Tema8 - Transistores de Efecto de Campo

TRANSITORES DE EFECTO DE CAMPO
(Field effect transistor, FET)

INTRODUCCIN:
Son dispositivos de estado slido
Tienen tres o cuatro terminales
Es el campo elctrico el que controla el flujo de cargas
El flujo de portadores es de un nico tipo ( o electrones huecos)
Pueden funcionar en diferentes regiones de polarizacin
Segn en que regin de polarizacin se encuentren, funcionan como:
Resistencias controladas por tensin
Amplificadores de corriente tensin
Fuentes de corriente
Interruptores lgicos y de potencia
Tema 8.- Transistores
INTRODUCCIN (Continuacin)
Hay de bastantes tipos, pero los mas importantes son los:
MOSFET (Metal-xido semiconductor)
Normalmente tienen tres terminales denominados:
Drenador
Puerta
Fuente surtidor
Son dispositivos gobernados por tensin
La corriente de puerta es prcticamente nula (func. Normal)
Utilizan un solo tipo de portadores de carga,
(Por eso se llaman tambin unipolares):
Electrones si son de canal N
Huecos si son de canal P
COMPARACIN ENTRE FETs y BJTs
Los FETs necesitan menos rea del chip, y menos pasos de fabr.
Los BJts pueden generar corrientes de salida mas elevadas
para conmutacin rpida con cargas capacitivas.
Los FETs tiene una impedancia de entrada muy alta
En los Fets el parmetro de transconductancia (gm) es menor
que en los BJts, y por lo tanto tienen menor ganancia.
DIFERENTES TIPOS DE TRANSISTORES FET
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE

ENRIQUECIMIENTO ACUMULACIN
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N (N-MOS) DE

ENRIQUECIMIENTO ACUMULACIN(CONT)
EL N-MOS DE ACUMULACIN (CONT)

CREACIN DEL CANAL
EL N-MOS DE ACUMULACIN (CONT)

ESTANGULACION DEL CANAL
N-MOS DE ENRIQUECIMIENTO EN REGIN HMICA (CONT)
Si:
vGD (vG vD ) vt regin hmica
Entonces la corriente de drenador viene dada por:
2
iD K 2 vGS vto )vDS vDS
k
2
2 vGS vto )vDS vDS
2
N-MOS DE ENRIQUECIMIENTO EN REGIN HMICA

(CONT)
Es decir:
iD K 2 vGS vto )vDS v
2
DS
k
2
2 vGS vto )vDS vDS

2
W
n Cox parmetro de transconduc tan cia
Donde:
L
Siempre que se cumpla que: vGD vt vDG vt
k
Y teniendo en cuenta que vDG=vDS-vGS

Es lo mismo que decir: siempre que se cumpla que:
vDS <vGS- vt , adems de vGS> vt
10
EL N-MOS EN LA ZONA HMICA:

RESISTENCIA LINEAL CONTROLADA POR TENSIN
En la zona hmica, el mosfet se comporta como una resistencia
controlada por la tensin puerta-surtidor.
Par valores de VDS pequeos, el trmino V2DS puede
despreciarse, y entonces:
2
iD K 2 vGS vto )vDS vDS
K 2 vGS vto )vDS
Donde
RNMOS
2 K VGS Vt
RNMOS
VDS
k VGS Vt
Siempre que 2
2
vDS 2 vGS Vt vDS vDS
10 2 vGS Vt vDS
se verifique:
: vDS 0,2 vGS Vt

11
FUNCIONAMIENTO EN LA REGIN DE
SATURACIN (ZONA ACTIVA)
LMITE DE REGIONES
Cuando vDS se hace igual a vGS- vt , la anchura del canal

se hace cero, y el dispositivo entra a funcionar en la zona
de saturacin (tambin llamada zona activa), y la corriente
de drenador se hace constante
12
SATURACIN
LMITE DE REGIONES (CONT)
El lmite de las dos regiones viene marcado por la igualdad:
vDS =vGS- vt
Y sustituyendo en la expresin
de iD :
iD=K (vDS)2 = (k/2) (vDS)2 , que
es la parbola que fija la zona
lmite entre las dos regiones
13
SATURACIN
(O TAMBIN LLAMADO ESTADO ACTIVO)
Por tanto:Cuando vDS >vGS- vt , adems de vGS> vt el transitor
est en la regin de saturacin, y entonces iD se hace constante y vale:
iD=K (vGS-vt)2 = (k/2) (vGS-vt)2
14
MODELOS DE GRAN SEAL PARA EL NMOS DE

