CIRCUITOS INTEGRADOS

DIGITALES

Jimnez Espino Ignacio David 4IV1

Circuitos Integrados
La invencin del circuito integrado (CI) en la dcada de

los 60 fue un descubrimiento muy importante ya que

supero la necesidad de conectar mecnicamente los
componentes discretos. Para empezar, un CI es un
dispositivo que cuenta con sus propios transistores y
resistores. Estos componentes internos no son discretos,
sino que estn integrados. Esto significa que se
producen y conectan durante el mismo proceso de
fabricacin.

Pasos Generales de Fabricacin de un Circuito

Integrado formado por Silicio como componente
activo.
Los pasos de fabricacin bsica se pueden realizar

muchas veces, en diferentes combinaciones y en

diferentes condiciones de procedimiento durante un turno
de fabricacin completo.
Preparacin de la oblea El material inicial para los
circuitos integrados modernos es el Silicio de muy alta
pureza, donde adquiere la forma de un cilindro slido de
color gris acero de 10 a 30 cm de dimetro y puede ser de
1m a 2m de longitud .Este cristal se rebana para producir
obleas circulares de 400um a 600um de espesor, (1um es
igual a 1x10-6 metros). Despus, se alisa la pieza hasta
obtener un acabado de espejo, a partir de tcnicas de
pulimento qumicas y mecnicas.

Oxidacin
Se refiere al proceso qumico de reaccin del Silicio

con el Oxgeno para formar Bixido de Silicio (SiO2).

Para acelerar dicha reaccin se necesitan de hornos
ultra limpios especiales de alta temperatura. El
Oxgeno que se utiliza en la reaccin se introduce
como un gas de alta pureza o como vapor .La
Oxidacin hmeda tiene una mayor tasa de
crecimiento, aunque la oxidacin seca produce
mejores caractersticas elctricas. Su constante
dielctrica es 3.9 y se le puede utilizar para fabricar
excelentes capacitores. El Bixido de Silicio es una
pelcula delgada, transparente y su superficie es
altamente reflejante. Si se ilumina con luz blanca una
oblea oxidada la interferencia constructiva y
destructiva har que ciertos colores se reflejen y con
base en el color de la superficie de la oblea se puede
deducir el espesor de la capa de xido.

Difusin
Es el proceso mediante el cual los tomos se

mueven de una regin de alta concentracin a una

de baja a travs del cristal semiconductor. En el
proceso de manufactura la difusin es un mtodo
mediante el cual se introducen tomos de
impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad;
por lo tanto, para acelerar el proceso de difusin de
impurezas se realiza a altas temperaturas (1000 a
1200 C), esto para obtener el perfil de dopaje
deseado. Las impurezas ms comunes utilizadas
como contaminantes son el Boro (tipo p), el Fsforo
(tipo n) y el Arsnico (tipo n). Si la concentracin de
la impureza es excesivamente fuerte, la capa
difundida tambin puede utilizarse como conductor.

Implantacin de iones
Es otro mtodo que se utiliza para introducir

tomos de impurezas en el cristal

semiconductor. Un implantador de iones
produce iones del contaminante deseado, los
acelera mediante un campo elctrico y les
permite chocar contra la superficie del
semiconductor. La cantidad de iones que se
implantan puede controlarse al variar la
corriente del haz (flujo de iones). Este
proceso se utiliza normalmente cuando el
control preciso del perfil del dopaje es
esencial para la operacin del dispositivo.

Deposicin por medio de vapor

qumico
Es un proceso mediante el cual gases o vapores

se hacen reaccionar qumicamente, lo cual

conduce a la formacin de slidos en un sustrato.
Las propiedades de la capa de xido que se
deposita por medio de vapor qumico no son tan
buenas como las de un xido trmicamente
formado, pero es suficiente para que acte como
aislante trmico. La ventaja de una capa
depositada por vapor qumico es que el xido se
deposita con rapidez y a una baja temperatura
(menos de 500C).

