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2.CLASIFICACIN.
3.MEDIDAS E
IDENTIFICACIN.
1. DEFINICIN.
Electrnic
a.
Estudio y aplicacin del comportamiento
de los electrones en diversos medios
materiales
y vaco, sometidos a la accin de campos
Elctricos y Magnticos.
Se suelen usar tensiones e intensidades
relativamente ms pequeas que en
Electricidad.
2. CLASIFICACIN.
COMPONENTES PIEZOELCTRICOS:
RESONADORES DE CRISTAL.
2. 2. COMPONENTES
ELECTRNICOS ACTIVOS.
(Son esencialmente los
SEMICONDUCTORES).
RECTIFICADOR.
DIODOS. ZENER.
LED.
NPN.
TRANSISTORES.
PNP.
2. 2. COMPONENTES ELECTRNICOS
ACTIVOS.
CIRCUITOS INTEGRADOS.
REGULADORES.
LINEALES.
OPERACIONALES.
SEAL ANALGICA
PUERTAS LGICAS.
COMBINACIONALES.
NO LINEALES. MEMORIAS.
SEAL DIGITAL MICROPROCESADORES.
MICROCONTROLADORES.
3. MEDIDAS E IDENTIFICACIN.
Componentes a
tratar:
Resistencias.
Condensadores.
Bobinas.
Diodos.
Transistores.
Circuitos Integrados.
3.1.RESISTENCIAS ELCTRICAS.
Componente que ofrece una oposicin al
paso de la corriente elctrica, ya sea corriente
alterna o continua.
Smbolo:
R
V1
12 V 1.0Ohm_5%
R V
R=
I
Ohmio. Relacin entre la
Mltiplos: Kilo Ohmio K d.d.p y la
Mega Ohmio M
Intensidad.
3.1.1. ASOCIACIONES de
RESISTENCIAS.
SERIE. Re = R1 +
R1 R2 RE
R2
R1
R1 x R2
PARALELO. Re =
RE R1 +
R2 R2
R2
Re = Hay que
MIXTO. analizar el
R1 R4
circuito y aplicar
R3 relaciones
serie/paralelo
particulares.
3.1.2. CDIGO DE COLORES.
COLOR NOMBRE VALOR
NEGRO 0
MARRN 1
ROJO 2 PRIMERA CIFRA SIGNIFICATIVA (a).
NARANJA 3 SEGUNDA CIFRA SIGNIFICATIVA (b).
AMARILLO 4
FACTOR DE MULTIPLICACIN (C).
VERDE 5
TOLERANCIA EN % (X).
AZUL 6
VIOLETA 7
GRIS 8 R = a b 10c
BLANCO 9
NADA 20%
En este caso R =
PLATA 10%
ORO 5% 6.500 5%
3.1.3. CLASIFICACIN DE LAS
RESISTENCIAS.
Metlicas.
Fijas
Carbn.
Lineales
Ajustables.
Respuesta Variables
Lineal. R=Cte. Potencimetros.
Dependientes de la
Temperatura
NTC y PTC
No Lineales Dependientes de la Luz.
Respuesta no LDR
Dependientes de la Tensin.
Lineal. R Cte.
VDR
3.2. CONDENSADORES.
Dispositivos utilizados para el almacenamiento de cargas elctricas.
Comportamiento diferente segn el tipo de corriente
Alterna o Continua.
Constituido por dos placas conductoras o armaduras y entre ellas un
aislante o dielctrico. Para un condensador plano:
Q C Capacidad.
C= Q Carga 1 Culombio = 1
Ampere/Segundo.
V
V d.d.p. entre Armaduras.
3.2. CONDENSADORES.
(Continuacin)
El FARADIO es una magnitud muy grande. Se usan
Submltiplos:
miliFaradio mF. 10 F.
-3
0,001F.
microFaradio F. 10-6 F. 0,000001F.
nanoFaradio nF. 10-9 F. 0,000000001F.
picoFaradio pF. 10-12 F.
0,000000000001F.
TIPOS DE CONDENSADORES:
NO POLARIZADOS:
Independiente del sentido de la corriente.
Cermicos, Polister, Mica, etc.
SI POLARIZADOS:
CE
PARALELO. C2 Ce = C1 + C2
C2 Re = Hay que
analizar el circuito y
C1 C4 aplicar relaciones
MIXTO. C3
serie/paralelo
particulares.
3.3. INDUCTANCIAS O BOBINAS.
Componente formado por una serie de espiras arrolladas.
Almacenan energa en forma de campo magntico.
Se oponen a los cambios bruscos de corriente.
A bajas frecuencias tienen una baja resistencia o inductancia.
A altas frecuencias tienen una alta resistencia o inductancia.
Unidad de medida el Henrio (H).
Su valor depende de:
Nmero de espiras. A mayor nmero de vueltas mayor inductancia.
Dimetro de las espiras. A mayor dimetro mayor inductancia.
Longitud del hilo y naturaleza.
Tipo de material del ncleo. Aire, ferrita, etc.
Se aplican como filtros de corriente alterna y transformadores.
3.3.1. ASOCIACIONES de
BOBINAS.
L1 L2 Le
SERIE. Le = L1 + L2
L1
L1 x L2
Le
Le =
PARALELO. L2 L1 + L2
L2
Le = Hay que analizar
L1 L4 el circuito y aplicar
MIXTO. L3 relaciones
serie/paralelo
particulares.
3.4. DIODO.
Componente formado por la unin de dos materiales semiconductores,
uno tipo N y otro tipo P.
Entre ambas uniones se forma una barrera Z, o zona de agotamiento.
Germanio Z = 0,3 Voltios.
Silicio Z = 0,6 Voltios.
POLARIZACIN INVERSA.
Cuando la corriente DESEA CIRCULAR en sentido opuesto a la flecha,
es decir del CTODO al NODO.
TRANSISTOR NPN.
TRANSISTOR PNP.
3.6. CIRCUITOS INTEGRADOS
Operacionales.
Lineales
Manejan seales Reguladores y
ANALGICAS. Estabilizadores.
T.T.L. CMOS
Tensin Alimentacin +5 V. +3 a 15 V.
Temperatura de trabajo 0C a 70C -40C a +85C
Valor Nivel Alto De 2 a 5 V. 70% V. Alim.
Valor Nivel Bajo De 0 a 0,8 V. 30% V. Alim.
Tiempo Propagacin por Puerta a +5V. 10 nS. 35 nS.
Margen Ruido Tpico 0,4 V. ~ 40% V. Alim.
3.6.3. PUERTAS LGICAS T.T.L.
Los ms comunes utilizados son:
OR NOR EXOR
3.6.4. CIRCUITOS COMBINACIONALES.
Los circuitos integrados combinacionales, se forman a partir de la
combinacin de varias puertas lgicas. Los ms destacables son:
REGISTROS DE DESPLAZAMIENTO.
ALU
Encargada de realizar procesos matemticos, como sumar Bytes,
rotarlos, desplazarlos, etc.
Los microprocesadores estn constituidos
por millares de transistores en un chip y
realizan una determinada funcin de los
computadores electrnicos digitales.
Chip con 100 millones de transistores.
3.6.7. MICROCONTROLADORES.
Los microcontroladores se caracterizan por tener en su interior el
Microprocesador y la Memoria.
Son, los ms habituales, reprogramables electricamente (EEPROM).
PERIFRICOS
PERIFRICOS