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Electrnica
Universidad de
Oviedo
Introduccin a la Electrnica de
Dispositivos
Materiales semiconductores (Sem01.ppt)
La unin PN y los diodos semiconductores
(Pn01.ppt)
Transistores (Trans01.ppt)
Departamento de Ingeniera Elctrica, Electrnica, de
Computadores y de Sistemas
ATE-UO Trans 00
Tipos de transistores
BJT
PNP
NPN
JFET
Canal P
Canal N
Acumulacin
Canal P
Canal N
MOSFET
Deplexin
BJT:Transistores bipolares de unin.
Canal P
Canal N
is
ie
Ve
Entrada
Cuadripolo
Vs
Salida
ATE-UO Trans 02
ie
La potencia consumida en
la entrada es menor que la
controlada en la salida.
Ve
Entrada
Cuadripolo
Vs
Salida
Vs
Zona de
Corte
Vs
Vs
Vs
Vs=0
is=0
is
+
is
is
is
Zona de
Saturacin
Vs
ATE-UO Trans 04
Colector (P)
Base
(N)
PNP
Base
(P)
Emisor (P)
NPN
Emisor (N)
Muy, muy
importante
ATE-UO Trans 05
NDB=1013 atm/cm3
n=100 ns Ln=0,02 mm
E
1016
Portad./cm3
Lp=0,01 mm
Base
pE =10
15
10
12
N-
P+
nB =1013
pB =107
108
nE =105
104
1m
pC =1014
escala
logartmica
nC=106
ATE-UO Trans 06
Emisor
(P)
Colector (P)
Emisor-Base, directamente
B (N)
Base-Colector, inversamente
VEB
iE
VEB
iB
VBC
VBC
iC
P
C
NP+
Cmo son las corrientes por los terminales
de un transistor?
Para contestar, hay que deducir cmo son las
corrientes por las uniones. Para ello, es preciso
conocer las concentraciones de los portadores.
ATE-UO Trans 07
Calculamos el exceso
de huecos en el
comienzo de la base
pB(0):
Portad./cm3
Polarizamos
directamente
Esc.
log.
Emisor
1016
pB(0)
pE
10
12
108
Unin emisor-base
pB(0)
nE
104
-0,3 -0,2
pB(0)s.p.
-0,1
Longitud [mm]
ATE-UO Trans 08
Portad./cm3
1016
10
12
108
Unin emisor-base
pE
nE(0)
nE(0)
nE
104
-0,3 -0,2
-0,1
nE(0)s.p.
Longitud [mm]
Procediendo de igual forma con el exceso de concentracin de
los electrones del final del emisor, nE(0), obtenemos:
nE(0)=(eVEB/VT-1)ni2/NAE
ATE-UO Trans 09
108
nC
pB(WB)
WB
ATE-UO Trans 10
1012
pB(WB )s.p.
-pB(WB)
pB(WB) = (e
pC
1016
-1)ni /NDB
VCB/VT
104
Portad./cm3
Unin basecolector
Polarizamos
inversamente
Colector
Esc.
log.
100
0,3 mm
C (P)
E (P)
B (N)
VEB
VCB
VBC
pC
1016
1012
nC(WB )s.p.
108
nC
-nC(WB)
nC(WB)
WB
nC(WB) = (e
ATE-UO Trans 11
-1)ni /NAC
VCB/VT
104
Portad./cm3
Unin basecolector
Colector
Esc.
log.
100
0,3 mm
C (P)
E (P)
B (N)
VEB
VCB
VBC
VBC
VEB
E
-+
P
Polarizamos
en zona activa
N- + -
WB
pB(0+)
-pB(WB-)
-nC(WB+)
nCs.p.= ni2/NAC
nEs.p.= ni /NAE
2
Escala lineal
(no exacta)
ATE-UO Trans 12
nE(0-)
0- 0+ WB- WB+
pBs.p.= ni2/NDB
VBC
VEB
N- + -
WB
pB(0+)
senh((WB-x)/LP)
senh(WB/LP)
B
-+
=pB(WB-)+(pB(0+)-pB(WB-))(WB-x)/WB
El gradiente de la concentracin de
huecos en la base es:
pB(0+)
pBs.p.
