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Diodos
semiconductores
p n
Es el ms sencillo de los dispositivos
semiconductores que desempea un papel
vital en los sistemas electrnicos, con sus
caractersticas que se asemejan en gran
medida a las de un sencillo interruptor
P K
Es un dispositivo de dos
terminales.
Smbolo:
P = Placa P K
K = Ctodo
DIODO IDEAL
Las caractersticas de un diodo ideal son
aquellas de un interruptor que puede conducir
corriente en una sola direccin.
+ ID Polarizacin directa
+ VD -
+ VD -
ID
ID
- +
VD
Smbolo - VD +
Caractersticas ID
Polarizacin inversa -
El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la
regin de conduccin.
Adems, el diodo ideal, es un circuito abierto en la regin en
la que no hay conduccin
Corto circuito ID
+ VD - ID0 mA
ID ( limitada por el circuito) rd =0
(a)
Vd =0 V
VD
ID0 mA
Circuito abierto
VD +
- rd =
Vd = Mx
ID =0 (b)
+ VD - 9
diodo ideal
Vd rd 8
+ -
7
0.7 V 10 6
ID ID rd
5
4
Para la mayor parte de las aplicaciones, la resistencia rd es
lo suficientemente pequea como para ignorarse si se
compara con otros elementos de la red.
ID
+ VD -
diodo ideal
rd Vd= 0.7 V
ID
0 Vd= 0.7 V VD
Materiales semiconductores
Conductor:
Cualquier material que soporte un generoso flujo de
carga cuando se aplica una fuente de voltaje de
magnitud limitada a travs de sus terminales.
Aislante:
Es un material que ofrece un nivel muy pobre de
conduccin bajo la tensin de una fuente de voltaje
aplicada.
Semiconductor:
Es un material que tiene un nivel de conductividad
situado entre los casos extremos de un aislante y un
conductor.
RESISTIVIDAD:
R
A L
R | R |
L A
(cm 2 ) (1cm)
1 cm. ( ) ...( cm) | R | 2
...(| | ohms )
cm (1cm )
A =1 cm2. l =1 cm.
NIVELES DE RESISTENCIA
VD
Resistencia de CD o esttica: RD
ID
Vd
Resistencia de CA o dinmica: RD
I d
Niveles de energa
Cuanto ms distante del ncleo est el electrn, mayor ser el estado
de energa y cualquier electrn que haya abandonado su tomo padre
tiene un estado de energa ms alto que el de cualquier electrn en la
estructura atmica
Energa
Nivel de Valencia
(capa ms exterior que contiene los electrones orbitales)
Banda de Energa
Segundo Nivel
(siguiente capa en la estructura atmica)
Banda de Energa
Tercer Nivel ( etc. )
Etc.
Ncleo
Semiconductores tipo n
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia
se denominan tomos donadores, tienen un exceso de electrones
externos no encadenados a la estructura
Energa
- - -
- Si - - Si - - Si -
- - -
Quinto electrn de
Eg = 0.05eV(Si),
valencia del Banda de conduccin
- - -
antimonio 0.01eV(Ge)
- Si - - Si - - Si - Nivel de
- - -
Impureza de Banda de valencia energa
antimonio (Sb) donador
- - -
- Si - - Si - - Si -
- - -
Efecto de las impurezas donadoras sobre la
Impureza de antimonio en un material tipo n estructura de las bandas de energa
Semiconductores tipo p
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se
denominan tomos aceptadores. Los espacios por llenar se
denominan huecos" y tienen las caractersticas de cargas
positivas
- - -
- Si - - Si - - Si - - - -
- - - - Si - - Si - - Si -
Vacante - - -
- - -
- Si - - Si - Si - - - +
- - - - Si - - Si - - Si -
Impureza de boro (NB) - - -
- - -
- Si - - Si - - Si - Flujo de hueco
- - - Flujo de electrones
Impureza de boro en un material tipo p Flujo de electrones contra flujo de huecos
Portadores mayoritario y minoritario
Tipo n Tipo p
(+) Iones donadores (-) Iones aceptores
- electrn (mayoritario) - electrn (minoritarios)
o huecos (minoritarios) o huecos (mayoritarios)
DIODO SEMICONDUCTOR
Contacto
Contacto
El diodo semiconductor se hmico rectificante
20 I D I S (e kVD / Tk 1)
19
18
17
16
15
14
13
Direccin de pola-
12
11 rizacin definida
para la grfica
10
9 VD
8
+ -
7 ID
6
5
Regin de
4 polarizacin directa
3
2 (VD >0 V, ID >0 mA)
IS
1
-40 -30 -20 -10 0 0.3 0.5 0.7 1 VD (V)
-0.1A
-0.2A
Polarizacin inversa Regin de no polarizacin
-0.3A
(VD <0 V, ID =-IS) (VD =0 V, ID=0 mA)
-0.4A
Sin Polarizacin aplicada (VD = 0V)
Regin de Agotamiento
+ + + - - + + - -
+ - - + + -
- + - - + + - + -
+
- + + - - + + +
- - + + - -
+ +-+ - - - + -
+ +
V=0V
en la zona de ruptura.
