Electrnica de Comunicaciones

CONTENIDO RESUMIDO:
1-Introduccin
2-Osciladores
3-Mezcladores.
4-Lazosenganchadosenfase(PLL).
5-AmplificadoresdepequeasealparaRF.
6-Filtrospasa-bandabasadosenresonadorespiezoelctricos.
7-AmplificadoresdepotenciaparaRF.
8-Demoduladoresdeamplitud(AM,DSB,SSByASK).
9-Demoduladoresdengulo(FM,FSKyPM).
10-Moduladoresdeamplitud(AM,DSB,SSByASK).
11-Moduladoresdengulo(PM,FM,FSKyPSK).
12-TiposyestructurasdereceptoresdeRF.
13-TiposyestructurasdetransmisoresdeRF.
14-Transceptorespararadiocomunicaciones
ATE-UO EC amp se 00

5- Amplificadores de pequea seal para

RF
Idea fundamental:
Amplificacin selectiva de las seales de RF con buena
relacin seal/ruido

Zg

+
VCC

vg

Amplificador
de seal de
RF

ZL

ATE-UO EC amp se 01

Concepto de ganancia de potencia (I)

Zg

ie

+
vg

is

Ze

Zs

ZL

vso

Amplificador de seal de RF

Potencia de entrada: pe = (ie ef)2Re[Ze]

Potencia de salida: ps = (is ef)2Re[ZL]
Ganancia de potencia: Gp = ps/pe

Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GP es funcin de ZL

Ojo: No valora la adaptacin de

impedancias entre generador y

ATE-UO EC amp se 02

Concepto de ganancia de potencia (II)

Con un modelo de admitancias

Zg
+

Ye

ve
vg

iscc

Ys

vs

ZL

Amplificador de seal de RF

Potencia de entrada: pe = (ve ef)2Re[Ye]

Potencia de salida: ps = (vs ef)2Re[YL]
Ganancia de potencia: Gp = ps/pe
ATE-UO EC amp se 03

Concepto de potencia disponible en un generador

Es la mxima potencia que puede entregar un generador a una carga

Zg

Zg
jXg

+
vg

ZL

Mxima transferencia de
potencia (ZL = Zg*):

Rg
ig

vg

jXL

ZL

RL

Re[ZL] = Re[Zg] RL = Rg

Pgd = (ig ef)2RL = (ig ef)2Rg =

Im[Ze] = - Im[Zg] XL = -Xg

(vg ef/2Rg)2Rg = (vg ef)2/4Rg

ATE-UO EC amp se 04

Concepto de ganancia de potencia disponible de un

amplificador

Zg

+
vg

Ze

Zs

ZL

vso

Amplificador de seal de RF

Potencia disponible entrada: ped = (vg ef)2/4Re[Zg]

Potencia disponible de salida: psd = (vso ef)2/4Re[Zs]
Ganancia de potencia disponible: Gpd = psd/ped

Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GPd es funcin de Zg

Valora la adaptacin de impedancias
entre generador y amplificador

ATE-UO EC amp se 05

Concepto de ganancia de potencia de

transduccin de un amplificador

Zg

+
vg

Ze

is

Zs

ZL

vso

Amplificador de seal de RF

Potencia disponible entrada: ped = (vg ef)2/4Re[Zg]

Potencia de salida: ps = (is ef)2Re[ZL]
Ganancia de potencia de tranduccin: Gpt = ps/ped
Para un amplificador dado (Ze y Zs conocidas), GPt es funcin de Zg y ZL
Valora la adaptacin de impedancias entre generador
y amplificador y entre amplificador y carga

ATE-UO EC amp se 06

Ejemplo de clculo de ganancias (I)

75

300
+

+
vg

ve

+
50

20ve

vs

75
-

AV = vs/ve = 2075/(300+75) = 4 = 20log(4) [dB] = 12,04 dB

pe = (ve ef)2/50

ps = 75[20ve ef/(300+75)]2

ped = (vg ef)2/(475)

psd = (20ve ef)2/(4300)

ve = vg50/(50+75)

Gp = ps/pe = 10,67 = 10log(10,67) [dB] = 10,28 dB

Gpd = psd/ped = 16 = 10log(16) [dB] = 12,04 dB
Gpt = ps/ped = 10,24 = 10log(10,24) [dB] = 10,10 dB
ATE-UO EC amp se 07

Condiciones para la mxima transferencia de potencia

entre el generador de seal y el amplificador y entre el
amplificador y la carga
Re[Ze] = Re[Zg]

Re[ZL] = Re[Zs]

Im[Ze] = - Im[Zg]

Im[ZL] = -Im[Zs]

Z e = Z g*

ZL = Zs*

Zg

+
vg

Ze

Zs
vso

Amplificador de seal de

ZL

ATE-UO EC amp se 08

Modo de conseguir la mxima transferencia de potencia

Zg

+
vg

Red
adaptacin
de entrada
(no disip.)

+
Ze

Zs
vso

Red
adaptacin
de entrada
(no disip.)

ZL

Amplificador de seal de
RF
Red
adapt.
de
entrada

ZeRed ent = Zg*

Red
adapt.
de
salida

Ze

ZL

ZeRed sal = Zs*

ATE-UO EC amp se 09

Ejemplo de clculo de ganancias con redes de

adaptacin de impedancias
75

300

ve

ve
vg

+
50

vs

vs

75

20ve -

(300/75)1/2:1

(75/50)1/2:1
ve = 0,5vg

ve = (50/75)1/2ve

vs = 0,520ve

vs = (75/300)1/2vs

AV = vs/ve = 10(75/300)1/2(50/75)1/2 = 4,08 = 20log(4,08) [dB] = 12,21 dB

pe = ped = (vg ef)2/(475)

ps = psd = (20ve ef)2/(4300)

ve = (50/75)1/20,5vg

Gp = Gpd = Gpt = ps/pe = 16,67 = 10log(16,67) [dB] = 12,21 dB

(coincide en este caso particular con AV, pero es slo por ser Rg = RL)
ATE-UO EC amp se 10

Ejemplo de la importancia de la adaptacin de impedancias

200

200
+

+
vg

ve

50

50

50ve

200

+
vg

vs
-

200

2:1

+
ve

ve

Sin adaptacin:
Gpt = 64 = 18,06 dB

+
50

+
vs
50ve -

2:1

vs
50

Con adaptacin: Gpt = 156,25 = 21,93 dB

ATE-UO EC amp se 11

Modos de medir le grado de adaptacin de impedancias

Coeficientes de reflexin:
En la entrada: e = (Ze Zo)/(Ze + Zo) (Zo = impedancia de referencia)
En la salida: s = (Zs Zo)/(Zs + Zo) (Zo = impedancia de referencia)
Relacin de Ondas Estacionarias (ROE, SWR):
En la entrada: ROEe = (1 + e )/(1 - e )
En la salida:

