Anlisis a pequea seal para

FET
Los amplificadores con transistores de efecto de campo
proporcionan una ganancia de voltaje excelente con la
caracterstica adicional de una alta impedancia de
entrada.
Adems
son
considerados
como
configuraciones de bajo consumo de potencia con un
adecuado rango de frecuencia y un tamao y peso
mnimos.
Todos los dispositivos JFET como los MOSFET de tipo
decremental
pueden
emplearse
para
disear
amplificadores que cuenten con ganancias similares de
voltaje sin embargo el circuito MOSFET decremental
tiene una impedancia de entrada mucho mayor que la
de una configuracin JFET similar.

Gracias a las caractersticas de impedancia de entrada

alta de los FETs el modelo equivalente de AC para de
alguna forma ms simple que el utilizado por los BJTs.
mientras que el BJT cuenta con factor de amplificacin
(beta),
el
FET
cuenta
con
un
factor
de
transconductancia gm.
El FET puede emplearse como un amplificador lineal o
como un dispositivo digital en circuitos lgicos. De
hecho el MOSFET incremental es muy popular en los
circuitos digitales, especialmente en los circuitos CMOS
que requieren un consumo de potencia muy bajo. Los
dispositivos FET tambin se utilizan ampliamente en
aplicaciones de alta frecuencia y en aplicaciones de
circuitos de interfaz para computadoras.
La AV en los FETs con frecuencia menor que la obtenida
para un BJT, pero la Zi es mucho mayor que los del BJT,

Modelo de pequea seal para

el FET
Recuerde que en DC, el voltaje de compuerta-fuente contra el nivel
de la corriente de drenaje mediante la ecuacin de SHOCKLEY.

VGS
I D I DSS 1

VP

El cambio en la corriente del drenador que se ocasiona por el

cambio en el voltaje compuerta-fuente puede determinarse
mediante el uso del factor de transconductancia gm de la
siguiente forma:

I D gmV
gm=transconductan
cia

DETERMINACION GRAFICA DE
gm
ID(mA)
Curva obtenida
mediante

V
I D I DSS 1 GS

V p

IDSS

Pendiente en
el
punto Q

Pto Q=(-2.5 ;
3)
Q

ID

4
2

VGS
Vp

I D
gm
VGS

VG
S

I D 1.8
gm

VGS
1
gm 1.8ms

DEFINICION MATEMATICA DE
gm
I D
dI D
d
gm
|PtoQ

VGS
dVGS dVGS

VGS
gm 2 I DSS 1
VP

I
gm 2 DSS
VP

V
1 GS
VP

VGS

I DSS 1
VP

2 I DSS

d
dVGS

1

VP

Donde |Vp| denota solo la magnitud parar asegurar un valor

positivo de gm
Cuando VGS=0
entonces:

gm alcanza su valor maximo gm0,

2 I DSS
gm
VP

0
2 I DSS
gm0
1
VP
VP

V
1 GS
VP

Por lo
tanto

VGS
gm gm0 1

VP

En las hojas de especificaciones proporcionan gm como Y fs donde

Y

parmetro de admitancia.

parmetro de transferencia directa (forward)

revela que la terminal de la fuente es la referencia del modelo

gm YFS

Para el JFET varia desde 1000 hasta 5000s o de 15 ms

Grafica de gm en funcin de

VGS
VGS

gm(s)

gm0

gm gm0 1

V
P

Si VGS=0
gm=gm0
Si VGS=VP

Vp

VGS(V)

gm=O

VGS
Debido a que el factor
1

V
P
0, la magnitud

es < 1 para cualquier Vgs

Vgs

V pel
de gm disminuir a medida que Vgs se aproxime a Vp y que
cociente
se
incremente en magnitud.
IMPACTO DE ID
SOBRE gm

Ec. de
SHOCKLEY:

