El MOSFET convencional, escalado y

estado actual de la tecnologa

Los transistores de efecto campo son

dispositivos unipolares que involucran
principalmente el transporte de los portadores
mayoritarios, ya sean electrones o huecos, en
una capa paralela a la superficie. El ms
utilizado hoy en da es el MOSFET, que se
caracteriza por aislar la capa de transporte del
metal (o polisilicio) de puerta mediante la
utilizacin de un oxido.

Alternativas a los MOSFET

estndar

Una de las principales limitaciones de la tecnologa

convencional se encuentra en que el Si es un material
de baja movilidad. La mayora de los semiconductores
compuestos (GaAs, InP, etc.) tienen movilidades
mayores que la del silicio, pero en la actualidad, a nivel
comercial, no son utilizados en la fabricacin de
MOSFETs principalmente a causa de la dificultad de
obtener aislantes validos [YWK+03], pese al progreso
realizado en los ltimos aos [Dat07, SKK+07, Pas05].

MOSFETs multipuerta
La disminucin de la longitud de canal de los transistores que implica el
escalado lleva a la aparicin de los efectos de canal corto, que
bsicamente consisten en la prdida del control de la carga por parte
del terminal de puerta. Una posibilidad para mejorar esto es el uso de
varias puertas para controlar la carga. Hay principalmente dos
variedades: transistores multipuerta verticales y planares. Los primeros
contienen, por ejemplo, a los FinFET [YCA+02, HLK+00] o los TriGate
[KDD+06], mientras que los segundos son principalmente derivados de
la tecnologa SOI [CC03].

Nuevos materiales
Aunque en las ltimas dcadas la tecnologa CMOS basada en silicio
ha sido la dominante, en el escalado por debajo de los 100 nm las
mejoras en rendimiento se han hecho cada vez ms difciles
mediante el escalado tradicional. Adems de las nuevas
arquitecturas, la industria tambin ha empezado a utilizar nuevos
materiales para lograr mejoras en el rendimiento. Un ejemplo es la
introduccin de materiales de alta permitividad para sustituir al di
xido de silicio como oxido de puerta y disminuir as las corrientes
de fuga. Sin embargo, la introduccin de nuevos materiales en el
canal de los transistores supone un cambio mucho ms drstico

Tcnicas de simulacin

En la actualidad existe una jerarqua bien

establecida de tcnicas que pueden ser utilizadas en
la simulacin de dispositivos semiconductores
modernos [Rav98]. presentamos una escalera de
jerarqua que los clasifica en base a dos parmetros,
la complejidad computacional y el tiempo de
simulacin.

Monte Carlo

Un mtodo alternativo de simular el transporte de portadores que no

implica la discretizacin de la BTE o de sus momentos es la
aproximacin Monte Carlo (MC) [JL89, JR83a]. El mtodo MC es una
tcnica estocstica que utiliza nmeros aleatorios para obtener una
aproximacin estadstica a la solucin exacta de la BTE. Este mtodo
traza las trayectorias clsicas de los portadores en un dispositivo
simulado por medio de la dispersin de cada partcula despus de un
periodo de vuelo libre determinado estocsticamente a travs de las
tasas de dispersin acumulativas

Transporte cuntico
En la cima de la jerarqua de los mtodos de simulacin estn las
tcnicas de transporte cuntico. La modelizacin del transporte
dentro de un slido usando para ello una aproximacin cuntica
completa es muy costosa computacionalmente y poco practica
para simulaciones realistas de dispositivos. Una tcnica que est
ganando popularidad en el campo del transporte cuntico es la
aproximacin de las funciones de Green fuera del equilibrio
(NEGF) [Dat00, MSA+05]. Utiliza un mtodo matemtico
conocido como Funciones de Green para obtener la solucin de
un Hamiltoniano independiente del tiempo. La funcin de Green,
a una energa dada, tiene dos entradas que pueden ser
relacionadas con dos posiciones del espacio real permitiendo
simular reas de un transistor