Metalizacin
Su propsito es interconectar los diversos componentes

(transistores, capacitores, etc.) para formar el circuito

integrado que se desea, implica la deposicin inicial de
un metal sobre la superficie del Silicio. El espesor de la
pelcula del metal puede ser controlado por la duracin
de la deposicin electrnica, que normalmente es de 1 a
2 minutos.

Fotolitografa
Esta tcnica es utilizada para definir la geometra de la

superficie de los diversos componentes de un circuito

integrado. Para lograr la fotolitografa, primeramente se
debe recubrir la oblea con una capa fotosensible llamada
sustancia fotoendurecible que utiliza una tcnica llamada
de giro; despus de esto se utilizar una placa
fotogrfica con patrones dibujados para exponer de
forma selectiva la capa fotosensible a la iluminacin
ultravioleta. Las reas opuestas se ablandarn y podrn
ser removidas con un qumico, y de esta manera,
producir con precisin geometras de superficies muy
finas.

Empacado
Una oblea de Silicio puede contener varios

cientos de circuitos o chips terminados, cada chip

puede contener de 10 a 108 o ms transistores
en un rea rectangular, tpicamente entre 1 mm y
10 mm por lado. Despus de haber probado los
circuitos elctricamente se separan unos de otros
y los buenos se montan en cpsulas.
Normalmente se utilizan alambres de oro para
conectar las terminales del paquete al patrn de
metalizacin en la pastilla; por ltimo, se sella el
paquete con plstico o resina epxica al vaco o
en una atmsfera inerte.

Empaquetado De Circuitos Integrados

Se refiere a el invento de un empaquetado resistente

a la aceleracin para Circuitos Integrados. Los

Circuitos Integrados usualmente se empaquetan en
cajas de plstico o cermica, sin embargo, no son
utilizables en proyectiles por razn de las altas
aceleraciones, que se manifiestan. Por lo tanto, el
invento propone disponer los circuitos integrados
(5, 6), en cada caso , entre dos hojas (1, 2) y fijarlos
perifricamente en un marco tensor (3, 4).

Numeracin De Conectores
Cada patilla del circuito integrado tiene asociado un

nmero para poder identificar el conector del esquema

elctrico con el del encapsulado. Todas las patillas se
numeran a partir de la primera (patilla nmero 1), que se
identifica mediante una marca que se hace en el
encapsulado.
Una de estas marcas puede ser una muesca que se
realiza en el lado superior del circuito integrado, de tal
forma que la patilla 1 es la que est a la izquierda de
dicha marca.

Muesca En El Circuito Integrado

Otra forma de identificar la primera patilla es mediante un

punto que se sita junto a dicho conector.

Punto En El Circuito Integrado

 A partir de la patilla nmero 1 el resto de las patillas se

numeran en sentido contrario de las manecillas del reloj.

En la documentacin que cada fabricante aporta de sus
circuitos integrados, se puede observar que al menos
hay una patilla dedicada a la tensin de alimentacin y
otra patilla dedicada a masa o tierra.

Tecnologa En Circuitos
Integrados

FAMILIAS LGICAS DE CIRCUITOS

INTEGRADOS
Una familia lgica es el conjunto de circuitos

integrados (CIs) los cuales pueden ser

interconectados entre si sin ningn tipo de Interface
o aditamento, es decir, una salida de un CI puede
conectarse directamente a la entrada de otro CI de
una misma familia. Se dice entonces que son
compatibles.
Las familias pueden clasificarse en bipolares y MOS.
podemos mencionar algunos ejemplos. Familias
bipolares: RTL, DTL, TTL, ECL, HTL, IIL. Familias MOS:
PMOS, NMOS, CMOS. Las tecnologas TTL (lgica
transistor- transistor) y CMOS (metal oxidosemiconductor complementario) son los mas
utilizadas en la fabricacin de CIs SSI (baja escala
de integracin) y MSI (media escala de integracin).

Tabla De Familias Lgicas