ROEs = (1 + s )/(1 - s )

Prdidas de potencia por desadaptacin PL:

En la entrada: PLe = -10log[1 - (Ze Zg*)/(Ze + Zg) 2]
En la salida:

PLs = -10log[1 - (Zs ZL*)/(Zs + ZL) 2]

ATE-UO EC amp se 12

Modos de medir le grado de adaptacin de impedancias en

el ejemplo anterior
200
50
Zo = Ro = 50
Rg = RL = 50

+
vg

ve
-

100

+
50

50ve

vs
-

e = (Ze Zo)/(Ze + Zo) = 50/150 = 0,33

s = (Zs Zo)/(Zs + Zo) = 150/250 = 0,6
ROEe = (1 + e )/(1 - e ) = 2
ROEs = (1 + s )/(1 - s ) = 4
PLe = -10log[1 - (Ze Zg*)/(Ze + Zg) 2] = 0,51 dB
PLs = -10log[1 - (Zs ZL*)/(Zs + ZL) 2] = 1,94 dB
ATE-UO EC amp se 13

Tipos de redes no disipativas de

adaptacin de impedancias
Redesno
disipativasde
adaptacin

Debandaanchacontransformador
Contransformador

Debandaestrecha

Sintransformador

Teora del transformador ideal (I)

i1
+

i2
1:n

i1
+

v1

v2
-

v2 = v1n
i2 = i1/n
p1 = v1i1 = v2i2 = p2

v1
-

i2
ni2

nv1

v2
-

ATE-UO EC amp se 14

Teora del transformador ideal (II)

i1

i2

1:n

v2

R1

R2

Calculamos R1 = v1/i1:
R1 = v2/(i2n2) = R2/n2

R1 = R2/n2

i2 = i1/n

v2 = R2i2

v1
v1

v2 = v1n

Primera aproximacin al comportamiento real:

inductancia y corriente magnetizante (I)
Modelo que tiene en cuenta que la transferencia de
energa se realiza por un campo mgntico

i1
+

v1
-

ni2
im
Lm

i2
1:n

i1 = i2n + im
Calculamos i1/v1 = Y1:

v2
-

R2

Y1(s) = n2/R2 + 1/(Lms)

Z1(s) = v1/i1 = 1/Y1(s)
ATE-UO EC amp se 15

Primera aproximacin al comportamiento real:

inductancia y corriente magnetizante (II)

i1
+

v1
-

ni2
im

i2
1:n

Por tanto:
Z1(s) = 1/[n2/R2 + 1/(Lms)]

v2

Lm

R2
Z1(j) []

Z1(s), Y1(s)
Si llamamos R2 = R2/n , obtenemos:
2

R2

Z1(s) = R2Lms/(R2 + Lms)

Z1(j) = jR2Lm/(R2 + jLm)

Hay un cero en cero y un

polo en fC = R2 /(2Lm)
ATE-UO EC amp se 16

0,7R2

fC
R2/10

R2/100
0,1fC

fC

10fC

Segunda aproximacin al comportamiento real:

inductancias magnetizante y de dispersin (I)
Modelos que tienen en cuenta que el acoplamiento
entre devanados no es perfecto

ni2

i1
+

v1

Ld1

im

i2
1:n

Ld2

v2

Lm

+
-

Modelo en T

ni2

i1
+

v1
-

im1

Lm1

Modelo en

Ld

im2

Lm2

i2
1:n

v2
ATE-UO EC amp se 17

Segunda aproximacin al comportamiento real:

inductancias magnetizante y de dispersin (II)
i1

+
v1

i2

ni2

Ld

im

1:n

Lm

Modelo aproximado muy usado

Z1(s), Y1(s)

+
v2

R2

Z1(j) []
10R2

Z1(s) = Lds + R2Lms/(R2 + Lms)

Z1(j) = jLd + jR2Lm/(R2 + jLm)

R2

0,7R2

fCi

Hay un cero en cero, un cero

en fCs = R2 /(2Ld) y un polo

1,4R2

fCs

R2/10

en fCi = R2 /(2Lm)
ATE-UO EC amp se 18

0,1fC

fC

10fC

Tercera aproximacin al comportamiento real:

inductancias y capacidades parsitas (I)
+
v1

1:n

Ld

Lm

Z1(s), Y1(s)

Cp1

Cp3

Cp2

Modelos que tienen en cuenta

acoplamientos capacitivos de los
devanados entre s y con el ncleo

R2

v2

10R2

Z1(j) []

R2
R2/10

ATE-UO EC amp se 19

R2/100

f1

10f1

100f1

1000f1

Uso de un transformador como adaptador de

impedancias de banda ancha (I)
Solamente vlido en el caso de impedancias resistivas

Rg
1:n

+
vg

R2

Lm

Margen de uso
Z1(j) []

Z1(j)

R2 = R2/n2

Por diseo: Rg = R2

ATE-UO EC amp se 20

R2

R2 /10

0,1fC

fC

10fC

Uso de un transformador como adaptador

de impedancias de banda ancha (II)
Rg

Ld

1:n

Cp1

R2

Lm

vg

R2 = R2/n

Z1(j)
Por diseo: Rg = R2

Margen de uso
(domina R2)
Domina Lm
Domina Cp1
Resonancia Cp1 Ld
ATE-UO EC amp se 21

Modelo ms elaborado

10R2

Z1(j) []

Domina Ld

R2
R2/10
R2/100

f1

10f1

100f1

1000f1

Uso de un transformador como adaptador de impedancias

de banda estrecha (I)
Se aade un condensador para cancelar
la reactancia inductiva de la inductancia
magnetizante

Rg

Cr

Lm

1:n

R2

vg
Z1(j)

R2 = R2/n2

Con Cr conseguimos:
Comportamiento selectivo.
Comportamiento real a menor
frecuencia para la misma Lm (menor
Lm si quisiramos comportamiento real
a la misma frecuencia).
ATE-UO EC amp se 22

10R2
R2

Z1(j) []

Sin Cr
Con Cr

R2/10
R2/100
f1

10f1

100f1

1000f1

Uso de un transformador como adaptador

de impedancias de banda estrecha (II)
Si la admitancia de entrada es parcialmente capacitiva,
su efecto se aade al del condensador resonante

Rg

Cr

1:n

Lm

R2

vg

Cr = Cr + C2n2

ATE-UO EC amp se 23

C2

fr =

1
2 LmCr

Y1(j) =1/R2 + jC2

Uso de un transformador como adaptador de impedancias

de banda estrecha (III)
Con un modelo ms exacto
del transformador

Rg

Ld

Cp1

1:n
R2

Cr Lm

vg
Z1(j)

Comportamiento
bastante independiente
de los parsitos del
transformador

10R2
R2

Con Cr

Sin Cr

R2/10

R2/100
ATE-UO EC amp se 24

Z1(j) []

f1

10f1

100f1

1000f1

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras de

impedancias sin transformador (I)
Supongamos inicialmente
impedancias resistivas en
el generador y la carga