VGS

I D I DSS 1
VP

VGS
VGS
ID

1
1

I DSS
VP
VP
Entonces

gm gm0

ID
I DSS

ID
I DSS

Se puede graficar gm(s) en funcin de ID(mA) con los

siguientes datos:
a) Si ID = IDSS

b) Si ID = IDSS/2

b) Si ID = IDSS/4

gm gm0

I DSS
gm gm0
I DSS

gm gm0

I DSS
2 gm 0.707 gm
0
I DSS

gm gm0

I DSS
4 gm 0.5 gm
0
I DSS

Ejemplo :
Con IDSS=8mA y Vp=-4V. Graficar
gm Vs.2 IIDSS
2 * 82
D
gm0

4mS
VP
4
Con IDSS=4;
gm=2.83ms
Con IDSS=2;
gm(ms)
gm=2ms
gm0
=

ID(mA
)

IMPEDANCIA DE ENTRADA Zi DEL FET

En forma de
Z i
ecuacin:
Para un JFET se tom un valor tpico de 109
(1000M), mientras que a los MOSFETs se tom un
valor tpico de 1012 a 1015

IMPEDANCIA DE SALIDA Z0
DEL
Es de FET
magnitud similar a la del BJT.
En las hojas de especificaciones se representa como
YS.
ID(mA)
En forma de ecuacin:

1
Z 0 rd
yS
Vds
rd
I d

Pto .Q

Q
Vds

Con VGS
constante

ID

VGS=
0V
VGS=1V
VGS=2V
VGS=3V
Vds

CIRCUITO EQUIVALENTE DE AC PARA EL FET

D

G
gm VGS

rd
S

CIRCUITO DE POLARIZACIN PARA EL JFET

POLARIZACIN
FIJA

VDD
RD

Vi Ci

RG
Zi

VG

Datos:
VDD=20v
RD=2k
RG=1M
VG=2V
IDSS=10
mA
VP=-8V

Asumiendo que el Pto

Q:
Vgs 2V
Pto.
I DQ 5.625mA Q

YS 40 s

Del anlisis
DC

2 I DSS 2 *10
gm0

2.5mS
VP
8

VGS
2

gm gm0 1
1.88mS
2.5 1

VP
8

1
1
rd

25k
yS 40 S
Anlisis AC

Z i RG 1

Vi

D V
+
0

Zi

RG

RD

Z
0

Z 0 rd // RD
Si rd 10RD
Z0=RD
2510(2) 1
Z0 =2k Z0
=25k//2k= 1.85k

V0
AV V0 gmVgs rd // RD
Vi
Como Vgs =
Vi

V0 gmVi rd // RD

AV

V0
gm rd // RD
Vi

Reemplazando
valores

AV 1.88mS 1.85k

AV gmRD 1.88 2 AV 3.76 AV 3.48

Autopolarizacin
Vi
Zi

RG

D
V +

RD

Z
0

Z i RG
Z 0 rd // RD ; si rd 10RDZ 0 rd // RD

AV gm rd // RD GAV gmRD

Vi

Z i RG
V0
Z0
Vi V 0V

+
gm VGS

Zi

RG

ID
S

RS

RD Z
0

I0

V
0

Vi

S
Con Vi =0VVRG=0V
(cortocircuito)