pB(WB-)
-pB(WB-)
0+
WB-
d(pB(x))/dx = -(pB(0+)-pB(WB-))/WB
ATE-UO Trans 13
VBC
VEB
E
-+
N- + -
WB
pB(0+)
-pB(WB-)
-nC(WB+)
nCs.p.= ni2/NAC
nEs.p.= ni /NAE
2
Escala lineal
(no exacta)
ATE-UO Trans 14
nE(0-)
0- 0+ WB- WB+
pB(0+)-pB(WB-)
nEs.p.= ni /NAE
2
nCs.p.= ni2/NAC
nE(0-)
0Emisor largo:
(dnE/dx)0- = nE(0-)/LNE
-nC(WB+)
0+
WB-
WB+
Colector largo:
(dnC/dx)WB+ = -nC(WB+)/LNC
Base corta:
(dpB/dx)0+ = -(pB(0+)-pB(WB-))/WB
ATE-UO Trans 15
pB(WB-) = (eVCB/VT-1)ni2/NDB
pB(0+)=(eVEB/VT-1)ni2/NDB
nC(WB+) = (eVCB/VT-1)ni2/NAC
VBC
VEB
E
-+
juEB
N- + WB
juBC
VEB
VEB
VBC
-+
Seccin A
IE = AjuEB
IB
juEB
IC = -AjuBC
B -
VCB
N- + WB
juBC
IC
+
IE =qni2A((eVEB/VT-1)(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))-(eVCB/VT-1)DPB/(NDBWB))
IC=-qni2A((eVEB/VT-1)DPB/(NDBWB)-(eVCB/VT-1)(DPB/(NDBWB)+DNC/(NACLNC)))
IB = -qni2A((eVEB/VT-1)DNE/(NAELNE)+(eVCB/VT-1)DNC/(NACLNC))
ATE-UO Trans 18
VEB
IC
VBC
E (P)
-DPB/(NDBWB)
DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB)
IE
IB
VEB
Ejemplo:
DPB = 10 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3
WB = 1 m
DPB/(NDBWB)= 10-8
IC/IE = -0,998
DNE = 40 cm2/s
NAE = 1015 atom./cm3
LNE = 20 m
VEB
C (P)
B (N)
- -
VCB
IC
VBC
DNE/(NAELNE)= 210-11
IB/IE = (-IE - IC)/IE= - 0,002
IE
+
E
VEB
+
0,002IE
B -
-+
+-
0,998IE
VCB
+
P
La corriente de emisor IE se relaciona con la tensin emisorbase VEB como en cualquier unin PN polarizada directamente:
IE ISEeVEB/VT.
VEB=0,3
E
P+
Portad./cm3
1012
N1m
VEBO=0,48V
pB
51011
nE
Escala
lineal
nC
La posicin vertical de
este punto vara mucho
con VEB.
Para cualquier VBC>0 (es
decir, VCB <0), la posicin
vertical de este punto no
vara casi.
Gradiente constante
ATE-UO Trans 22
pB
51011
nC
nE
Contacto de base
Corriente mA
3
1,5
IE
IpE
InE
Escala
lineal
-IC
IpB
InB
-IpC
-InC
pB3
pB2
0
nE
Corriente
pB1
Escala
lineal
nC
Contacto de base
IE3
-IC3
IE2
-IC2
IE1
-IC1
IE
-IC
VBC
0
ATE-UO Trans 24
IE = qni2A(eVEB/VT-1)(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))
IC = -qni2A(eVEB/VT-1)DPB/(NDBWB)
IE
VEB
-IC
Definimos
:
= -IC/IE VCB=0
DPB/(NDBWB)
DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB)
Muy importante
ATE-UO Trans 25
IC/IE
-DPB/(NDBWB)
= -
DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB)
Luego:
-IC IE
IE
VEB
-IC
VBC
Tpicamente:
= 0,99-0,999
Muy, muy importante
ATE-UO Trans 26
VEB -I
B
B
-IC
VBC
IC IB/(1-)
Definimos
=/(1-)
Luego:
IC IB
Valor de en funcin de la
fsica del transistor:
= DPBNAELNE /(DNENDBWB)
Tpicamente:
= 50-200
Ejemplo:
= 0,99
= 0,99/(1-0,99) = 99
max
min
tpica
IC
VEB -I
B
B
-IC
VBC
IE
P
E
VEB -IB B
-IC
VEC-VEB>0
IE
VBC
IB B
NWB>>LP
P+
Portad./cm3
IC
1012
pB
51011
nE
0
Gradiente grande fuerte
corriente de huecos.
