TRANSISTOR DE

EFECTO DE CAMPO

Introduccin
Dispositivo
controlado por
corriente:

Dispositivo
controlado por
voltaje:

Caracteristicas importantes
del FET
BJT
Controlado por corriente
Tipos: pnp y npn
Bipolares, dos portadores de
carga: electrones y huecos
Nivel de impedancia alto
variacion de CORRIENTE de
entrada alta

JFET
controlado por voltaje
Tipos: canal p y canal n
Unipolar:
canal nelectrones
canal p huecos
Nivel de impedancia
bajo
variacion de VOLTAJE
entrada baja
Mas estables a
temperatura y mas
pequeos

Tipos de FET

Construccin
El FET consiste de una regin de tipo n la cual tiene es su parte media dos
regiones de tipo p. Una terminal de la regin n se llama Fuente (Sourse) y la
opuesta Drenaje (Drain). Las regiones tipo p estn conectadas. La terminar de
las regiones p se llama Compuerta (Gate).
Drenaje (D)
Contactos hmicos
Canal-n

Compuerta (G)
Regin de
agotamiento

Fuente (S)

VGS = 0 y VDS > 0

D

ID

Regin de
agotamiento

+
VDS

G
p

VDD

IS

Region de trabajo
Voltaje de estrechamiento VP (pinch-off)
Para VDS>VP en FET tiene caractersticas de
fuente de corriente con ID = IDSS.

VGS < 0
El nivel de VGS que da como
resultado ID = 0 mA se
encuentra definido por VGS
= VP siendo VP un valor
negativo para los
dispositivos de canal-n y un
voltaje positivo para los
FET de canal-p.

Resistor controlado por

voltaje
La pendiente de las curvas en la regin hmica es funcin del
voltaje VGS, por tanto es un resistor controlado por voltaje.

Donde ro es la resistencia con VGS = 0.

Dispositivos de canal-p
Los voltajes de las fuentes
se invierten para el FET de
canal-p.
Las corrientes se definen
sentido contrario.

Caractersticas del FET

canal-p

La corriente en la regin de ruptura est limitada solo por el

circuito externo.

Smbolos

Resumen

Caractersticas de
transferencia
La relacin entre ID y VGS est definida por la ecuacin de
Shockley.

Las caractersticas de transferencia definidas por esta ecuacin no

se ven afectadas por la red en la cual se utiliza el dispositivo.

Curva de transferencia a
partir de las caractersticas de
drenaje.

Cuando VGS = Vp4 [V] = -4 [V], la corriente de drenaje es de 0 [mA], y define otro
punto en la curva
de transferencia. Es decir:

Aplicaciones de la ecuacin de
Shockley

V
I D I DSS 1 GS
VP

Para las curvas anteriores podemos obtener:

I D I DSS |VGS 0V

Con VGS = VP
ID = 0
Con VGS = 1 V
1
I D I DSS 1

8mA 1
4

4.5mA

La relacin inversa de la ecuacin de Shockley se obtiene con

facilidad

VGS

ID

VP 1
I Dss

Para ID = 4.5 mA, IDSS = 8 mA y VP = 4 V, se obtiene

VGS

4 .5
1V
4 1
8

Mtodo manual rpido

Tomando VGS = VP/2 se obtiene un valor para ID = IDSS/4
Con ID = IDSS / 2 se obtiene un valor para VGS = VP ( 0.293)
Ms los puntos VGS = 0, ID = IDSS, y VGS = VP , ID = 0.

Ejemplo
Trazar la curva para un FET de canal-p definida por IDSS = 4 mA y
VP = V

Ejemplo
Trazar la curva definida por IDSS = 12 mA y VP = 6V

HOJA DE
ESPECIFICA
CIONES DEL
JFET
2N5457 DE
CANAL N
PROVISTA
POR
MOTOROLA

Caractersticas Elctricas

Regin de Operacin

INSTRUMENTACION

RELACIONES
IMPORTANTES

MOSFET de tipo
decremental
No existe conexin
elctrica entre la
compuerta y el canal de
MOSFET.
Se debe a la capa
aislante SiO2 explica la
alta impedancia de
entrada.

Operacin bsica
Aplicando 0V entre
compuerta y fuente, se
obtiene una corriente IDSS
entre drenaje y fuente.

Caractersticas de
transferencia

Reduccin de portadores libre sen el canal debido al potencial

negativo en la terminal de la compuerta.

Si aplicamos un potencial positivo en la compuerta, se atraern

nuevos portadores desde el sustrato lo cual incrementar la corriente
(regin incremental).

Ejemplo

TRACE LAS CARACTERISTICAS PARA UN MOSFET TIPO

EMPOBRECIMIENTO DE CANAL n CON IDSS=10mA Y Vp=4V.

