Conductividad trmica y propiedades de la

microestructura del cermico poroso

derivado de carburo de silicio en polvo
Equipo 5:
Oralia de Len Flores
Eduardo Rodrguez
Luis Antonio Gua Hernndez
ngel Lpez Carrizales
Dr. Esteban Snchez V.

Resume
n
La cermica porosa se prepar con polvo de carburo de silicio como el
agregado, resina de silicona como aglutinante y agente formador de poros por
el proceso de mezcla, moldeo por presin isosttica, y calcinacin.
Las propiedades mecnicas y microestructurales de las muestras se
caracterizaron con una mquina universal de pruebas, de difraccin de rayos X,
exploracin por microscopio electrnico, y de inyeccin de mercurio.
Hay dos factores principales, a presiones de moldeo y la relacin masa de
resina de silicona se han estudiado en los experimentos.

 La conductividad trmica de las muestras se prob. La resistencia a la

compresin fue de hasta 19.4 MPa, y las porosidades hasta un 30%.
Las conductividades trmicas, influenciados principalmente por las
porosidades, aumentaron de 0.68 Wm-1K-1 a 1,03 Wm-1K-1 con la
porosidad decreciente desde 41.96% hasta 31.30%.

El carburo de silicio presenta las siguientes

propiedades especiales.
Alta resistencia y dureza
Buenas propiedades mecnicas
Excelente estabilidad qumica, sobre todo a altas temperaturas y
ambientes hostiles.

Por lo que tiene aplicaciones muy variadas como lo

son:

Soportes de catalizadores
Filtros de gas caliente o metal fundido
En reactores de membrana de alta temperatura
Materiales aislantes trmicos
Sensores de gas

Muchos estudios fueron acerca de la preparacin de cermica porosa

mediante diferentes mtodos de sntesis, o la caracterizacin de ellos en las
propiedades mecnicas y estructurales.
Dey et al. preparado cermico poroso SiC con buenas resistencias a la
flexin mediante una tcnica de infiltracin.
Bai et al. usado Fe2O3 como agente formador de poros para la
preparacin de SiC de cermica porosa.
Maity et al. sintetizado poroso SiC con un valor de resistencia a la rotura
media de 303,9 MPa de bioprecursor celulsico.
Li et al. estudiado la influencia de presiones de moldeo, el contenido de la
fase de unin y tamaos de partculas del SiC en la resistencia a la
flexiona base de cermica porosa. La conductividad trmica es un factor
clave para la aplicacin de la cermica porosa a altas temperaturas.

Debido a que la conductividad trmica se ve afectada por muchos

factores, tales como la porosidad de la muestra, microestructura,
composicin qumica, y proceso de fabricacin, es necesario
estudiar la conductividad trmica del carburo de silicio.
El objetivo de este trabajo es preparar cermica porosa con polvo
de carburo de silicio y resina de silicona por el proceso de mezcla,
moldeo por presin isosttica, y calcinacin. Tambin se estudiaron
las microestructuras, las propiedades mecnicas y la conductividad
trmica de las muestras.

Preparacin del cermico poroso

de carburo de Silicio
Material
Polvos verdes -SiC y resina de silicona DC249TM, como materiales
principales.
El disolvente para la resina de silicona DC249 TM fue acetona.
Preparacin
1. Los polvos de SiC y resina de silicona DC249TM con diferentes
relaciones de masa (100:0 - 47:3)se mezclaron con disolvente acetona.
2. Despus de agitar la mezcla durante 1 h, se evapor la acetona a 353 K
durante 24 h con un manual de agitar cada 6 h.
3. Los polvos anteriores se molieron hasta un tamao de partcula de 75
micras y luego se prensan en probetas cilndricas (dimetro de 30,00 mm,
altura 4,20 mm) en virtud de 80 a 120 MPa.
4. Los especmenes fueron disparados en aire a 1273 K por 2 h, con una
velocidad de calentamiento de 20 K min-1.

 El anlisis de la fase de las muestras se realiz por DRX (XD-3X metros de

difraccin, radiacin filtrada CuKa, 2: 10 - 80 , paso del escaneo: 0.02,
velocidad de exploracin: 8 min-1).
La resistencia a la compresin se midi usando una mquina de ensayo
universal Instron-1195 con una velocidad de la cruceta de 1 mm min-1.
La microestructura se observ con un microscopio electrnico de barrido
(SEM, JEOL JSM-6510A) a un voltaje de aceleracin de 10 kV. La
distribucin de los poros y los dimetros medios de poro de las muestras
fueron determinado por inyeccin de mercurio (AUTOSCAN-33).
La conductividad trmica de las muestras se midi con un instrumento de
conductividad trmica (TC3000) fabricado por la empresa Xian Xiaxi en
China. La conductividad trmica de cada muestra fue el promedio de tres
mediciones de tiempo.

