UNVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA QUIMICA Y TEXTIL

AREA ACADEMICA DE INGENIERIA QUIMICA
QUIMICA INORGANICA
QU 214B

Estado Slido Inorgnico

Ing. Wilman Benites Mitma
2016 2

Estado Slido Inorgnico

Introduccin
Clasificacin de los slidos cristalinos de acuerdo a las caractersticas
estructurales.
Naturaleza de los slidos inicos inorgnicos.
Estructuras de compactas:huecos tetradricos y octadricos.
Politipismo y polimorfismo.
Consideraciones energticas del enlace Inico. Red cristalina. Defectos
de red cristalina.
Enlace metlico. Teoria de bandas
Propiedades pticas y elctricas de los slidos inorgnicos.
Semiconductores, superconductores, Fibras pticas. Zeolitas
BIBLIOGRAFA
* Qumica del Estado Slido, Smart Moore, 1996
* Inorganic Chemistry, 2da Edition, Gary Miessler, PHI, 1999
* Qumica Inorgnica, J. Hugheey, 4ta edicin, Harla, 1997
* Quimica Inorgnica, Shriver & Atkins, Mc Graw Hill, 2006
* Principios de Qumica Inorgnica, G.S. Mank, MGH, 1999.

INTRODUCCIN
La mayor parte de slidos se caracterizan por ordenamientos de partculas
que vibran en torno a posiciones fijas en sus estructuras, estos slidos se
denominan slidos cristalinos
Algunos slidos denominados amorfos, no tienen estructuras ordenadas y
bien definidas.
Ej. Los vidrios son slidos amorfos o lquidos superenfriados, ya que
fluyen, aunque, con suma lentitud.
Los slidos cristalinos se fragmentan a lo largo de los planos de la red
cristalina, por lo que los fragmentos mantienen similares ngulos
interfaciales y caractersticas estructurales.
Los slidos amorfos se rompen de forma irregular dando bordes disparejos
y ngulos irregulares.
Los slidos cristalinos tienen puntos de fusin bien definidos.
Los slidos amorfos pueden fundir a temperaturas diferentes en las
diversas porciones de la muestra al irse venciendo las distintas fuerzas que
unen sus partculas.

Tipos de slidos

Importancia tecnolgica de los

Apariencia
slidos
Propiedades magnticas
Piedras preciosas y
semipreciosas
Propiedades mecnicas
Metales / aleaciones
Cemento / Hormign
Cermicas
Lubricantes
Abrasivos
Propiedades elctricas
Conductores metlicos
Semiconductores
Superconductores
Electrolitos
Piezoelctricos

Tecnologa de grabacin
Propiedades pticas
Pigmentos
Fsforos
Lseres
Dobladores de frecuencia
de la luz
Catalizadores
Zeolitas
Sensores
Sensores de oxgeno

Estructura cristalina
Difraccin de rayos X
Se basa en la dispersin de los rayos X por los electrones de un slido.
Los cristales sirven de eficaces mallas de difraccin para los rayos X.
Ley de Bragg: 2d sen = n

Redes y celda unidad

* Red cristalina es un ordenamiento infinito de puntos en el espacio, en el que
cada punto tiene idntico entorno.
* Estructura cristalina es el ordenamiento peridico de tomos en un cristal.
* Cada cristal deriva de un bloque de construccin bsico (ladrillo) que se
repite en todas las direcciones del espacio. Este bloque de
construccin se denomina celda unidad.

Cbica de cara centrada (CFC)

La relacin entre el radio atmico, R, y la arista del cubo, a, es dada por: 2R2
El nmero de tomos por celda unitaria es igual a 4.
El nmero de coordinacin es igual a 12.
Ejemplo de metales CFC: cobre, aluminio, oro, plomo.

Cbica de cuerpo centrado (CCC)

La relacin entre el radio atmico, R, y la arista del cubo, a, esta dada por: a = 4R/3
El nmero de tomos por celda unitaria es igual a 2
El nmero de coordinacin es igual a 8
Ejemplo de metales CCC: Fe-,cromo, tungsteno, molibdeno.