gmVgs I D I ;Vgs gmVgs RD

Vgs I D I RS
Por lo tanto en 1:
gmVgs=I
D+I
I I gm
I0 I
D

RS

I D I 0 gmI D RS gmI 0 RS

I 0 1 gmRS I D 1 gmRS

I0 I D

ID

gm VGS

RG

RS

RD

I0

V0
Z0
V0 I D RD
I0

V
0

Y como ID=I0

V0 I 0 RD

V0
Z 0 RD
I0

Sin considerar
rd

Considerando el efecto de rd
G

Vi

I +
Zi

RG
RS

ID

- RD

Vr d

I0
S

rd
gmVgs Vr d V0 0 Vr d Vgs V0
I 0 gmVgs
I 0 gmVgs

Vgs V0
rd
Vgs
rd

I0

V0
I0
rd

Z
0

I0+I
D

I D I 0 gmVgs I I

V
0

V0
Z0
Vi

Vi 0V

I D RD

I0

I R
1
I 0 Vgs gm D D I D
rd
rd

I D RD
1
I 0 gm I 0 I D RS
ID
rd
rd

1
I 0 gm
rd

1
I 0 gm
rd

I 0 RS I D RS

I D RD
ID
rd

1
I D RD
I
R

gm

I
R

ID
0 S
D S

rd

rd
I 0 RD
I D RS I D RD
I 0 gm I 0 RS
gm I D RS

ID
rd
rd
rd
I 0 gm I 0 RS

I 0 RD
I R
I R
gm I D RS D S D D I D
rd
rd
rd

RS
RS RD
I 0 1 gmRS I D gmRS

1
rd
rd
rd

RS RD
I D gmRS

1
rd
rd

I0

RS
1 gmRS r
d

RS RD
R
I D RD gmRS

1
1 gmRS S
rd
rd
V0
rd

Z0
Z0
RD
RS RD
Vi

RS RD
1

gmR

I D gmRS

1
S
rd
rd
rd
rd

RS
1 gmRS r
d

Si rd 10RD,
entonces R

1 gmRS

rd

RD
rd

Z 0 RD

Para ganancia de
voltaje

V0
AV
Vi

V0 I D RD
VRS I D RS

Vi Vgs VRS 0 Vgs Vi VRS Vi I D RS Vgs

V0 VRS
I'
rd
V0 VRS
I D gmVgs I ' gmVgs
rd

Sustituyendo
tenemos

I D RD I D RS

I D gm Vi I D RS
rd

I D mgVi gmI D RS I D

R
RD
ID S
rd
rd

R
R
I D 1 gmRS D S gmVi
rd
rd

ID

gmVi
R RS
1 gmRS D
rd

V0 I D RD

gmVi RD
R RS
1 gmRS D
rd

V0
gmRD

R RS
Vi
1 gmRS D
rd

; Si rd
10(RD+RS)

gmRD
AV
1 gmRS

3) Divisor de
voltaje
V

RD

R1

Z
0

Vi

R2

Zi

RS

Z i R1 // R2
Z 0 rd // RD V 0V
i

r 10 RD Z 0 RD

Si d

RS

Con desvo

Vi

V
+0

R1

R2

Zi

RD

Z
0

Z i R1 // R2
Z 0 rd // RD V 0V
i

; Si

rd 10 RD Z 0 RD

V0
AV
Vi

Vi Vgs V0 gmVgs rd // RD
gmVgs rd // RD
AV
Vgs

AV gmVgs rd // RD
Si

rd 10 RD AV gmRD

Sin Desvo
Vi

+V
0

Zi

R1

R2

RD

RS

Z
0

Z i R1 // R2
El circuito es de forma similar al anterior con
el efecto de

RS
1 gmRS
rd
Z0
RD
RS RD
1 gmRS

rd
rd

rd

Si

rd 10 RD

; entonces

RS
RD
1 gmRS

rd
rd

Z 0 RD
gmRD
AV
RS RD
1 gmRS
rd
Si

rd 10 RD RS

;
entonces

gmRD
AV
1 gmRS

Fuente Seguidor (Drenaje

Comn)

Z i RG

Vi

Zi

+V
I0

gmV
s

rd

+V
0

RG

RS
Z
0

S
+
gs

Z0 al hacer
Vi=0V se
obtiene el
siguiente
circuito.

