La

Teora

IMAT2016

de

Bandas
MALN

Teora de Bandas
La idea central que subyace en la descripcin de la
estructura electrnica de los slidos metlicos es la
de que los electrones de valencia de cada tomo se
distribuyen a travs de toda la estructura. Este
concepto se expresa, de una manera ms formal,
haciendo una simple extensin de la Teora de
Orbitales Moleculares, en la que el slido se trata
como molcula infinitamente larga. Estos principios
pueden tambin aplicarse a la descripcin de
slidos no metlicos como los slidos

Formacin de la banda mediante el

solapamiento orbital.
El solapamiento de un gran nmero de orbitales
atmicos conduce a un conjunto de orbitales
moleculares que se encuentran muy prximos en
energas y que forman virtualmente lo que se
conoce como una banda. Las bandas se encuentran
separadas entre s mediante espacios energticos a
los que no les corresponde ningn orbital
molecular.

La estructura electrnica
de
un
slido
se
caracteriza
por
la
existencia de bandas de
orbitales.

Teora de Bandas
Para poder visualizar la formacin de una banda considrese una distribucin
lineal de tomos (slido unidimensional), separados todos a la misma distancia
(a), en los que cada tomo posee un orbital de tipo s. Cada orbital de tipo s de
un tomo solapar con el orbital s del tomo vecino. As, si slo hubiera dos
tomos en el conjunto el solapamiento conducira a la formacin de 2 orbitales
moleculares, uno de enlace y otro de antienlace. Si tenemos 3 tomos, el
solapamiento de los 3 orbitales de tipo s originara la formacin de 3 orbitales
moleculares, de enlace, de no enlace y de antienlace. A medida que se van
aadiendo tomos al conjunto cada uno contribuye con su orbital molecular al
solapamiento y en consecuencia se obtiene un nuevo orbital molecular. As,
cuando el conjunto est formado por N tomos se obtienen N orbitales
moleculares. El orbital molecular de menor energa no presenta ningn nodo
entre los tomos vecinos, mientras que el orbital molecular de mayor energa
presenta un nodo entre cada par de tomos vecinos.

Los restantes orbitales van teniendo sucesivamente 1, 2, 3... nodos

internucleares y sus energas estn comprendidas entre la del orbital ms
enlazante (de menor energa) y la del ms antienlazante (mayor energa).

Teora de Bandas
La diferencia de energa entre los N orbitales moleculares es tan pequea que
se forma una banda o continuo de niveles de energa. La anchura total de la
banda depende de la fuerza de la interaccin entre los orbitales atmicos de
los tomos vecinos, de forma que, cuanto mayor sea la interaccin, mayor
ser el solapamiento entre los orbitales y mayor ser la anchura de la banda
resultante (o separacin entre el orbital molecular ms enlazante y el ms
antienlazante). La anchura de una banda es, por lo general, una medida del
grado de localizacin del enlace. Una banda estrecha representa un alto grado
de localizacin de un enlace y a medida que se va haciendo ms ancha los
enlaces se hacen ms deslocalizados.

Formacin de una banda de orbitales moleculares

Teora de Bandas
La banda que se ha descrito se ha formado a partir del solapamiento de
orbitales s y se denomina, por tanto, banda s. Si en los tomos existen
orbitales de tipo p disponibles, stos pueden solapar originando una banda p.
Como los orbitales p poseen mayor energa que los orbitales s de la misma
capa, se observa a menudo la separacin entre la banda s y la banda p. Pero si
las bandas son anchas y las energas de los orbitales s y p de la misma capa no
difieren mucho entonces ambas bandas se solapan. Este solapamiento es el
responsable de que los elementos del grupo 2 de la Tabla Peridica tengan un
comportamiento metlico. De la misma forma, la banda d est formada por el
solapamiento de orbitales atmicos d.

Orbitales moleculares y bandas s y p

(a) y (b) Bandas s y p, que pueden solapar o

no, dependiendo de la anchura. (c) Niveles
ocupados y nivel de Fermi a o K.

El nivel de Fermi

Teora de Bandas

A la temperatura T = 0 K los electrones ocupan los orbitales moleculares

que forman la banda siguiendo su principio de construccin. Si cada tomo
del modelo (distribucin lineal de tomos) contribuye a la banda s con 1
electrn entonces, a T = 0 K la mitad de los orbitales que forman la banda
(1/2 N) estarn ocupados. El orbital molecular de mayor energa que se
encuentra ocupado se conoce como el nivel de Fermi y, en este caso,
estar situado en el centro de la banda. La banda de menor energa que se
encuentra ocupada o semiocupada se conoce como banda de valencia. La
banda de menor energa que se encuentra vaca se conoce como la banda
de conduccin.
A una temperatura superior a 0 K, la poblacin de los orbitales moleculares
que forman la banda, P, viene dada por la distribucin de Fermi-Dirac, que
es una versin de la distribucin de Boltzmann, y que tiene en cuenta que
cada nivel de energa de la banda slo puede estar ocupado por 2
electrones como mximo. Esta distribucin P tiene la siguiente forma:
P = 1/(e(E-)/kT + 1)
donde es el potencial qumico o energa del nivel para el cual P = 1/2.

El nivel de Fermi

Teora de Bandas

Cuando la banda no est completamente ocupada los electrones que se

encuentran prximos al nivel de Fermi pueden, fcilmente, promocionarse
a niveles vacos que se encuentran inmediatamente por encima de ste.
Como resultado, los electrones gozan de movilidad y pueden moverse
libremente a travs del slido. Este fenmeno origina que la sustancia sea
un buen conductor elctrico. Como se ha visto, en un metal la
conductividad elctrica disminuye con la temperatura; este hecho se debe
a las interferencias (los electrones se pueden describir como ondas) que se
producen entre los electrones que se mueven por el slido y las vibraciones
de la red cristalinas, provocadas por el movimiento de los tomos,
vibraciones que aumentan al hacerlo la temperatura.