Contenido de la Celda Unidad

Vrtices 4 celdas 1/4

Aristas 2 celdas 1/2
Interior 1 celda 1

Vrtices 8 celdas 1/8

Aristas 4 celdas 1/4
Caras 2 celdas 1/2
Interior 1 celda 1

Nmero de coordinacin
* Es el nmero de tomos vecinos ms prximos que rodean a un
determinado tomo.

Factor de empaquetamiento atmico (FEA)

FEA = [Vtomos /Vcelda]
FEACFC = 4[4R3/3] /a3 = 4[4R3/3] /(2R2)3 = 0,74

Hexagonal Compacta (HC)

c/a = 1,633 (ideal)
El nmero de tomos por celda unitaria es igual a 6.
El nmero de coordinacin es igual a 12
El FEA es igual a 0,74
ejemplo de metales HC: cadmio, cobalto, zinc

Definiciones de densidad
1. Densidad volumtrica. Relacin entre la masa de un cuerpo con respecto a su
volumen. Basados en una celda unitaria, la densidad de un material puede ser
hallada como:
= No tomos por celdaxmasa molecular / volumen celda x No Avogadro
2. Densidad Planar. Relacin entre el numero de tomos completos contenidos en
un plano y el rea del plano
p = No tomos por plano cristalino /rea del plano
3. Densidad Lineal. Relacin entre el numero de tomos completos contenidos en
una cierta direccin y la longitud de la direccin.
L = No tomos contenidos en una direccin cristalina /longitud de la direccin

ESTADO SLIDO INORGNICO

La qumica del estado slido, usa los mismos principios de los enlaces
de las molculas de donde proceden y es crucial para el estudio de
aleaciones, sales metlicas, pigmentos inorgnicos, nanoestructuras,
zeolitas y superconductores de alta temperatura
En muchos casos un cristal puede ser razonablemente descrito como el
ordenamiento de tomos y molculas en la que se destacan diferencias
significativas de estructura y propiedades.
Los slidos se representan mejor en arreglos regulares de tomos, iones
o molculas en trminos de unidades de repeticin.
La Teora de las Bandas explica el desplazamiento de electrones y la
conduccin elctrica, que explica a los slidos semiconductores de
aplicacin en tecnologa electrnica.

ESTRUCTURA DE LOS SOLIDOS

Slido bidimensional, seleccin
de una celda unitaria

Representacin de
empaquetamiento compacto de
los tomos por esferas

Naturaleza de los slidos

Slidos cristalinos: tomos dispuestos en
forma ordenada (regulares).
Descripcin: red + base
Red = estructura geomtrica
Base = distribucin de los tomos en cada punto
de la red.

Ejm. Red cbica de cara

centrada con 2 tomos,
tipo cristal de NaCl

Estructura del
Tungsteno metlico Y
representacin de
proyeccin

Las estructuras pueden trazarse en una proyeccin que denote

posiciones de los tomos usando coordenadas fraccionarias

Celdas Cristalogrficas
y Sistemas Cristalinos
Celda unitria; es una celda que transladada n veces en las
direcciones x, y, z, genera toda la red, reproducindose el
cristal, para formar la red no se recurre a la reflexin o rotacin.
Puntos de red; es cada uno de los cuales se encuentra rodeado
de una manera idntica por puntos vecinos que definen la
estructura bsica que se repite en un cristal.
Celda de Bravais: Bravais demostr que solo existen 14 tipos
de cldas unitarias, agrupadas en 7 sistemas tridimensionales.

04 ejes de Rotacin
triples en disposicin
tetradrica
Celda unitaria, a

Un eje de rotacin cudruple

Celda Unitaria, ac

Un eje de
rotacin
sxtuple
C.U. ac
Un eje de
rotacin
triple

Tres ejes dobles

perpendiculares
O tres planos
especulares
Celda Unit, abc

Un eje de rotacin
doble o un plano
especular
Celda Unit, abc;

Ninguna simetra
Celda unitaria
definida por abc y

Ejemplos:

Red CCC: Cr, Li, Ba, Nb, Cs, W

Red CFC: Al, Cu, Pb, Ni, Ag
Red Cbica Simples: CsCl
Red tipo diamante. a) Celda unitaria con
tomos alternados en forma de cubos y b)
coordinacin tetradrica formado por 04
tomos de C
ESTRUCTURA
CUBICA
DEL DIAMANTE

