Professional Documents
Culture Documents
(Field Effect
Transistor)
HISTORIA
El transistor de efecto de campo fue patentado
porJulius Edgar Lilienfelden 1925 y porOskar
Heilen 1934, pero los dispositivos
semiconductores fueron desarrollados en la
prctica mucho despus, en 1947 en los
Laboratorios Bell, cuando el efecto transistor pudo
ser observado y explicado. El equipo detrs de
estos experimentos fue galardonado con el
Premio Nobel de Fsica. Desde 1953 se propuso su
fabricacin porVan Nostrand(5 aos despus de
los BJT). Aunque su fabricacin no fue posible
hasta mediados de los aos 80's ..
Curva caracterstica
del transistor FET
donde:
- IDSS es el valor de corriente cuando laVgs= 0
-Vgs(off) es el voltaje cuando ya no haypasode
corriente entre drenaje y fuente (ID = 0)
-Vgses el voltaje entre entre la compuertay la
fuente para la que se desea saber ID
CLASIFICACION
Podemos clasificar los transistores de efecto campo
segn el mtodo de aislamiento entre el canal y la
puerta:
ElMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).
ElJFET(Junction Field-Effect Transistor) usa una
unin p-n
ElMESFET(Metal-Semiconductor Field Effect
Transistor) substituye launin PNdel JFET con una
barrera Schottky.
En elHEMT(High Electron Mobility Transistor),
tambin denominado HFET (heterostructure FET), la
banda de material dopada con "huecos" forma el
aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.
LosMODFET(Modulation-Doped Field Effect
Transistor)
CLASIFICACION
LosIGBT(Insulated-gate bipolar transistor) es un
dispositivo para control de potencia. Son
comnmente usados cuando el rango de voltaje
drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. Aun as
losPower MOSFETtodava son los dispositivos
ms utilizados en el rango de tensiones drenajefuente de 1 a 200V.
LosFREDFETes un FET especializado diseado
para otorgar una recuperacin ultra rpida del
transistor.
LosDNAFETes un tipo especializado de FET que
acta comobiosensor, usando una puerta
fabricada de molculas de ADN de una cadena
para detectar cadenas de ADN iguales
. La caracterstica de losTFTque los distingue, es
que hacen uso delsilicio amorfoo delsilicio