Fuentes pticas

Dualidad onda-corpsculo

Generacin de la luz
Un fotn es una oscilacin o una partcula, una conjuncin
de ondas, y un paquete de energa electromagntica.

Efecto fotoelctrico
El efecto fotoelctrico consiste en la emisin de electrones
por un material cuando se hace incidir sobre la radiacin
electromagntica. Dos tipos de interaccin entre la luz y la
materia:
Fotoconductividad:
Es el aumento de la
conductividad elctrica de
la materia o en diodos
provocada por la luz.
Efecto fotovoltaico:
Transformacin parcial de
la energa luminosa en
energa elctrica.

Distribucin de Boltzmann
Para entender los fundamentos de la radiacin laser antes es
necesario conocer varios conceptos, como son: los procesos de
absorcin y emisin de radiacin y la inversin de poblacin.

P(E): Distribucin de Bolztmann, probabilidad de que un

electrn presente energa E (k=1.38x10-23 J/K).
En un gas: solamente son posibles ciertos niveles discretos
de energa.

Absorcin y emisin
Absorcin:
Se produce cuando el electrn pasa del estado
fundamental a un nivel energtico ms alto. Para poder
pasar al estado ms alto necesita absorber un fotn.

Emisin:
Se produce cuando el electrn pasa del estado excitado
al estado fundamental, emite un fotn (desprende
energa). Si el cambio de estado del electrn se produce
de forma espontnea, sin que haya ninguna causa que lo
propicie, entonces se produce luz normal y el fenmeno
se conoce como emisin espontnea. Si el trnsito se
produce por accin un fotn de igual energa que el
electrn, estamos ante un proceso de emisin
estimulada, donde el electrn al desprender energa lo
har en forma de otro fotn coherente con el primero.

Absorcin y emisin
Absorcin:
Trmica: el electrn pasa de E1 a E2 a causa del proceso
trmico.
Estimulada: un fotn con energa hv = E2 E1 incide y
excita un electrn de E1 a E2

Emisin:
Espontnea: el electrn retorna a E1 en forma aleatoria
despus de un tiempo de vida .

Estimulada: Un fotn con energa hv = E2 E1, retorna un

electrn al estado E1, con la cual se crea un segundo
fotn hv.

Absorcin y emisin

Emisin espontnea: cfr LED

Emisin estimulada: luz coherente cfr Laser. Fotones
presentan la misma frecuencia y la misma fase.
Equilibrio: absorcin estimulada cancela emisin
espontnea.

Inversin de poblacin
Einstein mostr que "la probabilidad de que el fotn sea absorbido por
el tomo situado en el nivel inferior, equivale a la probabilidad de que
dicho fotn provoque la emisin estimulada en el tomo situado en el
nivel superior". Cmo conseguir que la aumente?. Franklint, razon
que todo depende la cantidad de tomos que hay en cada nivel. Si es
mayor la cantidad de tomos en el nivel inferior, con mayor frecuencia
suceder la absorcin de fotones y el rayo de luz se debilitar. Pero si
es mayor la cantidad de tomos excitados, entonces ms a menudo
transcurrir la emisin estimulada y el rayo de luz se intensificar. Por
lo tanto, para que el haz se intensifique es necesario crear una
situacin de inversin de la poblacin.
La inversin de poblacin consiste en tener ms tomos excitados que
tomos en el estado fundamental

Ganancia ptica
La ganancia ptica es una propiedad que adquieren los materiales
semiconductores cuando en ellos se consigue la situacin de inversin
de la poblacin, que permite que se produzca el fenmeno de emisin
estimulada, y que ste predomine frente al de emisin espontnea.
Para que un material tenga ganancia ptica la densidad de portadores
inyectados en la zona activa ha de superar un valor determinado
conocido como valor de transparencia (n0 ) . Esto se consigue, por
ejemplo, inyectando electrones a una unin pn polarizada en directa.
La ganancia del material , siendo sus unidades de inverso de longitud
(normalmente cm-1) que se obtiene a partir de la siguiente ecuacin:

Donde vg = c/ng es la velocidad de grupo y Rstim (), Rabs() son

las tasas de emisin estimulada y absorcin.

