Teoras Atmicas y Electrnicas

I
EXPOSITOR:
INGENIERO ELECTRONICO
MONTEZA ZEVALLOS FIDEL TOMAS
Tcnico Inspector FAP
CATEDRATICO DE LA UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DEL PERU
DOCENTE DE LA ESCUELA DE SUB OFICIALES DE LA Fuerza Area del
Per
Telfonos:

969251176

RPM: #717337

Email:

monteza5@hotmail.com

(Telefnica)

PER

INDICE

- INTRODUCCION.
- CONTENIDO :
1.Naturaleza de los semiconductores.
2.Semiconductor Intrnseco.
3. Semiconductor Extrnseco.
3.1. Semiconductor de Silicio tipo N (Extrnseco).
3.2. Semiconductor de Silicio tipo P (Extrnseco).
- CONCLUSIONES.
- BIBLIOGRAFIA.

INTRODUCCIO
N

Teoras Atmicas y Electrnicas I

1. Naturaleza de los semiconductores.
Puede considerarse que cualquier tomo est compuesto por un ncleo
situadoenelcentrodelmismoyelectronesquelorodeangirandoenrbitas
diferentes. El ncleo contiene neutrones que no poseen carga elctrica y
protones que poseen carga positiva. Los neutrones y protones tienen
esencialmenteelmismopeso,llamndosepesoatmicorelativodelelemento
alpesocombinadodetodoslosneutronesyprotonesquecontieneuntomo.
Elnmerodeprotonesdelncleodeterminaelnmeroatmicodelelemento
ylacargapositivanetadelncleo.Siunelementocualquieratieneelnmero
atmicousualperounpesoatmicodiferentedebidoquecontieneunnmero
anormaldeneutronesrecibeelnombredeistopo(deuterio-aguapesada).
Enuntomoelctricamenteneutro,elnmerodeelectronesorbitalesesigual
alnmerodeprotonesdelncleo,pueslacargadelelectrnesigualalade
unprotn,peroelprotnesaproximadamente1800vecesmspesado.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

1. Naturaleza de los semiconductores.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

1. Naturaleza de los semiconductores.
Si un tomo neutro pierde uno o ms electrones orbitales adquiere carga
positiva,encambiosiganaelectronesadquierecarganegativa.Paraquelos
electrones que rodean al ncleo cargado positivamente no caigan sobre l
debido a la atraccin entre cargas de signos opuestos deben girar en torno
suyo.Cualquieradedichoselectronesgiratoriostieneunaciertaenergatotal
asociadaconel,enparteescinticayenparteespotencial.
Supongamos el Ge o el Si empleados para la construccin de
semiconductores.
Un tomo de Ge posee 32 protones en el ncleo y 32 electrones orbitando
distribuidosendiferentescapasorbitales.Lacapaexternaposee4electrones
quedeterminanlaspropiedadesqumicasyelctricasdelelemento.Alacapa
que contiene a estos electrones (la ms externa) se la denomina capa de
valencia y los electrones tambin son de valencia y sirvenpara ligar tomos
entresienunsistemaqumico.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

1. Naturaleza de los semiconductores.
El Si tambin dispone de 4 electrones de valencia pero con una distribucin
diferente al Ge en las otras capas (14 electrones en total). Las rbitas sin
ocuparsituadasporencimadelasdevalenciasellamannivelesdeexcitacin.
Elcomunicarleaunelectrnunaenergasuficientepuedehacerlesaltaraun
niveldeexcitacin,yaquloselectronesseencuentrantandbilmenteligados
a sus rbitas que la aplicacin de un campo elctrico puede desplazarlos.
Existen diversos niveles de valencia en diferentes materiales, y los primeros
nivelesdeexcitacinestnenglobadosenlabandadeconduccin.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