Rg

jXs

RL

Calculamos Ze:

jXp

vg
Ze

Ze = jXs + jXpRL/(jXp + RL) =

jXs + jXpRL(RL - jXp)/(RL2 + Xp2) =

[j(RL2Xs + Xp2Xs + RL2Xp) + Xp2RL]/(RL2 + Xp2)

Condicin de Im[Ze] = 0 y Re[Ze] = Re a o:
0 = RL2Xs( o) + Xp2( o)Xs( o) + RL2Xp ( o)

(1)

Re = Xp2( o)RL/[RL2 + Xp2( o)]

(2)

De (2) se obtiene:
Xp( o) = RL[Re/(RL-Re)]1/2

(3)

Y de (1) y (3) se obtiene:

ATE-UO EC amp se 25

-Xs( o) = [Re(RL-Re)]1/2

(4)

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras

de impedancias sin transformador (II)
Rg

jXs

RL
jXp

vg
Z e = Re
Conclusiones:

Partimos de que para que

Re[Ze] = Re y Im[Ze] = 0:
Xp( o) = RL[Re/(RL-Re)]1/2 (3)
-Xs( o) = [Re(RL-Re)]1/2

(4)

Tambin:
-Xs( o) = [Re(RL-Re)]1/2
Xp( o) = -RLRe/Xs( o)

(4)
(5)

De (1) 0 = RL2Xs( o) + Xp2( o)Xs( o) + RL2Xp( o) se deduce que Xsy

Xpdebenserdedistintotipo (un condensador y una bobina)
De (3) y (4) se deduce que en esta topologa tiene que ser Re < RL
Posible realizaciones fsicas:
Pasabajos: Xs una bobina y Xp un condensador
ATE-UO EC amp se 26

Pasaaltos: Xs un condensador y Xp una bobina

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras

de impedancias sin transformador (III)

RL

jXs
Z e = Re

jXp

-Xs( o) = [Re(RL-Re)]1/2 (4)

Xp( o) = -RLRe/Xs( o)

(5)

Re < R L
Opcin pasa bajos

Pasa bajos

L
Ze = Re

RL
C

Particularizamos:
Xs( o) = L o y Xp( o) = -1/(C o)
Sustituimos en (4) (con signo -) y
en (5):
L o = [Re(RL-Re)]1/2

L o = [Re(RL-Re)]1/2

1/(C o) = RLRe/(L o) L/C = RLRe

L/C = RLRe
Re < R L

ATE-UO EC amp se 27

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras

de impedancias sin transformador (IV)

RL

jXs

-Xs( o) = [Re(RL-Re)]1/2 (4)

Xp( o) = -RLRe/Xs( o)

Z e = Re

jXp

(5)

Re < R L
Opcin pasa altos

Pasa altos

C
RL

Z e = Re

Particularizamos:
Xs( o) = -1/(C o) y Xp( o) = L o
Sustituimos en (4) (con signo +)
y en (5):
1/(C o) = [Re(RL-Re)]1/2

C o = [Re(RL-Re)]-1/2

L o = RLReC o L/C = RLRe

L/C = RLRe
Re < R L

ATE-UO EC amp se 28

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras

de impedancias sin transformador (V)
Se puede conseguir que se adapten impedancias con Re > RL?
Para explicarlo, un poco de Teora de Circuitos

1TeoremadeReciprocidad
c

Red
pasiva

v1
b

i2
d

Red
pasiva

i2
b

v1

Si excitamos en tensin entre a-b y medimos la corriente de

corto entre c-d, el resultado es mismo que si excitamos en
tensin entre c-d y medimos la corriente de corto entre a-b
ATE-UO EC amp se 29

2TeoremadeReciprocidadparacuadripolosno
disipativos,cargadosconunaresistenciaycon
impedanciadeentradaresistivaigualaladelgenerador

Rg

RL

Balance de potencias:

Red

(iL ef)2 = (vg ef)2/(4RgRL)

d

Rg

pcd

disipativa
b

ATE-UO EC amp se 30

pcd = (iL ef)2Rg

Red
pasiva no

Balance de potencias:

RL

iL

Por tanto:

disipativa

vg
Rg

iL

pasiva no

pab

pab = (vg ef)2/(4Rg) = (iL ef)2RL

vg
Zcd

Sustituyendo el valor
de iL ef:
pcd = (vg ef)2/(4RL)
Para que esto ocurra:

Zcd = RL

Conclusin
Para cuadripolos no disipativos, cargados con una
resistencia y con impedancia de entrada resistiva
Si se cumple:

a
Red
pasiva no

R2

disipativa

Zab = R1
Entonces:

c
Red
pasiva no

R1

disipativa
b

ATE-UO EC amp se 31

Zcd = R2

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras

de impedancias sin transformador (VI)
-Xs( o) = [R1(R2-R1)]1/2
c
a

Zab = R1

R2

jXs

Xp( o) = -R2R1/Xs( o)
a

R1

jXs
jXp

jXp
b

R1 = R e
R2 = R L

R1 < R 2
c

b
Dibujando de nuevo:

R1 = R L
R2 = R e

Zcd = R2
d

Rg

+
vg
Z e = Re

jXs
jXp

RL

-Xs( o) = [RL(Re-RL)]1/2
Xp( o) = -ReRL/Xs( o)
RL < Re
ATE-UO EC amp se 32

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras

de impedancias sin transformador (VII)
-Xs( o) = [RL(Re-RL)]1/2 (4)

jXs
RL

jXp

Ze = Re

(5)

RL < R e
Opcin pasa bajos

Pasa bajos

Particularizamos:

L
Z e = Re

Xp( o) = -ReRL/Xs( o)

Xs( o) = L o y Xp( o) = -1/(C o)

RL

Sustituimos en (4) (con signo -) y

en (5):
L o = [RL(Re-RL)]1/2

L o = [RL(Re-RL)]1/2

1/(C o) = ReRL/(L o) L/C = ReRL

L/C = ReRL
RL < R e

ATE-UO EC amp se 33

Teora general de las redes no disipativas adaptadoras

de impedancias sin transformador (VIII)
-Xs( o) = [RL(Re-RL)]1/2 (4)

jXs
Ze = Re

RL

jXp

(5)

RL < R e
Opcin pasa altos

Pasa altos

C
Ze = Re

Xp( o) = -ReRL/Xs( o)

RL

Particularizamos:
Xs( o) = -1/(C o) y Xp( o) = L o
Sustituimos en (4) (con signo +)
y en (5):
1/(C o) = [RL(Re-RL)]1/2

