Lmites de Operacin

Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las

caractersticas, la cual asegurar que los valores nominales
mximos no sean excedidos y la seal de salida exhibe una
distorsin mnima.
 Lmites de Operacin
IcMax=Corriente mxima de
colector
Vcemax=voltaje mximo de
colector a emisor
Vcesat=Voltaje saturado de
ICmx colector a emisor

VCEsat VCEmx = VCEO

Disipacin de Potencia
El mximo nivel de disipacin se define por la siguiente
ecuacin:
PCmx= VCEIC

Cmo graficar la
curva de disipacin de
potencia de colector?

PCmx= VCEIC = 300mW

En cualquier punto sobre las

caractersticas el producto
deVCEeICdebe ser igual a
300 mW.
Disipacin de Potencia
Si elegimos paraICel valor mximo de 50 mA y lo sustituimos
en la relacin anterior, obtenemos
VCEIC= 300 mW
VCE(50 mA) = 300 mW
VCE= 6 V
S elegimos paraVCEsu
valor mximo de 20 V,
el nivel deICes el
siguiente:

(20 V)IC= 300 mW

IC= 15 mA
Disipacin de Potencia
Si ahora escogemos un nivel deICa la mitad del intervalo
como 25 mA, resolvemos para el nivel resultante
deVCEobtenemos
VCE(25 mA) = 300 mW
VCE= 12 V

Una estimacin aproximada

de la curva real puede
dibujarse por lo general
empleando los tres puntos
definidos
Lmites de Operacin
Si las curvas de caractersticas no estn disponibles o no
aparecen en la hoja de especificaciones (como ocurre con
frecuencia), simplemente debe estar seguro queI C,VCEysu
producto caigan dentro del intervalo que aparece en la
siguiente ecuacin:
ICEOICIcmx
VCEsatVCEVCEmx
VCEICPCmx

Para las caractersticas de base comn la curva de potencia

mxima se define por el siguiente producto de cantidades de
salida:

PCmax=VCBIC
Hoja de especificaciones