UNIVERSIDAD POLITCNICA DEL

GOLFO DE MXICO

INGENIERIA EN SEGURIDAD Y AUTOMATIZACIN INDUSTRIAL.

ULISES EUGENIO RODRIGUEZ ALEJANDRO.
ELECTRONICA.
ING. URIEL GIL PEREZ.

MARTES 13 DE ENERO, 2015. PARASO, TABASCO.

UNIDAD 1
CONTENIDO DE LA UNIDAD
(SUBTEMAS).
1.1 Materiales semiconductores:
1.1.1 Materiales intrnsecos
1.1.2 Materiales extrnsecos
1.1.2.1 Tipo N
1.1.2.2 Tipo P.

Principios Bsicos Materiales

Semiconductores
Los

semiconductores

conductividad
pudiendo
como

vara

comportarse

aislantes.

son

materiales

con

la

como

Resulta

cuya

temperatura,
conductores

que

se

desean

variaciones de la conductividad no con la

temperatura sino controlables elctricamente
por el hombre.

Para conseguir esto, se introducen tomos de

otros elementos en el semiconductor. Estos
tomos

se

llaman

impurezas

tras

su

introduccin, el material semiconductor presenta

una conductividad controlable elctricamente.

EXISTEN DOS TIPOS DE IMPUREZAS:

Que cambian la conductividad del silicio y determinan el

tipo de cristal a fabricar.

1.1.1 MATERIALES INTRNSECOS

Es
un
semiconductor
puro.
A
temperatura ambiente se comporta
como un aislante porque solo tiene
unos pocos electrones libres y huecos
debidos a la energa trmica.
En
un
semiconductor
intrnseco
tambin hay flujos de electrones y
huecos, aunque la corriente total
resultante sea cero.

Esto se debe a que por accin de la energa trmica se

producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo
tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la

EJEMPLOS:
El material semiconductor ms utilizado es el Silicio (Si), pero
hay otros semiconductores como el Germanio (Ge) que
tambin son usados en la fabricacin de circuitos.

El silicio est presente de manera natural en la

arena por lo que se encuentra con abundancia en
la naturaleza.

El Si presenta propiedades mecnicas y elctricas

buenas.

el Si se presta fcilmente a ser oxidado, formndose

SiO2 y constituyendo un aislante que se utiliza en
todos los transistores de la tecnologa CMOS.

Su purificacin es relativamente sencilla.

Cristal De Silicio Puro

Se denomina semiconductor
puro aqul en que los tomos
que lo constituyen son todos
del mismo tipo, es decir no
tiene

ninguna

impureza.

clase

de

A disposicin esquemtica de los tomos para un semiconductor

de silicio podemos observarla en la figura, Las regiones
sombreadas representan la carga positiva neta de los ncleos y
los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos.

La fuerza que mantiene unidos a los tomos entre s es el

resultado del hecho de que los electrones de conduccin de
cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro tomos
vecinos.

A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra

en la figura en la cual no se observa ningn electrn ni hueco
libre y por tanto el semiconductor se comporta como un
aislante.

Conduccin Del Cristal De

Silicio Puro
A la temperatura ambiente (2025 grados C.) algunas de las
fuertes uniones entre los
tomos se rompen debido al
calentamiento del
semiconductor y como
consecuencia de ello algunos
de los electrones pasan a ser
libres.

En la figura siguiente se representa

esta situacin. La ausencia del
electrn que perteneca a la unin
de

dos

tomos

de

silicio

representa por un crculo.

se

1.1.2 MATERIALES EXTRNSECOS

Son los semiconductores que estn

dopados, esto es que tienen impurezas.
Hay 2 tipos dependiendo de qu tipo de
impurezas tengan:
compuestos artificialmente creados para
producir, a su vez, dos nuevos tipos de
semiconductores, los tipo N y los tipo P.

Este tipo de semiconductor se produce al DOPAR o agregar

cuidadosas cantidades de otros elementos a los semiconductores
INTRNSECOS como el silicio o germanio. Mediante este dopado se
crean importantes cambios en la valencia del compuesto que
produce un nuevo comportamiento elctrico al semiconductor.

Tipo
N:
Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras", que
son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a
los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de
"portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les
denomina "portadores minoritarios".

Al aplicar una tensin al semiconductor de la figura, los

electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la
izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un
hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones
del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el
hueco.

Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo

izquierdo del cristal, donde entran al conductor y fluyen hacia
el positivo de la batera.

O
P
I
T
N.

Es el que est impurificado con impurezas "Aceptoras", que son

impurezas trivalentes. Como el nmero de huecos supera el
nmero de electrones libres, los huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.

Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la

izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los
huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan
con los electrones libres del circuito externo.

En el circuito hay tambin un flujo de portadores minoritarios.

Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de
derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores
minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.

BIBLIOGRAFA

ACTIVIDADES.

Materia
les Sem
icon

GRACIAS

ductore
s