Teora de Bandas
La densidad de estados.
El nmero de niveles de energa con un determinado valor de energa se
conoce como la densidad de estados, N(E) o . Es posible representar la
variacin de energa de una banda en funcin de la densidad de estados para
las bandas s y p. La densidad de estados no es uniforme a lo largo de toda la
banda debido a que los niveles de energa se empaquetan ms a unos
determinados valores de energa que a otros. Este hecho produce que la banda
s, por ejemplo, presente la mayor densidad de estados en el centro y la menor
densidad de estados en los extremos de la banda. La razn de este
comportamiento est en la forma de las combinaciones lineales que originan
los orbitales moleculares que constituyen la banda s. Existe una nica
combinacin lineal que conduce al orbital molecular ms enlazante (el lmite
inferior de la banda)y otra que conduce al ms antienlazante (el lmite
energtico superior de la banda). Sin embargo hay varias combinaciones
posibles, degeneradas en energa, que dan lugar a los orbitales moleculares
que forman la parte central de la banda s. Entre dos bandas separadas por un
espaciamiento energtico, la densidad de estados en el mismo es cero, pues
no hay niveles energticos en dicha separacin. En algunos casos especiales
puede ocurrir que la separacin entre la banda de valencia y la de conduccin
sea nula, aunque la densidad de estados en el punto de conjuncin de ambas
bandas sea cero.

Teora de Bandas
La densidad de estados.
Esta es la estructura de bandas tpica de un semimetal. Slo algunos electrones
pueden pasar de la banda llena a la banda vaca de forma que estos materiales
poseen conductividades elctricas bajas. Un ejemplo importante de semimetal
es el grafito.

Densidad de estados tpica de un metal (izquierda) y de un

semimetal (derecha).

Teora de Bandas
Esta teora explica el comportamiento de los materiales al paso de la
corriente desde una perspectiva ms cientfica.
Se define Banda de Valencia (BV) al conjunto de energa que poseen los
electrones de valencia.
Se define Banda de Conduccin (BC) al conjunto de energa que poseen
los electrones para desligarse de sus tomos. Los electrones que estn
en esta banda pueden circular por el material si existe una tensin
elctrica que los empuje entre dos puntos.
En base a estos dos conceptos se tienen tres casos:
Conductores, aislantes y semiconductores.

Teora de Bandas
Los aislantes
Un slido es aislante cuando su banda de
valencia se encuentra totalmente ocupada
y existe una gran separacin energtica
entre sta y la banda de conduccin. Esta
separacin energtica entre ambas bandas
suele ser mayor de 3.0 eV para que la
sustancia se considere un aislante. Un
buen ejemplo de material aislante es el
diamante cuya diferencia entre bandas es
de 5.47 eV.
Los materiales aislantes son utilizados para
separar conductores elctricos y as evitar
cortocircuitos y mantener apartar a los
usuarios de las partes de los sistemas
elctricos, que de tocarse accidentalmente
cuando se encuentran en tensin pueden
producir una descarga. Los materiales
aislantes ms frecuentemente utilizados
son los plsticos y las cermicas.

Estructura de un aislante.

Teora de Bandas
Los semiconductores
Los semiconductores presentan un
diagrama de bandas similar al de los
slidos aislantes pero con una
separacin entre las bandas de
valencia y de conduccin menor de 3.0
eV. La caracterstica principal de un
semiconductor es que su conductividad
elctrica aumenta con la temperatura.
A la temperatura ambiente, los
semiconductores
presentan
conductividades elctricas intermedias
entre la de los metales y la de los
aislantes (generalmente del orden de
10-3 S cm-1). En la Tabla 1 se presentan
las separaciones de bandas tpicas para
algunos aislantes y semiconductores.
Los
semiconductores
se
pueden
clasificar en intrnsecos y extrnsecos.

Elemento

Diamante
Silicio
Germanio
Estao gris
Estao
blanco
Plomo

Separacin
entre bandas
(eV)
6.0
1.1
0.7
0.1
0

Tipo de
material
Aislante
Semiconductor
Semiconductor
Semiconductor
Metal

Metal

Teora de Bandas
Semiconductores intrnsecos
En un semiconductor intrnseco la
separacin entre la banda de valencia y la
de conduccin es tan pequea que a la
temperatura ambiente algunos electrones
ocupan niveles de energa de la banda de
conduccin. La ocupacin de estos niveles
introduce portadores de carga negativa en
la banda superior y huecos positivos en la
inferior y como resultado, el slido es
conductor. Un semiconductor, a la
temperatura
ambiente,
presenta,
generalmente, una menor conductividad
que un metal pues existen pocos
electrones y huecos positivos que actan
como portadores. A medida que aumenta la
temperatura aumenta la poblacin de los
niveles en la banda de conduccin y el
nmero de portadores se hace mucho
mayor, por lo que la conductividad
elctrica tambin aumenta (Fig. 10)

Estructura de un aislante.

Teora de Bandas
Semiconductores extrnsecos
Un semiconductor extrnseco es aquel en
el que se han introducido pequeas
cantidades de una impureza con el objeto
de aumentar la conductividad elctrica del
material a la temperatura ambiente. A este
proceso se le conoce como dopado. As,
por ejemplo, el nmero de portadores
negativos (electrones) puede aumentar si
se dopa el material con tomos de un
elemento que tenga ms electrones de
valencia que el que compone dicho
material semiconductor. El nivel de dopado
no debe de ser muy alto (1 tomo por cada
109 tomos del material de partida) para
que sea efectivo.
Si se introducen tomos de arsnico
([Ar]4s24p3) en un cristal de silicio
([Ne]3s23p2), se habr aadido un electrn
extra por cada tomo de arsnico que
sustituye al de silicio.

Semiconductor extrnseco

Teora de Bandas
Semiconductores extrnsecos
El efecto del dopado es sustitucional, en el
sentido de que el tomo de As sustituye al
de silicio en la red cristalina. Los tomos
donadores de arsnico, muy alejados unos
de otros por la baja concentracin de
dopado, formarn una banda muy estrecha
que se encuentra prxima en energa a la
banda de conduccin del silicio. A la
temperatura ambiente, algunos de los
electrones de la banda del arsnico sern
promocionados a la banda de conduccin.
En otras palabras, los electrones del
arsnico se transferirn a los orbitales
vacos del silicio. A este proceso se le
conoce como semiconductividad de tipo n,
indicando la letra n que los portadores de
cargas son los electrones (carga negativa).

Semiconductores p y n

Teora de Bandas
Semiconductores extrnsecos
Un proceso de dopaje alternativo consiste en sustituir tomos de silicio
por tomos de un elemento que tenga menos electrones en su capa de
valencia, como el Ga ([Ar]4s24p1). La sustitucin de un tomo de silicio
por uno de galio introduce un hueco en el slido. Los tomos de Ga
forman una banda aceptora que se encuentra muy cerca de la banda de
valencia del silicio. A la temperatura ambiente los electrones de la
banda de valencia del Si se promocionan a la banda aceptora del galio;
sto ocasiona la formacin de huecos en la banda de valencia del Si que
permiten la movilidad de los electrones de dicha banda. Los
responsables de la conductividad elctrica son los huecos positivos de
forma que a este semiconductor se le denomina de tipo p.

