Unin PN

Celdas Solares
LEDs
Diodo Laser
Fotodetectors
Transistores

Unin PN

Source:

LED: Polarisacin
Directa

Celda solar

El problema con esta disposicin es que la

unin PN captara muy poca luz.

Celda solar

Si el semiconductor N es muy delgado a

travs de l se puede incidir mucha mayor
luz hacia la unin PN

Celdas de Primera
generacin

Eficiencia lmite: 31%

Monocristalina: - 16-19%
Policristalina - 14-15% efficiency
Silicon Cell Average Efficiency

Banda prohibida (band

gap)
Una banda prohibida pequea sera deseable porque
aprovechara ms longitudes de onda de los fotones
del sol pero, en contraparte, entre ms amplia la
banda prohibida ms fuerte es el campo elctrico
generado cuando se forma la unin PN.
Una banda ideal en la prctica debera de estar entre
1.0 y 1.7 eV para producir suficientes electrones sin
mucho calor.

Source:

Shockley-Queisser
eficiencia lmite

Banda prohibida (band

gap)
Material
Symbol
Band Gap (eV)
Silicon

Si

1.11

Cadmium
telluride

CdTe

1.49

Cadmium
selenide

CdSe

1.73

Copper
oxide

CuO

1.20

Gallium
arsenide

GaAs

1.43

Indium
phosphide

InP

1.35

Selenium

Se

1.74
Source:

Circuito Equivalente

Ecuacin caracterstica

Radiacin Cuerpo
Negro

El espectro del sol

The entire spectrum is

not available to single
junction solar cell

El espectro del sol

Ultravioleta: 0.20 - 0.39 m
Visible: 0.39 - 0.78 m
Cercano Infrarojo: 0.78 - 4.00 m
Infrarojo: 4.00 - 100.00 m
99% de la radiacin est ubicada
entre 0.3 y 2.8 m
El pico est en 0.483 m
La intensidad de la radiacin afuera de la
atmsfera es de 1370 W/m2
En la superficie de la tierra es de
alrededor de 1000 W/m2

Celda Solar Ideal

Una celda solar ideal aprovechara
todas las longitudes de onda del
sol.
Esto no es posible en una simple
unin PN debido a la naturaleza
estrecha de su banda prohibida.
Las celdas de mltiples capas
(unas sobre otras) aprovechan
mejor el espectro solar si las
diferentes uniones tienen

Tipos de celdas de Si

Monocristalinas:

Policristalinas:

estructura atmica muy ordenada.

rendimiento entre el 15% y el 18%.
difcil construccin, alto precio.
estructura atmica no tan ordenada como en
el monocristalino.
rendimiento entre el 12% y el 15% .

Amorfas:

estructura atmica bastante desordenada.

rendimiento es inferior al 10%.
fabricacin sencilla, ms barato.

Elementos de una celda

solar de Si

Un contacto superior en la zona del material

tipo N.
Dos semiconductores tipo N y tipo P.
Un contacto inferior en la zona del material
tipo P.

Caractersticas de las
celdas solares

Caractersticas I-V
Voltaje de circuito abierto
VOC
Corriente de cortocircuito
ISC
Potencia Mxima (rectngulo)
Factor de llenado (fill factor) :
cociente entre el rectngulo de
mxima potencia y el rectngulo
inscrito entre el voltaje de
circuito abierto y la corriente de
corto circuito. Esta medida nos
da una idea de la calidad de la
celda

Eficiencia celdas solares

Definicin :Relacin
entre la potencia
elctrica generada
por unidad de rea
(W/m2) y la
irradiacin solar
incidente (W/m2)
para obtenerla
Mximas eficiencias
tericas para las
celdas solares para
diversos materiales

Tipos de cristales

Silicio monocristalino:estructura
cristalina uniforme
Silicio policristalino:estructuras ubicadas
arbitrariamente. Estos granos hacen
que la estructura no sea uniforme y se
obtenga una eficiencia menor
Silicio amorfo:presenta todava bajos
niveles de eficiencias

Tipos de cristales

Obtencin del silicio

El Silicio se obtiene a partir de elementos

como arena o la cuarcita (cuarzo)
Se presentan en la naturaleza con altos
grados de impurezas, por este motivo es
necesario procesarlos
Obtenemos un Silicio con propiedades de
semiconductor y as lograr celdas de alta
eficiencia
el Silicio es el segundo elemento ms
abundante en la superficie terrestre,
luego del oxgeno.

