SCANNING TUNNELING

MICROSCOPE (STM)....

TECNICA DE STM

La aplicacin de STM es tomar imgenes de superficies a

nivel atmico. Para un STM, se considera que una buena
resolucin es 0.1nmde resolucin lateral y 0.01nm de
resolucin de profundidad. Con esta resolucin, los tomos
individuales dentro de los materiales son rutinariamente
visualizados y manipulados. El STM puede ser usado no solo
en ultra alto vaco, sino que tambin en aire, agua, y varios
otros lquidos o gases del ambiente, y a temperaturas que
abarcan un rango desde casi cero kelvinhasta unos pocos
cientos de grados Celsius.
El STM est basado en el concepto deefecto tnel ..

En la microscopa de efecto tnel se pueden obtener

imgenes con resolucin por debajo del angstrom. Para que
esto suceda es necesario que la muestra sea conductora o
semiconductora.
La microscopa de efecto tnel puede ser una tcnica
desafiante, ya que requiere superficies extremadamente
limpias y estables, puntas afiladas, excelente control de
vibraciones, y electrnica sofisticada

INSTRUMENTACIN

Los componentes de un STM incluyen la punta de exploracin,

un piezoelctrico de altura controlada, escner x-y, control
muestra-a-punta, sistema de aislamiento de vibraciones, y
computadora.
Laresolucin de una imagen est limitada por elradio de
curvatura de la punta del STM .
La punta esta sujeta en el vrtice de tres barras cermicas de
material piezoelctrico (x,y y z). La punta puede estar fabricada
detungsteno o platino-iridio, aunque tambin se utiliza eloro
para ello.Las puntas de tungsteno estn fabricadas
habitualmente por grabado electroqumico, y las puntas de
platino-iridio estn fabricadas por corte mecnico.
Debido a la extrema sensibilidad de la corriente tnel a la altura,
es imperativo un apropiado aislamiento de vibraciones o un
cuerpo extremadamente rgido del STM para obtener resultados
tiles.
Se usan a menudo sistemas de resortes oresortes de gas.
Adicionalmente, son implementados a veces mecanismos para
reducir lascorrientes parsitas.
Manteniendo la posicin de la punta con respecto a la muestra,
el escaneo de la muestra y la adquisicin de los datos son
controlados por computadora.La computadora puede ser usada
tambin para mejorar la imagen con la ayuda deprocesamiento
digital de imgenes as como tambin para realizar medidas

PRINCIPIO DE MANEJO
La punta esta sujeta en el vrtice de tres barras cermicas de material piezoelctrico (x,y y z).
Mientras las barras de x e y son polarizadas por rampas de voltaje que producen un rastreo de la punta
sobre la superficie la barra Z se polariza de modo que la distancia de la punta a la superficie sea adecuada
para producir una corriente tnel constante . Este voltaje de polarizacin se obtiene de un circuito de
retroalimentacin.
Cuando la punta conductora es colocada muy cerca de la superficie a ser examinada, unadiferencia de
voltaje aplicada entre las dos puede permitir a los electrones pasar al otro lado mediante efecto tnel a
travs del vaco entre ellas. La resultantecorriente de tunelizacines una funcin de la posicin de la punta,
el voltaje aplicado y ladensidad local de estados (LDOS por sus siglas en ingls) de la muestra.La
informacin es adquirida monitoreando la corriente conforme la posicin de la punta escanea a travs de la
superficie, y es usualmente desplegada en forma de imagen ,esta imagen obtenida corresponde a la
densidad electrnica de los estados de la superficie.
La corriente tnel es una funcin que varia de modo exponencial con la distancia .Esta dependencia
exponencial hace que la tcnica STM tenga una alta sensibilidad pudindose obtener imgenes con
resoluciones de subansgtrom. Esta tcnica se puede utilizar en modo de distancia Punta muestra constante
o corriente constante
La principal ventaja de esta tcnica es la resolucin a escala atmica que ofrece para conseguir este tipo
de resolucion se ha de trabajar sobre muy buenos conductores (Pt.Au Y Ag)
Se ha de trabaja en situ (evitar oxidacin o contaminacion de la superficie) al vacio o baja temperatura
donde el ambiente permite un adecuada preparacin de las muestras .
La principal limitacin de esta tcnica esta en la imposibilidad de trabajar con muestras aislantes

