半導體及光電廢水處理技術概論

報告人：周珊珊

工研院環安中心環科組污防室

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1 工業技術研究院
環境與安全衛生技術發展中心
• 半導體業廢水水質特性
• 半導體業廢水處理技術介紹
• 光電業廢水水質特性
• 廢水處理單元特性
• 有機廢水之生物處理技術介紹
• 結語

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2 工業技術研究院
環境與安全衛生技術發展中心
半導體及光電業廢水來源及分類
半導體製造業
酸鹼廢水
氟系廢水
研磨廢水
 製程系統廢水 TFT-LCD 製造業
 純水系統 處理單元 酸鹼廢水
氟系廢水
再生廢水 有機廢水
 回收系統處理單元
廢水 LED 製造業
•Central Scrubber 廢水 酸鹼廢水
氟系廢水
砷系廢水
研磨廢水
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 酸鹼廢水水質特性

• 製程系統廢水
H2O2 、 ACID (F– 、 SO42- 、 PO43- )
• 純水系統處理單元再生廢水
SS 、 BASE 、 Organics
• 回收系統處理單元廢水
SS 、 BASE 、 Organics

• Wet scrubber( 酸鹼排氣 ) 廢水

SS 、 NH3 、 F– 、 SO42-

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 氟系廢水水質特性

• 製程系統廢水
F– 、 NH4OH 、 SO42- 、
• PO43- 、 HAc
爐管清洗廢水
SS 、 F–
• ( 研磨廢水 )
Slurry 、 H2O2 、 Organics 、 NH3
、 F–
• Local scrubber (HF 排氣 ) 廢水
F–

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 氟系廢水水質特性

分析項目 濃度範圍 平均值

pH 1.0 ~ 3.0 2.5

F-(mg/L) 500 ~ 3000 1750

SS (mg/L) 50 ~ 300 175

SO42- (mg/L) 1000 ~ 2200 1600

PO43- (mg/L) <5 3

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 研磨廢水水質特性
Characteristics ILD layer Metal layer

Abrasive Fumed Silica α ,β ,γ -Alumina

Colloidal Silica
pH 9.5 ~ 10.5 2.92 ~ 3.95

Conductivity 104 ~ 138 66.2 ~115

(µ s/cm)
Mean size (nm) 170 190

Zeta potential (mV) - 47.6 - 1.7

Turbidity (NTU) 100 ~ 140 59 ~ 77

SS (mg/L) ND ND

External additive Surfactant, Dispersant Oxidizer

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 半導體廠 CMP 廢水水質
Item
特性
Sample ILD layer Metal layer

Range Average Range Average

pH 6.1-8.8 8.1 2.7-3.5 3.0

E.C. (μS/cm) 79.4-157.1 118.8 1179-3700 1640

Turbidity (NTU) 155.7-544.0 273 32.2-58.5 40.1

TOC (mg/L) 23.2-63.31 41.0 4.5-9.1 6.7

Total SiO2 (mg/L) 473.6-728.5 571.5 0.4-25.7 19.4

SiO2<0.1μm 16.5-191.5 94.1 0.6-9.2 2.5

NH3-N (mg/L) 6.4-25.7 14.0 0-3.4 1.5

PO4-3 (mg/L) 1.6-30.0 19.2 0.1-18.5 11.7

Total Solid (mg/L) 560-900 710.0 180-340 263.3

Iron (mg/L) 0-9.2 2.0 80.3-108.0 93.8

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 含砷廢水水質特性

• 砷在廢水中的形態包括溶解砷及固體砷
CVD 製程所排放之廢氣含有大量 AsH3 ，其洗滌
廢水中含有高濃度砷酸
AsH3 + NaOCl → H3AsO4 + NaCl
砷化鎵晶圓研磨過程形成之砷化鎵微粒

• 園區下水道砷允許排放標準為 0.5 mg/L

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半導體業廢水處理實務

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半導體業常見清洗 / 蝕刻劑之化學物及去除對
象
清洗 / 蝕刻
化學物種類 去除對象
劑名稱
FPM HF/H2O2/H2O SiO2
BOE HF/NH4F SiO2
H3PO4 H3PO4 Si3N4
NH4OH/H2O2/
APM Metal 、 Organic
H2O

