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Silicio
Contenido
Introduccin
Oxidacin trmica:
o Oxidacin seca
o Oxidacin
hmeda
Introduccin
10 n
1n
A temperatura ambiente, el silicio expuesto en un ambiente de oxgeno o aire, formar una capa de OXIDO
NATIVO sobre la superficie de 5 10 en 5 min.
Tcnicas de formacin de
xidos
Oxidacin trmica, oxidacin trmica
rpida,
anodizacin
electroqumica,
reaccin con plasmas, oxidacin sobre
capas metlicas (se requiere CVD).
La ms importante, para dispositivos de
silicio es la oxidacin trmica.
La temperatura de oxidacin est
normalmente en el rango de 900 a 1200C
? La oxidacin trmica de GaAs da lugar a
capas no estequiomtricas que contienen
xidos de galio y arsnico e iones de
arsnico. Estos xidos proporcionan un
aislamiento elctrico pobre.
Constante dielctrica
3.9
Intensidad dielctrica
5x106 V/cm
Banda Prohibida
~ 8 eV
Razn de grabado
1,000 /min
Pico de absorcin IR
9.3 m
Punto de fusin
~ 1,700 C
Molculas / cm3
2.3 x 1022
ndice de refraccin
1.4 6
Resistividad
3 x 1015 ohm-cm
H2O
Modelo de Deal-Grove
Proporciona el espesor de xido en funcin de las
variables tecnolgicas (Tiempo y Temperatura)
Describe matemticamente el crecimiento de una
capa de xido sobre la superficie de un material.
Est basado en la velocidad de difusin de los tomos
de O a travs del SiO2
Para temperaturas entre 700 y 1300 C
Pparcial 0.2 a 1.0 atm. (Quiz ms)
Espesores 300 y 20,000 , en ambiente de O 2 y Agua.
Permite obtener la relacin entre el grosor del xido
crecido (x), el tiempo de oxidacin (t) y la
Temperatura (T):
Ambiente y proceso de
oxidacin
Especies oxidantes: oxgeno o vapor de agua.
La oxidacin transcurre por el movimiento de las
especies oxidantes a travs del xido.
-M. M. Atalla, Properties of Elementa~ and ComRound Semi- conductors, edited by H. Gatos (Intersclence
PublIshers, Inc., New York, 1960), Vol. 5, pp. 16~-181. .
- J. R. Ligenza and W. G. Spitzer, J. Phys. Chern. Solids 14, 131 (1960).
Durante el proceso de oxidacin la interface siliciodixido de silicio se desplaza hacia el interior del
silicio, de manera que para crecer una capa de
xido de espesor x, se consume una capa de silicio
de espesor 0.44x, lo que produce cierta tensin en
la estructura que puede provocar dislocaciones
P o r s u a l t o c o n t e n i d o d e H 2, e s t e d i e l c t
rico es de
mala calidad estructural y el
ctrica.
Estructura amorfa
La formacin de SiO2
involucra la participacin
de dos procesos, difusin
de oxidantes a travs del
xido crecido, y reaccin
de
oxidacin
en
la
superficie del Si
A temperatura de 1000 C y a una presin de 1 atm,
C0= 5.2x1016 molculas /cm3 para el oxgeno seco
C0= 3x1019 molculas /cm3 para el vapor de agua.
Las especies oxidantes se difunden a travs del xido ya crecido, de
manera que a la interface silicio/dixido de silicio, llega una
concentracin Cs.
Cintica de oxidacin
ujo de molculas que atraviesa el xido (una unidad de rea por unidad de tiem
Donde
D es el coeficiente de difusin
Co concentracin de la especie oxidante en la superficie del xido
Cs es la concentracin de la especie oxidante en la interfase
SiO2/Si
x
el espesor del
ya crecido.de reaccin es proporcional a la
Suponiendo
quexido
la velocidad
concentracin de especies oxidantes Cs en la superficie del silicio,
el flujo F2, de molculas de oxidante que desaparecen en la
interface entre Si y SiO2, viene dado por:
2
k es la constante de velocidad de la reaccin de oxidacin del Si, bajo
condiciones de estado estacionario.
