B) RESPUESTA EN FRECUENCIA

El fotodiodo deber casi siempre detectar potencias pticas variables en el

tiempo que reproducen seales analgicas o digitales.

Comportamiento en frecuencia del dispositivo p-i-n.

Factores que limitan su respuesta cuando la potencia ptica esta modulada

por una seal muy rpida.

Comenzaremos haciendo el calculo de (i)->

Debido a la fuerza del campo elctrico en la zona i, corriente de arrastre en la
misma ser mucho mayor que la de difusin, podemos expresar la concentracin
de los portadores en trminos de la densidad de corriente usando [7.42] y [7.43].
Sustituyendo en [7.44] queda:
.[7.61]

Tomando la transformada de Fourier en la ecuacin [7.61], se obtiene:

[7.63]
Si w=0; debemos tener en cuenta la corriente de desplazamiento, la cuarta ecuacin de
Maxwell tiene la expresin:
[7.65]
E es el campo producido por los electrones y huecos como cargas elctricas que son. Si
no hay iluminacin en la zona intriseca;
[7.73]

Tp y tn son el tiempo que tardara cada tipo de portador en recorrer toda la anchura W
de la zona i.
En esta ultima expresin se ha separado el
factor ,
al resto lo hemos denominado con
F(w)

FIG 7.14. Circuito equivalente

fotodiodo pin, teniendo en cuenta su
respuesta a la frecuencia de
modulacin

 [7.79]

Indica el circuito equivalente de la FIG 7.14

FIG 7.15. Forma de la respuesta

en frecuencia de un diodo p-i-n
Se ha representado:

Los tiempos de transito se minimizan disminuyendo la anchura de la zona i, tiene la

contrapartida de aumentar la capacidad parasita, lo que deteriora la respuesta en
frecuencia.

La respuesta en frecuencia de la fotocorriente generada en la zona n depende del

tiempo de vida medio de los minoritarios tp. En la zona intrinseca los tiempos limitan
de banda, la corriente de difusin n no ser capaz de seguir correctamente seales
que varen a escala

mientras que los tiempos de difusin tpicos son del orden de 1-10ns. Por lo tanto la
fotocorriente de difusin es mucho mas lenta que la zona i, y la respuesta en
frecuencia del dispositivo se degrada tanto mas cuanto mayor sea la fraccin de la
corriente que es generada en la zona volumtrica.

C) RUIDO

Esto requiere en primer lugar, obtener la forma h(t), es decir, de la respuesta

impulsiva del diodo.

Podramos considerar a como la funcin de transferencia del fotodetector y tomando

la transformada inversa obtendramos h(t)

La forma de la corriente instantnea ser: , donde es el punto en el que el fotn nsimo ha sido absorbido.

Se calcula la respuesta media al impulso y es considerada la llegada instantnea de

muchos fotones que ocupan la zona intrnseca con una distribucin (frecuentemente
se toma por simplicidad, se toma una distribucin uniforme en x; en lugar de
exponencial)

FIG. 7.16. representa cualitativamente la forma de un impulso h(t) tpico. Se ha

La
incluido el efecto de la corriente de difusin, que tiende a ensancharlo aun ms.

La varianza del ruido de la oscuridad es:

[7.80]

FIG. 7.16.
Esquemticamente:
Forma de la respuesta
impulsiva de un
fotodiodo pin

7.3.2. FOTODIODO APD

La
respuesta R de un detector debe ser lo mas alta posible para minimizar el efecto
del ruido electrnico.

Un fotodetector que el mejor de los casos entrega una contribucin de un electron

a la corriente por cada foton incidente, tiene limitada su respuesta al valor mximo
con el fin de disponer un fotodetector de gran respuesta, se desarrollo el
denominado fotodiodo de avalancha.

La estructura de un ADP es similar a la del pin con la diferencia de que en vez de la

zona i, suelen aparecer dos subzonas con dopajes distintos.

La tensin inversa de polarizacin aplicada a un APD es bastante elevada () .

Los electrones y los huecos fotogenerados son inmediatamente generados por el

intenso campo elctrico, adquiriendo una gran energa cintica, la fotocorriente de
la seal ser asi:
[7.82]