MATERIALES

SEMICONDUCTORE
S
Ulises Vargas
Febrero 4, 2016

Introduccin
Principios fundamentales
La mayora de los dispositivos fueron
inventados hace dcadas y tcnicas
de diseo de 1930
Diferencias en tamao y velocidad de
operacin
Sistemas completos aparecen en
obleas miles de veces ms pequeas

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 HAY UNA LEY QUE ENUNCIA ESTOS CAMBIOS

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Ley de Moore
Laley de Mooreexpresa que
aproximadamente cada dos aos se duplica el
nmero de transistoresen un microprocesador.
La ley originalmente fue formulada para
establecer que la duplicacin se realizara cada
ao,posteriormente Moore redefini su ley y
ampli el periodo a dos aos.
Es una ley emprica, formulada por el
cofundador de Intel, Gordon E. Moore, el 19 de
abril de 1965, cuyo cumplimiento se ha podido
constatar hasta hoy.
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 Miniaturizacin limitada por:

Calidad del material semiconductor
Tcnica de diseo de redes
Lmites de equipo de fabricacin y procesamiento
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Materiales semiconductores: Germanio, Silicio y Arseniuro de Galio

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Estructura atmica, Silicio y

Germanio
Tienen propiedades nicas
Cuatro electrones de valencia y
forman una red cristalina donde
los tomos sustituidos (dopantes)
pueden cambiar drsticamente
las propiedades elctricas
En estado puro pueden usarse
como semiconductores intrnsecos
El germanio tiene ms electrones
libres y mayor conductividad a
mayor temperatura
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Cristales de Silicio y
Germanio
Los tomos forman enlaces
covalentes y pueden cristalizar
en una red regular como
celosa de diamante. Este
cristal se llamasemiconductor
intrnseco, y puede transportar
una pequea cantidad
decorriente.
El tomo tiene cuatro
electrones que puede
compartir en los enlaces
covalentes
con sus vecinos
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Cristales de Si y Ge
La ilustracin de abajo
muestra la altura del tomo
en la celda unitaria
El patrn de cristalizacin es
el mismo que el diamante, con
dos cubos interpenetrados de
cara centrada y enlaces con
los vecinos ms prximos
Un lado del cubo mide
0.543nm para el Si y 0.566
para el Ge
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Estructura cristalina del

GaAs
El Galio tiene 3 electrones de
valencia y el Arsnico 5
Sus tomos forman enlaces
covalentes y se agrupan en un
cristal cbico centrado en las caras,
similar a la estructura del Silicio

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Semiconducto
res populares
Elementos
Elementos
para
para
Material tipo
Material tipo
P
N

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Enlace covalente

Los enlaces tienden a mantenerse con sus tomos padres en

materiales intrnsecos
An as, en Si se tienen hasta 1.5x10^10 portadores por cc [mL]
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Caractersticas de los
Semiconductores
Factor de movilidad relativa
Mide la capacidad de los electrones de
moverse por todo el material
Tiempos de respuesta 5 veces ms
rpidos en GaAs que en Si

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Semicondu
ctor

n
(cm2/Vs)

Si

1500

Ge

3900

GaAs

8500

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Caractersticas de los
Semiconductores

Coeficiente de temperatura negativo:

al elevarse la temperatura, los
semiconductores rompen enlaces
covalentes y hay mayor
disponibilidad de portadores libres,
contrario a los materiales
conductores
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Teora de

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Cuanto ms
alejado est el
bandas
electrn del
ncleo, mayor es
su estado de
energa y
cualquier electrn
que haya
abandonado a su
tomo padre tiene
un estado de
energa mayor
que todo electrn
que permanezca
en la estructura
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atmica

Teora de bandas
En los
conductores no
hay brecha
energtica
porque la banda
de valencia se
sobrepone a la
banda de
conduccin

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En los
semiconductores
la brecha
energtica es
tan pequea que
la energa
trmica puede
puentear la
brecha para una
pequea
fraccin de los
electrones

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La gran banda de
energa en los
materiales
aislantes indica
que a
temperaturas
ordinarias los
electrones no
alcanzarn el
nivel de
conduccin

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Teora de Bandas en
metales
Los metales son buenos
conductores de la electricidad ,
ya que sus electrones de
valencia estn libres
Las bandas de conduccin y de
valencia estn sobrepuestas y
una fraccin de los electrones
de valencia puede moverse a
travs del material

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Teora de Bandas en
semiconductores
A temperatura finita, el nmero de
electrones que alcanzan la banda de
conduccin y contribuyen a la corriente
se puede modelar con la funcin de Fermi
Esta corriente es pequea comparada
con los semiconductores dopados bajo
las mismas condiciones

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Dopado de semiconductores
La adicin de un porcentaje mnimo
de tomos en la red cristalina del
semiconductor produce enormes
cambios en sus propiedades
elctricas, y genera materiales tipo
p y tipo n

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Materiales tipo p y tipo n

Los tomos de impurezas
con 5 electrones de
valencia (pentavalentes),
producen semiconductores
de tipo n por la contribucin
de electrones extras
Los tomos trivalentes
producen semiconductores
de tipo p por la produccin
de un hueco o falta de
electrn
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Semiconductor tipo n
Generado con impurezas de
tomos pentavalentes como
antimonio, arsnico y fsforo
Aporta electrones libres y
aumenta la conductividad del
semiconductor intrnseco
Permanecen enlaces covalentes
y electrn de tomo donador
Permanece neutro
Tiene electrones muy cerca de
la banda de conduccin y
pueden excitarse fcilmente
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Material tipo p
Generado con impurezas de
tomos trivalentes como boro,
galio e indio
Los electrones son insuficientes
para completar los enlaces
covalentes
Se genera un hueco
El hueco acepta fcilmente
electrones
Los huecos adicionales permiten
la excitacin de los electrones
de la banda de valencia
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PREGUNTAS?

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Cuestionario
Defina:
Material intrnseco
Coeficiente de temperatura negativo
Enlace covalente

Describa la diferencia entre los

materiales tipo p y tipo n

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Referencias
BOYLESTAD, R., NASHELSKY, L.;
Electrnica Teora de Circuitos y
dispositivos electrnicos; 10a
edicin; Mxico; Prentice Hall, 2010.
http://hyperphysics.phyastr.gsu.edu/hbasees/solcon.html

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