Cuarcita

Cuarzo: SiO2

Tecnologa de fabricacin

Produccin de Silicio Policristalino

Proceso

Consiste en llevar los granos de cuarcita a

temperaturas sumamente elevadas, agregando
carbn para eliminar el oxigeno presente en la
cuarcita y producir una sustancia gris
metlica brillante de una pureza de
aproximadamente 99%.
Para llegar a purezas de 99,9999%, la
sustancia obtenida es depurada mediante un
proceso similar al utilizado en las refineras de
petrleo, llamado destilacin fraccionada

Tecnologa de fabricacin
de celdas solares de Silicio

Produccin de Silicio
Monocristalino
Proceso

Mtodo de crecimiento de
Czochralski (CZ)

El Silicio Policristalino se funde en

un crisol a temperaturas cercanas
a 1.410C,
Se intriduce una semilla de
Silicio Monocristalino,
Se retira lentamente (10cm/hora)
haciendo crecer un lingote
cilndrico de material

Tecnologa de fabricacin
de celdas solares de Silicio

Mtodo Flotante (FZ)

Se coloca una semilla

Monocristalina sobre una barra
de Silicio Policristalino
Luego gracias a una bobina que
induce un campo elctrico, la
barra se calienta y se funde con
la semilla
Al desplazarse completamente
por la bobina permite la
obtencin del lingote de Silicio
Monocristalino

Tecnologa de fabricacin
de celdas solares de Silicio

Produccin de obleas
Una vez obtenido el cilindro de
Silicio Monocristalino, se
procede a cortar las obleas o
wafers con espesor aproximado
de 300um
Para realizar esta operacin se
utiliza una sierra con
multifilamentos, la cual al cortar
las obleas produce partculas de
Silicio
Se pierde casi un 20% de
material

Tecnologa de fabricacin
de celdas solares de Silicio

Produccin de obleas
Las obleas son dopadas con tomos de
Fsforo en un horno a temperaturas entre
800C y 900C para obtener la capa N
El substrato tipo P se logra, antes de
obtener los lingotes, dopando el Silicio
con tomos de Boro, para luego cortar las
obleas que sern utilizadas como material
tipo P en las celdas

Tecnologa de fabricacin
de celdas solares de Silicio

Pelcula antirreflectante
Consiste en una tratamiento o
texturizado que se le da al Silicio
para disminuir el ndice de reflexin
Estructura piramidal, que aumenta
la absorcin de la luz incidente,
gracias a reflexin mltiple de sta

Tecnologa de fabricacin
de celdas solares de Silicio

Contactos
Superior : Debe
construirse con unidades
lo bastante gruesas, para
transportar la corriente
elctrica y lo bastante
finas, para no
obstaculizar el paso de la
luz solar
Inferior : material

Tecnologa de fabricacin
de celdas solares de Silicio

Celdas de Arseniuro de Galio (GaAs)

Eficiencias mayores a las de Silicio.

Algunos fabricantes, como

Spectrolab, han construido celdas
con multijunturas, superponiendo
junturas especficas para un
determinado espectro de la luz solar
y as aprovechar totalmente el
espectro

Fabricacin de mdulos

Fragilidad
Condiciones atmosfricas
Deben ser empaquetadas en un mdulo
Los mdulos se utilizan para cargar
bateras
Son fabricados para entregar un voltaje
nominal de 12V, 24V y 36V
Este voltaje se alcanza conectado celdas
en serie.

Fabricacin de mdulos
1)

2)
3)

4)

5)

La celda es colocada
en un encapsulante
(EVA)
Parte superior:
vidrio templado
Parte inferior:
substrato a base de
resina
El modulo se trata a
temperaturas de
175C y presin
uniforme.
Se sella y se ajusta a
un marco de
aluminio ionizado.

Fabricacin de mdulos.
Caracterizacin
N celdas en serie o
en paralelo, la
potencia total de
salida es
WP = N (IP VP)
IP = corriente
peak de la celda
VP = voltaje peak
de la celda

Caracterstica

Silicio

Ip [mA/cm ]

28

VP [V]

0,5

WP [mW/cm ]

14

VOC [V]

0,6

Fabricacin de mdulos.
Factores que afectan al
rendimiento

Radiacin solar : bajos niveles / altos

niveles de voltaje de salida
Concentrador esttico : Encapsulado que
aumenta el rendimiento.
Temperatura de operacin : Un aumento de
esta hace que la corriente aumente pero el
voltaje disminuya
Sombra : Disipa la energa

Una celda sombreada afecta al mdulo

completo.
Solucin : diodos bypass

Fabricacin de mdulos.
Concentradores estticos

Prismtico simple SPC

(Simple Prism Concentrador)

Clula solar bifacial vertical

Ganancia = 3,5
Poca utilidad prctica

Clula solar bifacial

horizontal

Ganancia = 1,75.

Ganancia = 3,8

Concentrador Esttico de
Material Transparente

FIN