+
+
nodo
Direccin de conduccin
CIRCUITO EQUIVALENTE ZENER
VZ
VZ
rZ
diodo rectificador.
En la zona inversa, antes de
llegar a la zona de ruptura Zona de
polarizacin
circula una pequea directa
corriente inversa. IS
VZ
Cuando se alcanza la 0 VD (V)
tensin de ruptura, Vz, el Zona inversa
diodo conduce
mantenindose la tensin Regin Zener
prcticamente constante Curva caracterstica de un diodo Zener
Otras observaciones
Para: Para: Para:
DIODO EMISOR DE LUZ O LED
Un led es un diodo de unin
p-n trabajando en
polarizacin directa, el cual
en lugar de disipar la energa
en forma de calor, lo hace en
forma de luz.
+ -
ID VD
Captul
o II
Aplicaciones del
diodo
La gama de aplicaciones es interminable, aun
cuando sus caractersticas y modelos siguen siendo
los mismos.
Caractersticas (dispositivo)
VD
E R VR
E VD VR 0 E VD I D R
Si establecemos VD = 0 V,
se obtiene:
E VD I D R ID
Caractersticas (dispositivo)
E 0V I D R
E/R
E
ID V D 0V
R Punto Q
IDQ
obtiene:
E VD I D R
E 0V ( 0 A ) R
VD E ID 0 A
0 VDQ E VD
a) VDQ e IDQ. 10
b) V R. 9
8
VD 7
6
ID Si 5
4
E 10 V R =1 K VR 3
2
1
Solucion
Configuraciones de Diodo Serie con Entradas de CD:
1. Para cada configuracin debe determinarse primero el estado del diodo.
2. Luego se podr poner el equivalente apropiado.
3. Finalmente se determinar los parmetros restantes de la red.
VD
ID 0.7 V IR
Si
I
E R VR E R VR E R VR
VD VT
Los niveles de Voltaje y Corriente VR E VT
son los siguientes:
VR
ID IR
R
Ahora hemos invertido la direccin del diodo. El diodo esta
en estado de no conduccin.
VD = E
Si IR
ID = 0 A
I
E R VR E R VR E R VR
VR = IR R = ID R = ( 0 A) R VR = 0 V
Problema: Determinar Vo e ID para el circuito en serie
de la siguiente figura:
Si Ge IR
+ 12 V Vo
ID
5.6 K
Solucion
Soluci
n:
VT1 VT2
ID IR
Vo E VT 1 VT 2 12V 0.7 V 0.3V Vo
E 5.6 K Vo
VR Vo 11V 12 V
ID IR
R R 5.6 K
I D 1.96 mA
Configuraciones en Paralelo y en Serie
Paralelo
Problema: Determinar Vo, I1, ID1 e ID2 para la
configuracin de diodo en paralelo de la figura
siguiente:
I 1 0.33 K
R ID1 ID2
E 10 V D1 Si Vo
D2 Si
Solucion
Soluci
n: VR
I1 0.33 K
La corriente :
R
VR E Vo ID1 ID2
I1
R R E 10 V 0.7 V 0.7 V Vo
10 V 0.7 V
0.33 K
I1 28.18 mA
R
Vi Vo
0 T/2 T t
1 ciclo
Vi = Vm sen wt
El rectificador de media onda, generar una forma de
onda Vo que tendr un valor promedio de empleo particular
en el proceso de conversin de ca a cd.
Durante el intervalo t = 0 T / 2:
Vo
Vm
R R
Vi Vo Vi Vo = Vi
0 T/2 t
Durante el intervalo t = T / 2 T:
Vo
R R
Vi Vo Vi Vo = 0 V Vo= 0 V
0 T/2 T t
Vi
Vm
La seal de salida Vo
tiene un rea positiva Vcd = 0
Vcd = 0.318 Vm
0 t
T
El efecto de la utilizacin de un diodo de silicio con VT = 0.7
V para la regin de polarizacin directa.