nC
Gradiente
muy
pequeo no hay
casi corriente de
electrones.
pB
510
11
nE
nC
1.5
IE
IpE
InE
InB
IpB
-IC
-InC
-IpC
ATE-UO Trans 31
IE -IB
VEB=0,3
-IC 0
VBC
-IB B
N-
P+
WB>>LP
Circuito equivalente
con Base ancha.
1.5
IE
IpE
InE
InB
IpB
-IC
-IB
-InC
-IpC
ATE-UO Trans 32
E (P)
IE
IB
VEB
VBE
C (P)
B (N)
- -
VCB
IC
VBC
Muy importante
IB qni2A(DNE/(NAELNE) + DNC/(NACLNC))
ATE-UO Trans 33
IE -qni2ADNE/(NAELNE)
IC -qni2ADNC/(NACLNC)
IB qni2A(DNE/(NAELNE) + DNC/(NACLNC))
eVEB/VT = 4,8106
Zona Activa
IE eV /V qni2A(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))
EB
IC - eVEB/VTqni2ADPB/(NDBWB)
IB - eVEB/VTqni2ADNE/(NAELNE)
ATE-UO Trans 34
Concentracin
pB (activa)
nE (activa)
nE (corte)
0
pB (corte)
Escala
lineal
nC
-IC
VBC
VEB
BE
Corriente
IE
IE (activa)
-IC (activa)
IE (corte)
-IC (corte)
ATE-UO Trans 35
Resumen
Zona Activa
Zona de Corte
IC 0,IE 0y
-IC -IB
IE 0
IB
E
IE
y IE -(1+)IB
-IC
VEB -IB B
VBE -IB B
VBC
VEB -IB
Emisor
comn
VBC
VEC
IE
VEC(> VEB)
E
-IC
Base
comn
Base
comn
IE
-IC
VBE -IB
-IC
Emisor
comn
ATE-UO Trans 36
eVEB/VT-1 = 0y eVCB/VT-1 -1
IE (V
EB=0)
IC (V
EB=0)
IB (V
EB
=qni2ADPB/(NDBWB))
IE
E
-IB
-IC
VBC
Base comn y
emisor comn
=-qni2A(DPB/(NDBWB) + DNC/(NACLNC))
2
=
qn
=0)
i ADNC/(NACLNC)
-IC0
VBC
IEC0
VEC
ATE-UO Trans 38
E (P)
IE
IB
VEB
VEB
C (P)
B (N)
- -
VCB
IC
VCB
VCB +
VEB
-IB
P
P
V1
V1 >VEB
Si llamamos DB y DC:
DB = qni2ADPB/(NDBWB)
DC = qni2ADNC/(NACLNC)
La corriente de colector ser:
VCB +
VEB
-IB
Entonces:
(-IC)R = V1 + VTln(DB/(DB+DC))
y, como DB>>DC:
P
V1
V1 >VEB
(-IC)R V1
El transistor se
comporta como
un cortocircuito
ATE-UO Trans 41
Concentracin
pB (lim.)
nE
0
pB (sat.)
pB (activa)
Escala
lineal
nC
Corriente
(satur.)
IIEE (lmite)
-ICC (satur.)
(lmite)
IE (activa)
-IC (activa)
Misma pendiente, ya
que la corriente de
colector es ms o
menos constante.