C o = [RL(Re-RL)]-1/2

L o = ReRLC o

L/C = ReRL

L/C = ReRL
RL < R e

ATE-UO EC amp se 34

Resumen

RL

L
Ze = Re

RL
Z e = Re

L o = [Re(RL-Re)]1/2

C o = [Re(RL-Re)]-1/2

L/C = RLRe

L/C = RLRe Re < RL

Re < R L

L
Z e = Re

RL

Z e = Re

RL

L o = [RL(Re-RL)]1/2

C o = [RL(Re-RL)]-1/2

L/C = ReRL

L/C = ReRL RL < Re

RL < Re
ATE-UO EC amp se 35

Circuito simblico que sintetiza los cuatro casos

R1

jXs

jXp

R2
d

-Xs( o) = [R1(R2-R1)]1/2
Xp( o) = -R2R1/Xs( o)
R1 < R2
ATE-UO EC amp se 36

Dos circuitos simblicos para sintetizar los cuatro casos

a

L o = [R1(R2-R1)]1/2

R1

R2

R1 < R2

b
a

L/C = R1R2

C o = [R1(R2-R1)]-1/2

R1

R2

L
b

L/C = R1R2
R1 < R2

d
ATE-UO EC amp se 37

Ejemplo de adaptacin de impedancias en un amplificador

L = 1,38H

200

+
C=
138pF

vg
200

ve
-

L = 1,38H

200

+
50

Ze

50

vs

C=
138pF

50ve
200

Frecuencia de operacin: 10 MHz

300

vs
-

Ze = Ze

Ze[]
Re[Ze]

Cambio de Ze con la
frecuencia de operacin

0
-200

ATE-UO EC amp se 38

Im[Ze]
6

10

f[MHz]

14

Comportamiento de la adaptacin de
impedancias con el cambio de frecuencia
300

L
Ze = Re

RL

Frecuencia de diseo: 10 MHz

Caso A:
Re = 200 RL = 100
L = 1,6 H C = 80 pF
Caso B:
Re = 200 RL = 20
L = 0,95 H C = 239 pF
ATE-UO EC amp se 39

Ze[]
Re[Ze], RL= 100

200

Re[Ze],
RL= 20

-200

Im[Ze], RL= 100

Im[Ze], RL= 20
6

10

f[MHz]

14

Conclusin: cuanto mayor es la

diferencia de impedancias, ms
crtico es el margen de frecuencia
de adaptacin. Lo mismo ocurre en
las otras redes

Comportamiento con generadores y cargas

con impedancia no resistivas
Se pueden usar estas redes si las componentes reactivas de
las impedancias se pueden integrar en la red de adaptacin
de impedancias

jXs

Zg

Rg

jXp

jXg
jXs

jXp

ZL
jXL
RL

vg

Xs y Xp son los valores calculados por las frmulas anteriores

Xs y Xp son los valores a colocar
Xs = Xs + Xg

Xp = XpXL/(Xp + XL) Xp = XpXL/(XL - Xp)

No siempre es posible hacer esto

ATE-UO EC amp se 40

Ejemplo de uso con impedancias no resistivas

L = 0,32 H
Re = 20

RL = 40

fo = 10 MHz
C = 398 pF
L = 0,32 H
Re = 20

RL = 40

fo = 10 MHz
C = 298 pF
ATE-UO EC amp se 41

CL = 100 pF

Ejemplo de uso imposible con la red propuesta

L = 0,32 H
Re = 20

RL = 40

fo = 10 MHz
C = 398 pF
L = 0,32 H
Re = 20

RL = 40

fo = 10 MHz
C = - 102 pF

CL = 500 pF

No es posible con esta red

ATE-UO EC amp se 42

Red alternativa a usar en este caso (I)

L = 0,32 H jXs = j20
Re = 20

RL = 40

fo = 10 MHz

C = 398 pF jXp = -j40

L = 0,32 H jXs = j20
Re = 20
fo = 10 MHz j155,9

RL = 40
CL = 500 pF jXL = -j31,8

ATE-UO EC amp se 43

Xp = XpXL/(XL - Xp) = 155,9

Red alternativa a usar en este caso (II)

0,32 H

Re = 20

CL =
500 pF

fo = 10 MHz j155,9

RL = 40

Maneras de conseguir la reactancia inductiva necesaria a 10 MHz:

Una bobina
Un circuito LC paralelo (infinitos casos posibles)
Un circuito LC serie (infinitos casos posibles)

2,48 H
ATE-UO EC amp se 44

LP

CP

LP = 0,64 H CP = 295,8 pF
LP = 1,27 H CP = 96,8 pF
LP = 2,12 H CP = 17,3 pF
En los tres casos se consigue
adaptacin, pero su respuesta
en frecuencia ser distinta

Una nueva red de adaptacin de impedancias

L = 0,32 H jXs = j20
Re = 20
fo = 10 MHz

LP

RL = 40

CP

jXp = -j40
Definimos el Q del circuito:
Q =RL/( oLp)
Q=1
Q = 0,5
Q = 0,1
Q = 0,01

LP = 0,64 H
LP = 1,27 H
LP = 6,37 H
LP = 63,7 H

CP = 795,8 pF
CP = 596,8 pF
CP = 437,7 pF
CP = 401,9 pF

Hay adaptacin, pero su respuesta

en frecuencia es distinta
ATE-UO EC amp se 45

Ze[]
40

Re[Ze],
Q=1

Re[Ze], Q=0,1

Im[Ze], Q=1
0
Im[Ze], Q=0,1
-20

10

f[MHz]

14

Ejemplos de otras redes de adaptacin de impedancias

(obtenidos del ARRL Handbook 2001) (I)

Red bsica

R1

R2

R1

R2
d

L o = [R1(R2-R1)]1/2

C o = [R1(R2-R1)]-1/2

L/C = R1R2

L/C = R1R2

R1 < R2

ATE-UO EC amp se 46

R1 < R 2

Ejemplos de otras redes de adaptacin de impedancias

(obtenidos del ARRL Handbook 2001) (II)
Otras redes (I)

ATE-UO EC amp se 47

Ejemplos de otras redes de adaptacin de impedancias

(obtenidos del ARRL Handbook 2001) (III)
Otras redes (II)

ATE-UO EC amp se 48

Estudio del ancho de banda de amplificadores con un

circuito sintonizado (I)

+ Vcc
1:n

Re2

ve2
-

real

C1

CS

ve1
-

D
S
RS
ATE-UO EC amp se 49

Estudio del ancho de banda de amplificadores con un

circuito sintonizado (II)
Rs1
1:n

+
C

vs1o

Re2

ideal

Etapa 1

ATE-UO EC amp se 50

Etapa 2

Rs1
is1cc

ve2

ve2

Re2
Re2 = Re2/n2
ve2 = ve2/n

Estudio del ancho de banda de amplificadores con un

circuito sintonizado (III)
+

Rs1
is1cc

ve2

Re2

ve2
is1cc

Calculamos la transferencia ve2/is1cc:

R = Re2Rs1/(Re2 + Rs1)

ve2/is1cc = ZLCR(s) = 1/[1/R + Cs + 1/(Ls)] = Ls/[1 + Ls/R + LCs2]

