UNIVERSIDAD RICARDO PALMA

INTRODUCCION A LA INGENIERIA
MECATRONICA

TRASISTORES DE UNION
BIPOLAR (BJT)
DOCENTE: Ing. Javier Rivas Len

John Bardeen
(Estados Unidos, 1908 - 1991)
Fsico estadounidense. Galardonado en dos ocasiones con el
Premio Nobel de Fsica, en 1956 y 1972, el suyo constituye un caso
excepcional en el mundo de la ciencia moderna. Comparti su
primer premio con William B. Shockley y Walter H. Brattain, por la
invencin del transistor, y el segundo, con Leon N. Cooper y John
R. Schrieffer, por el desarrollo de la teora BCS de la
superconductividad.
Se licenci en ingeniera elctrica en la Universidad de Wisconsin
(Madison) y obtuvo el doctorado en fsica matemtica en la
Universidad de Princeton. Desarroll su labor cientfica en primer
lugar en el laboratorio del departamento de Ordenanza Naval de
Estados Unidos durante la Segunda Guerra Mundial.
Desde 1951 hasta 1975 ejerci como profesor en la Universidad
de Illinois. Durante este perodo desarroll, en colaboracin
con Cooper y Schrieffer, la labor terica en la cual se cimentaron
todas las
investigaciones posteriores en el terreno de la
superconductividad, denominada teora BCS por las iniciales de los
apellidos de sus creadores.

ELECTRONICA
Desde la invencin del bulbo trodo de vaco, por Lee
De Forest en 1907, permiti que la radio se desarrollara;
hasta que en 1929, el tubo de vaco vino a
conocerse como el tubo electrnico, entonces surga
una nueva palabra con la que se identific toda una
industria.
Fue
entonces
que
los
ingenieros
interesados
por la miniaturizacin de la electrnica volvieron a
experimentar con semiconductores, produciendo la
invencin del transistor. Un semiconductor es un
conductor electrnico cuya resistividad se ubica entre la
de los metales y la de los aislantes. Con la evolucin de
la teora de la mecnica cuntica en el periodo 1926
1936, se increment el conocimiento de los
semiconductores.
Fue en julio de 1945 cuando se estableci un
programa de investigacin de semiconductores en los
Bell Laboratories. Jhon Bardeen, William Shockley y
Walter H. Brattain inventaron el primer
transistor,
los
cuales
estuvieron
disponibles

TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR

Es un dispositivo semiconductor activo que consta de tres
terminales o regiones semiconductoras.
Estas tres regiones semiconductoras son:
- La regin de emisor
- La regin de la base
- La regin del colector

TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR

Cada una de las tres regiones semiconductoras del
transistor tiene un terminal que la conecta al mundo
exterior: Emisor (E), Base (B) y Colector (C).
El transistor consta de dos uniones o junturas pn: la unin o
juntura emisor base (EBJ) y la unin o juntura colector base
(CBJ). Dependiendo de la condicin de polarizacin (directa
o inversa) de cada una de estas uniones se obtienen
diferentes modos de operacin del BJT.

FABRICACION DEL TRANSISTOR

Modos de fabricacin del
Transistor.
a) Punto de Contacto
b) Unin de aleacin

a)

b)

c) Crecimiento de la unin
d) Difusin
c)

d)

CURVA CARACTERISTICA DEL BJT

El modo activo es el que se
utiliza si el transistor va a
operar como amplificador.
Las operaciones de
conmutacin utilizan tanto el
modo de corte como el de
saturacin.

Mientras el transistor se encuentra en la regin activa, el colector acta

como una fuente de corriente con un resistencia de salida alta
(finita), en saturacin el transistor se comporta como un interruptor
cerrado con una resistencia de cierre RCEsat .

OPERACIN DEL TRANSISTOR

Unin polarizada directamente:

El ancho de la regin de
vaciamiento se ha reducido, lo
que produce un flujo denso de
portadores mayoritarios del
material tipo p al tipo n.

Unin polarizada inversamente:

El flujo de portadores mayoritarios es

cero, solo presenta flujo de portadore
minoritarios.

OPERACIN DEL TRANSISTOR

La polaridad del BJT, npn o pnp est indicado mediante la direccin de

la punta de la flecha en el emisor; esta punta de flecha apunta a
la direccin del flujo normal de la corriente en el emisor.
En las figuras se puede observar los transistores npn y pnp
polarizados para operar en modo activo.

CONFIGURACION DEL TRANSISTOR

Configuracin en Base comn

CONFIGURACION DEL TRANSISTOR

Configuracin en Emisor comn

= IC / IB
IC / IB

CONFIGURACION DEL TRANSISTOR

Configuracin en Colector comn

Este tipo de
configuracin es utilizado
para acoplamiento de
impedancia de salida.

TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR

PNP

NPN

Smbolos esquemticos para los BJT de tipo

PNP y NPN. B=Base, C=Colector y E=Emisor

TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO
Es un dispositivo unipolar, opera como un dispositivo controlado
por voltaje, ya sea con corriente de electrones en un FET de canal n
o con corriente de huecos en un FET de canal p.

Un JFET de canal n
se construye
empleando una barra
de material tipo n
dentro de la cual se
difunde un par de
regiones tipo p.

OPERACIN DEL JFET

CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL

JFET
Regin de frontera:
vDG - Vp
vDG - Vp
estriccin

Regin Trodo
Regin de

Regin Trodo:

Regin de estriccin:

iD = I DSS 2 ( 1 vGS / Vp ) ( vDS / -Vp ) - ( vDS /

Vp )2

iD =
)2

DS

= ( 2 IDSS / - Vp ) ( 1 - vGS / Vp ) -1

IDSS ( 1 - vGS / Vp

OTROS DISPOSITIVOS
Los Fotodiodos
La aplicacin
de
luz
dar
como resultado una transferencia
de energa de ondas luminosas
incidentes a la estructura
atmica, originando un
incremento de portadores
minoritarios y un mayor nivel de
corriente inversa.

El Fototransistor
Puede trabajar de dos modos:
- Como un transistor normal con
IB.
- Como fototransistor, cuando la
luz que incide en este elemento
hace las veces de corriente de
base Ip
IBT = IB + Ip

OTROS DISPOSITIVOS
El diodo LED
Dispositivo semiconductor
que emite luz monocromtica
cuando se
polariza en
directa y es atravesado por
corriente elctrica

Compuesto

Color

Arseniuro de galio
(GaAs)

Infrarrojo

Arseniuro de galio y
aluminio (AlGaAs)

Rojo e
infrarrojo

Arseniuro fosfuro de
galio (GaAsP)

Rojo, naranja y
amarillo

Nitruro de galio (GaN)

Verde

Fosfuro de galio (GaP)

Verde

Seleniuro de zinc (ZnSe)

Azul

Nitruro de galio e indio

(InGaN)

Azul

Carburo de silicio (SiC)

Azul

Diamante (C)

Ultravioleta

Silicio (Si)

En desarrollo

Compuestos empleados en la construccin de

diodos LED.

OTROS DISPOSITIVOS
Celdas Fotoconductivas
Semiconductor de dos terminales,
cuya resistencia variar con la luz
incidente
Cuando aumenta la intensidad
de iluminacin sobre el
dispositivo, la resistencia de la
celda disminuye.
Materiales:
CdS, sulfuro de cadmio
CdSe, seleniuro de cadmio

Introduccin a la microelectrnica
y los circuitos integrados
La Microelectrnica.
Es la denominacin general dada a los componentes electrnicos
y montajes de circuitos extremadamente pequeos, construidos
con tcnicas de pelcula delgada, pelcula gruesa o
semiconductor.

Circuito Integrado.
Es un caso particular de la microelectrnica, y se
asigna esta denominacin a un circuitos que ha sido
fabricado como un conjunto inseparable de
componentes electrnicos, en una nica estructura, la
cual no puede ser dividida sin que se destruyan sus
propiedades electrnicas.

Introduccin a la microelectrnica y
los circuitos integrados

Caractersticas:
-La tecnologa CMOS es la principal tecnologa digital
-Tendencia a integrar cada vez mas funciones complejas
-Tendencias a integrar circuitos analgicos y digitales en el mismo chip
-Tecnologas de alta frecuencia GaAs y SiGe en expansin en aplicaciones de
comunicacin
-En un chip de 1 cm2 caben 25 millones de transistores de 2x2um2

BIBLIOGRAFIA

Electrnica Teora de Circuitos. Robert Boylestad, Louis Nashelsky.

Dispositivos Electrnicos y Amplificacin de Seales. A. Sedra, K.C. Smith.

Tecnologa del Circuito Integrado microelectrnica. Separata especializada

Guas de Laboratorio de Dispositivos Electrnicos. Laboratorio de Circuitos y Dispositivos

URP

Rectificacin. Federico Miyara. Universidad Nacional de Rosario

Fundamentos de Diseo Microelectrnica. L. Castaar, V. Jimnez, D. Bards.

Elementos de Teora de Control. Universidad del Golfo de Mxico A.C.

Silabo de Dispositivos Electrnicos. Escuela Acadmico Profesional de Ingeniera

Electrnica URP