Teora de Bandas
Semiconductores
Constituyen el grupo de materiales cuyas conductividades elctricas se
encuentran entre las de los metales altamente conductores y las de los
aislantes, malos conductores. Los semiconductores intrnsecos
(Germanio y Silicio) son semiconductores puros cuya conductividad
elctrica est determinada por sus propiedades conductoras innatas. La
caracterstica fundamental de estos semiconductores es la existencia de
una estrecha banda energtica que separa la banda de valencia de la de
conduccin. Esta banda tiene un ancho, Eg, de 1.11eV para el Silicio y
0.67eV para el Germanio, mientras en los metales ambas bandas se
solapan y en los aislantes el salto es del orden de 5eV.
En estos semiconductores, a temperatura ambiente, la vibracin
trmica normal es suficiente para que algn electrn realice el salto
desde la banda de valencia a la de conduccin permitiendo sta. Por
esta razn, al contrario de lo que ocurre con los metales, la
conductividad de los semiconductores aumenta exponencialmente con
la temperatura.

Teora de Bandas
Semiconductores
Cuando un electrn es excitado hasta la banda de conduccin deja un
hueco desocupado en la banda de valencia y este hueco tambin
contribuye a la conduccin elctrica, ya que puede ser ocupado por
otro electrn que a su vez deja otro hueco, de modo que los huecos se
mueven en sentido contrario a los electrones, por lo que funcionan
como si fueran electrones con carga positiva.
La conductividad de los semiconductores intrnsecos se calcula del
siguiente modo:
= neqe + nhqh
donde ne es el nmero de electrones que han pasado a la banda de
conduccin y nh el de huecos en la banda de valencia y e, h sus
respectivas movilidades. Adems, en el caso de los semiconductores
intrnsecos, ne = nh = n, luego:
= nq(e + h)
En estos materiales el nmero de portadores de carga depende de la
temperatura, ya que en el cero absoluto no habr ningn portador y a
medida que se aumenta sta (mayor energa), habr un mayor nmero
de electrones con una energa suficiente como para ascender hasta la

Teora de Bandas
Semiconductores
banda de conduccin y en consecuencia se incrementar el nmero de
portadores de acuerdo con la siguiente expresin:
n= n0 exp(-Eg /2kT)
Para controlar con mayor precisin la conductividad de los
semiconductores se aaden pequeas cantidades de impurezas: son los
denominados semiconductores extrnsecos. La adicin de un tomo
diferente (impureza) por cada 108 tomos del semiconductor hace
variar su conductividad en aproximadamente cinco rdenes de
magnitud.
Existen, a su vez, dos familias: los donadores o de tipo n y los aceptores
o de tipo p. Un ejemplo de los primeros ser el siguiente: consideremos
el enlace covalente del cristal de silicio de la fig. 7.1.a (representacin
bidimensional). Si un tomo impureza del grupo VA, por ejemplo
fsforo, sustituye a un tomo de silicio (grupo IVA), habr un electrn
de ms que no es necesario para formar el enlace covalente tetradrico
del cristal de silicio. Este electrn extra se encuentra ligeramente unido
al ncleo de fsforo cargado positivamente y tiene una energa de
enlace de 0.044eV a 27C. Esta energa es aproximadamente el 5% de la
requerida para que un electrn de conduccin salte la brecha de

Semiconductores

Valores de la resistividad elctrica a 0C y del coeficiente de

resistividad trmica para distintos metales y aleaciones metlicas.

Teora de Bandas
Semiconductores
energa que en el silicio puro es de 1.1eV. Esto es, slo se necesitan
0.044eV para separar el electrn en exceso del ncleo al que se haya
vinculado y participar as de la conduccin elctrica (Fig. 7.1.b.).

Semiconductores extrnsecos donadores o tipo n.

Teora de Bandas
Qu es la superconductividad ?

En 1908 Kammerling Onnes licua gas Helio en Leiden, Holanda.

Primer acceso a 4.2 K (- 268.8 oC)

En 1911 descubre la superconductividad.

Su tesista Gilles Holst mide R(T) del Hg puro.
1913 Premio Nobel

R=0

Teora de Bandas
La resistencia elctrica
(el modelo de Drude: gas de electrones)

Gas de electrones libres

no interactuantes en una
estructura peridica sin
imperfecciones

Y
Ba
Cu
O

Conduccin
infinita

Hay resistencia elctrica

por los defectos de la red
cristalina
Estructura cristalina de un slido

E = J , V = R I
R ~ m/ [n ro + A T

dV= E dL

V: voltaje (V)
I: corriente (A) R: resistencia ()
Potencia disipada = I2 R (Watt, kiloWatt)

Teora de Bandas

Superconductores de baja Tc
Mater.
Al

Tc (K)

1.19 Sn
3.72 Hg
4.15
Pb 7.20
Ta3Pb 17
V3Si
17.1
Nb3Al 18
Nb3Sn 18.1
Nb3Si
19
Nb3Ge 23.2

Un diamagneto perfecto
Walter Meissner y Robert
Ochsenfeld muestran que los SC
expulsan el campo magntico de su
interior (1933)

T Tc,

ZFC

imn

FC

Hap

SC

lneas de campo
magntico

Es un estado termodinmico, no importa la historia

Del experimento de Meissner y Oschenfeld se
deduce que la Superconductividad es ms que R=0

Teora de Bandas
La validez de una teora: en 1957, Abrikosov predice la existencia
de otros superconductores y los llama de Tipo II
como vara H ,

Ha

como vara
(r)

h(r)
S

Segn / se tiene que:

Tipo I energa de pared

Tipo II energa de pared

Premio Nobel en 2003

Teora de Bandas
Algunas Aplicaciones
Capacidad de transportar grandes densidades de corriente elctrica
sin disipacin
Generacin de campos magnticos intensos, por encima de los
valores de saturacin del hierro y mantenidos indefinidamente sin
consumo de energa
Uso de las propiedades particulares del estado superconductor: efecto
Josephson
Necesidad de ser enfriados y mantenidos por debajo de su temperatura
crtica (Tc )
No existe un modelo terico que explique la superconductividad de alta
Tc
Si bien no parece existir un impedimento para lograr una Tc a temperatura
ambiente, parecen haberse agotado los caminos para lograrlo con estos
materiales

Teora de Bandas
Una teora para la superconductividad
En 1957 los fsicos americanos: John
Bardeen,
Leon
Cooper,
John
Schrieffer publican la Teora BCS,
describe la superconductividad
Premio Nobel en 1972
Teora BCS:
electrones
atraen
T < 30 K

los
se
(S = 0, bosn)

2 electrones se
atraen formando
un par de Cooper

(m*=2m y e*=2e)

+La interaccin mediada por fonones produce el apareamiento de dos

electrones (la temperatura borra esta interaccin)
+Los electrones conforman un estado colectivo que no puede romperse al
chocar con las imperfecciones de la red cristalina
+ Gracias a esta teora se pudieron explicar resultados experimentales
ligados al calor especifico, efecto tnel, etc..