ENRIQUECIMIENTO
Zona de Corte:
vGS<= (Vt>0)
Zona hmica: vGS> vt y adems:

vDS <vGS- vt o lo que es lo mismo:
vDG<-Vt
Caracterstica de transferencia en la regin

De saturacin ( zona activa)
Zona activa: vDS >vGS- vt , adems de vGS> vt

15

DEPLEXIN
Es casi idntico al de enriquecimiento. La nica diferencia es

que hay un delgado canal de semiconductor de tipo n que conecta
la fuente y el drenador, antes de aplicar ninguna tensin a la puerta
16

DEPLEXIN (CONT)
Observe en el smbolo que D y S

estn unidos por un trazo continuo
Ahora an con vGS cero, existe un canal de conduccin, y podr

haber corriente de circulacin entre drenador y surtidor.
Habr que aplicar una tensin vGS negativa para que el canal
desaparezca y el transistor deje de conducir
17

DEPLEXIN (CONT)
18

DEPLEXIN (CONT):
Salvo que la tensin umbral en los
nmos de deplexin es negativa, las
ecuaciones que describen su
comportamiento en las diferentes
zonas, son idnticas a las de los
nmos de enriquecimiento
Carcterstica de transferencia en la
Zona activa ( regin de saturacin)
Tensin umbral: vt esencialmente negativa

IDSS= corriente de drenador para VGS=0 (en zona activa)
Expresiones y zona lmites idnticas a los NMOS de enriquecimiento
19
TRANSISTORES MOSFET DE CANAL P
Ahora el sustrato es semiconductor de tipo N, y los pozos

drenador y fuente son de tipo P.
Ahora los portadores de corriente son huecos
20
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS),

DE ENRIQUECIMIENTO
El transistor estar a corte si vGS> vt

En los transistores P-MOS de enriquecimiento,
Vt es esencialmente negativa
21
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS)

DE DEPLEXIN
En los P-MOS de deplexin, previamente existe un canal de

conduccin de tipo P.
En los P-MOS de deplexin, Vt esencialmente positiva
22
TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS)

DE DEPLEXIN (CONT)
Tensin umbral: vt esencialmente positiva

IDSS= corriente de drenador para VGS=0 (en zona activa)
Expresiones y zona lmites idnticas a los PMOS de enriquecimiento
23
TRANSISTORES MOSFET DE CANAL P (CONT)

circuitos equivalentes de gran seal
Las definiciones de estados de los PMOS son las mismas

que las de los N-MOS, salvo que el sentido de todas las
desigualdades se invierte, y las corrientes drenador fuente
se consideran positivas en sentido contrario (positivas de
surtidor a drenador)
24
POLARIZACIN DE LOS TRANSISTORES MOSFET

Anlisis del Punto de Operacin
El procedimiento a seguir es idntico al estudiado con los
transistores bipolares.
Existen dos posibilidades:
Hallar el P.O. Cuando se conoce el estado del transistor.
Hallar el P.O. Cuando el estado es desconocido
En el primer caso, en el circuito equivalente de continua,
sustituiremos el transistor por su modelo , y realizaremos el
anlisis correspondiente.
En el segundo caso, al igual que hicimos con diodos y
transistores bipolares, supondremos un estado, realizaremos el
anlisis correspondiente, y posteriormente comprobaremos si los
resultados de corrientes y tensiones obtenidos son coherentes con
el estado supuesto del transistor
25

Anlisis de transistores en estado activo
En el circuito equivalente de continua sustituimos el mosfet
por su modelo de gran seal en la zona activa:
iG=0; ID=IS
Que junto a las ecuaciones impuestas por la red
de polarizacin (ecuaciones de polarizacin)
VDS Vdd Vss Rd Rs I D