Cintica de oxidacin
En el estado estacionario, ambos flujos deben ser iguales,
Cintica de oxidacin
La velocidad de crecimiento de la capa de xido viene dada por el
cociente entre la velocidad de molculas que llegan a la interface
Si-SiO2 (D(C0/C!) y las que se incorporan a la capa de xido C1:
4
Esta ecuacin diferencial puede resolverse sujeta a las condiciones
iniciales, x(0)=d0, donde d0 es el espesor inicial del xido. La
solucin a la ecuacin diferencial anterior viene dada por:
Cintica de oxidacin
donde por definicin:
6
El valor de representa un desplazamiento por la presencia de la
capa inicial de xido x0
Resolviendo la ecuacin de segundo grado (5) podemos calcular el
espesor del xido tras un tiempo de oxidacin t:
7
X es el valor del espesor de xido en funcin del tiempo, una vez
conocidos D y k, que son funcin de la temperatura y del tipo de
oxidacin (seca o hmeda) utilizada.
Limitantes de la velocidad de
crecimiento
1. En las primeras etapas de crecimiento del
xido, el factor limitante es : reaccin en la
interface Si-SiO2, la velocidad de crecimiento
vara linealmente con el tiempo
2. Cuando el espesor de xido comienza a ser
mayor, la velocidad de crecimiento viene
limitada por la difusin de los oxidantes a
travs del xido. En este caso, el espesor de
xido es proporcional a la raz cuadrada del
tiempo de crecimiento, lo que implica una
velocidad de crecimiento parablica.
Cintica de oxidacin
casos limite de velocidad de
crecimiento
Para tiempos cortos de oxidacin (se puede despreciar l trmino
cuadrtico), por lo que la evolucin temporal del espesor de xido
(SiO2) crecido, es lineal con el tiempo
x = B/A (t+)
Es decir, el espesor de xido depende linealmente del tiempo, y
viene limitado por la velocidad de oxidacin (no depende del
coeficiente de difusin de las especies oxidantes a travs del xido
previamente crecido).
Cintica de oxidacin
Para valores grandes del tiempo
es parablica con el tiempo
x= (Bt)1/2
El espesor de xido aumenta con la raz cuadrada del tiempo, y
adems la velocidad de crecimiento est limitada por la
difusin de los oxidantes (D) a travs del xido crecido (no hay
dependencia con la velocidad de oxidacin).
Por definicin
10
11
12
Regin lineal
Regin parablica
Consideraciones
Los xidos crecidos en ambiente seco tienen
mejores propiedades elctricas que los crecidos
en ambiente de vapor de agua.
Para el caso de la oxidacin en ambiente seco,
usando O2 como oxidante, el modelo que hemos
desarrollado
nicamente
reproduce
el
comportamiento experimental para espesores de
xido crecido por encima de 200 , colocando
como condicin inicial d0=200, aun cuando no
haya ningn xido inicialmente, el espesor de
ste sea menor de 200.
No existe ninguna teora que explique el
crecimiento rpido por oxidacin seca
Ambiente seco
Ambiente hmedo
Influencia de la presin en el
espesor de xido
Dependencia con la
presin
Ejercicios
Ejercicio 2
(3)
(4)
Donde:
Siv
Si1
(5)
A medida que la interface de oxidacin se desplaza hacia el interior del sustrato de silicio,
se cree que un pequeo exceso de tomos de silicio se acumula en cada plano de la red.
As, se piensa que ocurren mecanismos alternos que facilitan desacoplamientos en la red,
los cuales intervienen (afectan) el proceso de oxidacin (ec. 3).
En los dos siguientes mecanismos, se postula que algunos defectos puntuales en el sustrato
de silicio intervienen directamente en la cintica de oxidacin.
Dutton
(3)
Si alguna porcin del silicio se oxida mediante el mecanismo planteado en la ec. (4),
la velocidad de la reaccin depender de la existencia de vacancias y cualquier factor que altere
su concentracin deber afectar a la velocidad de oxidacin.
En este caso el sustrato es extrnseco a la temperatura de oxidacin, por lo cual el nivel de Fermi
no se encuentra a la mitad de banda prohibida (Eg).
Puesto que Siv puede existir con distintos niveles de carga (V+, V-, V=),
la concentracin de las vacancias con carga dependen de la posicin en el nivel de Fermi.
(4)
Los procesos de difusin pueden activarse aun ms bajo el mecanismo de oxidacin, este
mecanismo se explica en funcin de la presencia de silicio intersticial, el cual es generado
durante la oxidacin.
Se cree que solo un pequeo porcentaje (<< 1%) de Sil se desplaza desde la interface hacia el
interior del sustrato, pero suficiente para crear los efectos mencionados.
(5)