V1/R
ATE-UO Trans 41
Resumen
Zona Activa
Zona de Corte
N
VEB
VCB
-IB
P
IE
R
+
-IC
-IC
-IC
VCB
-IB
Zona de Saturacin
V1
VCB < 0
-IC IE y -IB (1-)IE
-IC -IB y IE -(1+)IB
VBE
VCB
-IB
P
IE
VEB
V1
IC 0,IE
0y IB 0
P
P
IE
ATE-UO Trans 43
V1
IE
+
VBE
VEB
+
IC
VCB
IB
-+
B N- + -
VCB
+
P
ATE-UO Trans 45
-IE
VEB=0
R =
DPB/(NDBWB)
E
-IB
IC
VCB
DNC/(NACLNC)+DPB/(NDBWB)
IE
Comparacin de F y R
E
-IC
-IE
VEB
-IB
F = -IC/IE
IC
VCB
R = -IE/IC
VEB=0
VCB=0
F =
DPB/(NDBWB)
DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB)
R =
DPB/(NDBWB)
DNC/(NACLNC)+DPB/(NDBWB)
Ejemplo:
DPB = 10 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3
WB = 1 m
DPB/(NDBWB)= 10-8
DNE = 40 cm2/s
NAE = 1015 atom./cm3
LNE = 20 m
DNC = 40 cm2/s
NAC = 1014 atom./cm3
LNC = 20 m
DNE/(NAELNE)= 210-11
DNC/(NACLNC)= 210-10
F = 0,998
R = 0,98
ATE-UO Trans 47
Definicin de F y R
Definimos F
Definimos R
F= F/(1- F)
R= R/(1- R)
Valor de F en funcin de la
fsica del transistor:
F=DPBNAELNE /(DNENDBWB)
Valor de R en funcin de la
fsica del transistor:
R=DPBNACLNC /(DNCNDBWB)
Ejemplo anterior:
DPB = 10 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3
WB = 1 m
DNE = 40 cm2/s
NAE = 1015 atom./cm3
LNE = 20 m
F = 500
DNC = 40 cm2/s
NAC = 1014 atom./cm3
LNC = 20 m
R = 50
IE
IB
VEB
C (P)
B (N)
- -
VCB
IC
IE = qni2A(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))(eVEB/VT-1) ISE(eVEB/VT-1) = IF
- qni2ADPB/(NDBWB)(eVCB/VT-1)
IC = -qni2ADPB/(NDBWB)(eVEB/VT-1) +
+ qni2A(DPB/(NDBWB)+DNC/(NACLNC))(eVCB/VT-1)
ISC(eVCB/VT-1) = IR
ATE-UO Trans 49
IE = IF - qni2ADPB/(NDBWB)(eVCB/VT-1)
siendo:
IR R
IF = qni2A(DNE/(NAELNE)+DPB/(NDBWB))(eVEB/VT-1)
y tambin:
IC = IR -qni2ADPB/(NDBWB)(eVEB/VT-1)
siendo:
IF F
IR = qni2A(DPB/(NDBWB)+DNC/(NACLNC))(eVCB/VT-1)
Por tanto, en resumen:
IE = IF - IR R
IF = ISE(eVEB/VT-1)
IC = IR - IF F
IR = ISC(eVCB/VT-1)
ATE-UO Trans 50
IE = IF - IR R
IC = IR - IF F
IF = ISE(eVEB/VT-1)
E (P)
IE
IB
VEB
IE
C (P)
B (N)
- -
VCB
IR = ISC(eVCB/VT-1)
IC
VEB
IF
VCB
IR
IC
C
RIR IB B FIF
IE
IC = IR - IF F
VCB
IF
IF = ISE(eVEB/VT-1)
IR = ISC(e
VEB
-1)
VCB/VT
IR
IC
C
RIR IB B FIF
ISC R = ISE F = IS
Consecuencia:
ATE-UO Trans 52
Clculo de IC0
IE=0 + VEB -
VCB
E I
F
IC=IC0
IR C
RIR IB B FIF
VBC
-IC0
VBC
Partiendo de:
0 = IF - IR R
IC0 = IR - IF F
IF = ISE(eVEB/VT-1)
IR = ISC(eVCB/VT-1)
Se obtiene:
E (P)
IE = IF - IR R
IC = IR - IF F
IF = ISE(e
-1)
VEB/VT
IE
IR = ISC(eVCB/VT-1)
Se obtiene
-IC0
C (P)
IB
VEB
VEB
B (N)
- -
VCB
-IC
VBC
Muy importante
IC = IC0(1+ F) + IB F
stas son mejores aproximaciones que -IC FIE y IC FIB
ATE-UO Trans 54
EB
C
B
-IC0
VBC
VBE
-IC (corte)
VBC
C
B
-IC (V
EB=0)
y IEC0
=0)
E
VBC
IEC0
VEC
EB=0)
IC (V
EB=0)
IC0(1+ R)
EB=0)
IEC0 = -IC0(1+ F)
< IEC0
ATE-UO Trans 55
Portad./cm3
1012
Efecto Early
pB (VBC1)
Escala
lineal
51011
nE
pB (VBC2)
WB
nC
VEB
C
B
VBC
WB
Al aumentar la tensin Base-Colector VBC, el ancho de la zona de
transicin tambin aumenta, por lo que el ancho efectivo de la
Base WB disminuye. Al disminuir el ancho efectivo de la base
aumenta la corriente de emisor (ya que aumenta el gradiente de
minoritarios de la base), y tambin disminuye la corriente de base
(ya que disminuyen las recombinaciones, ahora despreciadas, de
minoritarios en ella).