1. Naturaleza de los semiconductores.
Laconduccinnopuedeproducirsemsquesiseaplicauncampoelctrico
suficienteparaelevaralgunoselectronesdelabandadevalenciaalabanda
de conduccin. La excitacin de un electrn de la banda de valencia a la
banda de conduccin deja una vacante en la banda de conduccin
denominadahueco.
Los elementos pueden ser clasificados de acuerdo a sus propiedades
conductivasen:
-Conductores
-Aisladores
-Semiconductores
Los semiconductores lo son de acuerdo a la cantidad de energa que debe
recibir un electrn para saltar entre la banda de valencia y la banda de
conduccin.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

1. Naturaleza de los semiconductores.

Representacin de los valores de la Conductividad de algunos materiales tpicos

Teoras Atmicas y Electrnicas I

1. Naturaleza de los semiconductores.
Enlosaisladoreselintervaloesgrande,enlosconductoreslasbandascasise
solapan,yenlossemiconductoreselintervaloesrelativamenteestrecho.
La banda de valencia de un tomo de Si posee 4 electrones de valencia,
cuandoelelementoseencuentraenformacristalinaloselectronessealinean
con los electrones de valencia de los tomos adyacentes conformando los
enlaces covalentes, ligando los tomos en estructuras geomtricas en el
interiordelcristal.
En un semiconductor puro hay pocos electrones disponibles para la
conduccincuandolatemperaturaesbaja,puessonpocoslosquedisponen
de la energa suficiente para saltar a la banda de conduccin, cuando la
temperatura aumenta la resistencia hmica del material disminuye, y los
electrones de valencia reciben energa cintica suficiente para que algunos
saltenalabandadeconduccin.
LaconductividaddelSiaumentarsiaumentaelnmerodeportadores,porel
contrariodisminuirsiestasedisminuye.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

1. Naturaleza de los semiconductores.
Seutilizaunmtodoparacontrolarlaconductividaddelossemiconductores,
laadicindeciertasimpurezasquemodificanlascaractersticasconductivas.
ConsideremoslaadicindeunadiminutaporcindeArsnicoaunamasade
Ge fundido. Cuando el lquido se solidifica en un cristal, los tomos de
Arsnico se distribuirn en modo uniforme por toda la estructura cristalina.
ComohaymuchosmstomosdeGequeArsnico,cadaunoestarrodeado
porlomenosde4tomosdeGe.
El Arsnico tiene valencia 5 en lugar de los 4 del Ge, entonces estos
electrones formarn enlaces covalentes con el Ge y el quinto quedar
dbilmenteligadoysinningnlugarparticularadondeir.Sernecesariauna
pequea cantidad de energa para desplazar este electrn a la banda de
conduccin,peroaldesplazarsenodejaatrsningnhueco.
PuedenemplearseotrasimpurezaspentavalentescomoFosforooAntimonio
para obtener un Ge/Si rico en electrones dbilmente ligados por lo que se
denominara material tipo N y las impurezas pentavalentes se denominan
tomosdonadores.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

1. Naturaleza de los semiconductores.
Tambin es posible crear Ge/Si tipo P que es rico en huecos, aadiendo
diminutas porciones de impurezas trivalentes en la masa fundida, las
impurezas tpicas o tomos aceptores pueden serAl o Ga,ahora tendremos
enlacescovalentesincompletosalosquelefaltaunelectrn,enestecasoel
portador de corriente es un hueco (falta de electrn), resultando una
abundanciadecargaspositivas.
LaadicincontroladadeimpurezassedenominaDOPADO.
LadiferenciafundamentalentreGeySieselanchodelintervalodeenerga
entrelasbandasdevalenciayconduccin.
Conlateoradesemiconductoresseinauguralaeradelestadoslido,punto
dequiebreenlatecnologaelectrnicaabandonandocasicompletamentelas
vlvulasgaseosas.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