La seal aplicada debe ser en este caso al menos de 0.7 V
antes que el diodo pueda encenderse.
Vi Vo
VT
Vm
Vm - VT
0.7 V
VT = 0.7V
R
Vi Vo T/2
0 T/2 T 0 T t
t
Rectificacin debida a VT
Rectificacin de Media Onda:
Voltaje Pico Inverso VPI
El VPI nominal del diodo es de fundamental importancia en el
diseo de sistemas de rectificacin.
Valor nominal VPI Vm Rectificador de media onda
V (VPI)
I=0
R
Vm Vo = IR = 0 V
Problema:
20 V
R 2 K
Vi
0 T/2 T t
Soluci
n:
a) El nivel de cd Vcd = -0.318 Vm = - 0.318
V (20 V) = - 6.36 V
Vi o
es:
20 V
2 K
Vi Vo
0 T/2 T t 0 T/2 T t
20 V
Vo
20 V 0.7 V = 19.3 V
Rectificacin de Onda Completa:
Red Puente
La rectificacin de Onda completa permite obtener un
mejoramiento del 100% en el nivel de cd obtenido a partir de la
entrada senoidal.
D1 D2
Vi
Vm Vo
Vi
R
0 T/2 T t
D3 D4
Durante el periodo t = 0 T/2
conduccin
corte
Vo
Vi
R
conduccin corte
Durante el periodo t = T/2 T
Vi Vo
Vo Vm
Vi
R
0 T/2 T t 0 T/2 T t
Vm
0 T/2 T t 0 T/2 T t
Empleando diodos de silicio en vez de diodos ideales.
Vo
VT = 0.7 V
Vo Vm 2 VT
Vi
R
VT = 0.7 V 0 T/2 T t
Vi
10 V
Vo
Vi
0 T/2 T t 2 K
2 K 2 K
Soluci
n
V
: i Vo
1 1
Vi (10V )
10 V 2 2
Vo
Vo 5V
Vi
0 T/2 t 2 K
VIP 5 V
2 K Vo Vi Vi
5V
5V
Vi 2 K
0 T/2 t 0 T/2 Tt
Salida resultante
2 K
Diodos Zener
El anlisis de las redes que emplean diodos Zener es bastante
similar al aplicado para el anlisis de los diodos
semiconductores.
Determinar el estado del diodo.
Sustituir el modelo apropiado.
Determinar las otras cantidades desconocidas de la red.
Equivalencias de diodo Zener para los estados de conduccin y
de no conduccin.
VZ V
VZ
( VZ > V > 0 V )
conduccin
no conduccin
Vi y R fijas
R = 1 K
IZ
VZ = 10 V
RL 1.2 K
Vi 16 V
PZM = 30 mW
Soluci b) Aplicando la ecuacin se obtiene:
R V
V L i
3 K ( 16V )
12 V
a)n : la red se R RL 1 K 3 K
Redibujando
obtiene:RL Vi 1.2 K (16 V )
V 8.73 V
R RL 1 K 1.2 K R = 1 K IL
IZ
IR
R RL
IL
Vi VZ VL
1 K IZ PZM
V RL
Vi 16 V VL
1.2 K
VR
IR permanece fijo en : IR
R
La corriente Zener: I Z I R I L
como: VZ
RL mx
La resistencia de carga mxima como: I L mn
Problema:
a) Para la red, determine el rango de RL e IL que dar
como resultado a VRL mantenido a 10 V.