HPM HCl/H2O2/H2O Metal ion 、 Metal hydroxide

DHF HF/DI Water SiO2 、 Metal ion

SPM H2SO4/H2O2 Organic 、 Metal oxide
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( 國科會奈米元件實驗室，
11 2002) 工業技術研究院
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 園區含氟廢水處理方式統計
廠 家 總 數： 27 家（僅計有含氟廢水且有處理者）
氟系廢水處理方式 廠商數目（所佔百分比）
流體化床結晶法 3 （ 7.4 ％）
混 CaCl2 + PACl + Polymer 14 （ 51.9 ％）
沉
Ca(OH)2 + PACl + Polymer 1 （ 3.7 ％）
處
理 Ca(OH)2/CaCl2+PACl+ 1 （ 3.7 ％）
Polymer
CaCl2 + FeSO4 + Polymer 1 （ 3.7 ％）
CaCl2 + FeCl3 + Polymer 1 （ 3.7 ％）
CaCl2 + Na2Al2O4+ Polymer 1 （ 3.7 ％）
CaCl2 + Polymer 6 （ 22.2 ％）
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園區 半導體廠研磨廢水處理方式統計
廠家總數 : 30
研磨廢水處理方式 廠家數目（百分比）
無研磨廢水 4 (13 %)
有研磨廢水 26 (87 %)
直接排放 1 (3 %)
匯入酸鹼廢水中和處理 6 (20 %)
處 匯入氟系廢水 匯入前端 3 (10 %)
理
處理系統 匯入反應槽後 6 (20 %)
方
式 單獨化混處理 8 (27 %)
單獨薄膜處理 2 (7 %)

90–91 年統計
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 酸鹼廢水處理單元特性

酸鹼 調勻
氟系廢水
廢水 槽 上澄液

第一中和槽 第二中和槽 第三中和槽

pH 5 ~ 10 pH 6 ~ 9 pH 6 ~ 9

氟系廢水
上澄液 放流
槽
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 酸鹼廢水處理常見問題

酸鹼廢水中和系統控制區間過窄，易造成過量加藥

中和池內 pH 計位置過近或過遠

酸鹼廢水具不定期之脈衝特性，且調勻槽緩衝能力不
足，
中和控制不易
pH 計長期浸在廢水槽中，校正保養間隔過長

廢酸鹼未能有效利用互相中和，而另購酸鹼藥劑，造
成
成本浪費及導電度上升
Ref: 黃志彬 , 高科技工業環保技術及安全衛生學術及實務研討會 , 2002

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 氟系廢水處理單元特性

NaOH CaCl2 Ca(OH)2

氟系 調勻 第一反應槽 第二反應槽
廢水 槽 pH 5 ~ 6 pH 7 ~ 9

PACl
研磨廢水 快混槽
pH ~ 9 Fe Salt

放流 沉澱 膠凝槽
槽 槽 Polymer

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 氟系廢水處理常見問題

混凝效果不佳，致膠羽沉降性不良，因此業者常過量加
藥，導致用藥及污泥清運成本大增

鈣鹽加藥多僅採後回饋控制，雖能確保出流水氟濃度
，卻
未能作鈣鹽之精確加藥
製程使用氟化銨，致加鈣反應槽 pH 控制無法在最適
範圍
製程未分流收集混酸中之磷酸及硫酸，使 CaF 2

快混槽產生磷酸鈣及硫酸鈣，影響氟離子 Ksp = 5.3 × 10 -9

CaSO 4
去除效率 Ksp = 9.1 × 10 -6

研磨廢水量小者多併入氟系廢水一同混凝， Ca (PO ) 3 4 2
但研磨廢水含 H2O2 ，造成顆粒上浮混凝效 Ksp = 2.0 × 10 -29

果不佳
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 氟系廢水處理單元
傳統混凝沈澱法 vs. 流體化床結晶法

傳 統 沈 澱 程序

進 流 混 凝

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流體化床結晶 (FBC) 技術基本原理

處理水
結晶

擔體床呈
流體化狀態
水流分佈器

擔體
藥劑

原水

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 研磨廢水處理現況

面對越來越精密的製程技術，化學機械研磨漿液的
使用量也日漸提高。
放流水或納管標準尚無法管制此奈米級研磨砥粒。
化學混凝沈澱的處理單元對於極穩定研磨砥粒的去
除效能不彰，而超量加入混凝劑以求有效去除，
致產出大量污泥，增加後續處理負荷。
12 吋晶圓廠使用銅製程，使研磨廢水中含有相當量
的銅。
CMP 製程用水占新竹科學園區總用水之 20% ，由
於節約用水之壓力，廠商在試圖對此製程進行節水
措施或於管末進行研磨廢水回收處理。
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 研磨廢水處理方法