El clculo de g() se realiza en forma numrica, obtenindose curvas

que muestran su valor, en funcin de la energa de la radicacin
expresada en eV para diferentes valores de la densidad de portadores
inyectados. Un ejemplo de este tipo de curva es la siguiente figura:

Para densidades inferiores a n0, la

ganancia ptica es siempre
negativa y por tanto, no se
consigue emisin estimulada. Si la
densidad
de
portadores
inyectados es n0
existen
longitudes de onda para las que
se produce emisin estimulada. A
mayor valor de la densidad de
portadores inyectados, mayor es
la zona del espectro para la que
se obtiene amplificacin ptica.

Tambin puede observarse que el mximo valor de la

ganancia se desplaza hacia longitudes de onda ms cortas
(mayores valores de energa) al incrementarse la densidad
de portadores inyectados.
De estas curvas puede deducirse que cuanto mayor es el
dopaje del semiconductor, crece la ganancia ptica, porque
aumenta la densidad de portadores. Y viceversa, cuanto
menos impurezas inyectamos en el semiconductor,
disminuye la cantidad de portadores y por tanto, la
ganancia ptica disminuye. Con esto y la forma de las
curva, se concluye que lo que interesa es trabajar en las
zonas de los picos, donde se consigue una mayor ganancia
con menos dopaje del semiconductor.

Electrones y huecos
Electrones saltando desde una banda de valencia
dejan un hueco
Material intrnseco (Si puro): no dopado, a
temperatura constante , el nmero de huecos es
igual al nmero de electrones libres
Material extrnseco:
Dopado con impurezas
donoras (tipo N) o aceptoras (tipo P).

Juntura p-n

La energa debido a la recombinacin de electrones y

huecos puede liberarse en forma de luz: Eg = hv

Geometra de Lser o LED

Tpicamente: w = 10, d = 0,2, L = 100-400

Para un mejor acoplamiento de la luz en la fibra y
para concentrar la corriente, el ancho w de la fuente
debe ser limitado.

Heterojunturas
Interfaz entre dos semiconductores con diferentes
energas de onda de abertura Eg.
Heterojuntura doble: dos heterojunturas.
Confinamiento de la luz en la regin activa a causa de:
Concentracin de electrones en la regin activa
Indice de refraccin ms alto en la regin activa (guiaonda).

Reduccin de la corriente umbral para provocar emisin

estimulada:
Homojuntura: corriente umbral 1 A
Heterojuntura: corriente umbral 50 200 mA.

Heterojunturas

Indice de
refraccin

Laser: heterojuntura doble

LED: Curvas de potencia

LED: caractersticas
Estructura LED basada en heterojuntura doble.
Luz generada por emisin espontnea: no
polarizada, gran ancho de banda espectral (tpico
80 nm @ 1310 n).
Curva P-I lineal salvo cuando la corriente es muy
alta.
No presenta corriente umbral!
Frecuencia de modulacin < 200 MHz.

Radiacin de un LED
Si el campo elctrico sobre la superficie emisora vara con
fase aleatoria, la luz emitida presenta una distribucin
lambertiana: I cos ( desviacin angular respecto a la
normal, I intensidad).
A causa de esto: Bajo acoplamiento en la fibra.
En forma general: si la luz emitida sigue una distribucin
I (cos)m , la potencia acoplada Pc, ser, con Ps:
potencia fuente:

Pc / Ps = 1- (cos)m+1

Distribucin Lambertiana

LED emisor superficial

Tambin llamado LED Burrus, surface emitting LED.

Emisin restringida en una pequea regin activa.
Potencia inyectada en una fibra tpicamente del orden
-23dbm (50 W)

LED de emisin lateral

Edge Emitting LED en ingls.