Teora de Bandas

Alex Mller y Georg Bednorz,

de IBM Research Laboratory en Suiza

con una Tc = 30 K

Premio Nobel en 1987

Perodo de mucha efervescencia en la comunidad de materia condensada!

Teora de Bandas

Temperatura
crtica de
compuestos
super
conductores

HgBa2Ca2Cu3O8
TmBa2Cu3O7
GdBa2Cu3O7
YBa2Cu3O7
Y2Ba4Cu7O15
Yb0.9Ca0.1Ba1.8Sr0.2Cu4O8
YbBa1.6Sr0.4Cu4O8
(Sr,Ca)5Cu4O10
Pb2Sr2YCu3O8
GaSr2(Y, Ca)Cu2O7
(La,Sr,Ca)3Cu2O6
(Eu,Ce)2(Ba,Eu)2Cu3O10+
La1.85Sr0.15CuO4
(La,Ba)2CuO4
(Nd,Sr,Ce)2CuO4
Pb2(Sr,La)2Cu2O6
La1.85Ba.15CuO4

con presin

166 K
135-138 K
90 - 101 K
Rcord actual
94 K
(2005)
93 K
93 K
86 K
78 K
Nitrgeno lquido (77 K)
70 K
70 K
70 K
58 K
43 K
40 K
35-38 K
35 K
32 K
30 K (Primero descubierto 1986)

Teora de Bandas
Tecnologa en cables superconductores

Corte de un cable
Multifilamentario de NbSn

Corriente crtica en funcin del

campo magntico

Teora de Bandas
Bobinas en equipos de RMN

Diagnsticos por imgenes con Resonancia Magntica : Ya se usan en

muchos centros de salud para obtener imgenes de tejidos blandos. El
paciente se recuesta en una camilla que debe introducirse dentro del
imn. La bobina superconductora produce campos magnticos intensos y
muy estables que determinan la calidad de las imgenes.

Teora de Bandas
Cables en lneas de potencia

Pueden aumentar la capacidad de transmisin del conexionado

convencional de 3 a 5 veces, sin requerir la excavacin de nuevos
conductos subterrneos
3000 A con 30 m largo desde febrero de 2000 en Oak Ridge

Teora de Bandas
Transformadores

Ofrecen una alternativa altamente eficiente, compacta y liviana frente a los

actuales transformadores refrigerados por aceite. 5/10-MVA Alpha prototype
en construccin 25 kV/4.2 kV , mas eficiente, menor contaminacin ambiental,
enfriado por ciclo cerrado

Teora de Bandas
Motores y generadores

Construidos con alambre de un SAT (BSCCO). Las bobinas sern

utilizadas en generadores de alta eficiencia y bajo costo.

Teora de Bandas
Limitadores de fallas de corriente

Protegen lneas de transmisin, cables y equipamiento de picos de

corriente producidos por eventuales cortocircuitos, tormentas elctricas o
fluctuaciones de lnea . Las bobinas superconductoras utilizadas en el
diseo
controlan el pico de corriente durante un dado intervalo
permitiendo que accione la llave de corte.

Teora de Bandas
Trenes levitados magnticamente (MAGLEV)

Motor lineal y frenos

aerodinmicos

En 1990 se lanz como proyecto nacional

japons. En abril de 1997 se inaugur una nueva
lnea en Yamanshi . Ese ao el MLX01 con 3
vagones marc el record de 531 km/h. En abril
14, 1999, se cre el nuevo record de 552 km/h.
Desde el 2003 tambin funciona un Maglev que
une la ciudad de Shanghai con su aeropuerto
internacional (430 km/h).

Teora de Bandas
Magnetoencefalografa (MEG)

Neuromag Ltd. 122 sensor array

Mide el campo B generado por el cerebro, 1 billn de veces menor que el campo
terrestre. Variaciones inducen corriente en una bobina conectada a un SQUID.
Cuesta varios 10 6 u$a No es anatmico sino funcional, en tiempo real.

Teora de Bandas
Patrones de voltaje
Junturas Josephson en serie

Standard de 1 Volt. 3020 junturas en serie. La

aplicacin de Iac de frecuencia f genera

V = h f / 2e 483.6 MHz / V
Se utiliza desde 1977

Teora de Bandas
Superconductores
Muchos de los avances recientes de la Qumica Inorgnica se han
realizado en el rea de los nuevos materiales. Uno de los campos de ms
desarrollo y gran inters, por sus aplicaciones, es el de los materiales
superconductores de alta temperatura.
En 1911 Kamerlingh Onnes descubri que la resistencia elctrica del
mercurio se haca cero a la temperatura de 4.2 K. A este efecto le
denomin superconductividad, y a la temperatura a la cual ocurre este
fenmeno temperatura crtica, Tc. Una consecuencia de la resistencia
cero es que los materiales pueden conducir la corriente elctrica sin
prdidas de energa en el proceso.
Tras el descubrimiento de la superconductividad, durante los siguientes
20 aos se hicieron pocos progresos para entender el comportamiento
de los superconductores, descubrindose tan slo algunas nuevas
sustancias que experimentaban este efecto. Ms de 20 elementos
metlicos y cientos de aleaciones pueden ser superconductores bajo las
condiciones apropiadas. En 1973 la temperatura ms alta a la que se
haba observado la superconductividad corresponda a la de un
compuesto de Niobio y Germanio de composicin Nb3Ge (Tc = 23.3K).

Teora de Bandas
Superconductores
En 1986 Berdnorz y Mller encontraron que el xido metlico de
frmula La2-xBaxCuO4 (x = 0.2) se haca superconductor a 35K.
Un ao despus recibieron el premio Nobel de Fsica por este
descubrimiento. La idea que pronto surgi fue la de que era posible
aumentar la temperatura crtica de este material superconductor si se
sustitua con diferentes metales, que generalmente pertenecen al
bloque f. Empleando esta tcnica, Chu y sus colaboradores consiguieron
romper la barrera de la temperatura del nitrgeno lquido con el
superconductor conocido como 1-2-3. En este superconductor se ha
sustituido el lantano por el Ytrio y tiene la composicin YBa 2Cu3O7-x. La
temperatura crtica para este material es de 93 K. El control de la
estequiometra del tomo de oxgeno parece ser un factor determinante
en la temperatura crtica del material. Actualmente, el superconductor
de ms alta temperatura descrito (1993) consiste en un xido mixto de
HgBa2Ca2Cu3O10 cuya temperatura crtica es de 134 K.
La estructura que presentan estos superconductores de alta
temperatura es de tipo perovskita. El superconductor de Bednorz y
Mller, La2-xBaxCuO4 adopta una estructura tetragonal en capas del tipo
perovskita K2NiF4.