Vg

G
+ Vg

RS

Z
0

V0 Vgs
LCK en el nodo
S

I 0 gmVgs I rd I RS
V0 V0
I 0 gmVgs

rd
RS

 1 1
I 0 V0
gmVgs;Vgs V0
rd RS
1 1

I 0 V0

gm
rd RS

V
Z0 0
I0

V 0
1

1 1
1
1 1

V 0

gm
1
r
R
r
R
d
S
S
d

gm

1
Z 0 rd // RS //
gm

;Si rd
10RS

La cual tiene el formato

que la resistencia total de
3 resistencias en paralelo

1
Z 0 RS //
gm

V0
AV
Vi
V0 gmVgs rd // RS
Vgs Vi V0

V0 gmVi V0 rd // RS gmVi rd // RS gmV0 rd // RS

V0 1 gm rd // RS gmVi rd // RS
V0
gm rd // RS
AV

Vi 1 gm rd // RS
Si no hay rd rd
10RS

gmRS
AV
1 gmRS

Compuerta
Comn

Impedancia de
entrada Zi

V
Z
I

Vgs Vi V

I gmVgs Ird
I Ird gmVgs
V I RD
I
gmVgs
rd

V I RD
I
gm V
rd
rd

RD
I 1
gm
V
rd

rd

RD
1 r
rd RD
V
d

Zi

Zi
I
1 gmrd
1
gm r
d

RD
1 r
rd RD
V
d
Zi

Zi
I
1 gmrd
1
gm r
d

Si rd 10RS

Impedancia de
salida
Si rd
10RS

1
Z i
gm

V0
Z0
I0

Z 0 RD

1
Z i RS //
gm

Z 0 RD // rd
Vi 0V

AV

GANANCIA DE
VOLTAJE

- -

Vi
+

Zi

RS

V0
Vi

r
d

gm
VGS
G

Vi Vgs

+ +

V0
D

R
D

Z
0

Vrd V0 Vi

V0 Vi
I rd
rd

I rd gmVgs I D 0
V0 Vi
Vi V0

gmV

gmVi
sg

rd
rd

I D

Vi V0

VR
VR
gmVi RD i D gmVi 0 D
rd
rd
rd

V0

R
V0 1 D Vi D gmRD
rd

rd

V0
AV

Vi

gmRD
R
1 D
rd

RD
rd

V0 I D RD

Si rd 10RD Av=gmRD

MODELO AC PARA MOSFETs DEL TIPO

DECREMENTAL

El hecho e que la ecuacin de Schockley sea tambin

aplicable a los MOSFETs de tipo decremental da por
resultado una misma ecuacin para gm. De hecho el
modelo equivalente de Ac para los MOSFETs decremental
es EXACTAMENTE el mismo que el utilizado para los
FETs.
La nica diferencia que presentan los MOSFETs
decremental es que VGS que puede ser positivo para los
dispositivos de canal n y negativo para los de canal p.
El resultado de esto es que gm puede ser mayor que gm0.
G
+ al que se encuentra para los
El rango de rd es muy similar
gm VGS
JFETs
- S

Configuracin DIVISOR DE VOLTAJE

Datos:
IDSS=6mA
VP=-3V
YOS=10S

Del anlisis
DC:

18
V

2 I DSS
gm0

4mS
VP
3

1.8
K

110
M

Z
0

Zi

10M

150

VBSQ=0.3
5V
IDQ=7.6m
2 * 6A

VBSQ

gm gm0 1

V
P

0.35

gm 4mS 1
4.47 mS

rd

1
1

100k
yOS 10 S

Anlisis
AC:
D

V0

Vi

Zi

110
M

10M

4.47*10-3
Vgs
-

100
K

1.8
K

Z i 110 // 10
Z i 9.17

Z 0 100k // 1.8k
Z 0 1.77 k 1.8k RD Z 0
AV gmRD

AV 4.47 mS 1.8k
AV 8.05

Porque

rd 10RD
100k 10(1.8k)

MOSFET`S DE TIPO
INCREMENTAL
CANAL
P

G
gm VGS

CANAL
N

gm fs

I k Vgs Vgs th

Del anlisis D
DC:

Com gm
o:

d
2
gm
k Vgs Vgs th 2k Vgs Vgs th 1 0
dVgs

1
yos

; rd

I D
Vgs

gm 2k Vgs Q Vgs th

1) Configuracin de
Retroalimentacin en Drenaje
VDD

Impedancia de
entrada:

RD

Vi

C1

Zi

I i gmVi

Ii

C2
RF

Vi
Zi
Ii

V0
Z

Vi

Ii

Zi

+
G

gm VGS
S

R Z
D

V0
; Vgs Vi
I i gmVgs
rd // RD
V0
V0 rd // RD I i gmVi
rd // RD

Vi V0 Vi rd // RD I i gmVi
Ii

RF
RF

I i RF Vi rd // RD I i rd // RD gmVi
I i RF rd // RD Vi 1 gm rd // RD
Zi

RF rd // RD
1 gm rd // RD

Por lo general RF >>

rd//RD
Si rd >> 10RD

Zi

Zi

RF
1 gmRD

RF
1 gm rd // RD

Impedancia de
Salida

V0
Z0
I 0 V 0V

Vgs 0V gmVgs 0 A

R
F

Vi=Vp=
0V

Como: RF >>
rd//RD
Y si
rd>>10RD

rd

R
D

Z
0

Z 0 rd // RD
Z 0 RD

Z 0 RF // rd // RD

Ganancia de
Voltaje

AV

V0
?
Vi

I i gmVgs

V0
rd // RD

Vgs Vi

Ii

Vi V0
RF

Vi V0
V0
gmVi
RF
rd // RD

Vi V0
V0
1
1

gmVi
Vi
gm V0

RF RF
rd // RD
R
r
//
R
R
D
F
F

1
gm
V0
RF
AV

1
1
Vi

rd // RD RF

Como: gm >>
1/RF

AV

gm
1 1 1
rd
RF
RD

AV gm RF // rd // RD

Por lo general RF >> rd//RD

rd >> 10RD

AV gmRD

2) Configuracin de Divisor
de Voltaje

R1

V0
C1

Vi

Z
0

Zi

RS

Z i R1 // R2

Z 0 rd // RD ; si rd

Z 0 RD

Zi

R2

>>10

+
gm
VGS

rd
S

CS

AV

V0
gm(rd // RD ) ; sird
Vi
>>10

AV gmRD

R
D

Z
0

DISEO DE REDES DE AMPLIFICADOR FET

Disee la red de polarizacin fija para que tenga
ganancia AC de 10. Es decir
determine el valor de R D
VDD=30
V

IDSS=10
mA

Vp=-4V

V
i

Debido a
que:

y0.1
OS=20
S
F

Vgs 0V gm gm0
2 I DSS 2 *10
gm0

5mS
4
Vp

AV gm0 RD // rd
10
M

50k RD
2k
50k RD

10
RD // rd
5mS
RD // rd 2k
50kRD 100k 2kRD
48kRD 100k

rd

1
1

yos 20 S

rd 50k

RD 2.08k

VDSQ VDD I DRD 30 10mA 2k

Z i 10
Z 0 rd // RD 2k // 50k

Z 0 1.92k RD 2k

EJERCICICIOS
LOS SIGUIENTES EJERCIOS SON
AMPLIFICADORES EN MULTIETAPA
LOS CUALES TIENEN LOS TRES
TIPOS DE TRANSISTORES VISTO EN
CLASE

EJEMPLO

20
V
Datos:
Q1: IDSS=10mA ; Vp=4V
Q2: IDSS=4mA ; Vp=5V
Q3: =50 ; VBC=0.7V

8.6M
Vi

Q 1 ID

Zi

150k

Q 2 ID

Calcule:
a)Puntos de Operacin,
b)Expresin literal para AV, Zi, Z0
c)Evale del literal b