Anlisis senoidal permanente (s = j):
ve2/is1cc = ZLCR(j) = jL /(1 - LC 2 + jL/R) = R/[1 + jR(LC 2 - 1)/(L)]
Nos fijamos en el trmino (LC 2 - 1)/(L) yllamamos o = 1/(LC)1/2:
(LC 2 - 1)/(L = [(LC)1/2 + 1][(LC)1/2 - 1]/(L) =
(/ o + 1)(/ o - 1)/(L) 2(/ o - 1)/(L o) = 2( - o)/(L o2)
ATE-UO EC amp se 51

Estudio del ancho de banda de amplificadores con un

circuito sintonizado (IV)
+
ve2
is1cc

R = Re2Rs1/(Re2 + Rs1)
Por tanto:
ZLCR(j) R/[1 + jR2( - o)/(L o2)]
Para calcular las frecuencias de corte establecemos las condiciones
en las que ZLCR(j) cae 3dB con relacin ZLCR(j o) :
ZLCR(j c) = ZLCR(j o) /21/2 c = o L o2/(2R) = o o/(2Q),
siendo Q = R/(L o). Por tanto:
cs = o + o/(2Q), ci = o - o/(2Q) y = cs - ci = o/Q
ATE-UO EC amp se 52

f= fo/Q

(con la aproximacin admitida)

Estudio del ancho de banda de amplificadores con

un circuito sintonizado (V)

ZLCR

R
R/ 2

ZLCR
R

Q=5

Q=10

o = 2fo

Q=20
0

o = 1/(LC)1/2

90

Q = R/(L o)

Q=10

ZLCR[]

f fo/Q

Q=20
-90

0,6fo

fo

Q=5

1,4fo

ATE-UO EC amp se 53

Estudio del ancho de banda de amplificadores con un

circuito sintonizado (VI) Valoracin de la aproximacin:
(/ o + 1)(/ o - 1)/(L) 2( - o)/(L o2)
ZLCR

Q=5

R/ 2
aprox.
aprox.
0

ZLCR[]
90

Q=5

aprox.
0

-90
ATE-UO EC amp se 54

aprox.
0,6fo

fo

1,4fo

Amplificadores con dos circuitos sintonizados

Ojo! Hay que evitar que

se acoplen por campo
magntico disperso

+ Vcc
1:n2

C2

Re2

ve2
-

real

Rg

+
vg

G
1:n1

C1
real

S
ve1
RS CS
ATE-UO EC amp se 55

Formas de evitar que exista acoplamiento entre circuitos

sintonizados
Bobinas ajustables con blindaje

Bobinas y transformadores toroidales

Transformadores de RF

Ejemplos de bobinas ajustables con blindaje (I)

Coilcraft

Coilcraft
ATE-UO EC amp se 56

Ejemplos de bobinas ajustables con blindaje (II)

Toko

Toko

Toko
ATE-UO EC amp se 57

Ejemplos de bobinas ajustables con blindaje (III)

Toko

Toko

Toko
ATE-UO EC amp se 58

Bobinas y transformadores toroidales

Toko

Toko

Toko
ATE-UO EC amp se 59

Coilcraft

Transformadores de RF

Coilcraft

ATE-UO EC amp se 60

Mini circuit

Comportamiento de amplificadores con dos circuitos

sintonizados (I)
+ Vcc
1:n2

C2

Re2

ve2
-

real

Rg

G
1:n1

C1

vg

S
ve1

real

C1

RS CS

L1

ve1
igcc/n1

igcc = vg/Rg

C2
ve2

R1

gFETve1
ATE-UO EC amp se 61

R2
ve2 = ve2/n2

L2

Comportamiento de amplificadores con dos

circuitos sintonizados (II)
+

C1

L1

ve1
igcc/n1

C2

L2

ve2
R1

gFETve1

R2

Ecuaciones:
igcc = vg/Rg
ve2 = ve2n2
ve1n1/igcc = ZLCR1(j) = R1/[1 + jR1(L1C1 2 - 1)/(L1)]
ve2/(gFETve1) = ZLCR2(j) = R2/[1 + jR2(L2C2 2 - 1)/(L2)]
Por tanto:
ve2/vg = ZLCR1(j)ZLCR2(j)[gFETn2/(Rgn1)] = kFLCR(j), siendo:
FLCR(j) = ZLCR1(j)ZLCR2(j)/(R1R2)

ATE-UO EC amp se 62

Llamamos:

Comportamiento de amplificadores con

dos circuitos sintonizados (III)

o1 = 1/(L1C1)1/2, Q1 = R1/(L1 o1), o2 = 1/(L2C2)1/2 y Q2 = R2/(L2 o2)

Posibilidades:
Misma sintona

o1 = o2

Sintona escalonada o1 o2
Caso de misma sintona

FLCR(j)

Q=5
1/ 2
Aumenta la atenuacin de

1 Etapa

frecuencias indeseadas
Disminuye el ancho de
banda

2 Etapas
0

ATE-UO EC amp se 63

0,6fo

fo

1,4fo

Comportamiento de amplificadores con dos

circuitos sintonizados (IV)
Caso de sintona escalonada
Ejemplo: fo1 =0,909 fo y fo2 =1,11 fo
FLCR(j)

Q=5

Aumenta la atenuacin de
1/ 2
frecuencias indeseadas
Se puede conseguir una
respuesta bastante plana en
la banda deseada
Menor ganancia
0

ATE-UO EC amp se 64

1 Etapa

0,6fo

2 Etapas
fo

1,4fo

Determinacin del ancho de banda en

amplificadores con varios circuitos sintonizados a
la misma frecuencia y con el mismo Q (I)
vg

Etapa
1

Etapa
3

Etapa
2

L1 C 1 R 1

L 2 C2 R 2

Etapa
4

L3 C3 R3

vs
L4 C4 R4

Usamos las expresiones aproximadas:

ZLCR(j) R/[1 + jR2( - o)/(L o2)]

f fo/Q

FLCR(j) = [ZLCR(j)/R]n = 1/[1 + jR2( - o)/(L o2)]n

Condicin de cada de 3dB a c:
FLCR(j c) = FLCR(j o) /21/2

21/2= [1 + [R2( c - o)/(L o2)]2]n/2

[21/n 1]1/2= R2( c - o)/(L o2); llamamos k(n) = [21/n 1]1/2

Entonces: c = o k(n)L o2/(2R) = o k(n) o/(2Q) f= k(n)fo/Q
Como f= k(n)fo/Q y k(n) < 1, disminuye el ancho de banda
ATE-UO EC amp se 65

Determinacin del ancho de banda en

amplificadores con varios circuitos sintonizados a
la misma frecuencia y con el mismo Q (II)
o = 2fo o = 1/(LC)1/2 Q = R/(L o) f [21/n 1]1/2fo/Q
FLCR(j) [dB]
0