化學混凝沉澱
鋁系 鋁系 > 鐵 pH 5 ~ 7
鐵系 系

電混凝沉澱
電解混凝法
電解 + 化學混凝法

薄膜分離
MF 、 UF 、 RO

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 含砷廢水處理方法

以處理五價砷為佳
兩段處理 ( 化學沈降＋混凝 )
高濃度 (500 至數千 mg/L)  固定或化學沈降
中濃度 (1~10 mg/L)  吸附及共沈
低濃度 (< 1 mg/L)  離子交換及薄膜
流體化床結晶

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 含砷廢水處理方法 -
混凝沉澱或流體化床結晶
鈣鹽
pH 從 5 至 12 間均會形成不同砷酸鈣物種
鎂鹽
Mg2++AsO43-→Mg3(AsO4)2(s)↓ (pKsp≒19.68)
硫鹽
水體需為還原狀態以形成 As2S3 (pKsp = 21.68)

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 使用的有機溶劑
溶劑種類 名稱 半導體業 光電業

異丙醇 IPA ○ ○
異丁醇 IBA ○
乙二醇 EG ○
甲苯 toluene ○
二甲苯 xylene ○ ○
丙酮 acetone ○
丁酯 ○ ○
光阻劑 ○ ○
顯影液(乙酸丁酯) BAc ○
醚類 ○
二氯甲烷 ○ ○
一氟二氯乙烷 ○

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 溶劑種類 名稱 厭氧生物分解 喜氣生物分解
異丙醇 IPA ○ ○ ○ ○
異丁醇 IBA ○ ○
乙二醇 EG ○ ○ ○ ○
甲苯 Toluene x x
二甲苯 Xylene x x
丙酮 Acetone ○ ○ ○ ○
丁酯 ○ ○
光阻劑 ? ?
顯影液
BAc ○ ○
(乙酸丁酯)
醚類 ○ ? ○ ?
○○: 易分解 , ○: 可分解 , x: 難分解 , ?: 不明

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 TFT-LCD 製程簡介
TFT MODULE
ARRAY PANEL
ACF 貼附

SMT 焊接

框膠塗佈 背光框架

曝光

液晶注入 QA 檢查

偏光片貼附
 光電業廢水分類
1. 酸鹼廢水
2. 氟系廢水
3. 含砷廢水
4. 有機廢水
• 剝離液 (stripper) ：
DMSO ((CH3)2SO) 、 MEA
(HOC2H4NH2) 、
BDG (butyldiglycol)
• 顯影液 (developer) ： TMAH ((CH3)4NOH)
• 清洗溶液： IPA (CH3CHOHCH3)
• detergent 27
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 生物分解原理介紹
P, N Biomass
Carbohydrates O2
ENERGY
AT NADH
P
Pyruvate OXIDATIVE
GLYCOLYSI S KREBS CYCLE
(cytosol) Lactate
PHOSPHORYLATIO
(mitochondria)
N (mitochondria)
CO2
Pyruvate
H2O
CO2
Methane Fermentation Biomass

CH4
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 厭氣與喜氣處理之比較
厭氣與喜氣處理之比較

CH4 CO2 H 2O CO2

0.35 m3/1kg CODr

85 Kg COD

60 Kg COD
100 kg COD
100 kg COD 厭氧代謝 10 kg COD 喜氣代謝 10 kg COD
100 KWH

30 kg COD
•污泥產率低
5 kg COD

•負荷高 →
初設成本低
•不須曝氣 → 增殖污泥
增殖污泥
操作成本低

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 生物分解性試驗

厭氣生物分解
BMP Pilot Plant Test
ATA

生物分解性

喜氣生物分解
COD 分解 Pilot Plant Test
OUR

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 厭氣生物分解性試驗
厭氣污泥
廢水水樣
分別配製成不同 COD 濃度，進行
分解性試驗
35℃ 恆溫水浴振盪器、凹槽三角
瓶及集氣鳥型醱酵管
定時記錄產氣量，並以去除 1g
BMP 試驗裝置 COD 產生 395ml 的甲烷氣，換
150
算 COD 去除率
12

Specific removing rate

(kg COD/kgSS-hr)
100
產氣量 (ml)

50
4

0 0
0 50 100 150 200
0 2000 4000 6000
時 間 (hr)
Wastewater COD (mg/L)

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 喜氣生物分解性試驗
1200

1000

(1)無抑制 性可分 解

COD (mg/L)
800

(2)含抑制 性 物 質 600
廢水濃度 COD (mg/L)

