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EL MOSFET DE POTENCIA
D
G
G
Canal N
Conduccin debida
a electrones
Canal P
Conduccin
debida a huecos
EL MOSFET DE POTENCIA
D
G
+
VGS
-
- Curvas de salida
ID
+
VDS
S -
ID [mA]
VGS = 4,5V
VGS = 4V
VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V
Referencias normalizadas
- Curvas de entrada:
No tienen inters (puerta aislada del canal)
VDS [V]
Zonas de trabajo
ID
2,5K
EL MOSFET DE POTENCIA
+
-
VGS
+
VDS
-
ID [mA]
VGS = 4,5V
VGS = 4V
VGS = 3,5V
10V
VGS = 3V
VGS = 2,5V
12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
EL MOSFET DE POTENCIA
S
N+
P-
D
N+
D
G
S
Substrato
EL MOSFET DE POTENCIA
n+
Fuente
Puerta
n+
nn+
Drenador
Estructura planar
(D MOS)
n+
Puerta
nn+
Drenador
Estructura en
trinchera
(V MOS)
S
G
D
EL MOSFET DE POTENCIA
RDS(on)=9,4m, ID=12A
RDS(on)=5,5m, ID=86A
RDS(on)=9m, ID=93A
RDS(on)=12m, ID=57A
RDS(on)=1.5m, ID=240A
EL MOSFET DE POTENCIA
EL MOSFET DE POTENCIA
Baja tensin
Ejemplo de
clasificacin
Media tensin
Alta tensin
15 V
100 V
500 V
30 V
150 V
600 V
45 V
200 V
800 V
55 V
400 V
1000 V
60 V
80 V
EL MOSFET DE POTENCIA
A 100C, ID=230,7=16,1A
3 Resistencia en conduccin
Es uno de los parmetros ms importantes en un
MOSFET. Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo
Se representa por las letras RDS(on)
Para un dispositivo particular, crece con la temperatura
EL MOSFET DE POTENCIA
3 Resistencia en conduccin
Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes,
EL MOSFET DE POTENCIA
EL MOSFET DE POTENCIA
EL MOSFET DE POTENCIA
EL MOSFET DE POTENCIA
5 Velocidad de conmutacin
Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos
usados en electrnica de potencia (tiristores, transistores bipolares,
IGBT, etc.)
EL MOSFET DE POTENCIA
Cdg
G
Cgs
Cds
5 Velocidad de conmutacin
Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran informacin de
tres capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:
EL MOSFET DE POTENCIA
Coss
Ciss
5 Velocidad de conmutacin
EL MOSFET DE POTENCIA
5 Velocidad de conmutacin
La carga y la descarga de estas capacidades parsitas generan
prdidas que condicionan las mximas frecuencias de conmutacin
de los MOSFET de potencia
EL MOSFET DE POTENCIA
V1
En la carga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12
C
En la descarga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12
Energa total perdida: CV12 = V1QCV1
Adems, en general estas capacidades parsitas retrasan las
variaciones de tensin, ocasionando en muchos circuitos convivencia
entre tensin y corriente, lo que implica prdidas en el proceso de
conmutacin
5 Velocidad de conmutacin
Anlisis de una conmutacin tpica en conversin de energa:
- Con carga inductiva
- Con diodo de enclavamiento
EL MOSFET DE POTENCIA
IL
Cdg
V1
Cds
R
Cgs
V2
5 Velocidad de conmutacin
Situacin de partida:
- Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conduccin
- Por tanto:
EL MOSFET DE POTENCIA
- En esa situacin, el
interruptor pasa de B a A
IL
iD
vDG
-
Cdg
A
V1
iDT
Cds
+
vGS
Cgs
+
vDS
-
V2
5 Velocidad de conmutacin
vGS
VGS(TO)
Pendiente determinada
por R, Cgs y por Cdg(V2)
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA
iDT
IL
IL
iD
vDG
-
Cdg
A
V1
+
vGS
iDT
Cds
+
-
Cgs
+
vDS
-
V2
5 Velocidad de conmutacin
vGS
BA
VGS(TO)
EL MOSFET DE POTENCIA
vDS
iDT
IL
IL
vDG
-
Cdg
+
+
A
V1
+
vGS
iDT
Cds
+
-
Cgs
+
vDS
-
V2
5 Velocidad de conmutacin
vGS
V1
BA
VGS(TO)
iDT
IL
IL
vDG
-
Cdg
iDT
A
V1
+
-
EL MOSFET DE POTENCIA
vDS
+
vGS
Cds
+
-
Cgs
vDS
-
V2
5 Velocidad de conmutacin
vGS
BA
VGS(TO)
V1
VM
vDS
iDT
IL
t0 t1 t2 t3
Cdg
PVI
+
vGS
iDT
+
iDT
EL MOSFET DE POTENCIA
+
-
Cgs
Cds -
vDS V2
5 Velocidad de conmutacin
BA
VGS(TO)
V1
VM
iDT
IL
t0 t1 t2 t3
iCdg+iCds+IL
iCdg
Cdg
PVI
+
vGS
iDT = IL
iCds
+
EL MOSFET DE POTENCIA
vDS
vGS
+
-
Cgs
Cds -
vDS
IL
5 Velocidad de conmutacin
BA
VGS(TO)
V1
VM
EL MOSFET DE POTENCIA
hasta V1
- No hay convivencia tensin
vDS
iDT
t0 t1 t2 t3
iDT = IL
iCdg
IL
Cdg
iL
vGS
PVI
+
vGS
+
-
Cgs
Cds -
vDS
IL
5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga
de puerta:
vGS
EL MOSFET DE POTENCIA
iV1
Qgs
t0
Qdg
t2 t3
Qg
iV1
V1
5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga de puerta:
Informacin de los fabricantes
EL MOSFET DE POTENCIA
IRF 540
BUZ80
MOSFET de 1984
5 Velocidad de conmutacin
Otro tipo de informacin suministrada por los
fabricantes: conmutacin con carga resistiva
VGS
VDS
EL MOSFET DE POTENCIA
90%
10%
td on
td off
tr
iDT
tf
RD
td on : retraso de encendido
RG
tr : tiempo de subida
td off : retraso de apagado
tf : tiempo de bajada
+
-
vGS
+
vDS
-
5 Velocidad de conmutacin
Otro tipo de informacin suministrada por los
fabricantes: conmutacin con carga resistiva
EL MOSFET DE POTENCIA
IRF 540
iDT
RD
td on : retraso de encendido
RG
tr : tiempo de subida
td off : retraso de apagado
tf : tiempo de bajada
+
-
vGS
+
vDS
-
APLICACIONES:
Alimentacin de motores e Inversores de alto rendimiento.
Puentes en corrientes trifsicas y convertidores de energa.
EL MOSFET DE POTENCIA
REFERENCIAS:
www.uniovi.es/ate/sebas/S_E.../Leccion%205%20MOSFET.ppt
EL MOSFET DE POTENCIA