VGS Vgg Rg I g Rs I s Vss
Da lugar a resolver dos ecuaciones, una de ellas

cuadrtica, con dos incgnitas, que matemticamente
tiene dos posibles soluciones (P.O.), de los cuales,
solamente una de ellas tendr significado fsico
26

Anlisis de transistores en estado activo (cont)
[1]

iG=0; ID=IS

VGS Vgg Rg I g Rs I s Vss
que con I G 0

VGS Vgg Vss Rs I D
[1] y [2] dan lugar a resolver dos ecuaciones, una de ellas

cuadrtica, con dos incgnitas, que dar lugar
matemticamente a dos posibles soluciones (P.O.), de los
cuales, solamente uno de ellos tendr significado fsico
27
ANLISIS DE TRANSISTORES EN ESTADO

DESCONOCIDO
Se sigue el mismo procedimiento que con los transistores bipolares:

1) Hacer una suposicin sobre el estado de cada transistor.
2) Reemplazar cada transistor con el modelo apropiado.
3) Utilizar los resultados del anlisis y las definiciones de estados
para confirmar cada estado del transistor.
4) Si hay alguna contradiccin, hacer una nueva suposicin y
repetir el anlisis.
(Ver ejemplos del Malik Captulo 5)
28
RESISTENCIAS FET Y LINEAS DE CARGA

NO LINEALES
En circuitos integrados donde se necesiten resistencias de elevado
valor, fabricadas mediante proceso de difusin, stas ocupan
excesivo espacio. Una alternativa ampliamente utilizada es utilizar
transistores de efecto de campo como resistencias no lineales, para
lo que sirven tanto transistores de enriquecimiento como
transistores de deplexin. Ahora la relacin I-V en lugar de ser una
recta como lo es en una resistencia lineal, ser una parbola.
29
RESISTENCIAS NO LINEALES DE
ENRIQUECIMIENTO
CONEXIN BSICA:
Si en un NMOS de enriquecimiento, unimos la puerta con el
drenador, el dispositivo tendr ahora dos terminales.
Para vR=vGS<= vt, el transistor no est en conduccin, y por tanto
iR=0.
Cuando v >= V , el est en
R
conduccin y adems en la zona

activa (saturacin), ya que se
cumple la desigualdad VDG>-Vt
iR=K (vR-vt)2 = (k/2) (vR-vt)2
Aunque la caracterstica i-v es una cuadrtica
en vez de una exponencial, se puede hablar
de transistor conectado como diodo
30
RESISTENCIAS NO LINEALES DE
ENRIQUECIMIENTO (CONT)
CONEXIN CON FUENTE DE POLARIZACIN:
La figura muestra una variacin que utiliza una fuente de
polarizacin externa. Con VGS=VR+Vt ,, si VR<=0 el transistor no
est en conduccin; si VR >=0 el transistor est en conduccin y en
la zona activa.
En c.i. es muy fcil modificar las caractersticas variando la relacin
W/L.
31
RESISTENCIAS NO LINEALES DE DEPLEXIN

En la figura se muestra un NMOS de deplexin con la puerta y el
surtidor conectados entre si. La caracterstica I-V ser la
correspondiente a la del transistor, para VGS=0.
Cuando VR=VDG <= -Vt (V es negativo en lo transistores de deplexin)
El dispositivo es hmico.
Cuando VR=VDG >-Vt el dispositivo se comportar como una
fuente de corriente constante
t
32
DIVISORES DE TENSIN MOS

Las resistencias de enriquecimiento crean divisores de tensin
que ocupan poco espacio en el chip y manejan corrientes bajas.
En la figura a), la tensin vx puede ajustarse
fcilmente en funcin de las dimensiones w1
,L1 y w2, L2 de los transistores M1 y M2,
con el adecuado diseo de las mscaras
Anlogamente para conseguir dos o mas
tensiones , tal como se indica en al figura b)
Todas ellas estarn comprendidas dentro de
los valores de las alimentaciones.
33
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CON