ATE-UO Trans 56
IE
IB
VEB
- -
VCB
IE [mA]
20
Curvas de
entrada
VCB=-5V
VCB=
-10V
IC
0
VCB=0
VEB [V]
0,6
IE
IB
Curvas de salida
IC [mA]
IE=50mA
VEB
- -
VCB
IC
IE=40mA
-40
IE=30mA
IE=20mA
-20
IE=10mA
IE=0mA VCB [V]
0
En polarizacin en zona
activa, se comporta como
una fuente de corriente.
-2
-4
IC0
-6
Muy importante
ATE-UO Trans 58
IE
IB
Curvas de salida
IC [mA]
IE=50mA
VEB
- -
VCB
Saturacin
IC
-40
IE=30mA
IE=20mA
-20
Zona Activa
Muy importante
IE=40mA
IE=10mA
IE=0mA VCB [V]
0
-2
-4
IC0
-6
Corte
ATE-UO Trans 59
IC
+
+
-
IB
VCE
VBE
VCE=-5V
IB[A]
-100
Curvas de
entrada
VCE=0
VCE=-10V
VBE[V]
-0,6
0
Para una determinada tensin VBE, la corriente de base
decrece con la tensin inversa aplicada entre colector y
emisor (efecto Early). Este efecto no es muy
significativo.
Cuando VBE=0 y VCB<<-VT, la corriente de base es
ligeramente positiva (ver ATE-UO Trans 37). Es un detalle
no muy importante.
ATE-UO Trans 60
IC
+
+
-
IB
VCE
VBE
-40
Curvas de salida
IC [mA]
IB=-400A
IB=-300A
IB=-200A
-20
IB=-100A
IB=0A VCE [V]
0
-2
-4
-6
-IEC0 =IC0(1+ F)
Muy importante
ATE-UO Trans 61
IC
+
+
-
IB
VCE
VBE
-40
Curvas de salida
IC [mA]
IB=-400A
IB=-300A
IB=-200A
-20
IB=-100A
Saturacin
Zona Activa
-2
-4
-6
Corte
Muy, muy importante
ATE-UO Trans 62
-IC
-IB=400A
40
R=200
-IB=300A
-IB
20
-VCE
V1
-IB=200A
+
V2=6V
-IB=100A
-VCE [V]
IB=0A
-IB =
-IB =
-IB =
-IB =
-IB =
Recta de carga
Saturacin
Z.
Ac
t
Esta representacin
justifica en trmino
saturacin.
Corte
IB
Determinacin
Determinacindel
delestado
estadoen
enzona
zona
activa
activa ooen
ensaturacin
saturacinen
encircuitos
circuitos
Zona
Zona Activa:
Activa: IICC IIBB
FF
Saturacin:
Saturacin: IICC<< IIBB
FF
ATE-UO Trans 64
Unin PN ideal
IC4
IC3
IC
IC2
IC1
IE
E
Circuito
equivalente
Curvas de salida
= Cte.
IB4
IB3
IB0
IB2
IB1
VCE
-IC
C
-IB
Muy importante
B IE
-IB
ATE-UO Trans 65
R=200
-
-IB
-VCE
V1
400A
40
30
300A
20
200A
-IB= 100A
10
+
V2=6V
-IB=0
-VCE [V]
R2
+
C
(P)
VCB
-IB
R1
V1
B
(P)
(N)
-IB
Por tanto:
IC= IB
V2
Muy importante
ATE-UO Trans 67
Como IB = 0, la fuente de
corriente no conduce
corriente.