Superconductores

Teora de Bandas

La
teora
de
la
superconductividad
es
extremadamente compleja y en esta seccin slo se
intentar dar una idea cualitativa de la misma. Se ha
sugerido, por muchos investigadores, que el origen de
la superconductividad a baja temperatura es la
existencia de un par de Cooper, o par de electrones
gracias a la interaccin indirecta entre ellos por medio
de su interaccin con los ncleos de los tomos de la
red. As, si un electrn est en una regin
particular de un slido, los ncleos de esa regin se
mueven hacia l resultando una estructura local
distorsionada. Como la distorsin local es rica en
carga positiva, se favorece que un segundo electrn
se una al primero. Por ello, se produce una atraccin
virtual entre ambos electrones y stos se mueven
como un par. La distorsin local se puede romper
fcilmente por el movimiento trmico de los iones,
por lo que la atraccin virtual se da a temperaturas
muy bajas. Como el par de Cooper es estable a la
dispersin, puede transportar carga libremente por el
slido, dando lugar as a la superconductividad.

Par de Cooper

Teora de Bandas
En la naturaleza hay sustancias que tienen ms electrones en la banda
de conduccin que otras, es ms, si en un mismo material las
condiciones externas cambian ste se comporta de diferentes maneras.
La propiedad que poseen algunas sustancias de tener electrones libres,
en la banda de conduccin, se llama conductividad. Estos materiales
sern capaces, bajo la accin de fuerzas exteriores, de conducir la
electricidad.
Conductores : estos materiales poseen un gran nmero de electrones
en la banda de conduccin, por lo tanto tienen facilidad para conducir
la comente elctrica. Buenos conductores son: la plata, el cobre, el
aluminio, el estao.
- Aislantes : son aquellos en los cuales los electrones estn fuertemente
ligados a sus ncleos, siendo stos incapaces de desplazarse por el
interior del material y, en consecuencia conducir. Buenos aislantes son:
el aire, la porcelana, lana de vidrio, caucho, etc.
- Semiconductores: son sustancias que bajo condiciones normales se las
podra clasificar como malos conductores, pero si se les comunica
energa exterior, los electrones podran saltar de la banda de valencia a
la de conduccin, convirtindose en buenos conductores. Ejemplos de
estos son: el silicio y el germanio, entre otros.

Teora de Bandas

Teora de Bandas
Muchos slidos (metales, slidos inicos y covalentes) pueden
considerarse como una gran molcula en la que todos sus tomos se
encuentran unidos por fuerzas de enlace qumico.
La Teora de Bandas es la extensin de la teora de orbitales
moleculares al caso de los slidos.
Orbitales deslocalizados en slidos:

Teora de Bandas

Teora de Bandas

Teora de Bandas

Conductor: En este caso la Energa de la banda de valencia es mayor que la

de los electrones de la banda de conduccin. As pues, las bandas se
superponen y muchos electrones de valencia se sitan sobre la de
conduccin con suma facilidad y, por lo tanto con opcin de circular por el
medio.
Existen varios tipos de conductores, entre los que destacan los metales
principalmente en estado solido (a temperatura normal).
Lquidos.- mercurio, mezclas de agua con sales y conductores electrolticos.
Gaseosos.-Nitrgeno, cloro, Nen (ionizados).

Teora de Bandas

Aislante: En este caso la energa de la banda de conduccin es mucho mayor que la

energa de la banda de valencia. En este caso, existe una brecha entre la banda de
valencia y la de conduccin de modo que, los electrones de valencia no pueden
acceder a la banda de conduccin que estar vaca. Es por ello que el aislante no
conduce. Slo a temperaturas muy altas, estos materiales son conductores.
En los sistemas de aislacin de transformadores destacan las cintas sintticas PET
(tereftalato de polietileno), PEN (naftalato de polietileno) y PPS (sulfido de
polifenileno) que se utilizan para envolver los conductores magnticos de los
bobinados. Tienen excelentes propiedades dielctricas y buena adherencia sobre
los alambres magnticos.
Un buen aislante entre vueltas de las bobinas de transformadores es el cartn
prensado o pressboard, el cual da forma a estructuras de aislacin rgidas.

Teora de Bandas
Aislantes lquidos:
El lquido dielctrico ms empleado es el aceite mineral. El problema es
que es altamente inflamable. El lquido aislante sinttico ms utilizado
desde principios de la dcada de 1930 hasta fines de los 70s fue el Askarel
o PCB(policloruro de bifenilo), que dejo de usarse por ser muy
contaminante.
Entre los nuevos lquidos sintticos destacan las siliconas y los
polyalfaolefines. Tienen un alto costo, eso dificulta su masificacin
Aislantes gaseosos:
Los gases aislantes ms utilizados en los transformadores son el aire y el
nitrgeno. Estos transformadores son generalmente de construccin
sellada. El aire y otros gases tienen elevadsima resistividad y estn
prcticamente exentos de prdidas dielctricas.
El SF6 (hexafluoruro de azufre) es otro gas aislante que se caracteriza por
ser incoloro, inodoro, no toxico, qumica y fisiolgicamente inerte, no
corrosivo no inflamable y no contaminante. Por sus caractersticas
dielctricas es ideal como medio aislante, tiene una rigidez dielctrica
muy elevada, tanto a la frecuencia industrial como a impulso, gracias a su
peculiar caracterstica de gas.

Teora de Bandas
La eleccin del material aislante suele venir determinada por la aplicacin.
El polietileno y poliestireno se emplean en instalaciones de alta frecuencia,
y el mylar se emplea en condensadores elctricos. Tambin hay que
seleccionar los aislantes segn la temperatura mxima que deban resistir. El
tefln se emplea para temperaturas altas, entre 175 y 230 C. Las
condiciones mecnicas o qumicas adversas pueden exigir otros materiales.
El nylon tiene una excelente resistencia a la abrasin, y el neopreno, la
goma de silicona, los polisteres de epoxy y los poliuretanos pueden
proteger contra los productos qumicos y la humedad.