PUERTA DE UNIN
En este tipo de transistores, al contrario que en los MOS, la puerta
no est aislada galvnicamente.
Siguen siendo transistores unipolares, y la conductividad del canal
se controla mediante una tensin aplicada a la unin puerta-fuente
polarizada inversamente
Existen dos tipos fundamentales de transistores FET con puerta de
unin:
Los MESFET FETs metal-semiconductor, donde el canal es
un semiconductor compuesto, como arseniuro de galio, la puerta
un metal, y el interfase puerta-canal una unin Schottky.
Los J-FETs, donde la puerta y el canal consisten en Si dopado
de forma inversa, y una unin PN polarizada inversamente forma
la interfase puerta-canal
34
TRANSISTORES MESFET
Aprovechan la alta movilidad del electrn en el arseniuro de

galio.
El resultado es un dispositivo muy superior en velocidad pero
inferior en densidad de integracin, y actualmente mucho mas
caro que los transistores de Si.
Se utiliza principalmente en circuitos lineales que funcionan a
frecuencias de microondas, y en circuitos digitales de altsima
velocidad.
Su funcionamiento se asemeja al Mosfet de deplexin
35
TRANSISTORES MESFET (CONT)
36
TRANSISTORES JFET
El transistor de efecto de campo de
unin (JFET: junction field-effect
transsitor) de canal N consiste en un
canal semiconductor de tipo N con
contactos hmicos en cada extremo ,
llamados drenador y fuente (
surtidor).
A los lados del canal hay regiones de material semiconductor tipo P
Conectadas elctricamente entre si y al terminal denominado puerta.
La unin PN entre puerta y el canal es similar a la unin PN de un
diodo.
En las aplicaciones normales , esta unin debe estar polarizada
inversamente.
37
TRANSISTOR J-FET DE CANAL N (CONT)
Cuanto mas negativa es la tensin inversa de polarizacin de una

unin PN, mas ancha se hace la zona de deplexin (no conductora,
libre de cargas),y por tanto en este caso mas se estrecha el canal
conductor
38
Cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal,

decimos que ocurre un fenmeno llamado de estrangulamiento.
La tensin de estrangulamiento Vto (VP) es valor necesario de la
tensin puerta - canal para que desaparezca el canal conductor
39
La tensin de estrangulamiento Vto (Vp), es el valor necesario de

la tensin puerta - canal para que desaparezca el canal conductor.
En los JFET de canal N sta tensin es esencialmente negativa:
En funcionamiento normal, la tensin VGS debe ser: Vto<=VGS<=0
En los JFET de canal N, el drenador es positivo respecto a la
fuente.
La corriente entra por el drenador y sale por la fuente.
Como la resistencia del canal depende de la tensin puertafuente, la corriente de drenador se controla con VGS
40
CURVAS CARACTERSTICAS DE UN JFET DE

CANAL N
El J-FET es un dispositivo de tres estados:

Zona de corte si : vGS VP 0 entonces: ID=IS=0
Zona de conduccin : vGS
Zona hmica si : VD VG VP VDG VP

VP
Zona activa si : VD VG VP VDG VP
El lmite entre la zona hmica y la activa viene marcada en viene

marcada por la igualdad VDG=-VP
41
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO DE UN JFET DE

CANAL N
El JFET es un dispositivo muy parecido a los MOSFET.
A tensiones VDS pequeas, el dispositivo funciona como
una resistencia controlada por la tensin VGS
Cuando VDS alcanza tensiones suficientemente elevadas, es
decir cuando : v DG v DS vGS VP
Entonces polarizacin inversa de drenador es tan grande que el
canal se estrangula, y un incremento adicional de VDS no
afecta demasiado a la corriente de drenador, al igual que ocurre
con los transistores MOSFET, el JFET entra en el estado
activo, tambin llamado zona de saturacin del canal. La
corriente se hace prcticamente constante
42
ESTADO HMICO DEL TRANSISTOR JFET