Propiedades mecnicas
Las muestras con nombre SP0, SP2, SP4, SP6 y se prepararon utilizando una
relacin de masas de resina de silicona DC249TM y SiC, 0:100, 01:49, 01:24, y
03:47 respectivamente.
Las resistencias a la compresin de las muestras (Tabla 1) variaron de 14,3 MPa
a 19,4 MPa, y aumentaron con el aumento de presiones de moldeo, pero
disminuy con el aumento de la relacin masa de resina de silicona DC249TM /
SiC.
La resistencia a la compresin de las muestras (Tabla 1) vari de 14,3 MPa a
19,4 MPa, y se incrementaron con el aumento de las presiones de moldeo, pero
disminuyeron al aumentar la proporcin de la masa de resina de silicona
DC249TM / SiC.

La resistencia a la compresin del cermico poroso est

influenciado principalmente por la porosidad y las
composiciones.
Chen et al. Reportado la resistencia mxima a la compresin
de la espuma de cermica de SiC era slo 2,48 MPa. La
resistencia a la compresin de las muestras (media 16,92
MPa) fue de alrededor de 6,82 veces de la espuma cermica
de SiC, debido principalmente a la diferente porosidad de la
espuma cermica de SiC (77%) y nuestras muestras (SP4-100
y SP6-100: promedio de 35,76 %).

Microestructuras
Las fases de las muestras SP2-80, SP4-80, y SP6-80 detectado por difraccin
de rayos X en las figuras 1-3 son -SiC (moissanita) y cuarzo.
El cambio de la relacin de masa de resina de silicona DC249TM / SiC no
caus influencia obvia en las fases de las muestras.
Las fases en nuestras muestras estn en conformidad con la dada por Dey et
al. Pero la fase de cuarzo no apareci, y la fase -SiC fue reemplazado por
4H-SiC y 6H-SiC informado por Bai et al. para una temperatura alta de
sinterizacin a 2250 C.

Las imgenes SEM de las muestras SP2-100, SP4-100, y SP6-100 se muestran en

las figuras 4-6. Poros dispersos se pueden ver en la superficie, y los poros
granulares fundamentalmente interrelacionados. Los dimetros de poro de los
poros inter granulares son de menos de 20 micras, y los poros internos de los
cristales de aproximadamente 2,0 m - 2,5 m.

 Los resultados de inyeccin de mercurio de SP4-100 y SP6-100 se muestran

en las figuras 7 y 8. Los poros pico que se forman en SP4-100 y SP6-100 son
en 15,11 m y 13,95 m, respectivamente.
Los dimetros medios de poro de SP4-100 y SP6-100 son 5,45 micras y 5,27
micras, respectivamente.
Los poros formados en SP4-100 y SP6-100 son en 15,11 m y 13,95 m,
respectivamente.
Los dimetros medios de poro de SP4-100 y SP6-100 son 5,45 micras y 5,27
micras, respectivamente. Los poros y los dimetros medios de poros disminuy
un poco al aumentar la proporcin de la masa de resina de silicona DC249TM /
SiC.

 Dado que el plomo resina de silicona ms DC249TM tiende a

apilarse ms de cerca de los grnulos de la materia prima.
Los dimetros de poro permanecieron principalmente entre 10
micras y 25 micras para las dos muestras.
Las porosidades de SP4-100 y SP6-100 son 39,57% y 31,95%, y las
reas de poro total de ellos son 0.151 m2 g-1 y 0.134 m2 g-1,
respectivamente. Las porosidades y dimetros de poro medio de
otras muestras se presentan en la Tabla

Conductividad trmica
Las conductividades trmicas de SP2, SP4, y SP6 son listados en la Tabla 1.
Las conductividades trmicas cambiaron de 0,65 Wm^-1K^-1 a 1,07 Wm^1K^-1.
Las conductividades trmicas aumentaron con el aumento de las presiones
de moldeo y la relacin masa de resina de silicona DC249TM / SiC.
El factor principal que influye en la conductividad trmica es la porosidad
de las muestras.

La conductividad trmica fue incrementada de 0.68 W/mK a 1.03 W/mK con

un decremento en la porosidad de 41.96% a 31.30%, evitando las presiones
de moldeo y los factores de relacin de masa, y la reordenacin de las
porosidades y conductividades trmicas de todas las muestras en la Tabla 1.
La conductividad trmica tambin fue incrementada de 0.68 W/mK a 1.03
W/mK con el dimetro medio de poro decreciente desde 5.66m a 5.21m.
Este resultado es razonable, para mayor porosidad, significa una mayor
relacin de fase de aire en las muestras, y el aire tiene una baja
conductividad trmica.

Conclusin
La Cermica porosa de SiC fue preparado con polvo de carburo de silicio
como el agregado, resina de silicona como aglutinante y agente formador
de poros por el proceso de mezcla, moldeo por presin isosttica, y
calcinacin.
Las resistencias a la compresin de las muestras eran entre 14,3 MPa y
19,4 MPa. Las porosidades alcanzaron hasta 30%, y dimetros de poro
variaron de 5,27 micras a 5,45 micras.
La conductividad trmica de 0,65 W m-1 K-1 cambiaron a 1,07 W m-1
K-1, y aument con el aumento de las presiones de moldeo y la relacin
masa de resina de silicona DC249TM / SiC.
Las conductividades trmicas, influenciados principalmente por las
porosidades, aumentaron de 0,68 W m-1 K-1 a 1,03 W m-1 K-1 con la
porosidad disminuyendo del 41,96% al 31,30%.