El tiempo de respuesta de este circuito ,t, esta determinado por la resistencia de entrada
y el capacitador de retroalimentacin del modulo integrador que constituye el polo
dominante del circuito . Cuando la velocidad de rastreo en X es menor que 1/t , el STM
opera en el llamado modo topogrfico . Las imgenes obtenidas de este modo son una
coleccin de lneas correspondientes a los contornos de igual densidad de carga al nivel
de fermi de la muestra cuando esta esta polarizada negativamente . Cuando la punta es
negativa , las lneas correspondientes a los contornos de igual densidad de estados vacios
de la muestra a la energa eV por encima del nivel de Fermi .
Cuando el rastreo se efectua a frecuencias superiores a 1/t , el circuito electrnico no
puede mantener el valor instantneo de la corriente tnel solo su valor medio y por
consiguiente , la distancia media de la punta de la superficie se mantiene constantes , el
valor instantneo de 1 refleja los cambios de la probabilidad local del tnel . El valor 1 en
funcin de X e Y constituye la imagen. Este modo de operar se denomina modo corriente
.
Los dos modos de operacin son en cierta manera complementarios. Cuando se barre la
superficie sobre grandes distancias , la velocidad de rastreo debe ser moderada a fin de
evitar que la punta choque contra irregularidades locales .
Cuando se barre sobre pequeas distancias en superficie planas el modo corriente tienen
ventajas .Los barridos rapidos minimizan la deriva trmica .

Este ejemplo corresponde al grafito .

Este material se puede exfoliar fcilmente dando
lugar a superficies limpias y ordenadas a escala
atomica.
Estas superficies adems son inertes a la
atmosfera .
La imagen de la figura fue tomada en aire en el
modo corriente .
La malla hexagonal del grafito puede ser
observada fcilmente Un examen detallado de la
imagen muestra que los tomos de tienen
intensidades distintas en posiciones alternantes
esto se debe a la interaccin de los orbitales Pz
entre la energa de los estados asociados con estos
orbitales en el espacio de momentos .El resultado
es un decrecimiento de la densidad de estados en
el nivel de fermi .puesto que solo tres de los seis
atomos del hecxagonos tienen prximos vecinos
de la segunda capa , estos correspondern a lso
puntos menos intensos en la imagen.

El segundo ejemplo corresponde a uan superficie plana

de Re (001)
Esta superficie fue pasivadad con una capa atmica de
azufre a fin de protegerla de la oxidacin en el aire .La
imagen tomada en el modo topogrfico como se
muestra en la imagen .esta superficie fue preparada en
ultra vacio (UHV) y su estado de limpieza y ordenacin
verificadas .
El hecho de que una sola capa atmica de S son
buenos lubricantes .La presente imagen ilustra de
forma evidente como aun en las superficies planas
existen multitud de defectos como los escalones y
cornisas que no pueden ser detectados por tcnicas de
difraccin como ya indicamos estos defectos pueden a
pesar de su presencia minoritaria controlar la
reactividad de las superficies .
A mayores resoluciones las imgenes muestran atomos
individuales de S . El potencial de la tcnica STM para
el estrudio de modificaciones qumicas de superficies y
para el estudio de absorbatos en condiciones reales de
presin es demostrado por estos ejemplos.

BIBLIOGRAFIA
https://books.google.com.pe/books?
id=fgrZGpc1wwYC&pg=PA323&lpg=PA323&dq=tecnica+
+STM+SUPERFICIES&source=bl&ots=9Bm70LrSY&sig=uM3ILKnRdxU-OQvV5pcy9NvgBio&hl=es419&sa=X&ved=0CEIQ6AEwB2oVChMItcvlxtz1xwIVjbKACh2xSAxn
#v=onepage&q=tecnica%20%20STM%20SUPERFICIES&f=false
https://prezi.com/wxp7oiq3szjb/aplicaciones-del-microscopio-deefecto-tunel/