Teora de Bandas
SEMICONDUCTORES
Es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero
tampoco es un aislante. Depende del campo elctrico donde se encuentre. Es
un material slido o lquido capaz de conducir la electricidad mejor que un
aislante, pero peor que un metal. En los semiconductores se producen tanto
corrientes producidas por el movimiento de electrones, como de las cargas
positivas (huecos).
Los semiconductores son aquellos elementos perteneciente al grupo IV de la
Tabla Peridica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen
tomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la
corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos,
dependiendo de la impureza introducida (dopaje).

Teora de Bandas

Semiconductores: En este caso, la banda de conduccin sigue siendo mayor

que la banda de valencia, pero la brecha entre ambas es mucho ms
pequea, de modo que, con un incremento pequeo de energa, lo
electrones de valencia saltan a la banda de conduccin y puede circula por
el medio. Cuando un electrn salta desde la banda de valencia a la de
conduccin deja un hueco en la banda de valencia que, aunque parezca
extrao, tambin se considera portador de corriente elctrica.

Teora de Bandas
A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como
aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas o en
presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumentar
de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los
metales.
Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos qumicos y
compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el
seleniuro de cinc y el telururo de plomo. El incremento de la conductividad
provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas se debe al
aumento del nmero de electrones conductores que transportan la corriente
elctrica.

Teora de Bandas
En un semiconductor caracterstico o puro
como el silicio, los electrones de valencia
(o electrones exteriores) de un tomo
estn emparejados y son compartidos por
otros tomos para formar un enlace
covalente que mantiene al cristal unido.
Estos electrones de valencia no estn libres
para transportar corriente elctrica. Para
producir electrones de conduccin, se
utiliza la luz o la temperatura, que excita
los electrones de valencia y provoca su
liberacin de los enlaces, de manera que
pueden transmitir la corriente.
Las deficiencias o huecos que quedan
contribuyen al flujo de la electricidad (se
dice que estos huecos transportan carga
positiva). ste es el origen fsico del
incremento de la conductividad elctrica
de los semiconductores a causa de la
temperatura.

Teora de Bandas
Dopaje
En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso
intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro
(tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades
elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a
dopar.
Semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrnsecos.
Un semiconductor altamente dopado que acta ms como un conductor que
como un semiconductor es llamado degenerado.
El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las
capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequea.
Cuando se agregan un pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1
cada 100.000.000 tomos) el dopaje es bajo o ligero.
Cuando se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000)
entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este tipo de dopaje pesado se
representa con la nomenclatura N+ para material tipo N o P+ para material tipo
P.

Teora de Bandas

Teora de Bandas

Teora de Bandas
Los principales semiconductores utilizados en electrnica son el silicio, el
germanio y arseniuro de galio.
Los Materiales Semiconductores se clasifican

Segn su estado en:

Intrnsecos
Extrnsecos

Segn el material se clasifican en:

Tipo N
Tipo P

Teora de Bandas

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS

Se denomina semiconductores intrnsecos o puros a aquellos cristales

formados por elementos semiconductores puros Ge y Si.

Solo poseen un tipo de tomos que estn en equilibrio elctrico

Cuando se aumenta la temperatura pueden romper los enlaces covalentes los

electrones tienen suficiente energa para escapar (capa de conduccin).

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS

Se denomina semiconductores extrnsecos a aquellos cristales formados por

elementos semiconductores puros a los que se ha aadido algn tipo de
impureza.

Son aquellos a los que se aaden impurezas (DOPADO) as tendrn exceso o

defecto de electrones

EXCESO
PENTAVALENTES (N)
Quedan ligados al tomo

DEFECTO
TRIVALENTES (P)
Poca energa para combinarse con otros tomos

La conduccin es mas fcil ya que requiere poca energa para la circulacin

de la carga

Teora de Bandas

Teora de Bandas

SEMICONDUCTOR TIPO N

Son los semiconductores dopados con impurezas donadoras

Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado y aumentando el numero de
portadores de cargas libres
Dopado Donante Su propsito es producir abundancia de electrones portadores
en el material y mejorar la conduccin

SEMICONDUCTOR TIPO P

Son los semiconductores dopados con impurezas aceptadoras

Aumentar el nmero de cargas libres y producir abundancia de Huecos
As, en materiales dopados de tipo n, se debe seguir a los electrones y en los
materiales de tipo p, los huecos.

Teora de Bandas
El verdadero poder del uso del silicio deriva del dopaje, que consiste en aadir
pequeas cantidades de elementos que cambian drsticamente su
conductividad.
El silicio tiene cuatro electrones de valencia exteriores y por ello busca
participar de cuatro enlaces covalentes.
Dopando estos elementos que tienen ms o menos electrones de valencia, los
electrones o los huecos (ausencia de electrones) sobrantes proporcionan un
transportador para la conduccin.
Enlace covalente?
Electrones de valencia?
Lo interesante de los semiconductores es cmo se comportan cuando se juntan
dos o ms.
Por si mismo, un semiconductor dopado no es ms que una resistencia
elctrica y hay modos mucho ms fciles de crear una resistencia.
Un material dopado P se coloca junto a un material dopado N. y se forma un
diodo.

Teora de Bandas
Los puntos que se deben recordar son:
La conductividad es una funcin de la concentracin del dopante.
Los materiales dopados tienen ms o menos la conductividad
Los materiales de tipo n y de tipo p tienen diferentes conductividades.
Incluso en materiales fuertemente dopados, la proporcin del dopante se
encuentra a niveles de partes por milln.
Cada dispositivo tiene unas caractersticas definitorias que la industria ha
encontrado tiles al describirlas.
Incluso en dispositivos tan sencillos como los diodos hay cientos de tipos que
se han diseado especficamente para:
1. Conmutacin
2. Rectificacin
3. Potencia
4. Alta frecuencia
5. Baja dispersin

Teora de Bandas
Los puntos que se deben recordar son:
As por ejemplo normalmente, al elegir un diodo hay que conocer las tasas
mximas de voltaje y corriente
Adems, los diodos tienen una capacidad significativa, que se debe incluir en
los diseos de alta frecuencia. As en la actualidad lo podemos revisar en las
fichas tcnicas de instrumentos electrnicos en las seccin diodos
Con la separacin de carga que la atraviesa, la unin de un diodo parece un
condensador cargado. Hemos visto que al puentear un condensador cargado,
este suministra una gran fuente de energa:ocurre igual con un diodo? En
otras palabras: si se puentea un diodo fluye la corriente? Porque?
Si un ohmmetro puede probar la funcin de un diodo, por qu muchos
multmetros tienen configuraciones separadas para los diodos?