2. Semiconductores Intrnsecos.
Sedicequeunsemiconductoresintrnsecocuandoseencuentraenestado
puro,osea,quenocontieneningunaimpureza,nitomosdeotrotipodentro
desuestructura.
Enese caso, lacantidadde huecosquedejanloselectronesenla bandade
valenciaalatravesarlabandaprohibidaserigualalacantidaddeelectrones
libresqueseencuentranpresentesenlabandadeconduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento
semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y
varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la
atraccinqueejerceelncleodeltomosobrelosmismos.
Esoselectroneslibressaltanalabandadeconduccinyallfuncionancomo
electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de un tomo a
otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento
semiconductorseestimuleconelpasodeunacorrienteelctrica.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

2. Semiconductores Intrnsecos.
Estructuracristalinadeunsemiconductorintrnseco,compuestasolamentepor
tomosdeSilicio(Si).ComosepuedeobservarlostomosdeSilicio(queslo
poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia), se unen
formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear as un
cuerpo slido semiconductor. En esas condiciones el cristal de Silicio se
comportarigualquesifuerauncuerpoaislante.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

3. Semiconductores Extrnsecos.
Cuando a la estructura molecular cristalina del Silicio o del Germanio se le
introduceciertaalteracin,esoselementossemiconductorespermitenelpaso
delacorrienteelctricaporsucuerpoenunasoladireccin.
Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa
mezclandolostomosdeSilicioodeGermanioconpequeascantidadesde
tomosdeotroselementoso"impurezas".
Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a
elementossemiconductoresqueenlugardecuatro,poseentreselectronesen
su ltima rbita [Como el Galio (Ga) o el Indio (In)], o que poseen cinco
electrones tambinensultima rbita [Como elAntimonio(Sb)o elArsnico
(As)].
Una vez dopados, el Silicio o el Germanio se convierten en semiconductores
extrnsecos yserncapacesdeconducirlacorrienteelctrica.
Enlaactualidadelelementomsutilizadoparafabricarsemiconductorespara
el uso de la industria electrnica es el cristal de Silicio (Si) por ser un
componenterelativamentebaratodeobtener.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

3. Semiconductores Extrnsecos.
Alaizquierdasemuestralailustracindeunaobleaocristalsemiconductorde
Silicio pulido con brillo de espejo, destinada a la fabricacin de transistores y
circuitos integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea
conteniendocientosdeminsculoschips.Esoschipssonlosquedespusde
pasar por un proceso tecnolgico apropiado se convertirn en transistores o
circuitosintegrados.Unavezqueloschipssehanconvertidoentransistoreso
circuitosintegradosserndesprendidosdelaobleaycolocadosdentrodeuna
cpsulaprotectoraconsuscorrespondientesconectoresexternos.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

3. Semiconductores Extrnsecos.
La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de Silicio
eslaarena,unodelosmaterialesmsabundantesenlanaturaleza.
EnsuformaindustrialprimariaelcristaldeSiliciotienelaformadeunaoblea
demuypocogrosor (entre0,20y0,25mmaproximadamente),pulidacomoun
espejo.
DurantemuchotiemposeempletambinelSelenio(S)parafabricardiodos
semiconductores en forma de placas rectangulares, que combinadas y
montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente
alternayconvertirlaendirecta.
Hoy en da adems del Silicio y el Germanio, se emplean tambin
combinaciones de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla
Peridica.
Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el Galio (Ga) y el
Arsnico (As) utilizada para obtener Arseniuro de Galio (GaAs), material
destinado a la fabricacin de diodos lser empleados como dispositivos de
lecturaenCDsdeaudio.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

3. Semiconductores Extrnsecos.
Placa individual de 2 x 2 cm de
rea, correspondiente a un antiguo
diododeSelenio.

Lente (sealada con la flecha) detrs

de la cual se encuentra instalado un
diodo lser de Arseniuro de Galio
(GaAs) empleado para leer datos de
texto, presentaciones multimedia o
msica grabada en un CD. En esta
ilustracinelCDsehasustituidoporun
disco similar transparente de plstico