Presenta la misma estructura de un Lser, pero con una
capa anti-reflectiva en las caras, para prevenir emisin
estimulada.
Gua de onda en la regin activa provoca un
estrechamiento de la radiacin.
Potencia inyectada en una fibra tp. -13 dbm.

Laser Diodes (LD)

2 condiciones para efecto lasing:
Inversin de la poblacin
Realimentacin ptica (resonancia)
Inversin de poblacin se produce cuando el
nmero de electrones inyectados sobrepasa
umbral Nt (transparencia)
Cuando N > Nt, la onda propagada en LD se
amplifica con un factor egz (z: longitud de
propagacin), g = ganacia > 0.

Ganancia (, N)

Quamtum well, -wire, dot Lasers

Idea: restringir el nmero de estados de energa
posibles de los electrones.
Cmo se hace?: restringiendo las dimensiones de
la regin activa (hasta 0.005 0.010 m, es decir
7 a 15 tomos) (cfr bulk laser: d = 0.2 m).
En una direccin: quantum well
En dos direcciones: quantum wire
En tres direcciones: quantum dot

MQW: Multiple Quantum Well lasers: multiples

regiones activas.

Ventajas de Quamtum well Lasers

Corriente de umbral ms baja.
Necesita menos corriente para la misma
potencia.
Menor dependencia de la temperatura.
Mejor velocidad de modulacin
Menor ancho de banda espectral.

Curva P-I (LD)

d quantum efficiency:
Razn de los fotones que
salen a los fotones
generados.
q carga del electrn:
1,6 x 10-19 C
Ith corriente umbral

Curva P-I (por efecto de la temperatura)

Alta dependencia de la temperatura.

I0, T0 determinados experimentalmente.

Laser Fabry - Perot

Espejos: puliendo las caras de las junturas. Reflexin de
Fresnel en la interfaz con el aire (n=3,5, R = 30 %)
Indice de grupo (ng): Dispersin.
Valores tpicos: L = 200 -400 m. = 0.5 1 nm.
Muchos modos logran umbral de efecto lser (espectro
multimodo). Modo primario es el ms cercano de la suma
de curva de ganacia.
Ancho de banda 3 db: 2 5 nm.
Mode suppression ratio MSR = Pmain mode / P1st side mode
MSR = 20 30 db. MSR proporcional a la potencia

Espetro de un LD Fabry - Perot

LD Fabry Perot: estructura

Modulacin de un LD
Polarizacin cercana al umbral, modulado a un
valor mucho mayor (large signal modulation)
Aplicacin de un escaln de corriente:
Retraso d (2 -5 nsec) si Ibias < Ith. Por eso normalmente
Ibias > Ith, pero Ith dependiente de la temperatura.
Oscilaciones de relajacin: intercambio de energa
entre fotones y electrones.

LD off - on

Sensibilidad de LD a potencia reflejada

Componentes de emisin espontnea causan
fluctuaciones aleatorias de amplitud.
Fluctuaciones de amplitud causan fluctuaciones
de fase aumentado el ancho espectral.

Debido a que la potencia reflejada aumenta la

emisin espontnea, cada potencia reflejada de
vuelta en el LD (proveniente de empalmes,
conectores, etc.) debe ser minimizada.

Requerimientos de una fuente ptica

Compatibles con el acoplamiento de la luz en la
fibra. Idealmente alta direccional.
Debe seguir exactamente a la seal elctrica.
Longitud de onda coincidente o cercana a aquella
donde la fibra tiene baja perdida y dispersin.
Potencia debe sobrepasar todas las prdidas del
trayecto.
Espectro angosto para minimizar la dispersin.
Bajo consumo de energa.
Salida estable.
Econmica.

Fuentes pticas
Las fuentes pticas son componentes activos en un
sistema de comunicaciones por fibra ptica, cuya
funcin es convertir la energa elctrica en energa
ptica, de manera eficiente de modo que permita que la
salida de luz sea efectivamente inyectada o acoplada
dentro de la fibra ptica.
Las longitudes de onda ms usadas son:
850 nm (distancias cortas)
1310 nm (Sin dispersin del material)
1550 nm (fibras monomodo).