-IC
R2
+
C
(P)
VCB
IB=0
R1
V1
B
(P)
(N)
-IB
V2
IC= 0
Muy importante
ATE-UO Trans 68
-IC
R2
+
C
(P)
(N)
VCB
-IB
R1
V1
B
(P)
Por tanto:
(-IB)
V2
Muy importante
ATE-UO Trans 69
Transistores NPN
Todo lo dicho para transistores PNP se aplica a los NPN sin ms que:
Mantener todos los tipos de polarizacin (directa o inversa).
Cambiar los sentidos de todas las fuentes de tensin que hemos
dibujado. Por convenio mantendremos los sentidos en los que
medimos las tensiones.
Cambiar los sentidos de todas las circulaciones reales de corriente.
Por convenio mantendremos los sentidos en los que medimos las
corrientes.
-IC
IC
NPN, z.
PNP, z.
activa
activa
VCB
-IB
N
VEB
VCB < 0
-IC IE
IC IB
P
IE
V1
VCB
IB
P
VBE
VCB > 0
IC (-IE)
IC IB
N
-IE
V1
ATE-UO Trans 70
NPN, z.
activa
VCB
IB
R
+
VCB
IB
-IE
VCB > 0
IC (-IE)
R
+
VBE
IC
NPN,
corte
V1
VEB
VCB
IB
IC 0,IE
0y IB 0
N
-IE
NPN,
saturacin
V1
VBE
IC
R
N
N
-IE
IC IB
Muy, muy importante
ATE-UO Trans 71
V1
+
-
IB
IC
C
VBE
IC [mA]
40
100
VCE
VCE=5V
IB[A]
Referencias
normalizadas
VCE=0
Curvas de
entrada
VCE=10V
VBE[V]
0
IB= 400A
0,6
IB= 300A
Curvas de
salida
IB= 200A
20
IB= 100A
6
ATE-UO Trans 72
IE
IC = -IR + IF F
IF = ISE(eVBE/VT-1)
IR = ISC(eVBC/VT-1)
-IE
E
Circuito
equivalente ideal
VBE
VBC
IR
IF
IC
C
RIR IB B FIF
IC
Modelo de
Ebers-Moll
IB
B (-IE)
IB
ATE-UO Trans 73
Encapsulado de transistores
Encapsulado
TO-92
Encapsulado
TO-126 (SOT-32)
Encapsulado
TO-220
BC548 (NPN)
BC558 (PNP)
Encapsulado
TO-3
2N3055 (NPN)
BU326 (NPN)
BD135 (NPN)
BD136 (PNP)
MJE13008 (NPN)
IRF840 (MOSFET, N)
BDX53C (Darlington)
ATE-UO Trans 74
N-
SiO2
E
N+
P-
N+
B
C
ATE-UO Trans 75
Resistencia de base
B
E
P+
IE
E
C
Modelo de Ebers-Moll modificado
ATE-UO Trans 76
VEB
VCB
IR
IF
RIR IB B FIF
RB
IC
C
Transistor saturado
Concentracin
P+
nE
0
N-
pB (sat.)
pB corte
nC
Para
cortar
el
transistor
hay que
eliminar
todo
este
exceso de portadores.
Transistor cortado
ATE-UO Trans 77
Situacin menos
deseable (muy saturado)
pB (lim.)
Situacin ms deseable
(en el lmite)
(desde en punto de vista de la rapidez).
ATE-UO Trans 78
R2
R1
V2
VCB +
N
P
El transistor se queda en el
lmite entre saturacin y zona
activa.
R2
V1
Con diodo Schottky
Estos diodos impiden la
polarizacin directa de la
unin CB.
R1
VCB +
N
P
V2
V1
Con 3 diodos
ATE-UO Trans 79
R2
Saturacin
V1
R1
N
P
Corte +
V2
VBE -
R2
C1
+ Saturacin
Esta corriente es la
V1
de eliminacin de
los minoritarios de
la base
Corte
R1/2
R1/2
+
VBE
V2
ATE-UO Trans 80
Fototransistores y fotoacopladores
Un fototransistor es un transistor en el que la
incidencia de luz sobre la zona de la base
influye mucho en la corriente de colector. La
luz juega un papel semejante al de la
corriente de base.