Q=5

1 Etapa
-20

-40

2 Etapas

-60
0,1fo
ATE-UO EC amp se 66

4 Etapas
fo

10fo

Estudio de dos etapas con sintona escalonada y

con el mismo Q (I)
Ejemplos de posibles diseos:
Frecuencia de corte superior de una etapa coincidente con la
inferior de la otra
fo1 = fo/[1 + 1/(2Q)]
FLCR(j)

fo2 = fo/[1 - 1/(2Q)]

1

fo1

fo2

1/ 2

1 Etapa
0
fo(1-3/Q)
ATE-UO EC amp se 67

2 Etapas
fo

fo(1+3/Q)

Estudio de dos etapas con sintona escalonada y

con el mismo Q (II)
Mismo ejemplo anterior, en escala logartmica

FLCR(j) [dB]
0

-3

Q=5

-20

-40

1 Etapa
2 Etapas

-60
0,1fo

ATE-UO EC amp se 68

fo

10fo

Aumenta la atenuacin
de frecuencias
indeseadas
Se puede conseguir
una respuesta bastante
plana en la banda
deseada
Menor ganancia

Estudio de dos etapas con sintona escalonada y

con el mismo Q (III)
Otros ejemplos de posibles diseos:
Caso anterior: m = 2
Resonancias ms alejadas: m < 2
Resonancias ms cercana: m > 2

fo1 = fo/[1 + 1/(mQ)]

fo2 = fo/[1 - 1/(mQ)]
FLCR(j)
1

fo1

fo2

m = 1,5

1/ 2

1 Etapa
0
fo(1-3/Q)

2 Etapas
fo

fo(1+3/Q)
ATE-UO EC amp se 69

Estudio de dos etapas con sintona escalonada y con el

mismo Q (IV)
Influencia de m, en escala logartmica
FLCR(j) [dB]
0

-3 dB

m = 1,5

Q=5

-20

1 Etapa

m=1

-40

2 Etapas, m = 2
-60
0,1fo

fo

10fo

Con menores valores de m, menor ganancia y mayor ancho de banda

ATE-UO EC amp se 70

Estudio de varias etapas con sintona

escalonada y con el mismo Q (I)
Ejemplos de posibles diseos con cuatro etapas:
Opcin A:
fo1 = fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)]

FLCR(j) [dB]
0

Q=5
1 Etapa

-20

fo3 = fo4 = fo/[1 - 1/(2Q)]

Opc. A
Opc. B

Opcin B:
fo2 = fo/[1 + 1/(2Q)]

C
-40

fo3 = fo/[1 - 1/(2Q)]

fo1 = fo2/[1 + 1/(2Q)]

2 Etapas

-60
0,1fo

fo4 = fo3/[1 - 1/(2Q)]

4 Etapas
fo

10fo

Opcin C:
fo2= fo/[1 + 1/(2Q)]
fo3= fo/[1 - 1/(2Q)]
fo1 = fo2[1 - 1/(2Q)]/[1 + 1/(2Q)]

ATE-UO EC amp se 71

fo4 = fo3[1 + 1/(2Q)]/[1 - 1/(2Q)]

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:

dos circuitos resonantes acoplados por condensador (I)
Rg

C2
1:n1

+
vg

C1

Re1

ve1
-

real

Rg = R

C2

+
vg

C1

real

1:n2

C1
L

C1
L

ve1
-

Re1 = R
ATE-UO EC amp se 72

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:

dos circuitos resonantes acoplados por condensador (II)
Rg = R

C2

C1

ve1

vg

C1

Re1 = R

Llamamos:
o = 2fo
o = 1/(LC1)1/2
C2 = C1/k

FLCR(j) [dB]
0

Q = R/(L o)

Q=5

FLCR(j) = ve1/vg

-20

Ojo! fo no es la

k=1

frecuencia central

-40

-60
0,1fo

k = 20
fo

2
5

10

10fo

ATE-UO EC amp se 73

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:

dos circuitos resonantes acoplados por condensador (III)
Rg = R

C2

C1

ve1

vg

C1

Re1 = R

FLCR(j)

Q=5
k=2

k=5
10

0
0,6fo

k=1

Dnde salen los dos

picos de resonancia y
cundo sale slo uno?

k = 20
fo

1,4fo
ATE-UO EC amp se 74

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:

dos circuitos resonantes acoplados por condensador (IV)
Z2
+

v
igcc

C1
R

L
Z1

C2

C1
L

ve1
-

Z1

Ecuaciones: v/igcc = [Z1(Z2 + Z1)]/(Z1 + Z2 + Z1) y ve1/v = Z1/(Z1 + Z2)

Por tanto:

ve1/igcc = Z12/(2Z1 + Z2)

Mximos posibles:
Si Z1 es muy grande resonancia paralelo de Z1 o1 = 1/(LC1)1/2
Si 2Z1 + Z2 es muy pequea resonancia serie de 2Z1 y Z2
ATE-UO EC amp se 75

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:

dos circuitos resonantes acoplados por condensador (V)
Z2
+

v
igcc

C1
R

Z1

C2

C1
L

ve1
-

Resonancia serie de 2Z1 y Z2:

2Ls/(1 + Ls/R + LC1s2) + 1/C2s = 0

Z1

Efectuamos un anlisis senoidal y suponemos R muy grande:

2L o2/(1 - LC1 o22) - jC2 o2 0 o2 1/[L(C1 + 2C2)]1/2
Por tanto:
o1 o2(1 + 2C2/C1)1/2 o1 o2(1 + 2/k)1/2
Hay dos picos cuando, aproximadamente:
o1 - o2 > o1/(2Q) + o2/(2Q) k < (2Q-1)2/4Q Q (si Q es grande)
ATE-UO EC amp se 76

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:

dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (I)
Acoplamiento no ideal

Rg

C1

vg
Rg = R

C1
Re1

1:n1

1:n2

Acoplamiento
ideal

Acoplamiento
ideal

+
vg

Ld1
C

Ld2 Ld1

Lm

ve1
-

ve1
Re1 = R
ATE-UO EC amp se 77

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:

dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (II)
Acoplamiento capacitivo

Z1

Z1

v
igcc

C1
R

C1

C2
Z2

ve1

Acoplamiento inductivo

Z1
+

Z1

Ld
igcc

Ld
Lm

ve1
R

Z2
Se estudia de modo

ATE-UO EC amp se 78

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:

dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (III)
Z1
+

Z1

Ld
igcc

Ld
Lm

ve1
R

Z2

Ecuacin final : ve1/igcc = Z2R2/[Z1(2Z2 + Z1)(1 + RCs)2]