El JFET de canal N, se encuentra en el estado hmico o zona
hmica si:
VGS VP y adems : VDG VP
Entonces, la corriente de drenador viene dada por la expresin:
iD 2 vGS VP v DS v
2
DS
4 Si
W
n
Donde (K), tiene la expresin:
L
3tN D
W,L,t, son la anchura, longitud, y espesor del canal. n la movilidad de los
electrones, ND la concentracin del dopado, y Si la constante dielctrica del
silicio
43
Resistencia del JFET controlada por tensin

2
Si en la ecuacin:
iD 2 vGS VP v DS vDS
vDS es tan pequeo que el trmino cuadrtico es despreciable,
1
entonces: i 2 v V V 1 v ; R
GS
DS
RN JFET
DS
N JFET
2 vGS VP
Esta expresin se podr considerar vlida si: v 0,2 v V

DS
GS
P
Discusin interpretativa:
Compare la definicin dada de RN-JFET
con la de resistencia dinmica rd,JFET,:
1
rd , JFET
iD
vDS
I DQ ,VDSQ
44
ESTADO ACTIVO DEL TRANSISTOR JFET

El JFET de canal N, se encuentra en el estado activo o zona de
saturacin del canal si:
VGS VP y adems : VDG VP (VP negativo en los JFET N)
Entonces, la corriente de drenador viene dada por la expresin:
iD vGS VP
La corriente iD que circula cuando VGS es igual a cero y el

transistor est en estado activo, se denomina IDSS
I DSS V p2
IDSS es un parmetro que suele aparecer en las hojas de
caractersticas, junto con VP, de los cuales se puede deducir
45

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DIFERENTES TIPOS DE TRANSISTORES FET

Tema 8.- Transistores

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE

Tema 8.- Transistores

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N (N-MOS) DE

Tema 8.- Transistores

EL N-MOS DE ACUMULACIN (CONT)

Tema 8.- Transistores

EL N-MOS DE ACUMULACIN (CONT)

Tema 8.- Transistores

N-MOS DE ENRIQUECIMIENTO EN REGIN HMICA (CONT)

vGD (vG vD ) vt regin hmica

Entonces la corriente de drenador viene dada por:

Tema 8.- Transistores

N-MOS DE ENRIQUECIMIENTO EN REGIN HMICA

iD K 2 vGS vto )vDS v

2 vGS vto )vDS vDS

Y teniendo en cuenta que vDG=vDS-vGS

EL N-MOS EN LA ZONA HMICA:

: vDS 0,2 vGS Vt

Cuando vDS se hace igual a vGS- vt , la anchura del canal

Tema 8.- Transistores

Tema 8.- Transistores

MODELOS DE GRAN SEAL PARA EL NMOS DE

Zona hmica: vGS> vt y adems:

Caracterstica de transferencia en la regin

Zona activa: vDS >vGS- vt , adems de vGS> vt

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE

Es casi idntico al de enriquecimiento. La nica diferencia es

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE

Observe en el smbolo que D y S

Ahora an con vGS cero, existe un canal de conduccin, y podr

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE

Tema 8.- Transistores

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N DE

Tensin umbral: vt esencialmente negativa

Tema 8.- Transistores

TRANSISTORES MOSFET DE CANAL P

Ahora el sustrato es semiconductor de tipo N, y los pozos

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS),

El transistor estar a corte si vGS> vt

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS)

En los P-MOS de deplexin, previamente existe un canal de

TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P (P-MOS)

Tensin umbral: vt esencialmente positiva

Tema 8.- Transistores

TRANSISTORES MOSFET DE CANAL P (CONT)

Las definiciones de estados de los PMOS son las mismas

POLARIZACIN DE LOS TRANSISTORES MOSFET

POLARIZACIN DE LOS TRANSISTORES MOSFET

VDS Vdd Vss Rd Rs I D

Da lugar a resolver dos ecuaciones, una de ellas

Tema 8.- Transistores

POLARIZACIN DE LOS TRANSISTORES MOSFET

iD=K (vGS-vt)2 = (k/2) (vGS-vt)2

VDS Vdd Vss Rd Rs I D

VDS Vdd Vss Rd Rs I D

[1] y [2] dan lugar a resolver dos ecuaciones, una de ellas