Smbolo
R2
R2
IC
Optoacoplador
+ ILED
N
P
Fotodetector
IC
V2
F.T.
LED
V2
IC/ILED 1-0,2
Muy importante
ATE-UO Trans 81
P+
N-
Fuente
(S)
Canal
Drenador
(D)
P+
Puerta (G)
G
JFET (canal N)
Smbolo
G
Otros smbolos
G
canal N
S canal P
D
S
JFET (canal P)
Smbolo
ATE-UO Trans 82
P+
Fuente
(S)
NP+
Drenador
(D)
Puerta (G)
Zona de transicin en zona muy dopada estrecha
Zona de transicin en zona poco dopada ancha
ATE-UO Trans 83
P+
(S)
(D)
P+
VV12
(G)
V1 < V2
D
+
VDS
S
ID
Evolucin si la resistencia
no cambiara con la tensin.
ID
VDS
Evolucin real en un JFET
(la resistencia cambia con
la tensin aplicada).
V1
V2
ATE-UO Trans 85
P+
(S)
N-
VPO
(D)
VDS
P+
(G)
VDS=VPO > V2
P+
(S)
LZTC
LC
(D)
VDS
P+
(G)
P+
-
VPO
LZTC
+ L
ZTC
(D)
(S)
VDS
P+
(G)
VDS=V4 > V3
ID
Comportamiento
resistivo
Comportamiento como
fuente de corriente
VDS=V1
VDS=V2
VDS
VDS=VPO
VDS=V3
V1 V2 VPO
V3
V4
VDS=V4
ATE-UO Trans 89
Qu pasa si VGS 0?
P+
VPO
(S)
N
Con VGS=0, la
contraccin ocurre
cuando VDS = VDSPO =VPO.
(D)
+
-
VDS=VPO
P+
(G)
N-
VPO
(S)
P+
(G)
UB
+
VGS
-
+
-
(D)
+
VDS
El canal es siempre
ms estrecho, al estar
polarizado ms
inversamente
mayor resistencia
UA La contraccin se
produce cuando:
VDS=VDSPO=VPO + VGS
Es decir:
VDSPO = UA = VPO - UB
G
+
VGS
-
ID
D
+
VDS
-
Curvas de entrada:
No tienen inters
(unin polarizada
inversamente)
Muy importante
Curvas de salida
ID [mA]
VGS = 0V
VGS = -0,5V
VGS = -1V
VGS = -1,5V
VGS = -2V
VDS [V]
La tensin VPO
P+
N-
(S)
(D)
P+
(G)
UB1
+
VGS
-
P+
N-
(S)
P+
(G)
UB1< UB2
+
VGS = -VPO
-
(D)
Cortocircuitamos el
drenador y la fuente y
aplicamos tensin
entre puerta y fuente.
2,5K
G
+
VGS
-
ID [mA]
VGS = 0V
VGS = -0,5V
+
VDS
-
VGS = -1V
10V
VGS = -1,5V
VGS = -2V
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V
Comportamiento resistivo
12 VDS [V]
VGS = -2,5V
Muy
importante
ID [mA]
4
Tambin se conoce la
tensin de contraccin
del canal, VPO
VGS = 0V
IDPO
2
Ecuacin ya conocida:
ID0PO
VGS = -0,5V
VGS = -1V
VGS = -1,5V
VGS = -2V
12 VDS [V]
VGS = -VPO
Muy importante
ATE-UO Trans 94
R
IB
V1
B (P)
+
VBE
-
C (N)
V2
E (N)
Muy importante
IG 0 G (P)
V1
+
VGS
-
D
V2
N
S
ATE-UO Trans 95
Corriente de electrones
en todo el dispositivo
N-
(transistor unipolar)
(D)
(S)
+
UA
P+
(G)
UB
+
VGS
-
VDS
Muy
importante
S
N+
N-
D
N+
P+
P+
Contactos metlicos
Canal N
G
Uso de un JFET de canal P
+
VGS
-
D
P
S
V2
-ID
G
N-
N+
D
N+
GaAs aislante
Pequea
polarizacin
directa GS
Tensin GS
nula
ID
GaAs
Contactos
hmicos
Polarizacin
inversa GS,
zona resistiva
VGS > 0
VGS = 0
VGS<0
VDS
Polarizacin
inversa GS, zona
f. de corriente
ATE-UO Trans 98
Metal
metlicos
N+
P-
N+
Metal
G D
xido
Semiconductor
Substrato
Smbolo D
G
Smbolo
G
Substrato
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulacin) de canal N
MOSFET de
enriquecimiento
de canal P
ATE-UO Trans 99
S ++ ++
- +
- N+
N+
P-
Zona de transicin
(con carga espacial)
V1
Substrato
S +++
++ +++
++
-- N+
V2 > V1
-- --
N+ -P-
Substrato
S ++++
++++
N+ -- -- - - - - N+
P+
Substrato
V3 = V TH > V2
Esta capa es una zona de
transicin (no tiene casi
portadores de carga)
S +++++ +++++
N+ -- - -- -- - -- N+
PVDS
ID
S +++++ +++++
Substrato
Substrato
Conectamos la fuente al
substrato.
