Universidad Politcnica Salesiana

Integrantes:

David Calero

Silvia Chuquin

Marco Tapia

Patricio Uvillus

Patricio Naranjo

TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR

Construccion: Es un dispositivo semiconductor de tres capas que
consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p o
de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. el primero
se llama transistor npn y el segundo transistor pnp.

OPERACIN DEL TBJ

La unin p-n de un transistor se polariza en inversa en

tanto que la otra se polariza en directa

CONFIGURACIN EN BASE
COMN
npn y pnp

La terminologa en base comn se deriva del hecho de que la base es comn

tanto para la entrada como para la salida de la configuracin. Adems, la base
por lo general es la terminal ms cercana a, o en, un potencial de tierra.

CONFIGURACIN EN EMISOR
Se llama configuracin en emisor comn porque el emisor es
COMN
comn o sirve de referencia para las terminales de entrada y
salida (en este caso es comn para las terminales base y
colector).

CONFIGURACIN EN COLECTOR COMN

La configuracin en colector comn se utiliza sobre todo para
igualar impedancias, puesto que tiene una alta impedancia de
entrada y una baja impedancia de salida, lo contrario de las
configuraciones en base comn y en emisor comn.

LMITES DE OPERACIN
Para cada transistor hay una regin de operacin en las
caractersticas que garantizar que no se excedan las capacidades
nominales mximas y que la seal de salida exhiba distorsin
mnima. El nivel mximo de disipacin lo define la siguiente
ecuacin:

HOJAS DE ESPECIFICACIONES DEL TRANSITOR

Como la hoja de
especificaciones es el
vnculo de comunicacin
entre el fabricante y el
usuario,
es de particular
importancia que la
informacin provista se
reconozca e interprete
correctamente.
La informacin
proporcionada se tom
directamente de la
publicacin
Small-Signal Transistors,

ENCAPSULADO E IDENTIFICACIN DE LAS TERMINALES DE UN

TRANSISTOR
Los conectores de, por lo general, oro, aluminio o nquel, se conectan y toda la
estructura se encapsula en un contenedor. Los de construccin para trabajo
pesado son dispositivos de alta potencia, en tanto que los de contenedor
pequeo (casquete superior) o de cuerpo de plstico son para dispositivos de
baja a mediana potencia.

Polarizacin de CD de los TBJ

El trmino polarizacin es
trmino totalmente inclusivo
la aplicacin de voltajes de
para establecer un nivel fijo
corriente y voltaje.

un
de
cd
de

Como el punto de operacin es

un
punto
fijo
en
las
caractersticas, tambin se llama
punto
quiescente
(abreviado
punto
Q).
Por
definicin,
quiescente
significa
quieto,
inmvil, inactivo.

Puntos de operacin dentro de los limites del transistor

A: Dispositivo total apagado o inactivo

(I=0)

B: El dispositivo variara la corriente y

el voltaje a partir del punto de
operacin, lo que permite que el
dispositivo reaccione.

C: permitira alguna variacin positiva

y negativa de la seal de entrada
(VCE=0 V e IC=0 mA.)

D: El voltaje de salida viaja en la

direccin positiva, y por lo tanto se
limita si no se excede el voltaje
mximo.

Conclusin

Por consiguiente, parece que el punto B es el mejor punto

de operacin en funcin de ganancia lineal y mxima
excursin posible de voltaje y de corriente.

Para que el BJT se polarice en su regin de operacin

lineal o activa lo siguiente debe ser cierto:

1. La unin base-emisor debe polarizarse en directa

(voltaje ms positivo en la regin p), con el voltaje de
polarizacin en directa resultante de cerca de 0.6 a 0.7 V.

2. La unin base-colector debe polarizarse en inversa

(ms positivo en la regin n), con el voltaje de
polarizacin en inversa de cualquier valor dentro de los
lmites del dispositivo.

CONFIGURACIN DE
POLARIZACIN FIJA

El circuito de polarizacin fija de

la figura 4.2 es la configuracin
de polarizacin de cd ms
simple. Aun cuando la red
emplea un transistor npn, las
ecuaciones y clculos aplican
igualmente bien para una
configuracin del transistor pnp
tan slo con cambiar todas las
direcciones de la corriente y las
polaridades del voltaje.

Polarizacin en directa de la
unin base-emisor

Considere primero la malla del

circuito base-emisor. Al escribir la
ley de voltajes de Kirchhoff en el
sentido de las manecillas del
reloj para la malla, obtenemos

Observe la polaridad de la cada

de voltaje a travs de RB como la
estableci la direccin indicada
de IB. Resolviendo la ecuacin
para la corriente IB obtenemos:

Malla colector-emisor

La seccin colector-emisor de la
red aparece en la figura 4.5 con
la direccin indicada de la
corriente IC y la polaridad
resultante a travs de RC. La
magnitud de la corriente de
colector est relacionada
directamente con IB mediante

CONFIGURACIN DE
POLARIZACIN POR MEDIO
DEL DIVISOR DE VOLTAJE

En la configuracin de polarizacin
anterior, la corriente de polarizacin y
el voltaje eran funciones de la ganancia
de corriente b del transistor. Sin
embargo, como b es sensible a la
temperatura, sobre todo si se trata de
transistores de silicio, y como el valor
real de beta en general no est muy
bien definido, conviene desarrollar un
circuito de polarizacin que dependa
menos de, o que en realidad sea
independiente, de la beta del
transistor.

REDES DE CONMUTACION CON TRANSISTORES

El diseo apropiado para el proceso de inversin requiere que el punto de

operacin cambie de corte a saturacin a lo largo de la recta de carga.

La red se saturar en exceso por un nivel de IB mayor que el asociado con la

curva IB que aparece cerca del nivel de saturacin.

El nivel de IB en la regin activa justo antes de que se d la saturacin puede

aproximarse mediante la ecuacin siguiente:

Siempre se debe tomar en cuenta la siguiente condicin

En condiciones de saturacin, la corriente IC es bastante alta y el voltaje VCE

muy bajo. El resultado es un nivel de resistencia entre las dos terminales,
determinado por

Existen transistores conocidos como transistores de conmutacin por la

velocidad con que cambian de un nivel de voltaje a otro.

El tiempo total requerido para que el transistor cambie del estado apagado
al de encendido se designa como tencendido y se define

con td el tiempo de retardo entre el estado cambiante de la entrada y el inicio

de una respuesta a la salida. El elemento de tiempo tr es el tiempo de
levantamiento de 10% a 90% del valor inicial. El tiempo total requerido que el
transistor cambie del estado encendido al estado apagado se conoce
como tapagado y se define como