RED HEXAGONAL
COMPACTA HCP

NaCl

CELDA UNITARIA

CaC2

Capa simple de
Empaquetamiento
Compacto, A

Capa doble
de
Empaque
Compacto,
AyB

Empaque
Compacto
Cubico,
A, B y C

ESTRUCTURA DE COMPUESTOS IONICOS

Clasificacin por el Tipo de Enlace,

Caractersticas y Propiedades

Qumica del Estado Slido, Smart Moore

Clasificacin por el Orden Estructural

a) Amorfo: Estructura desordenada, sin forma
definida
b) Cristalinos: Siguen una estructura ordenada,
con caras planas formando ngulos diedros.

Clasificacin por el Tipo de Complejos

Dimensionales
Unidimensionales finitas: atomo (predominan
fuerzas Van der Walls) y moleculas (predominan
enlaces dipolares entre centros de carga
asimetricos): poliacetileno [n(H-CC-H)
Unidimensionales infinitas: PtCl2, S (fibroso),
SiS (tetradrica)
Bidimensionales infinitas: Mica, Grafito, CdCl2
Tridimensionales infinitos: SiO2

Clasificacion segun el Tipo de

Empaquetamiento
a) Cubico compacto: ccp, ccf, ccb
b) Hexagonal compacto: hcp. hcf, hcb
Cada una de estas estructuras dan lugar a ;
- sitios (huecos) tetradricos,
- sitios octadricos.

SITIOS TETRAEDRICOS

SITIOS OCTAEDRICOS

El sitio esta rodeado de 04

esferas centradas en los
vertices de un Tetraedro

El sitio esta rodeado de 06

esferas, tres en una capa y
Tres en la otra.

Clasificacin segn
Relaciones Triangulares
Covalente

Semiconductor

Ionico

Metalico

POR SUS CONDUCTIVIDADES EN

FUNCION DE LA TEMPERATURA

EJEMPLOS
1. Calcular el nmero de tomos en cada celda unitaria de:
a) Estructura cbica de cuerpo centrado
b) Estructura hexagonal

2. Calcular el porcentaje del espacio no ocupado en un arreglo

compacto de esferas idnticas
Rpta. % Volumen ocupado = Volumen esferas / V del Cubo
Fraccin no ocupada = 1 % volumen ocupado
3. Calcular el radio mximo de una esfera que puede acomodarse en
un hueco octadrico dentro de un slido compacto compuesto de
esferas con radio r.
Resp.: rh = 0,41 r

Cuntos iones hay en una celda Unitaria de la esfalerita de la fig.

MODELO IONICO INORGANICO

Se aplica a los compuestos inicos entre metales y no
metales muy activos. Ej. halgenos y alcalinos
Postulados:
- Los C+ y A-, estn unidos por atraccin electrosttica.
- Los C+ y A-, se acomodan en forma tridimensional.
Cargas similares se minimizan y cargas opuestas son
mximas.
- La estructura ms estable ser aquella en la cual los
aniones se tocan entre s y simultneamente con los C+.
Pierde estabilidad cuando no hay contacto A-/C+
- Las redes ms estables son las Tetradrica, Octadrica
y Cbica.
Relacin de rc y ra:
Tetradrica
rc / ra = 0,221 ; (rc + ra) / ra = (3/2)1/2
Octadrica
rc / ra = 0,414 ; (2rc + 2ra) /2 ra = (2)1/2
Cbica
rc / ra = 0,732 ; (2rc + 2ra) / 2ra = (3)1/2

MODELO IONICO: ENERGIA DE RED

Energa Red (Uo)

LA ENERGIA DE RED (Uo) SERA MINIMA CUANDO

EL CRISTAL ESTE EN EQUILIBRIO, ESTO ES
CUANDO CORRESPONDA AL VALOR DE ro
Diferenciando dU/dr e igualando a 0, cuando r = ro; y
tomando en cuenta N (Nmero de Avogadro) y A (Constante
de Madelung), se obtiene:
ERed = Uo =

