* Diodos

*Se puede demostrar por medio de la fsica de

estado slido que las caractersticas generales

de un diodo semiconductor se pueden definir
mediante la siguiente ecuacin, conocida
como ecuacin de Shockley, para las regiones
de polarizacin en directa y en inversa:

A
Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Boylestad. 10 Edicin

* I s es la corriente de saturacin en inversa

* V D es el voltaje de polarizacin en directa

aplicado a travs del diodo

* n es un factor de idealidad, el cual es una
funcin de las condiciones de operacin y
construccin fsica; vara entre 1 y 2 segn una
amplia diversidad de factores. (se supondr n
=1 a menos que se indique de otra manera).

A
El voltaje V T en la ecuacin se llama voltaje
trmico a continuacin su definicin.

*El voltaje V T en la ecuacin se

llama voltaje trmico y est
determinado por

* A una temperatura de 27C (temperatura

comn para componentes en un sistema de

operacin cerrado), determine el voltaje
trmico V T .

Veremos en los anlisis siguientes que la

situacin ideal es que I s sea de 0 A en la
regin de polarizacin en inversa. El
hecho de que en la actualidad por lo
general ocurra en el intervalo de 0.01 pA
a 10 pA en comparacin el de 0.1 mA a 1
mA de hace unas cuantas dcadas es un
punto a favor de la industria
manufacturera. Comparando el valor
comn de 1 nA con el nivel
de 1 mA de hace aos se ve que se logr
un factor de mejora de 100,000.

Con valores positivos de V D el primer trmino de la ecuacin

anterior crecer con rapidez y anular por completo el efecto
del segundo trmino. El resultado es la siguiente ecuacin, la
cual slo tiene valores positivos y adopta la forma exponencial e
x que aparece

* La

curva exponencial de la
figura se incrementa muy
rpido
con
los
valores
crecientes de x. Con x=0,
e^0=1, en tanto que con x=5
salta a ms de 148. Si
continuamos x = 10, la curva
salta a ms de 22,000. Es
evidente, por consiguiente,
que
a
medida
que
se
incrementa el valor de x, la
curva se vuelve casi vertical,
una conclusin importante que
se habr de recordar cuando
examinemos el cambio de la
corriente
con
valores
crecientes del voltaje aplicado.

Tericamente, con todo perfecto, las

caractersticas de un diodo de silicio
deben ser como las muestra la lnea
punteada de la figura. Sin embargo, los
diodos de silicio comerciales se desvan de
la condicin ideal por varias razones,
entre ellas la resistencia de cuerpo
interna y la resistencia de contacto
externa de un diodo. Cada una contribuye
a un voltaje adicional con el mismo nivel
de corriente, como lo determina la ley de
Ohm, lo que provoca el desplazamiento
hacia la derecha que se muestra en la
figura. El cambio de las escalas de
corriente entre las regiones superior e
inferior de la grfica se observ antes.
Para el voltaje V D tambin hay un cambio
mensurable de escala entre la regin
derecha de la grfica y la izquierda. Con
valores positivos de V D la escala est en
dcimas de volts, y en la regin negativa
est en decenas de volts.

*Por ejemplo, si suponemos que el rea de

contacto que se requiere para manejar un

diodo de 1 A es 1000 veces la de un diodo con
una corriente directa nominal mxima de 1 mA
(con Is=1 nA), entonces, de acuerdo con el
enunciado anterior, la corriente de saturacin
en inversa del diodo de 1 A ser 1000 veces la
del diodo de 1 mA o 1 mA (un nivel que podra
ser preocupante en algunas aplicaciones).

* Si una aplicacin requiere un valor PIV mayor

que el de una sola unidad, se pueden conectar

en serie varios diodos de las mismas
caractersticas. Los diodos tambin se
conectan en paralelo para incrementar la
capacidad de llevar corriente.

Aun cuando la escala de la figura est en dcimas de volts en la regin

negativa, hay un punto donde la aplicacin de un voltaje demasiado
negativo producir un cambio abrupto de las caractersticas, como se
muestra en la figura. La corriente se incrementa muy rpido en una
direccin opuesta a la de la regin de voltaje positivo. El potencial de
polarizacin en inversa que produce este cambio dramtico de las
caractersticas se llama potencial Zener y su smbolo
es VZ .

*Diodos -Arseniuro de
galio (GaAs)

Ahora es importante compararlo con otros dos

materiales de primordial importancia: GaAs y
Ge.

A medida que el punto de operacin de un diodo se mueve de una

regin a otra, su resistencia tambin cambia debido a la forma no
lineal de la curva de caractersticas.