Teoras Atmicas y Electrnicas I

3.1. Semiconductor de Silicio tipo N (Extrnseco).
Como ya conocemos, los tomos de Silicio ni los de Germanio en su forma
cristalina ceden ni aceptan electrones en su ltima rbita; por tanto no
permiten la circulacin de la corriente elctrica y se comportan como
materialesaislantes.
Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la
dopamos aadindole una pequea cantidad de impurezas provenientes de
tomos de un metaloide como por ejemplo Antimonio (Sb) (Elemento
perteneciente los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla
Peridicaconcincoelectronesensultimarbitaobandadevalencia).
EstostomosseintegrarnalaestructuradelSilicioycompartirncuatrode
suscincoelectronesconotroscuatropertenecientesalostomosdeSilicioo
deGermanio,mientrasqueelquintoelectrnrestantedelAntimonioalquedar
liberadosepodrmoverlibrementedentrodetodalaestructuracristalina.De
esa forma se crea un semiconductor extrnseco tipo-N, debido al exceso de
electrones libres existentes dentro de la estructura cristalina del material
semiconductor.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

3.1. Semiconductor de Silicio tipo N (Extrnseco).
Estructura cristalina compuesta por tomos de Silicio (Si). Esta estructura se
ha dopado aadiendo tomos de Antimonio (Sb) para crear un material
semiconductorextrnseco.
Los tomos de Silicio (con cuatro
electrones en la ltima rbita o banda de
valencia) se unen formando enlaces
covalentes con los tomos de Antimonio
(con cinco en su ltima rbita banda de
valencia).
En esa unin quedar un electrn libre
dentrodelaestructuracristalinadelSilicio
porcadatomodeAntimonioquesehaya
aadido.
De esa forma el cristal de Silicio se
convierte en semiconductor tipo-N debido
al exceso electrones libres con cargas
negativaspresentesenesaestructura.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

3.2. Semiconductor de Silicio tipo P (Extrnseco).
Si en lugar de introducir tomos pentavalentes al cristal de Silicio o de
Germaniolo dopamosaadindoles tomos oimpurezas trivalentescomode
Galio(Ga)(ElementopertenecientealGrupoIIIadelaTablaPeridicacontres
electronesensultimarbitaobandadevalencia),alunirseesaimpurezaen
enlacecovalenteconlostomosdeSilicioquedarunhuecooagujero,debido
aquefaltarunelectrnencadaunodesustomosparacompletarlosocho
ensultimarbita.
Enestecaso,eltomodeGaliotendrquecaptarloselectronesfaltantes,que
normalmente los aportarn los tomos de Silicio, como una forma de
compensarlascargaselctricas.
Deesaformaelmaterialadquierepropiedadesconductorasyseconvierteen
un semiconductor extrnseco dopado tipo-P (positivo), o aceptante, debido al
excesodecargaspositivasqueprovocalafaltadeelectronesenloshuecoso
agujerosquequedanensuestructuracristalina.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

3.2. Semiconductor de Silicio tipo P (Extrnseco).
Estructura cristalina compuesta por tomos de Silicio (Si) dopada ahora con
tomosdegalio(Ga)paraformarunsemiconductorextrnseco.
Comosepuedeobservarenlailustracin,
los tomos de Silicio (con cuatro
electrones en la ltima rbita o banda de
valencia) se unen formando enlaces
covalente con los tomos de Galio (con
treselectronesensubandadevalencia).
En esas condiciones quedar un hueco
condefectodeelectronesenlaestructura
cristalina de silicio convirtindolo en un
semiconductor tipo-P provocado por el
defectodeelectronesenlaestructura.

Teoras Atmicas y Electrnicas I

3.2. Semiconductor de Silicio tipo P (Extrnseco).
ResumencasoparticulardelSilicio.

DIRECCIONES INTERNET:
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/elecmagnet/campo_electrico/campo/campo.ht
m
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_9.htm