Professional Documents
Culture Documents
efecto Meissner,
diamagnetismo
perfecto
resistencia cero
gap en la densidad de
estados
TC
HC
EF
Heike Kamerlingh-Onnes
1933
1935
F. London y H.London
1935
L. V. Shubnikov
Superconductores de Tipo II
1950
1957
J. Bardeen, L. Cooper y
J. Schrieffer
Teora microscpica de la
superconductividad (BCS). Gap de
energa.
1957
Aleksei Abrikosov
1959
Ivar Giaever
1960
J. Kunzler
1960
Lev P. Gorkov,
N.N. Bogoluibov
1962
Brian D. Josephson
1986
- efecto Meissner,
diamagnetismo perfecto
Bext
Bext=0
Bext=0
Bext0
Bext
T < TC
enfriamiento
Bext
TC
Bext
Bext0
Bext=0
Bext=0
Bext0
Bext
T < TC
enfriamiento
Bext
TC
Bext
Bext0
Imn
Superconductor
Imn
Superconductor
Elementos superconductores
Bajo presin atmosfrica
Bajo alta presin
160
138K Hg0.8Tl0.2Ba2Ca2Cu3O8+d
125K 1988 TlxSrxBaxCuxOx
120
100
80
60
2000
1990
1980
1950
1940
1930
0
1920
35K 1986
LaBaCuO4
23K 1973
Nb3Ge
1970
20
4.2K 1911
Hg
1960
40
1910
140
Teoras fenomenolgicas
London (1935)
Ginzburg-Landau (1950)
DIAMAGNETISMO
La ecuacin de London
E E0 Ecin Emag
ns e v ( r ) j s ( r )
Ecin
1
dr m v 2 ns
2
Emag
h2
dr
8
4
rot h
js
c
La ecuacin de London
DIAMAGNETISMO
E E0 Ecin Emag
1
2
2
2
E E0
dr h L rot h
8
y la longitud L se define como
Minimizar la Energa total:
E 0 h 2L rot rot h 0
4
rot h
js
c
mc
L
2
4
n
e
s
1/ 2
Ecuacin de London
ne 2
rot j
h
mc
Se pueden calcular
las distribuciones de
campos y corrientes
Efecto Meissner
DIAMAGNETISMO
( h y js slo dependen de z, y se
relacionan por las ecs. de Maxwell )
Vaco
Superc.
4
rot h
js , div h 0
c
2 posibilidades:
1- h paralelo a z h=const. rot h=0 js=0
2- h perp. a z (p.ej. hx) la ec de London se satisface automticamente
js y (por ec. rot h)
d h 4
js
dz
c
Efecto Meissner
DIAMAGNETISMO
d js ne
h
d z mc
Solucin:
d h h
2
2
dz
L
hx
mc
2L
2
4
n
e
s
h( z ) h(0) exp( z / L )
Vaco
Superc.
Bext
Discontinuidad
en el calor
especifico
a (T ) (T Tc) ...,
b(T ) ...
T Tc
T Tc
Parmetro de orden
( x) ns *1/ 2 ( x)ei ( x )
ns *
ns
2
3
2
F [ ] d x
* (T T ) * ( * )
2
2m *
m* 2me
( x) ei ( x ) ( x)
r
r
hc r
( x )
A( x) A( x)
e*
r
r ie * r
D ( x )
A ( x)
hc
B A Bi ijk j Ak
):
r e* r 2
1
2
(ih
A) (T Tc ) 0
2m *
c
Y la ecuacin para la supercorriente (variacin de A):
r *
c r r r
ie * h * r
e *2
2 r
B J
( )
A
4
2m *
m*c
Estado superconductor
Teora Ginzburg-Landau. Longitudes caractersticas
Las ecuaciones de Ginzburg-Landau nos dan dos escalas distintas.
La longitud de coherencia, , caracteriza variaciones de (x )
Y la de penetracin, , caracteriza variaciones de B (x)
(T )
2m * (T Tc )
c
m*
(T )
e * 4 T Tc
Ambas divergen en Tc
,
2
Estado superconductor
Teora Ginzburg-Landau. Longitudes caractersticas
Parmetro adimensional independiente de T:
(T ) m * c
(T ) e * h 2
(T )
2m * (T Tc )
c
m*
(T )
e * 4 T Tc
1
2
,
2
Abrikosov (1957)
Diagrama de fase H - T
H
Tipo I
HC
HC = 100 - 1000 G
S
0
TC
HC2
Tipo II
H
HC1 < 100 G
HC
HC1
Tipo II
- estado mixto, vrtices
S
0
TC
Parmetro de GinzburgLandau:
Longitud de penetracin:
Longitud de coherencia:
1 / 2
tipo I
tipo II
H
Aluminio
(0) = 16 nm
(0) = 1600 nm
Tipo II
- estado mixto, vrtices
NbSe2
(0) = 240 nm
(0) = 8 nm
Diagrama de fase H - T
H
Tipo I
HC
HC = 100 - 1000 G
S
0
TC
HC2
H
H
Tipo II
HC1 < 100 G
HC
HC1
S
Tipo II
- estado mixto, vrtices
TC
0 h / 2e 2 mT m 2
campo
magntico
N
S
densidad de
supercorriente
Red de Abrikosov
Hess et al
PRL62,214
(1989)
S.R.Park et.al.,2000
(Brown University)
rea de la imagen:
600 x 600 nm2
T = 4.2 K
Obtencin de la imagen:
El STM barre en modo topogrfico estndar:
corriente constante (0.1nA).
Voltaje punta-muestra: Vo + modulacin
1 mVdc + 0.5 mVac (1500 Hz)
La corriente tnel, Idc + Iac, se enva a un
amplificador lock-in
Durante el barrido se registran
simultaneamente la topografa, z(x,y), y la
salida de un amplificador lock-in, resultando la
imagen de conductancia, G(x,y).
P. Martnez-Samper, J.G. Rodrigo, N.
Agrat, R. Grande, S. Vieira, Physica C 185
(2000)
H = 900 G
H = 1200 G
En el vrtice
1.5
2.5
(b)
(a)
2.0
Normalized Conductance
H = 600 G
1.0
1.5
1.0
0.5
0.5
-10
-5
Voltage (mV)
10
-10
-5
Voltage (mV)
10
0.0
Teora Microscpica
J.Bardeen, L. Cooper, J. Schrieffer (BCS, 1957)
Apareamiento de los electrones, formando bosones.
Interaccin electrn-fonn como glun (Potencial: V )
Gap en la densidad de estados:
2
3.53
k BTc
1
2 D exp
N ( 0) V
Efecto isotpico: TC M ,
1/ 2
W ES E N
1
N (0) 2
2
dI/dV
I
N
dI
(V ) NBCS ( E ) Re
dV
2
2
E
* ( E , k ) : phonons, symmetry
N 1( E ) N 2( E eV ) [ f ( E ) f ( E eV )] exp [ a z ]
Temperatura
f ( E eV )
V
Experimento
dI
f ( E eV )
N S (E)
dE
dV
V
dE
N S (E )
I (V ) A
35
Uniones tnel: Pb Al (S N)
30
dI/dV (a.u.)
25
20
15
10
5
0
-25
-20
-15
-10
-5
V (mV)
10
15
20
25
(T )
T
1.74 1
( 0)
Tc
1/ 2
T Tc