Si suponemos R muy grande: ve1/igcc = Z2/[Z1(2Z2 + Z1)(Cs)2]
Mximos posibles:
Si Z1 es muy pequea resonancia de serie Z1 o1 1/(LdC)1/2
Si 2Z2 + Z1 es muy pequea resonancia serie de 2Z2 y Z1
o2 1/[(2Lm +Ld)C]1/2 y si llamamos k = Ld/Lm o2 1/[Ld(2/k + 1)C]1/2
Por tanto: o1 o2(1 + 2/k)1/2 y hay dos picos cuando,
aproximadamente: k < (2Q-1)2/4Q Q (si Q es grande)

ATE-UO EC amp se 79

Comportamiento de los circuitos doblemente sintonizados:

dos circuitos resonantes acoplados inductivamente (IV)
Rg = R

Ld1
Lm

vg

Ld2 Ld1

FLCR(j) [dB]
0

Q=5
k=1

ve1
Re1 = R

Hemos llamado:
o = 2fo
o = 1/(LdC)1/2

-20

Lm = Ld/k
-40

Q = R/(Ld o)

FLCR(j) = ve1/vg

10

-60
0,1fo

k = 20
fo

10fo

ATE-UO EC amp se 80

Modelado de los dispositivos activos: parmetros de

admitancias (I)

Zg

ie

is
+

ve
vg

- y11

Ecuaciones:
ie = y11ve + y12vs
is = y21ve + y22vs

vs
y12vs

y21ve

y22

ZL

Dispositivo activo

ie
y11
ve
Valores:

is
y21
ve
ATE-UO EC amp se 81

vs 0

ie

vs

ve 0

vs 0

is

vs

ve 0

y12

y22

Modelado de los dispositivos activos: parmetros de

admitancias (II)

ie

is

ve
ve

- y11

vs
y12vs

y21ve

y22

Significado de cada parmetro:

ie
y11
ve
is
y21
ve
ATE-UO EC amp se 82

Admitancia de entrada con salida en corto

vs 0

vs

Admitancia de transferencia directa con salida

en corto
0

Modelado de los dispositivos activos: parmetros de

admitancias (III)

ie

is

ve
- y11

y12

ie

vs

y22

is

vs

vs
y12vs

y21ve

y22

vs

Admitancia de transferencia inversa con

entrada en corto
ve 0
Admitancia de salida con entrada en corto
ve 0

ATE-UO EC amp se 83

Modelado de los dispositivos activos: parmetros de

admitancias (IV)

ie

is
+

ve
- y11

vs
y12vs

y21ve

y22

Otra nomenclatura posible:

y11 = Admitancia de entrada con salida en corto = yi
y12 = Admitancia de transferencia inversa con entrada en corto = yr
y21 = Admitancia de transferencia directa con salida en corto = yf
y22 = Admitancia de salida con entrada en corto = yo
ATE-UO EC amp se 84

Modelado de los dispositivos activos: parmetros de

admitancias (V)

ie

is

ve
- y11

vs
y12vs

y21ve

y22

Divisin en parte real e imaginaria:

y11 = g11 + jb11 o bien yi = gi + jbi
y12 = g12 + jb12 o bien yr = gr + jbr
y21 = g21 + jb21 o bien yf = gf + jbf
y22 = g22 + jb22 o bien yo = go + jbo
ATE-UO EC amp se 85

Modelado de los dispositivos activos: parmetros de

admitancias (VI) En funcin de la configuracin:
ig
G

id
+

vgs
yis

vds
yrsvds

yfsvgs

yos

is
S

id

vsg
yig

vdg
yrgvdg

yfgvsg

yog

ig
G

id
+

vgd
-

+
-

yid

vsd
yrdvsd

yfdvgd
D

yod

yis = gis + jbis

yrs = grs + jbrs
yfs = gfs + jbfs
yos = gos + jbos
yig = gig + jbig
yrg = grg + jbrg
yfg = gfg + jbfg
yog = gog + jbog
yid = gid + jbid
yrd = grd + jbrd
yfd = gfd + jbfd
yod = god + jbod

ATE-UO EC amp se 86

Tipos de dispositivos activos (I)

Montajesconunnicotransistor:
Base o puerta comn mayor ancho de banda, sin ganancia de
corriente
Emisor o fuente comn menor ancho de banda, mayor
ganancia de potencia
Colector o drenador comn ancho de banda intermedia, sin
ganancia de tensin
Montajesconvariostransistores:
Cascodo: emisor (o fuente) comn + base (o puerta) comn
buen ancho de banda, buena ganancia de potencia
Etapa diferencial: ganancia regulable por una tensin de control

ATE-UO EC amp se 87

Propiedades de las configuraciones:

puerta (o base) comn

S
ve

+
-

*
G

D
+
vs
-

Baja impedancia de entrada

Alta impedancia de salida
Media-alta ganancia de tensin
Ganancia de corriente baja (< 1)

Respuestaenfrecuencia:
Capacidades parsitas en entrada y en salida sin efecto Miller
(no hay capacidad entrada-salida que sea equivalente a una nueva
capacidad de entrada muy aumentada al ir multiplicada por la
ganancia de tensin) gran ancho de banda

ATE-UO EC amp se 88

Propiedades de las configuraciones:

fuente (o emisor) comn

G
ve

*S

Alta impedancia de entrada (FETs) o

+ media impedancia de entrada
vs (bipolares)

Alta impedancia de salida

Ganancia de tensin alta (con cargas
altas)
Ganancia de corriente alta

Respuestaenfrecuencia:
Una capacidad parsita en la entrada y otra entre entrada y salida
hay efecto Miller (la capacidad entrada-salida es equivalente a
una nueva capacidad de entrada, muy aumentada al ir multiplicada
por la ganancia de tensin) pequeo ancho de banda
ATE-UO EC amp se 89

Propiedades de las configuraciones:

drenador (o colector) comn

G
ve

*D

+
vs
-

Alta impedancia de entrada

Baja impedancia de salida
Ganancia de tensin baja (< 1)
Ganancia de corriente alta

Respuestaenfrecuencia:
Una capacidad parsita en la entrada y otra entre entrada y salida,
pero la ganancia de tensin es menor que 1 hay efecto Miller,
pero poco significativo al ser la ganancia de tensin menor que 1
gran ancho de banda
ATE-UO EC amp se 90

Ejemplo de la respuesta en frecuencia de un JFET (I)

Circuito equivalente del J309
G

2 pF

50

vGS

vGS

gmvGS

4 pF

50 G
2 pF

vg
D

2 pF

vg

RL

4 pF

gm = 0,02 -1

gmvGS

4 pF S
gmvGS
RL
gm = 0,02 -1

Drenadorcomn

vg
+
vs

RL
4 pF
-

gm = 0,02 -1

50 S
vGS

vs

gmvGS

Fuentecomn

gm = 0,02 -1

2 pF

vGS

+ G

vs
-

Puertacomn

ATE-UO EC amp se 91

Ejemplo de la respuesta en frecuencia de un JFET (II)

Circuito equivalente del J309
G

2 pF

+
vGS
-

vs/vg [dB]

gmvGS

4 pF

20

gm = 0,02

Fuente comn

-1

Puerta comn

RL = 200

0 Drenador comn

Ojo! En este caso particular el

drenador comn tiene mayor
ancho de banda que el puerta
comn. Esto no siempre ocurre
en transistores bipolares.