(3) (3)無 法 生 物 分 解 400

200

0
0 20 40 60 80
(2) Time(hr)

(1) 30

25

SOUR (mgO2/gVSS/hr)
20
Time (hr)
15

10

0
0 1000 2000 3000 4000
COD concentration (mg/L)
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 生物處理技術
Org+O2====> H2O+CO2
bacteria
AST 活性污泥法
SBR 批式活性污泥法
喜氣生物處理
MBR 膜離活性污泥法
BioNET 生物網膜法

生物處理

AFB 厭氣流體化床
厭氣生物處理 UASB 上流式厭氣污泥床
UAF 上流式厭氣濾床
Org====> CH4+CO2
bacteria

Org+SO4=====> CH4+CO2
bacteria
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 上流式厭氣污泥床
(UASB)
甲 烷氣
污泥 毯
區
氣 固 液 三離 相裝
置 分
溢流堰

出流 水

污泥床 區
進流 水配分器

進流 水

硬體設計 軟體技術
• 槽體 • 厭氣分解性測試和處理可行性評估
• 氣固液三相分離裝置 • 污泥菌種選擇、植種、馴養及活化
• 進流水分配器 • 處理槽負荷及性能提昇與控制
生物處理技術介紹
膜離生物反應器技術 -MBR
MBR, Membrane Bio-Reactor Technology
■ 結合生物處理及薄膜分離技術
■ 適當的薄膜性質與操作條件以延長薄膜使用壽命

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生物處理技術介紹

膜離生物反應器 (MBR) 處理技

術
Zenon-hollow fiber

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36 工業技術研究院
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 高濃度有機廢水處理技術之演進
高濃度有機廢水處理技術之演進
日韓引進之技術 傳統喜 蒸發濃縮
氣

UASB+ 喜 MBR 加拿大 Zenon/ 綠太

氣
ITRI 研發新技術
MBR

UASB

Anaerobic Sludge Bed (ASB)

UASB

Air
Air

厭氣 MBR 系統 (MCMFB,
厭氣 (UASB) + MBR Membrane coupled methanogenic
and facultative bioreactor)
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 MCMFB
MCMFB 應用實績
應用實績

公司 / 廠 進度 槽體體積 廢水種類 廢水量 COD 備註

（ m3 ） (CMD) (mg/L)

廣輝龍潭 試車中 5,200 MEA, DMSO, 3,387 9,000 符合環評要

TMAH 求及經濟效
益 ( 新世代
MEA, DMSO, 廠)
華映龍潭 施工中 3,500 5,000 3,300
TMAH

力特南科 試車中 250 偏光板製程廢 200 5,000 可提升處理

水 ( 水膠水 , 效率且降低
力特平鎮 設計中 250 染色水 )
200 5,000 操作成本
( 新廠 )

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 UASB
UASB 應用實績
應用實績

公司 / 廠 進度 槽體體積 廢水種類 廢水量 COD 備註

（ m3 ） (CMD) (mg/L)

統寶 1 廠 試車中 1,760 MEA, BDG, 1,400 8,000 竹科管

TMAH 理局要
統寶 3 廠 設計中 6,654 MEA, BDG, 6,000 6,600 求改善
TMAH ( 舊廠 )

奇美 2 廠 試車中 900 MEA, DMSO, 1,650 1,000 南科管

TMAH 理局要
奇美 1 廠 設計中 400 MEA, DMSO, 650 1,000 求改善
TMAH ( 舊廠 )

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高濃度有機廢水處理工程（統寶光電）
高濃度有機廢水處理工程（統寶光電）

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 有機廢水處理規畫

喜氣生物
厭氣生物
AST
有機廢水 調勻 AFB
SBR
UASB
MBR

其他廢
水系統

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比較不同程序組合 Q=200 CMD, COD=1,000 mg/L
•厭氣 + 喜氣 Loading=200 kg COD/day
•單一喜氣
•化學氧化

單元
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比較不同程序組合 Q=1,000 CMD, COD=200 mg/L
•單一喜氣 Loading=200 kg COD/day
•化學氧化

單元
體積負荷
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• 半導體業 - 酸鹼、氟系、研磨廢水之操作方
式及加藥成本仍有改善空間
• 光電及半導體業有機廢水生物可分解性很高
• 光電業有機廢水生物處理技術有待提昇
• 分流處理最適當
• 模場試驗求取可靠參數確保操作穩定性

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