Los emisores de luz para comunicaciones pticas que

existen son de dos tipos:
Emisores de luz no coherente: LED (Light Emitting Diode)
Emisores de Luz coherente: LD (Laser Diode)

Tipos de fuentes pticas

El laser de semiconductores (diodo laser) y el LED (diodo
electroluminiscente) se usan universalmente como fuentes
luminosas en los sistemas de comunicaciones pticas,
debido a ningn otro tipo de fuente ptica puede modularse
directamente a las altas velocidades de transmisin
requerida, con tan baja excitacin y tan baja salida.

Diodo emisor de luz (Light Emitting Diode)

Las fuentes de luz no coherente LED son una unin p-n polarizada que
emiten radiacin ptica de acuerdo con la intensidad elctrica que se
haga pasar por la misma.

Bsicamente existen tres clases de diodos LED utilizados en los

sistemas de transmisin de fibra ptica y son:

LED de emisin lateral

o por el borde, ELED.

LED sper luminiscente, SLD.

LED emisin superficial,

SLED.

Los LEDs se utiliza generalmente en sistemas de

comunicacin con:

Fibras multimodo de apertura numrica alta.

Secciones de regeneracin pequea o
recorridos cortos como en redes locales o
tendidas en pequeas reas.
Baja velocidades de modulacin, funcin del
ancho de banda permitido.

LASER (Light Amplification by Simulated Emission of

Radiation).
Son Fuentes de luz coherente de emisin estimulada con
espejos semi-reflejantes formando una cavidad resonante, la
cual sirve para realizar la retroalimentacin ptica.
El laser se caracteriza por
emitir haces luminosos
estimulados y por lo tanto
coherentes, lo que produce
que
se
aumente
la
potencia
de
salida,
disminuyan los anchos
espectrales y el haz de luz
sea mucho mas directivo.
Entre los principales tipos
de diodos laser se tiene:

Fabry Perot

VCSEL
(Vertical-Cavity SurfaceEmitting Laser)
DFB
(Distributed FeedBack Laser)

DBR
(Didtributed Bragg Reflector)

Lser se utiliza generalmente en sistemas de

comunicacin con:

Potencias pticas de salida alta.

Fibras nomomodo o multimodo.
Alta velocidad mxima de modulacin y
grandes capacidades de transmisin.
Gran longitud, donde se requiere alta
potencia y baja dispersin en la fibra.

Diferencias entre Diodos LED y LD

Emisin de luz de LED-ILD

Item
Tipo de Fibra
Tx de Datos
Tiempo de
vida
Costo

LED
MM
Bajo

LD
SM, MM
Alto

Largo
Bajo

Corto
Alto

Ventajas y desventajas del LD respecto al LED

Ventajas Laser
Frecuencia de modulacin ms
alta.
Potencia ptica alta (LED: w;
LD: mW).
Acoplamiento de la fibra a la
fuente ms eficiente.
Ancho espectral ms estrecho
(menor dispersin cromtica)

Desventajas Laser
Efecto Laser comienza desde
una corriente umbral (50 mA).
Electrnica ms complicada.
Ms cara.
Vida til ms corta (debido a
corrientes ms altas)

Generalmente, se utiliza LD en telecomunicaciones

y LED en trasmisiones de datos (LAN)

Transmisor ptico

Controlador:
Generalmente lo constituye la fuente de alimentacin que, en
ausencia de modulador externo, permite tambin modular la fuente
ptica (control sobre la inyeccin de corriente) con la seal de
entrada.

Modulador:
Los dos principales mtodos empleados para variar la seal ptica de
salida de los diodos son: La modulacin PCM para sistemas digitales
y la Modulacin AM, para sistemas analgicos.

Acoplador:
Micro lentes para focalizar la luz en la entrada de la fibra.