N . A. Z+ Z- . e2
1
---------------------- ( 1 - ---- )
4 o ro
n

Que toma el nombre de Ecuacin Born-Land, donde:

A : depende de la geometra reticular
n : exponente de Born, se obtiene por compresibilidad
ro : en pm (1,0 10-12 m),
ERed : kJ/Mol

DISTANCIAS ENTRE LOS IONES VECINOS EN

UNA ESTRUCTURA TIPO NaCl

El Na+, coordina con:

6 iones Cl-, a una
distancia d,
12 iones Na+, a d2
8 iones Cl- a d3
6 iones Na+ a 2 d

VALORES DE A PARA SALES Y OXIDOS

En una estructura de NaCl
z2e2

12

24

E = - ---- [ -- - -- + -- - -- + -- ...]

4 or

NaCl 1.74756

6:6

Salinas

CsCl 1.76267

8:8

Tipo CsCl

CaF2 2.51939

8:4

Fluorita

TiO2

6:3

Rutilo

6:4

Corindn

2.40800

Al2O3 4.171900

VALORES DE LA CONSTANTE DE
COMPRESIBILIDAD (n)
n = Numero relacionado a la
cconfiguracin
electrnica de los iones
involucrado.
n=

10

12

e.c. He

Ne

Ar

Kr

Xe

n=

8.0

8.7

9.1

9.5

5.9

e.c. LiF

LiCl LiBr NaCl NaBr

ESTIMAR LA ENERGIA DE RED POR BORNLANDE PARA EL NaCl

Solucin
6,022x1023 x 1,747558 . (1,6022-19)2
ERed = ------------------------------------------------- ( 1
1 / 9,1)
4* 8.854x10-12 C2/m * 282x10-12 m
=

- 766376 J/mol

- 766 kJ/mol

Ecuacin Born-Mayer
Resulta de la ecuacin mejorada de Born-Land, donde
se incluyen las atracciones dbiles de la Energa de Van
der Waals (EVDW) y la Energa en 0K (EPC)

Ered(B-Meyer)= - Ered(B-Land) + EVDW + EPC

Para el NaCl:
Ered(B-Land)=

- 766,1 KJ/mol

EVDW

- 13

EPC

KJ/mol

8,0 KJ/mol

Ered(B-Meyer)= -771 KJ/Mol

ECUACION de BORN-MAYER
La Ecuacin de Born-Mayer, deviene de Born-Lande cuando es corregida
considerando una constante , determinada por mediciones de
compresibilidad:

ERed =

N.A. Z+ Z- . e2

- -------------------- (1 - ---- )
4 o ro
ro

Z+ Z -:N de carga de los iones (Na+ = Cl=1)

e- : Carga del electrn = 1,6022x10-19 C
4 o: 1,11265x10-10 C2/(J.m)

: 34,5 pm

r o : radio en pm

ECUACION de KAPUSTINSKII
Se aplica a cualquier slido cristalino sin que sea necesario conocer
Su estructura geomtrica

Donde:
UPOT Es la Energa Potencial del Lattice

Nmero de iones en la molcula

z+ ; z- Cargas del catin y anin
r+ ; r- Son los radios termoqumicos (nm) del

catin y anin respectivamente.

Las constantes varian segn pm: 1nm = 1000 pm

CICLO BORN HABER

La Energa de red, se puede aproximar al cambio de entalpa interna,
cuando se forma 1 mol de sustancia slida cristalina a partir de sus iones
gaseosos ubicados a sepracin infinita, a 0K, y 1 Atm. Para el NaCl

Na(s) + 0.5 Cl2 (g) NaCl (s)

Na(g) Na(s)

- 411
- 108

- Hf
-S

Na+(g) + e Na(g)
- 496
-I
Cl(g) 0.5 Cl2 (g)
- 0.5 * 244 = - 122
-D
Cl- (g) Cl(g) + 2 e
349
E
Sumando las ecuaciones
-788 kJ/mol URet
Na+(g) + Cl-(g) NaCl(s)
Energa de Red,es la Energia del ciclo en la que
cristalizan los iones Na+, ClHf = S + I + D + E + Uret
Ured = - Hf S I D + E

