* El Transistor

Por: Richard Osorio

Transistor
El nombre de transistor es aquel que se le da a
un dispositivo electromecnico que sirve para
potenciar y amplificar la energa de cualquier
objeto elctrico o electrnico, principalmente
aquellos que usamos en nuestra vida cotidiana
como electrodomsticos, automviles, relojes,
aparatologa relacionada con la salud, etc.

*Tipos de Transistores
* Transistor de Union Bipolar (BJT):
El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar
junction transistor, o sus siglas BJT) es un
dispositivo electrnico de estado slido
consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la
corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la
conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento
de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero
tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.

Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo

cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera
quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su
funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad

Transistor de Efecto de Campo:

El transistor de efecto de campo
de unin (JFET), fue el primer
transistor de efecto de campo en
la prctica. Lo forma una barra de
material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales
de la barra se establece un
contacto hmico, tenemos as un
transistor de efecto de campo tipo
N de la forma ms bsica.

Fototransistor:
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en
frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de
corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo
que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

*Parmetros del Transistor BJT

Tensin mxima en entre colector y emisor, colector-base y emisor-base (V CEO,

VCBO y VEBO): son las tensiones mximas a las que se puede someter a los
terminales del transistor. Tensiones mayores pueden provocar una ruptura en
inversa y la destruccin del transistor.
Corriente continua mxima de colector, : es la corriente mxima que puede circular
por el colector sin que el transistor sufra ningn dao.
Ganancia de corriente en DC (DC Current Gain): se suele especificar la ganancia
para varios puntos de operacin, incluso pueden ser suministradas las grficas de la
ganancia en funcin de la corriente de colector. La fluctuacin de su valor es
debida a los efectos de segundo orden.
Tensiones de saturacin VCE(sat), VBE(sat): son las tensiones que aparecen entre los
terminales en la regin de saturacin.
Potencia mxima disipable (Total Device Dissipation): es la potencia mxima que
puede disipar el transistor sin sufrir ningn dao.

*REGION DE OPERACION DEL

BJT

Regin Activa:

Cuando un transistor no est ni en su regin

de saturacin ni en la regin de corte entonces
est en una regin intermedia, la regin
activa. En esta regin la corriente de colector
(Ic) depende principalmente de la corriente de
base (Ib), de (ganancia de corriente, es un
dato del fabricante) y de las resistencias que
se encuentren conectadas en el colector y
emisor. Esta regin es la ms importante si lo
que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de seal.

Region Inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del

funcionamiento en modo activo, el transistor
bipolar entra en funcionamiento en modo
inverso. En este modo, las regiones del colector
y emisor intercambian roles. Debido a que la
mayora de los BJT son diseados para
maximizar la ganancia de corriente en modo
activo, el parmetro beta en modo inverso es
drsticamente menor al presente en modo
activo.

Regin de Corte:
Un transistor est en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0,
(Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el
emisor del transistor es el voltaje de alimentacin
del circuito. (como no hay corriente circulando,
no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente
de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la
unin CE se comporta como un circuito abierto,
ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Region de Saturacion:
Un transistor est saturado cuando:
corriente de colector corriente de emisor = corriente
mxima, (Ic Ie = Imx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje
de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas
en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se
presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y
el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat.
Cuando el transistor esta en saturacin, la relacin lineal de
amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no
se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se
comporta como un cable, ya que la diferencia de potencial
entre C y E es muy prxima a cero.

*Transistor como Interruptor

La funcin del transistor como interruptor es
exactamente igual que la de un dispositivo
mecnico: o bien deja pasar la corriente, o bien
la corta. La diferencia est en que mientras en
el primero es necesario que haya algn tipo de
control mecnico, en el BJT la seal de control
es electrnica. En la Figura 3 se muestra la
aplicacin al encendido de una bombilla.

En el primer caso, bajo la seal de control adecuada, que es

introducida a travs de la base, el transistor se comporta
como un circuito abierto entre el emisor y el colector, no
existe corriente y la bombilla estar apagada. En el
segundo caso, cambiando la seal de control, se cierra el
circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la bombilla,
que se enciende.
Este funcionamiento entre los estados de corte y
conduccin se denomina operacin en conmutacin. Las
aplicaciones tpicas de este modo de operacin son la
electrnica de potencia y la electrnica digital, en la que
los circuitos operan con dos niveles de tensin fijos
equivalentes al y lgicos.

*Ejemplo de transistor como

interruptor

Para calcular el valor de Rb (resistencia

de base) que se utilizar para que el
circuito funcione como un interruptor
(conectar y esconectar un voltaje de 12
voltios en A). Ver el diagrama. Los
datos que tenemos son:
- Voltaje de alimentacin = 12 V
- Bombillo (foco) 12V, 1.2W
- B (beta) mnimo del transistor es: 200

Para
obtener
Ic
se
sigue
el
siguiente
procedimiento:
- De la frmula de Potencia: Potencia del bombillo = P = VxI.
- Despejando I se obtiene: I = Ic = P/V = 1.2 watts / 12 voltios = 100 mA
- Se escoge el B (beta) menor (200) para asegurar de que el transistor se
sature.
- La corriente de base es: Ib = Ic/B = 100 mA/200 = 0.5 mA.
- Esta es la corriente de base necesaria para que el transistor se sature y
encienda
el
bombillo.
- Para calcular Rb se hace una malla en el circuito de la base: 12 V = Rb x Ib
Vbe
- Rb = (120.7)/Ib = 11.3 V/0.5 mA = 2260 ohmios. Para efectos prcticos Rb
= 2.2 Kohms
Nota: Vbe = 0.7 Voltios en un transistor tpico de silicio. (aproximadamente)
Para que el bombillo se apague, basta que la corriente (Ic) que pase a travs de
l sea cero. Para lograrlo se hace que la corriente de base Ib sea cero (Ic =
BxIb), poniendo el voltaje que alimenta el circuito de la base en cero (0
Voltios)*

*GRACIAS POR SU ATENCION