TRANSISTORES

ING DE SIST E INF.IV CICLO-FISICA ELECTRONICA

 El transistor es un dispositivo electrnico
semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingls de transfer resistor
(resistencia de transferencia).
Actualmente se encuentran
prcticamente en todos los
aparatos electrnicos de uso diario: radios
, televisores,
reproductores de audio y video ,
relojes de cuarzo, computadoras,
lmparas fluorescentes, tomgrafos,
telfonos celulares, etc.
 HISTORIA
El transistor bipolar fue
inventado en los
Laboratorios Bell de EE. UU.
en diciembre de 1947 por
John Bardeen, Walter Houser
Brattain y William Bradford
Shockley, quienes fueron
galardonados con el
Premio Nobel de Fsica en
1956. Fue el sustituto de la
vlvula termoinica de tres
electrodos, o triodo.
TIPOS DE TRANSISTORES

NPN
BIPOLARES
PNP
CANAL N (JFET-N)
UNIN
CANAL P (JFET-P)
EFECTO DE
CAMPO CANAL N (MOSFET-N)
METAL-OXIDO-
TRANSISTORES (FET) SEMICONDUCTO
CANAL P (MOSFET-P)
R

UNIPOLAR CANAL N (UJT-N)

(UJT)
CANAL P (UJT-P)

TRANSISTORES DE POTENCIA

FET : Field Effect Transisto

UJT: Uni-Juntion Transistor
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Los transistores de efecto de campo,

conocidos generalmente como TEC ( o
FET por sus siglas en ingles ), son un
dispositivo unipolar, ya que la corriente
existe tanto en forma de electrones
como de huecos. En un FET de canal n,
la corriente se debe a electrones,
mientras que en un FET de canal p, se
debe a huecos. Ambos tipos de FET se
controlan por una tensin entre la
compuerta y la fuente.
 Transistores de efecto de Campo
(TEC) con sus smbolos
correspondientes
 TIPOS DE FET
el JFET, ya no se trata de una
combinacin tan sencilla entre los
semiconductores como en el caso
de los transistores N-P-N, P-N-P.
Ahora la forma de obtenerlos es
algo ms rebuscada. Sin
embargo, sus propiedades hacen
que merezca la pena su
construccin, ya que son
utilizados en gran medida por los
fabricantes de circuitos
electrnicos.
 MOSFET. La estructura de este
transistor es la ms complicada de
entre todos los vistos hasta ahora.
Consta de los ya conocidos
semiconductores P-N, colocados
ahora de una nueva forma, y de un
original material aislante, como es
el dixido de silicio; esta pequea
adicin de la capa del xido va a
cambiar considerablemente las
propiedades del transistor respecto
a las que tenia el JFET.
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO CANAL N Y P
MOSFET DE ENRIQUISIMIENTO DE CANAL N YP
EL TRANSISTOR BIPOLAR
Introduccin: definicin y
tipos de transistores
Principio de funcionamiento
del transistor bipolar
Transistor tipo PNP
Transistor tipo NPN
Caractersticas elctricas de
un transistor bipolar
Conclusiones
POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Corriente base-emisor Corriente colector-emisor

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

- -
+
- - -

+
-

+
+

+
+

+
- - - + - - -

+
+
-

+
- + + + - -
-

+ + +
-
+ +

+
+

+
- - - - -
+ +
-

+ +
-

+
- - -
+

- - -

+
-
P N N + - P

Concentracin
de huecos
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

P N P

El terminal central (base) maneja una fraccin de la

corriente que circula entre los otros dos terminales (emisor y
colector): EFECTO TRANSISTOR
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR
BIPOLAR

Base

Emisor Colector

Transistor PNP
P N P

El terminal de base acta como terminal de control

manejando una fraccin de la corriente mucho menor a la de
emisor y el colector.
El emisor tiene una concentracin de impurezas muy
superior a la del colector: emisor y colector no son
intercambiables
 CARACTERSTICAS ELCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor NPN En principio necesitamos

conocer 3 tensiones y 3
B = f(VBE, VCE) Caracterstica de entradacorrientes:
IC IC, IB, IE
+ +
VCB VCE, VBE, VCB

IB - VCE En la prctica basta con conocer

+
solo 2 corrientes y 2 tensiones.
VBE
IE
- Normalmente se trabaja con IC,
- IB, VCE y VBE.

Por supuesto las otras dos

pueden obtenerse fcilmente:

IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida IE = IC + IB

VCB = VCE - VBE

CARACTERSTICAS ELCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor NPN: zonas de funcionamiento del

transistor ideal IC
+
IC Zona IB
+ activa + IB VCE
IB
+ VCE VBE
- -
VBE
- - IC
Zona de +
IB
saturacin + IC<IB VCE=0
IC
IB VBE
- -
IC=0
+
Zona de IB
corte + VCE
VCE
VBE
- -
FUNCIONAMIENTO EN CONMUTACIN DE UN TRANSISTOR
NPN
12 V
12 V 36 W
36 W 3A
3A I
12 V
12 V
I = 100
40 mA

Sustituimos el interruptor principal

IC
por un transistor.
4A IB = 40 mA
La corriente de base debe ser
suficiente para asegurar la zona de PF (ON)3 A ON
saturacin.
OFF
Ventajas:
No desgaste, sin chispas, rapidez,
permite control desde sistema 12 V VCE
lgico. PF (OFF)
Electrnica de Potencia y
Electrnica digital
 CARACTERSTICAS ELCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor PNP

= f(VBE, VEC) Caracterstica de entrada

B
VEC
IC IB
-

IB VEC
-
VEB VEB
+ +

Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un

transistor NPN.
Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por
la base es saliente.
 CARACTERSTICAS ELCTRICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor PNP

= f(VBE, VEC) Caracterstica de entrada

B
VEC
IC IB
-

IB VEC
-
VEB VEB
+ +

Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un

transistor NPN.
Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por
la base es saliente.
CARACTERSTICAS ELCTRICAS DEL TRANSISTOR
BIPOLAR
Caractersticas reales (NPN)

Caracterstica
de Entrada
Caracterstica
de Salida
CARACTERSTICAS ELCTRICAS DEL TRANSISTOR
BIPOLAR
Caractersticas reales: datos proporcionados por los
fabricantes
IC
C
IC-MAX Corriente mxima de colector ICMAX B

VCE-MAX Tensin mxima CE E

PMAX
PMAX Potencia mxima

VCE-SAT Tensin C.E. de saturacin SOAR

VCE-MAX
HFE Ganancia
VCE
rea de operacin segura
(Safety Operation Area)
CONCLUSIONES
Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.

Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos

condiciones:
La zona de Base debe ser muy estrecha.
El emisor debe de estar muy dopado.

Generalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.

Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica

Analgica.

Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante

intercambiables y constructivamente similares.

Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona

bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos
(Mayoritarios del emisor en cada caso).

Reacurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los

huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad
de condiciones.