Luminescencedessemiconducteurs

JacquesLivage

CollgedeFrance

www.ccr.jussieu.fr/lcmc

rubriquecoursduCollgedeFrance
Luminescencedessemiconducteurs

LED
Diodeslectroluminescentes

QD
QuantumDots

OLED
Diodeslectroluminescentesorganiques
Diodeslectroluminescentes

LightEmittingDiodes
Semiconducteursextrinsques

dopage
netp

Si(IV)Sb(V) Si(IV)B(III)

EF
Nd
Na
EF
 p bc n
Jonctionpn
EF

EF

Si/B bv Si/P

Courburedebande

n
eV0

EF EF

p
d
 Diffusiondesporteursdechargemajoritaires
quilaissentdessitesionisslocaliss

p n

e
p +
p +
e
B p+
e
P+
e
p +
p +
e

p barriredepotentiel n

B P+

p+ B P+ e

B P+

zonedpeuple
 DiodeZener

+ +

Polarisationdirecte Polarisationinverse

Redresseurdecourantalternatif
Diodeslectroluminescentes
Polarisationdirecte
LED=LightEmittingDiodes _
+ p n

Injectiondlectronsetdetrous p e
danslajonction +

n _
p
+

Recombinaisonradiative
e
lectrontroudanslajonction

h=E

p+
Diodeslectroluminescentes

LED=LightEmittingDiodes _
+ p n

recombinaisonlectrontrou e
danslajonction +
avecmissiondelumire
_
p+

h=E p n

GaAS E=1,4eV rouge

GaP E=2,3eV vert
GaAs,GaP,AlAs,AlP
GaAsxP1x gapvariable
 GaX Eg(eV)
GaP 2,25 vert
GaAs 1,43 rouge
Lalumiremisedpenddugap GaSb 0,68

I.R.

GaAs
GaP
Eg=2,3eV Eg=1,4eV
vert(gapindirect) rouge(gapdirect)

GaAs1xPx
GaN 1,4Eg2,3eV
 Diodebleue1992

(NichiaChemicalJapon)

GaNInGaN

LEDbleue:GaN

445485nm Nakamura
Diodeslectroluminescentes

rflecteur
 Diodes
lectroluminescentes
DcorationdeNol2004

vitrinedeSachs
5thAvenueN.Y.

50floconsdeneigegants
72.000LEDs

7m
 DiodeLaser

dopagen>>dopagep

Inversiondepopulationdanslazonedpeuple
audeldunetensionseuil

PierreAigrain1958

p
e
+

p+
n
 e
Diodeslaser=htrojonctions p n

GaAs

1,4eV Eg=1,9eV
missiondanslacouchedeGaAs

AlxGa1xAs AlxGa1xAs
Guidedonden1n2

p+

n
laser
p

+
 DiodeLaser

face face
rflchissante semirflchissante

mission
laser

Jonction
 Diodelaser

pointeurlaser

Imprimantelaser

compactdisque