CICLO PARA EL LiF

Determinacion de la Estructura
de un Cristal
La estructura de un cristal puede ser determinada
por el anlisis del difractometro de rayos X.
Es basado en el principio de interferencia de rayos
difractados de acuerdo con la Ley de Bragg:

n 2d sen
d 2hkl=a2/(h2+k2+l2)

DEFECTOS CRISTALINOS
Los defectos afectan a las propiedades de los
solidos cristalinos, revelando aplicaciones
importantes de uso industrial.
Los defectos pueden ser variados e influir en
propiedades elsticas, pticas, luminosas,
magnticas y otras que segn las alteraciones y
cantidades implican estas modificaciones.

Defectos cristalinos
1. Defecto Puntual
a) Schottky (vacante)

b) Impurezas
Un ion extrao remplaza a
uno normal (Solucion solida)

a. Schottky defect

No es considerado un
defecto.
Cuando un ion extrao es
aadido es defecto interstitial
b. Interstitial (impurity) defect

c) Frenkel (El cation salta desde el latice hacia

un lugar interticial) = a + b combination

b. Frenkel defect

Clculo del Nmero de Defectos de Schottky

ns = N exp ( - Hs / 2kT) = N.e -Hs/2kT
ns : Nmero de defectos por m3 a temperatura constante
N : Posiciones aninicas u catinicas por m3
Hs : Entalpa que se requiere para formar el defecto
k : Constante de Boltzmann (1,380622 E-23 J)
En trminos de cantidades molares:
ns = N exp ( - Hs / 2RT) = N.e-Hs/2RT
Hs : Entalpa para un mol de defectos Schotty (J/mol)
R : 8,314 J K/mol
Pag. 104, Qumica, S. Moore

Semiconductores
Elemento que se comporta como
conductor o como aislante dependiendo
del campo elctrico en el que se
encuentre.

El elemento semicondutor ms usado es el

silicio, y Germanio, aunque idntico
comportamiento presentan las combinaciones
de elementos de los grupos 12 y 13, con los
de los grupos 15 y 16 respectivamente :
AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd.
Se ha comenzado a emplear tambin el azufre.

ELEMENTOS QUIMICOS SEMICONDUCTORES

Elemento
en

Grupo

Electrones

la ltima capa
Cd

12

Al, Ga, B, In
e-

13

Si, Ge
4 eP, As, Sb
5 eSe, Te, (S)

2 e-

14
15
16

TEORIA DE BANDAS
La separacin de energas en un cristal segn sus
niveles dados por los electrones, es pequea. Los
valores bajo los trminos de la teora de bandas
pueden distinguirse entre
Banda de Valencia, Banda Prohibida, y Banda de
Conduccin

Banda prohibida

Banda en un conductor

Banda en un aislante

Semiconductores intrnsecos
La brecha entre bandas en un
Semiconductor conrola la
dependencia de la conductividad
con respecto a la temperatura:
= o exp(-Ebrecha/2KT)
Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente, algunos
electrones pueden, absorbiendo
la energa necesaria, saltar a la
banda de conduccin, dejando el
correspondiente hueco en la
banda de valencia.
Las energas requeridas, a 298K
son de Si 1,1 y Ge 0,66 eV.

Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, le
aadimos un pequeo porcentaje de
impurezas, es decir:
- elementos trivalentes o
- elementos pentavalentes,
el semiconductor se denomina
extrnseco, y se dice que est dopado.
Evidentemente, las impurezas debern
formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente tomo
de silicio

Semiconductor extrnseco tipo n

Es el que se ha dopado con elementos pentavalentes (As, P Sb).
Al tener stos elementos 5 e- en la ltima capa, al formarse, la
estructura cristalina, el quinto e- no estar ligado en ningn enlace
covalente, encontrndose, an sin estar libre, en un nivel
energtico superior a los cuatro restantes.
La energa para liberar el e-, excedente es del orden de 1/100 de la
correspondiente a los e- de los enlaces covalentes (en torno a
0,01 eV)
Introduciendo un tomo donador por cada 1000 tomos de Si, la
conductividad es 24100 veces mayor que la del Si puro