Teora de Bandas
En los dispositivos semiconductores sean electrnicos u opto electrnicos, el
estudio de inters es el comportamiento de un nmero grande de electrones
cargados negativamente que se mueven a travs de iones cargados
positivamente.

El nmero de electrones que se encuentran libres para conducir corriente es

Zc, donde Zc es el nmero de electrones en la capa ms externa (la valencia
del elemento) del tomo.

Teora de Bandas
Existe una gigantesca densidad de electrones de conduccin libres en el
material.
Los semiconductores tienen estructuras cristalinas que estn dotados con gran
orden y periodicidad. Esta periodicidad permitir reducir el gran nmero de
electrones en los semiconductores con lo que se facilitar que el problema sea
ms manejable.
Periodicidad de un cristal.- Los cristales estn hechos de bloques idnticos,
estos bloques son de un tomo o un grupo de tomos. Mientras que en los
cristales naturales la simetra cristalina esta fija por naturaleza, los nuevos
avances en las tcnicas de crecimiento o formacin de cristales han permitido
a los cientficos producir cristales artificiales con estructura cristalina
modificada. Estos avances dependen de la capacidad de colocar capas atmicas
con control y precisin exactos durante la formacin, lo cual conduce a las
superredes. Para comprender y definir la estructura cristalina, se presentan
dos conceptos importantes.
i) La red (lattice) representa un punto de puntos en el espacio que forman una
estructura peridica. Cada punto tiene exactamente el mismo entorno. La red
es por si misma una abstraccin matemtica.

Teora de Bandas
ii) Base es un grupo de tomos que forman la celda unidad. Se dice un bloque
de construccin de tomos denominados BASE. Luego, se adjunta a cada punto
de la red, lo que produce la estructura cristalina que es un arreglo peridico
de tomos en el cristal.

La estructura cristalina se produce ahora al unir a cada uno de estos puntos de

la red.

Teora de Bandas
Red de Bravais es un arreglo infinito de puntos en el espacio, en el cual cada
punto tiene vecindad matemticamente la red de Bravais se describe como
una operacin de traslacin de vectores.
Tipos de red Bsicos.Redes cbicas.- Existen tres clases de redes cbicas: cbica simple, red cbica
centrada en el cuerpo y red cbica centrada en la cara.

Ninguno de los semiconductores encontrados en la naturaleza tienen una

estructura cbica simple

Teora de Bandas
Cbica centrada en el cuerpo.- La red cbica centrada en el cuerpo (bcc)
puede ser generada a partir de la estructura cbica simple mediante la
colocacin de un tomo en el centro del cubo. Los tomos se colocan en las
aristas del cubo de lado a y en el centro del cubo. El cristal se forma al
duplicar el cubo para llenar el espacio.
Cbica centrada en la cara.- La red de mayor importancia para los
semiconductores es la red Bravais cbica centrada en la cara (fcc).
Para construir la red de Bravais cbica en la cara se agrega a la red cbica
simple un punto adicional en el centro de cada cara cuadrada.
Donde a es la arista del cubo, conocida como la constante de red del
semiconductor. Las redes de Bravais cbica centrada en la cara y cbica
centrada en el cuerpo, son de gran, ya que una enorme variedad de slidos se
cristalizan en estas formas con un tomo (o in) en cada sitio de la red.

Teora de Bandas
La partcula dentro del cristal.- Bandas de energa.- Cuando un electrn se
mueve a travs de la red cristalina actan sobre l fuerzas electrostticas que
hacen variar su cantidad de movimiento, la partcula se acelera al acercarse al
ncleo atmico y se desacelera al alejarse de l.
Este constante cambio de su energa cintica es compensado con un aumento
o disminucin de su energa potencial de acuerdo a la distancia de la partcula
con respecto al ncleo, se establecen por lo tanto niveles de energa potencial
que delimitan el movimiento de las partculas a travs de la red.
En una red cristalina el potencial se distribuye peridicamente, en un cristal
su distribucin es tridimensional en el volumen del cuerpo. Se considera la
energa potencial cero para una partcula completamente desligada del ncleo,
pero aumenta rpidamente al acercarse a l, de manera que estando en un
nivel de energa como l se encontrar atrapado en regiones debido a la
imposicin de las barreras de potencial.
Cuando el electrn se halla en niveles energticos superiores, las bandas
permitidas se hacen ms amplias y puede moverse con facilidad hasta el punto
en las diferentes bandas adyacentes se superponen y el electrn puede
desplazarse con libertad de un tomo a otro. Las bandas superpuestas en
donde se mueven los electrones libremente se llama banda de conduccin, en
la que se hallan fijos se denominan bandas de valencia; ahora los electrones de
la banda de valencia pueden pasar a la banda de conduccin si existe
suficiente energa.

Teora de Bandas
Se consideran el modelo analtico de bandas de energa:
El modelo de bandas de energa es considerar al electrn dentro del
cristal como partcula libre, pero con una masa especial, llamada masa
efectiva.
Cuando el electrn se acerca al ncleo se acelera y cuando se aleja se
desacelera, esto se mantiene hasta que el electrn cae bajo la influencia
del campo potencial del prximo ncleo.
El campo de energa potencial es peridico.

Teora de Bandas
Kronig Penny plantean un modelo matemtico de potencial inico peridico,
que permite describir el comportamiento de los electrones dentro de un
cristal.
El modelo considera a un nico electrn desplazndose a travs de la red, de
tal manera que en la energa potencial Ep, es nulo en las regiones del tipo I y
E0 en las de tipo II.

Teora de Bandas
Como podemos observar en el grfico
mostrado que f(E) permanece entre los
lmites 1, solo para ciertas regiones. Estas
energas permitidas forman las bandas
permitidas y estn separadas por bandas de
separacin.
Se puede obtener la relacin o la estructura
de bandas E versus k del electrn en la
estructura peridica, como se muestra en la
figura 7, en donde las energas entre E2 y
E1 forman la banda permitida, las energas
entre E4 y E3 forman la segunda banda de
separacin, etc.
El movimiento de los electrones en la red se
puede asimilar a la propagacin de una onda
electromagntica
en
un
cristal.
La
dispersin de la onda electromagntica por
los tomos de la red, da lugar a una onda
dispersada que se refuerza cuando se
satisface la condicin de Bragg

Teora de Bandas
Modelo sencillo de bandas de energa.La ecuacin de Schrdinger tiene soluciones para valores directos de
energa en el caso de la partcula libre.
Existe en el cristal un gran nmero de tomos que interactan y que estn
distribuidos peridicamente, por lo tanto, la energa potencial del electrn
es peridica. As como los tomos interactan entre s, tambin lo hacen los
niveles de energa y se desdoblan en tantos niveles como tomos existen en
el cristal formando las bandas de energa.