RE
1k

Z0

Anlisis DC:
Se obtiene:Q3: IBQ=92.4A

Q1: Vgs1=1.44V
Q2: Vgs2=0V

Q1

Anlisis AC:
G
Vi

R1

8.6M

gm Vgs1

ZMi
S
R3
150k

ZM0

+ IBQ

VB
-

AV

Q1

hie

hfe

E
RE

1k

AV

V0

2I
gm DSS
Vp

Vgs

V p
10mA
1.44
gm1 2
1

3.2mv

4
4
gm2 2
hie

4mA
0
1

1.6mv

5
5

26mV
26mV

0.279k
I BQ
92.4A

En Q2: Vgs2=0 ; Vs2=0

Vgs2=0 ; gmVgs=0

AV 1

VB
1
Vi

Z M 0 R2

Z M 0 2

Abierto

EJEMPLO
+Vc
c

R1

R4
2k

8M
B
Vi

R2
2M
Zi

V0

Z0

150
M

AV 1

Q
3

R3

1
1

Vg1= R
5
1k
0
V
=
Vs1
gs1=0
0

Datos:
Q1: IDSS=10mA ; Vp=-4V
Q2: k=0.3mA/V2 ; VTH=1V ;
Vgsq=8V
Q3: =50 ; VBC=0.7V ;
Ibq=10A
V

V0
2

AV 1

01

Vi
V02
Vi

; Zi ; Z0

B
Vi

R1
8M

R2
2M

G2

D2

gmVgs2

S2
A

b3
R3
150M

Vgs1

gmVgs1

Ib3
hie

hfeIb3

e3

V0

R5 1k

hie

V0

C3

R4
2k

Z0

26mV 26mV

2.6k
I bq
10A

Vgs

I DSS
gm1 gm0 1
gm0 2
V p
Vp

10mA
0
gm1 2
1 5mv

4
4

gm2 2k Vgs VT

gm2 2 0.3 8 1 4.2mv

Ii
Vi

I1

R1
8M

I2

+
R2 Vgs2
2M -

LCK

V01 V01 VA

Vi VA Vi

b3

A
I3

AV 1

gmVgs2
+

R3
150M

VA
-

nodo A

I 2 gm2Vgs 2 I 3 I b 3
Vi VA
V
VA
gm2 Vi VA A
R2
R3 hie h fe 1 R5
Vi
R2

VA
1
gm2Vi gm2VA VA

R2
R
hie

1
R
3
fe
5
RRb3

1
1

Vi
gm2 VA

gm
R
R
RR
R
3

b3
2
2

Ib3
hie

C3

hfeIb3

V0
R
2k
4

e3

R5 1k

V0
2

1
gm2
VA
R2

1
1
1
Vi

gm2
R3 RRb 3 R2

Evaluando
VA
0.994
Vi

1
gm2
h fe R4
R2
AV1

1
1
1
RRb3

gm2
R3 R2
RRb3
Evaluando
AV1 1.853 0.994

AV1 1.853

V 01 h fe I b3 R4

VA I b3 RRb3
V 01
VA

h fe I b3 R4

I b3 RRb3

Evaluando
V 01
1.853
VA

h fe R4
RRb3

1
gm2

h fe 1 R5
R2
AV2
1
1
1
RRb3

gm
R3 R2 RRb3
Evaluando

AV2 0.951 0.994

AV2 0.945

V 02 I e3 R 5 h fe 1 I b3 R5

VA I b3 RRb3
V 02
VA

fe

1 I b3 R5

I b3 RRb3

Evaluando
V 02
0.951
VA

fe

1 R5

RRb3

Impedancia de
Entrada:
LCK

Zi

Vi
Zi

nodo B

I i I1 I 2
Ii

Vi Vi V A

R1
R2

Vi Vi V A Vi Vi V A Vi
Ii

R
2
R1 R2 R2 R1 R2
Vi
Ii

Vi Vi Vi AVA

R1 R2
R2

1
1 AVA

I i Vi

R1 R2 R2
V
1
i

AVA
1
1
Ii
R1 R2
R2

Z i 7.8125

1
1

8M

12 M 0.994 2 M

Impedancia de
Salida:

V'
Z0 0
Z0 '

Z0

V 0 CA
I cc

V01
V0CA
AV 1
V0CA 1.853Vi
Vi
VA

I cc h fe I 'b3
Z0

1.853Vi
0.994Vi
h fe
RRb3

Evaluando

Z 0 1.999k

VA 0.994Vi
0.994Vi

; I b3
hie R5 h fe 1 hie R5 h fe 1

1.853
h fe
RRb3

0.994