Semiconductor extrnseco tipo p

Es el que se ha dopado con elementos
trivalentes:
Al
B
Ga
In
En este caso, las impurezas aportan una
vacante, por lo que se las denomina
aceptoras de electrones.
Ahora bien, el espacio vacante no es un
hueco como el formado antes con el salto de
un electrn, si no que tiene un nivel
energtico ligeramente superior al de la

SEMI CONDUCTOR TIPO N, DOPADO CON UN

TOMO, CON ELECTRON SOBRANTE
(DONADORES)

SEMI CONDUCTOR TIPO P, DOPADO CON UN

TOMO, CON ELECTRON FALTANTE (ACEPTORES)

Semiconductor intrnsico

Semiconductor de tipo n
(a) y semiconductor de
tipo p (b).

Ejemplo
Decida, cul de los xidos WO3, MgO y CdO es
probable que muestre semiconductividad tipo p o n
extrnseca.
Resp.: El WO3, como W(VI), se reduce con facilidad y
pierde oxgeno, de modo que se espera
conductividad tipo n.
El CdO es como el ZnO y de nuevo se anticipara
para l semiconduccin de tipo n. (se mide a altas
temperaturas)
El MgO no pierde ni gana an cantidades pequeas
de oxgeno, constituyndose as en un aislante.

SUPERCONDUCTIVIDAD
Se caracteriza por su resistencia elctrica
nula, transportan sin prdida de energa.
Expulsan todo flujo magntico de su interior,
siendo forzados a salir de un campo
magntico
Pueden levitar o flotar encima del campo
magntico.
Los superconductores son materiales
magnticos perfectos.
En consecuencia de: B = oH (1+X)
se tiene: B = 0 ; X = -1
Ejemplo de Materiales superconductoras:

Aplicaciones de superconductores

FOTOCONDUCTIVIDAD
Los semiconductores cuyas energias de la
Banda Prohibida coinciden con los fotones
de luz visible son FOTOCONDUCTORES
(No son conductores en la oscuridad pero
si lo son con la luz).
Se aplican en la electrofotografia
(xerografia). Si la E del foton de luz que
inside es > que la E de la BP, los e- seran
promovidos a la Banda de Conduccion y la
conduccion aumenta.
Otra aplicacion son las celdas solares,
donde los e- van desde n y p.

PROPIEDADES OPTICAS
De gran ventaja tecnolgica, genera
importantes desarrollos informticos.
Como aplicaciones se tiene:
- Luz lser (Rubi, de AsGa)
- Fibras opticas
- Diodos emisores de luz (LED) de uso
digital
- Fsforos emisores de luz, usados en TV y
luz fluorescentes.

Materiales Fotoactivos

son aquellos en los que se producen cambios de diferente

naturaleza como consecuencia de la accin de la luz o que por
otro lado son capaces de emitir luz como consecuencia de
algn fenmeno externo. Tipos:
-

Electroluminiscentes: son materiales organometlicos basados

fundamentalmente en fsforos y fluorocarbonos que emiten luz
de diferentes colores cuando son estimulados por una corriente
elctrica.
Fluorescentes: son materiales semiconductores que producen luz
visible como resultado de su activacin con luz UV. El efecto cesa
tan pronto como desaparece la fuente de excitacin.
Fosforescentes: materiales semiconductores que convierten la
energa absorbida en luz emitida slo detectable en la oscuridad,
despus de que la fuente de excitacin ha sido eliminada. Esta
emisin de luz puede durar desde minutos hasta horas. La fuente
de excitacin ms efectiva es la radiacin UV.

FOSFORESCENCIA Y FLUORESCENCIA

Fibras pticas

Fibras pticas Multimodo

(multitrayectoria)
Son aquellas que pueden guiar y
transmitir varios rayos de luz por
sucesivas reflexiones, (modos de
propagacin).

Fibras pticas Monomodo

Son aquellas que por su especial
diseo pueden guiar y transmitir un
solo rayo de luz (un modo de
propagacin) y tiene la
particularidad de poseer un ancho
de banda elevadsimo.