Teora de Bandas

Teora de Bandas
Mediante rayos X y otros estudios, se ha encontrado que la mayor parte de los
metales y semiconductores tienen una estructura cristalina.
Un cristal es un sistema espacial de tomos o molculas (estrictamente
hablando, iones) construido por la repeticin sistemtica en las tres
dimensiones de alguna unidad estructural fundamental.
Los niveles de energa de los electrones discutidos de un tomo nico libre
(como en un gas, donde los tomos estn suficientemente alejados como para
que la influencia mutua sea despreciable) no se aplican al mismo tomo en un
cristal.
Esto es debido a que la energa potencial U que caracteriza a la estructura
cristalina, es una funcin peridica en el espacio, cuyo valor en cualquier
punto es el resultado de la contribucin de todos los tomos.
Cuando los tomos forman cristales, se encuentra que los niveles de energa
de los electrones de las capas ms internas no son apenas afectados por la
presencia de los tomos vecinos. Sin embargo, los niveles de los electrones de
las capas ms exteriores cambian considerablemente, puesto que estos
electrones son compartidos por ms de un tomo en el cristal.

Teora de Bandas
Los nuevos niveles de energa de los electrones ms exteriores pueden
determinarse por medio de la mecnica cuntica, que conduce al resultado de
que el acoplamiento entre los electrones de la capa ms exterior de los tomos
origina una banda de estados de energa muy prximos, en lugar de los niveles
de energa muy separados del tomo aislado, transparencia
Los estados electrnicos son tratados como si el ncleo estuviera en reposo en
posiciones fijas.
Sin embargo, cuando tratamos los movimientos lentos de los ncleos, se
considera que los electrones se adaptan instantneamente al potencial de los
ncleos cargados y por tanto minimizando las energas electrnicas.
En el estado slido, las molculas, tomos o iones que componen la sustancia
considerada, estn unidas entre s por fuerzas relativamente intensas,
formando un todo compacto.
La mayor proximidad entre sus partculas constituyentes es una caracterstica
de los slidos y permite que entren en juego las fuerzas de enlace que
ordenan el conjunto, dando lugar a una red cristalina.
En ella las partculas ocupan posiciones definidas y sus movimientos se limitan
a vibraciones en torno a los vrtices de la red en donde se hallan situadas. Por
esta razn las sustancias slidas poseen forma y volumen propios.

Teora de Bandas
Los niveles de energa en los tomos forman bandas de energa en los cristales
Todos los slidos cristalinos presentan una estructura peridica, por lo que un
electrn genrico que se viese sometido a la influencia de la red cristalina
poseera una energa potencial que variara tambin de una forma peridica en
las tres direcciones del espacio.
La energa de un electrn en un slido slo puede tomar valores comprendidos
en alguna de las mltiples bandas de energa del slido.
La mayor parte de los metales presentan, no obstante, bandas superiores
incompletas que se superponen entre s permitiendo, asimismo, la movilidad
de los electrones que son excitados por un campo elctrico. Este movimiento
de cargas en el seno de la red cristalina constituye una corriente elctrica.
Una gran mayora tanto de slidos inicos como de covalentes, son malos
conductores de la electricidad (aisladores). En ellos la banda ms alta
conteniendo electrones (banda de valencia) est completamente llena.
Existen algunos slidos como el silicio y el germanio que tienen una estructura
de bandas semejante a la de los aisladores. Sin embargo, en ellos la banda
prohibida que separa la de valencia, completamente llena, y la de conduccin,
completamente vaca, es estrecha, de modo que es posible excitar los
electrones ms altos de la banda de valencia y transferidos a la de conduccin.

Teora de Bandas
Se trata de slidos semiconductores. El hecho de que su banda prohibida sea
estrecha permite bombear electrones a la banda de conduccin sin ms que
elevar suficientemente la temperatura.
Los semiconductores constituyen los materiales slidos clave en la fabricacin
de dispositivos electrnicos. Sus propiedades, mejoradas y aprovechadas
gracias a la investigacin bsica y aplicada, no slo han constituido un
elemento clave en el desarrollo de la informtica, la instrumentacin cientfica
de alto nivel y las telecomunicaciones, sino tambin en el diseo de aparatos
electrodomsticos y de uso habitual.

Teora de Bandas
Caractersticas de los slidos Cristalinos
En el estado slido, las molculas, tomos o iones que componen la sustancia
considerada estn unidas entre s por fuerzas relativamente intensas,
formando un todo compacto. La mayor proximidad entre sus partculas
constituyentes es una caracterstica de los slidos y permite que entren en
juego las fuerzas de enlace que ordenan el conjunto, dando lugar a una red
cristalina.
La mayor parte de los slidos presentes en la naturaleza son cristalinos aun
cuando en ocasiones esa estructura ordenada no se refleje en una forma
geomtrico regular apreciable a simple vista. Ello es debido a que con
frecuencia estn formados por un conjunto de pequeos cristales orientados
de diferentes maneras, en una estructura policristalina.
Las propiedades fsicas de los slidos, tales como temperatura de fusin,
capacidad para conducir la corriente, resistencia a la deformacin, dureza,
etc., dependen de las caractersticas de las fuerzas de enlace que unen las
entidades elementales.
As, los slidos inicos, como las sales, son duros y a la vez frgiles, con puntos
de fusin altos. Aunque son malos conductores de la electricidad sus
disoluciones, sin embargo, presentan una conductividad elevada.

Teora de Bandas
Los slidos formados por molculas polares, como el agua, presentan
caractersticas intermedias entre ambos tipos de slidos, los inicos y los
apolares. Escasa conductividad y extraordinaria dureza.
El diamante, que es carbono puro cristalizado, constituye un ejemplo de este
tipo de slidos.

Teora de Bandas
Teora de bandas en semiconductores

Teora de Bandas

Teora de Bandas

Teora de Bandas

Teora de Bandas
Metales: estructuras y propiedades

La mayora de los metales son slidos cristalinos a

temperatura ambiente

Son dctiles y maleables aunque resistentes a la rotura

Brillantes

Conductores del calor y la electricidad

La conductividad es una consecuencia de la

estructura electrnica de los metales
Los niveles vacos corresponden a orbitales
prximos en energa y dbilmente atrados por
los ncleos. Los electrones de los metales se
comportan como electrones libres que pueden
responden a un campo elctrico o un gradiente
de temperatura.

Teora de Bandas
MALN