Plasmas tecnolgicos

Dr. Stanislav Moshkalev

CCS-UNICAMP
Processos em micro-fabricao: ciclo tpico
deposio de filmes finos
(semicondutor, metal, dieltrico,
etc.)
litografia (fotorresiste / gravao
com luz UV ou feixes de eltrons)
etching (corroso) - tratamento
(modificao) e remoo do
material no coberto por
fotorresiste
remoo de fotorresiste

Na microeletrnica moderna, 3 dos
4 processos bsicos (deposio,
etching e remoo de fotorresiste)
so feitos, geralmente, por plasma
(processos secos)
Corroso seca: uma soluo do problema de
anisotropia em escala sub-micron
Tipos de plasma
Conceito de plasma
Plasma: gs parcialmente ou totalmente ionizado, com densidade de
eltrons e volume suficientes para estabelecer um campo eltrico
interno bastante forte criando um sistema (partculas + campo) auto-
organizado

Neutralidade (quase) de plasma: n
-
n
+


Parmetros tpicos de plasmas tecnolgicos:
n
e
= 10
8
- 10
11
cm
-3



n
gs
= 3x10
14
cm
-3
@ 10 mTorr (geralmente, p
gs
= 1 - 100 mTorr)
T
e
= 1-5 eV (1 eV = 11600
0
K)
T
i
= 0.05 - 0.5 eV
T
gas
= 0.03 - 0.05 eV
Processos em plasmas reativos
(ex.: plasma de CF4) :
Processos elementares bsicos no plasma
(veja tabela em baixo, com energias mnimas
necessrias para sua implementao) :
- ionizao
- dissociao
- excitao (eletrnica , rotacional,
vibracional)
- colises elsticas

Processos em plasmas reativos :
Gerao de plasma (ruptura)
Plasmas de descargas eltricas: estrutura tpica
Exemplo: descarga DC
luminosa
Distribuio de
parmetros
(luminosidade, potencial,
campo eltrico,
densidade de eltrons e
ons) - essencialmente
no uniforme.
No-uniformidade maior
observada nas regies
prximas aos eletrodos
(bainhas)
Plasmas de descargas eltricas: bainha (sheath)
Fuga de eltrons no estgio inicial da
descarga criao de potencial negativo
dos eletrodos (self-bias) e formao da
bainha (rea de carga espacial)
Gerao de plasma: descarga eltrica RF
(13,56 MHz), acoplamento capacitivo
Reator tipo diodo
V
rf
= V
rfo
sin (wt)
V
s1
(DC) = V
s2
(DC)
V
s1
(t) = (V
rfo
/2) [1+sin (wt)]
V
s2
(t) = (V
rfo
/2) [1+sin (wt+ /2)]
Descarga RF, self-bias I
Descarga asimtrica:
efeito de razo de reas,
A ,
(Z=1/jwC , C~ A )
V
s
/V
1
= (A
1
/A
s
)
n
,
1 n 2.5
Self-bias maior para
eletrodo menor
Descarga RF, self-bias II
Gerao de plasma: descarga eltrica RF
(13,56 MHz), acoplamento capacitivo
Descarga RF, acoplamento capacitivo:
limitaes
Vantagens:
simplicidade, custo baixo

Problemas:
baixa densidade do plasma (n
e
~ 10
9
-10
10
cm
-3
)
self-bias alto ~ 100-1000 V
presso do gs alta (>10 mTorr) perda da direcionalidade do tratamento
(caminho mdio livre para ons comparvel com a espessura da bainha
espalhamento de ons na bainha )
falta de controle independente da densidade (n
e
) e self-bias (energia de ons, E
i
)

Alternativas: fontes de plasma de baixa presso, alta densidade e com controle
independente de self-bias (ECR, ICP)
fontes de
.
Descarga RF, acoplamento indutivo
ICP- inductively coupled
plasma
Alta densidade do plasma:
n
e
~ 10
10
-10
12
cm
-3
Presso do gas pode ser
baixa (at ~1 mTorr)
Fonte adicional de RF
controle independente de
polarizao do eletrodo
inferior (self-bias)
Problemas: acoplamento
capacitivo parastico
bombardeamento da janela
de quartzo por ions (injeo
de impurezas)
Descarga ECR (2.45 GHz)
ECR- electron ciclotron
resonance
Alta densidade do plasma:
n
e
~ 10
10
-10
12
cm
-3

Presso do gas baixa (at
~ 1 mTorr ou menos)
Possibilidade de ter uma
fonte adicional de RF
controle independente de
polarizao do eletrodo
inferior (self-bias)
Problemas: sistema
magntico complexo
manutenso relativamente
difcil
Plasma etching. An introduction. D.Manos,
D.Flamm, Eds., Academic Press, 1989

Plasma Processing of Semiconductors, P.Williams,
Ed., NATO ASI Series, Kluwer Academic
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J.Reece Roth, Industrial Plasma Engineering, v.1,
Institute of Physics Publishing, 1995

S.Wolf, R.Tauber, Silicon Processing, v.1, Lattice
Press, 1986
Referncias