Fuente ptica:
Las fuentes pticas son componentes activos en un sistema de
comunicaciones por fibra ptica, cuya funcin es convertir la energa
elctrica en energa ptica, de manera eficiente de modo que permita
que la salida de luz sea efectivamente inyectada o acoplada dentro
de la fibra ptica.

Ejemplos de fuentes pticas

Caractersticas:
8 canales de mdulos de fuente seleccionables por el usuario de laser.
Estabilidad de la longitud de onda de 3pm con estabilidad de la energa
de 0.003dB.
Fuentes especificadas cliente del WDM DFB que cubren S, C, y L vendas
en hasta 20mW por el canal.
Modulacin sncrona interna a 500KHz.
Mdulos de interruptor pticos de fibra disponibles.
Interfaces GPIB/IEEE488 y RS-232.

Esta nueva fuente viene equipada con un potencimetro, que permite adaptar la
potencia de la luz a su aplicacin. Puede incluir opcionalmente un mecanismo de
obturacin controlable, as como un sistema de regulacin remoto va Ethernet o
RS-232 que permite el control desde cualquier sistema externo.

MODELO

SCH-A20960
SCHA20960.1
SCHA20960.2
SCH-

Fuente
Long.
de
Color de
Iluminaci
Onda
n
LED
LED
LED
LED

roja
blanc
a
verd
e
azul

625
432
525
470

Dimensiones

Control

129x197x63
RSmm
232/Ethernet
129x197x63
RSmm
232/Ethernet
129x197x63
RSmm
232/Ethernet
129x197x63
RS-

ELINCA produce fuentes de luz con tres tipos de familias de las lmparas: Los
LED, HALGENO, HALURO del METAL, en diversos wattages a partir del 3
labran 250w. El denominador comn de la amplia gama de fuentes de luz es el
alto rendimiento, la larga vida, la instalacin fcil y el mantenimiento reducido.
Cuerpo en de aluminio y/o plateado de metal sacada. Pintura de epoxy.
Ventiladores de enfriamiento silenciados del alto rendimiento.
Fusibles de la proteccin y protecciones termales del recomenzar automtico.
Reflectores en vidrio fresco dicroico del espejo o aluminio estupendo-puro
metalizado del alto vaco.
Color, IR y filtros ULTRAVIOLETA en vidrio con el tratamiento dicroico.
Versiones IP40 a peticin.
Voltajes especiales a peticin.

Media Converter Adecomm

igero ptico de fibra del LED, Fuente de luz LED (ORP-

LEDs

External quantum efficiency: is due to reflections in the

Interface air-semiconductor

= Photo power out/electrical power

Light Emitting Diode (LED)

LED v.s. Incandescent (Edisons lightbulb) and Flourescent

Bulbs
Much longer life span (105 - 106 hrs v.s. 103 / 104 hrs)
Suitable for applications that are subject to frequent on-off cycling
Efficiency: better than incandescent but currently worse than
flourescent bulbs

LEDs for lighting

12 Volt MR16 LED spotlight bulbs

Each LED spotlight has 20 ultrabright 15,000mcd LEDs producing
a similar amount of light to a 20W halogen bulb
1 Watt of power!

LED Efficiency

Internal Quantum Efficiency (int)

Definition: ratio of the number of electrons
flowing in the external circuit to the number of
photons produced within the device
Has been improved up to 80%

External Quantum Efficiency

Definition: The percentage of photons that can
be extracted to the ambient.
Typically 1% ~ 10%
Limiting factor of LED efficiency
Improvement techniques: dome-shaped
package, textured surface, photonic crystal,

Source: Lecture Note of Optoelectronic Devices (by Sheng-fu

Horng, Dept. of Electrical Engrg, NTHU, Hsinchu, Taiwan)

Optoacopladores

Aislacin elctrica entre dos

circuitos. Comunicacin ptica

Tpicamente se utilizan haces de

luz entre el rojo al infrarrojo

Caractersticas importantes:

Tensin de aislacin
Buena relacin de transferencia
Baja capacidad de acoplamiento
Imnunidad a interferencias