V
Z