Materiales en la Fibra ptica:

- Ncleo de plstico y cubierta plstica
- Ncleo de vidrio con cubierta de plstico
(frecuentemente llamada fibra PCS, El ncleo
silicio cu bierta de plstico)
- Ncleo de vidrio y cubierta de vidrio
(frecuentemente llamadas SCS, silicio
cubierta de silicio)

Fsforos en lmparas
fluorescentes
Los fsforos absorben energa y la emiten en
forma de luz. El emisor es una impureza
inica ubicada en el retculo del anfitrin.
El proceso de emisin no es inducido sino
espontneo.
Se aplica en TV, fluorescentes con radiacin
UV 254 nm pasando una descarga elctrica.
La mayora de los fsforos se basan en
halofosfatos de metales alcalinos, Ej
3 Ca3(PO4)2.CaF2
DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)
Se usa la luz para producir un voltaje electrico

Fibras pticas

Propuestos
: Calcular el valor de la constante de
Madelung para la estructura. Todas las longitudes
de enlace son iguales y todos los ngulos de enlace son 90.
Suponga que no hay otros iones adems de los mostrados y
que las cargas de cationes y aniones son +1 y 1,
respectivamente.

3. Cules de los siguientes semiconductores sern de

tipo p y cules de tipo n?
a)
b)
c)
d)

As con Ge
Ge en Si
In en Ge
B en InSb

4. Resolver las preguntas 1 al 7, pag. 99, Qumica del

Estado Slido, Smart, Moore

Aplicacin ciclo Born-Haber

Energa de Red
Calcular la Entalpa de
red del bromuro de
magnesio a partir de los
datos mostrados
Resp.: 2421 kJoule/mol

ZEOLITAS
Son una familia de minerales no metlicos
aluminosilicatos hidratados altamento cristalinos,
que al deshidratarse desarrollan un cristal ideal, de
estructurosa porosa con dimetros de poro mnimos
de 3 a 10 A.
Existen aproximadamente unas 35-37 zeolitas
naturales y 400 o ms zeolitas sintticas.
La frmula estructural puede ser representada por:
Mx/n.AlxSiyO2(x+y).wH2O
M, representa un catin intercambiable de valencia
n, generalmente del grupo I o II

ZEOLITAS : ARMAZON
ESTRUCTURAL

APLICACIONES DE LAS
ZEOLITAS

A) Agentes deshidratantes
B) Intercambiadores de iones
C) Adsorbentes
D) Tamices moleculares
E) Catalizadores

Aplicaciones Industriales de las

Zeolitas
Las Zeolitas como Agentes Deshidratantes:
Las zeolitas cristalinas normales contienen
molculas de agua coordinadas con los
cationes intercambiables. Estas estructuras
pueden deshidratarse por calentamiento al
vaco; en estas circunstancias los cationes
cambian de posicin y con frecuencia en
sitios con numero de coordinacin mas bajo.

Las Zeolitas como

Intercambiadores de Iones.
Los cationes M de una zeolita se
intercambian con otros de una disolucin
circundante. Es por eso que la forma Na de la
zeolita A puede servir como ablandador de
agua; los iones sodio se intercambian con
los cationes de Ca2+ del agua dura.
La zeolita A se agrega actualmente a los
detergentes como ablandador de agua,
reemplazando a los polifosfatos que haban
provocado preocupacin por el posible dao
ecolgico

Las Zeolitas como Adsorbentes.

Como las zeolitas deshidratadas tienen
estructuras porosas muy abiertas, poseen
areas superficiales internas extensas y
son capaces de absorber grandes
cantidades de sustancias aparte del agua.

Las Zeolitas como Catalizadores

Las zeolitas son catalizadores muy tiles que
poseen varias propiedades importantes que no
presentan los catalizadores tradicionales
amorfos.
Las cavidades de las zeolitas ofrecen un rea
superficial interna tan grande que puede
albergar hasta 100veces mas molculas que una
cantidad equivalente de un catalizador amorfo.
Adems las zeolitas son cristalinas y pueden
prepararse con cierto grado de reproducibilidad.
La actividad cataltica de las zeolitas
descationizadas se atribuye a la presencia de
sitios cidos formados debido a la presencia de
unidades tetradricas de AlO4 en el armazn

FIN
END
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