N+ -- - -- -- - -- N+
P-
V4 > V TH
VGS
Cmo es la corriente de
drenador?
ATE-UO Trans 102
ID 0
VDS 0
S +++++ +++++
Principios de operacin de
los MOSFET (IV)
D
N+ -- - -- -- - -- N+
P-
VGS
Substrato
S +++++ +++++
ID
N+ -- - -- -- -- - N+
PSubstrato
VGS
VDS2=VDSPO >VDS1
ID
S +++++ +++++
N+
P-
- - -------
D
N+
VGS
Principios de operacin
de los MOSFET (V)
El canal formado se contrae
totalmente cuando VDS = VDSPO.
VDS3 >VDSPO
ID
Substrato
S +++++ +++++
N+
P-
- - -------
Substrato
ATE-UO Trans 104
D
N+
VGS
VDS1
ID0
ID0
S
N+
PSubstrato
D
N+
S
N+
P-
D
N+
Substrato
G
+
VGS
-
+
VDS
S -
Curvas de entrada:
No tienen inters
(puerta aislada del canal)
ID
Curvas de salida
ID [mA]
VGS = 4,5V
VGS = 4V
VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V
VDS [V]
Muy importante
ATE-UO Trans 106
2,5K
D
+
-
VGS
+
VDS
-
ID [mA]
VGS = 4,5V
VGS = 4V
VGS = 3,5V
10V
VGS = 3V
VGS = 2,5V
Comportamiento resistivo
12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
Muy
importante
S
N+ N
N+
PSubstrato
S
P-
N+
+++ +++
N-
- - - - - -
+
VGS=V1
N+
V1
Substrato
Modo ACUMULACIN:
Al colocar tensin positiva
en la puerta con relacin al
canal, se refuerza el canal
con
ms
electrones
procedentes del substrato.
El canal podr conducir
ms.
ATE-UO Trans 109
S
P-
N+
--- --+ + + + + +
N-
Substrato
+
VGS=-V1
N+
+
V1
S
N
P-
-N - - -
Substrato
+++ +++
N+
- +
Modo acumulacin
V1
P-
N+
N-
--- --+ + + + + +
+ +
Substrato
N+
V1
Modo deplexin
ATE-UO Trans 111
Muy importante
ID [mA] Enriquecimiento
VGS = 4,5V
VGS = 4V
2
ID [mA]
VGS = 3V
VGS = 2,5V
Deplexin
VGS = 1V
VGS = 0,5V
6 VDS [V]
Modo acumulacin
VGS = 0V
VGS = -0,5V
VGS = -1V
VGS = 3,5V
Modo deplexin
6 VDS [V]
ATE-UO Trans 112
Canal N
G
Tipo S
deplexin
D
G
S
Tipo
enriquecimiento
S
Tipo
deplexin
Canal P
R
D
+
V1
+
VDS
-
VGS
Canal N
V2
+
V1
+
VDS
-
-ID
V2
VGS
Canal P
ID
R
IG 0
V1
D
G
V2
+
VGS
S
JFET, canal N
IG =0
+
V1
V2
VGS
MOSFET, canal N
D
N+
D
G
S
Substrato
El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos.
El xido se puede llegar a perforar por la electricidad
esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener
de proteccin.
Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los
MOSFET de enriquecimiento.
ATE-UO Trans 116