MOSFET de tipo decremental de

canal-p
Las corrientes y voltajes se invierten respecto al de canal n.

Smbolos

MOSFET de tipo
incremental

El MOSFET de tipo incremental se diferencia del decremental en que no

tiene canal entre la fuente y el drenaje, solo tiene sustrato.

Funcionamiento
Al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y drenaje se inducir
carga negativa en la regin cercana a la capa de xido, produciendo
un canal de portadores n. El voltaje necesario para producir este
canal se llama voltaje umbral VT (threshold)

Voltaje de saturacin
Si se mantiene VGS constante y se aumenta VDS se llegar a tener un
estrechamiento en el canal inducido.

El voltaje de saturacin est

dado por:
VDSsat = VGS VT

Curvas caractersticas

Caracterstica corriente
voltaje
La caracterstica corriente voltaje
en un MOSFET de tipo incremental
esta dada por:

ID = k(VGS VT)2
El valor de k depende del fabricante y puede calcularse de:
k = IDencendido / (VGSencendido VT)2
Donde los valores de encendido son dados para un punto particular de
las curvas del MOSFET.
Para las curvas anteriores si IDencendido = 10 mA y VGSencendido = 8 V,
entonces
ID = 0.278(VGS VT)2
Con VGS = 4V, se encuentra ID = 1.11 mA

Caractersticas de
transferencia

VMOS (VERTICAL METAL

OXIDE SILICON)
Los MOSFET tienen una desventaja frente a los BJT, el manejo
de potencias.
Normalmente un MOSFET puede manejar potencias inferiores a
1 Watts.
Para superar este inconveniente o insuficiencia de los MOSFET,
se realiza un cambio en la forma de construccin del MOSFET.
Para ello, se construye de tal forma que el canal n-inducido
tenga un crecimiento (Operacin en modo incremental) y este
ahora en formado en direccin vertical.
Estos dispositivos se conocen como VMOS. Adems su
apariencia de un corte en V en la base del semiconductor es
la caracterstica que se destaca para la memorizacin del
nombre del dispositivo.

MANIPULACION DEL
MOSFET

El aislamiento entre la compuerta y el

canal es el dixido de silicio (SiO2)
Esta capa aislante (rea gris) es tan
delgada que se si produjera un campo
elctrico fuerte, podra destruirse.

El mayor peligro para un MOSFET son las

cargas estticas durante la manipulacin
del mismo
Para evitar que el MOSFET se dae de
manera accidental, algunos fabricantes
incluyen un diodo ZENER conectado
entre la compuerta (G) y la fuente (S) con
el nodo hacia la compuerta y el ctodo
hacia la fuente.

Este ZENER est diseado para que

conduzca a 50 voltios por lo que VGS
siempre se mantendr por debajo o
igual al valor de esta tensin, y por
debajo del valor de tensin
destructivo.

Si no fuese posible RECONOCER QUE el

MOSFET tiene la proteccin antes
mencionada.
la persona que manipular el elemento
debe de asegurarse que su cuerpo no
est cargado de esttica.
Existen unas pulseras especiales
conectadas a un punto de tierra,
pensadas para mantener descargado el
cuerpo del usuario.

VMOS (VERTICAL METAL OXIDE

SILICON)

Datos importantes de vmos

Comparados con los MOSFET planos comercialmente
disponibles, los VMOS FET tienen niveles de resistencia de
canal reducidos y valores de potencia y corriente ms altos.
Una importante caracterstica adicional de la construccin
vertical es:
Los VMOS FET tienen un coeficiente de temperatura positivo,
el cual combate la posibilidad de un desbordamiento trmico.
Si la temperatura de un dispositivo se debe incrementar
debido el medio circundante o a las corrientes del dispositivo,
los niveles de resistencia se incrementarn causando una
reduccin en
la corriente de drenaje en lugar de un aumento como sucede
para un dispositivo convencional.

CMOS (MOS CON

ARREGLO
CMOS, acrnimo
de Complementary Metal Oxide Semiconductor
COMPLEMENTARIO)
(semiconductor complementario de xido metlico).
Es un dispositivo semiconductor formado por dos transistores de
efecto de campo de xido metlico (MOSFET), uno del tipo n
(NMOS) y otro del tipo p (PMOS), integrados en un nico chip de
silicio.
Utilizados por lo general para fabricar memoria RAM y
aplicaciones de conmutacin, estos dispositivos se caracterizan
por una alta velocidad de acceso y un bajo consumo de
electricidad.
Pueden resultar daados fcilmente por la electricidad esttica.

CMOS (MOS CON ARREGLO

COMPLEMENTARIO)

Datos importantes de CMOS

La configuracin se conoce como una disposicin
de MOSFET complementaria (CMOS);
tiene gran aplicacin en el diseo de lgica de
computadora.