ATE-UO EC amp se 92

-20

-40

10

102
f[MHz]

103

104

El montaje cascodo (I)

Fuente comn + Puerta comn

S
G
ve

+
-

Alta impedancia de entrada

*S

*
G

D
+
vs
-

Zegc 1/gm
(pequea)

Alta ganancia de corriente

Baja impedancia de entrada

Baja ganancia de corriente

Baja ganancia de tensin (por Zegc baja)

Alta ganancia de tensin

Buena respuesta en frecuencia (por baja

ganancia de tensin)

Buena respuesta en frecuencia

Cascodo: Altas ganancias de tensin y

corriente y buena respuesta en frecuencia

ATE-UO EC amp se 93

El montaje cascodo (II)

50

ve

vg

+
vs
-

RL

Zebc pequea

vs/vg [dB]
40

2 pF

20

+
vBE
-

Cascodo

rBE

rBE >> 50

gmvBE

4 pF
E

gm = 0,3 -1

Modelode
transistorusado

Emisor comn
Base comn

-20

RL = 200
-40
1
ATE-UO EC amp se 94

10

102
103
f[MHz]

104

Etapa diferencial como amplificador de RF (I)

+ VCC

Ganancia en BF (transparencias
ATE-UO EC mez 50-52):
vs -0,5RiOvd/VT

RL

RL
vs

vd

Es decir:
vs/vd -0,5RiO/VT
Por tanto, la ganancia se puede
controlar mediante el valor de io
Es fcil realizar fscamente el
ControlAutomticodeGanancia
(CAGoAGC)

iO

iO

- VCC
ATE-UO EC amp se 95

iO

- VCC

- VCC

Etapa diferencial como amplificador de RF (II)

Conexin diferencial de la tensin de entrada

+ VCC
RL
Rg/2

RL
vs

vg/2

+
vg/2

Rg/2

CAG

- VCC
ATE-UO EC amp se 96

iO

Etapa diferencial como amplificador de RF (III)

Estudio de la respuesta en frecuencia (I)
Rg/2

rBB

vg/2

CBC C

C CBC

rBE

RL

gmvBE

RL

gmvBE

E
B

rBB

rBE

vg/2

vBE

rBE

+ VCC

CBC C

RL

CBE

vBE

Rg/2

B
+

rBB

B
CBE

CBE

vBE

vs

gmvBE

Rg/2

RL
vs

vg/2

+
vg/2
ATE-UO EC amp se 97

Rg/2

CAG

- VCC

iO

Etapa diferencial como amplificador de RF (IV)

Estudio de la respuesta en frecuencia (II)
Dada la simetra del circuito, los emisores estn a tensin
constante en alterna (por tanto, conectados a masa)

ig
Rg/2

ig
rBB

vg/2

CBC C

rBE

RL

gmvBE

ie

rBB

CBC C

B
+

CBE

vBE

rBE

gmvBE

E
ATE-UO EC amp se 98

RL

gmvBE

ie

ic = 0

rBB

Rg/2

CBE

E
B

C CBC

CBE

vBE

vs

vBE
rBE

vg/2

Etapa diferencial como amplificador de RF (V)

Estudio de la respuesta en frecuencia (III)
Rg/2

rBB

vg/2

CBC C

B
CBE

vBE

rBE

gmvBE

RL

+
+
-

vs

Rg/2

rBB

vg/2

rBE

gmvBE

ATE-UO EC amp se 99

Rg/2

vBE
rBE

vg/2

CBC C

CBE

vBE

gmvBE

CBE

+ RL

rBB

B
+

vs/2
vs/2

C CBC

RL

vs/2

La respuesta en frecuencia es
como la de un emisor comn

Etapa diferencial como amplificador de RF (VI)

Otra conexin de la tensin de entrada

+ VCC
RL

+
+

vs

Rg

RL

vg
CAG

- VCC
ATE-UO EC amp se 100

iO

La respuesta en frecuencia
es propia de un colector
comn seguido de un base
comn menor ganancia,
pero mayor ancho de banda

Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de RF con

etapa diferencial (obtenidos de una nota de aplicacin de Intersil) (I)

Circuito integrado CA3028

Colector comn + base comn

con etapa diferencial
ATE-UO EC amp se 101

Ejemplos de esquemas reales de amplificadores de RF con

etapa diferencial (obtenidos de una nota de aplicacin de Intersil) (II)

Circuito integrado
CA3028

ATE-UO EC amp se 102

Cascodo realizado con etapa diferencial. El

CAG se realiza actuando en la polarizacin
del transistor en emisor comn

Parmetros de admitancia del CA3028

(obtenidos de una nota de aplicacin de Intersil) (I)

ATE-UO EC amp se 103

Parmetros de admitancia del CA3028

(obtenidos de una nota de aplicacin de Intersil) (II)

ATE-UO EC amp se 104

Ejemplos de esquemas reales de amplificadores

de FI con el circuito integrado MC1350
(obtenidos de una nota de aplicacin de Motorola) (I)

Circuito integrado MC1350

Amplificador de FI para
receptor de TV
ATE-UO EC amp se 105

Ejemplos de esquemas reales de amplificadores

de FI con el circuito integrado MC1350
(obtenidos de una nota de aplicacin de Motorola) (II)

Amplificador de FI para
receptor de radio comercial

ATE-UO EC amp se 106

Parmetros de admitancia del MC1350

(obtenidos de una nota de aplicacin de Motorola) (I)

Variacin de la ganancia
con la tensin de CAG
ATE-UO EC amp se 107

Parmetros de admitancia del MC1350

(obtenidos de una nota de aplicacin de Motorola) (II)

ATE-UO EC amp se 108

Parmetros de admitancia de los JFET

J309 y J310
(obtenidos de una nota de aplicacin de Fairchild)

ATE-UO EC amp se 109

Informacin sobre el ruido

(figura o cifra de ruido y tensin de ruido)
JFETsJ309yJ310
TransistorbipolarBFY90

CA3028
MC1350

ATE-UO EC amp se 110

Cascodo
Circuito doblemente
sintonizado

Ejemplos de esquemas reales de

amplificadores de RF con JFETs
(obtenidos del ARRL Handbook 2001) (I)
Circuito doblemente
sintonizado
Mezclador

Oscilador y separador

ATE-UO EC amp se 111

Mezclador

Circuito
doblemente
sintonizado

Ejemplos de esquemas
reales de amplificadores de
RF con JFETs (obtenidos del
ARRL Handbook 2001) (II)

JFET en puerta
comn

Amplificador
de CAG

ATE-UO EC amp se 112