R IZ IL
Vi 50 V RL
VZ = 10 V
IZM = 32 mA
Soluci
n : las ecuaciones correspondientes:
Aplicando
R VZ (1 K) (10 V ) b) Pmx VZ I ZM (10 V ) ( 32 m A )
a) RL mn
Vi VZ 50 V 10 V Pmx 320 m W
RL mn 250 VL VL contra RL e IL
VR Vi VZ 50V 10 V
10 V
VR 40 V
a)
VR 40 V
IR
R 1K RL
0 250 1.25 K
I R 40 m A VL
I L mn I R I ZM 40 mA 32 mA
10 V
I L mn 8 m A
b)
VZ 10 V
RL mx
I L mn 8 m A IL
0 8 mA 40 mA
RL mx 1.25 K
RL fijo, Vi variable
R IZ IL
Vi RL 1.2 K VL
VZ = 20 V
IZM = 60 mA
Soluci
n :
( RL R ) VZ (1200 220 ) ( 20 V )
Vi mn
RL 1200
Vi mn 23.67 V
V V 20 V VL
IL L Z
RL RL 1.2 K
I L 16.67 m A 20 V
I R mx I ZM I L 60 m A 16.67 m A
I R mx 76.67 m A 10 20 30 40 Vi
23.67 V 36.87 V
Vi mn I R mx VZ
VL contra Vi:
(76.67 mA) (0.22 K) 20 V
Vi mn 36.87 V
Captulo
III
Transistores
Tipos de transistores
NPN
Bipolares
PNP
Efecto de
campo Canal N
Metal-Oxido- (Mosfet-N)
Semiconductor
Canal P
(Mosfet-p)
Transistores de
unin bipolar
(BJT)
Construccin del transistor
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres
capas, compuesto ya sea de dos capas de material tipo n y una de
tipo p o dos capas del material p y una de tipo n. El primero se
denomina transistor npn y el segundo transistor pnp.
E C E C
p n p n p n
B B
- - - - -
+
- +
+
+
+
+
+
+
- - - - - -
+
+
+ -
+
-
+
- -
-
+ +
-
+ +
+
+
+
+
- - - - - -
+
+
-
+
-
+
- - - -
+
-
+
+
-
+
+
+
P N N P
+ - + -
Operacin del transistor
Una unin p-n de un transistor est polarizado inversamente, en
tanto que la otra presenta polarizacin directa
Potadores mayoritarios Potadores minoritarios Potadores mayoritarios Potadores minoritarios
p n p
E + -+ + -+ -- + - - + E
-- +- - + - C IE ICO C IC
-+ - -
p n n + + p
+ -- + + -- - + - +
+ -+- + + -++ -+ - - +
Regin de
+ - B B + -Regin de Regiones de B
agotamiento agotamiento agotamiento
IB
+ - + -
E C
P N P
5
4
Resistencia de entrada:
3 Z i 10 100
2
1
Parmetros de Salida:
Regin de corte 6
6 mA
Regin de saturacin
5 mA
Regin de saturacin 5
4 mA
4
3 mA
3
Resistencia de salida: 2
2 mA
IE = 1 mA
1
Z 0 50 K 1M IE = 0 mA
0
1 0 5 10 15 20
Regin de corte n
VCB (V)
En la regin activa la unin colector-base est
inversamente polarizada, mientras que la unin base-
emisor se encuentra polarizada en forma directa.
Una vez que el transistor est en el estado encendido o de
conduccin, se supondr que el voltaje de base a emisor sera:
VBE = 0.7V
IE (mA) IE (mA) IE (mA)
Cualquier VCB
8 8 8
7 7 7
6 6 6
5 5 5
4 4 4
3 3 3
2 2 2
0.7 V 0.7 V
1 1 1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VBE (V) VBE (V) VBE (V)
IE IC IE
B
IB = 0 A
+ - + -
VEE VCC
CONFIGURACIN DE EMISOR
COMN
Son los transistores que se encuentran con mayor frecuencia
IC
C
IC
IB n
VCC IB
p
Notacin y B
n
smbolos que VBB
IE
se emplean IE E
en la Transistor npn
configuracin IC Transistor pnp
emisor IC
comn C
IB p IB
n VCC
B
p
VBB IE
E
IE
Para describir en forma completo el comportamiento de la
configuracin de emisor comn necesitamos de dos conjuntos
de caractersticas, uno para la entrada o circuito de la base y
una para la salida o circuito del colector. otro para el lado de
Caractersticas de un transistor de silicio en la configuracin de emisor comn
IC (mA) IB (A) VCE = 1V
100
8 90 VCE = 10V
90 A
Regin de saturacin
7 80 A 80
70 A VCE = 20V
6 70
60 A
5 50 A 60
4 40 A 50
3 30 A 40
(Regin activa ) 20 A
2 30
10 A
1 IB = 0A 20
0 15 20 10
5 10
VGE(sat)
ICEO ICBO Regin de corte 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VBE (V)
Caractersticas del colector Caractersticas de base
Hacemos algunas equivalencias: Modelo de segmentos lineales
equivalente para las
I C I E I CBO caractersticas de base
I C ( I C I B ) I CBO IB (A)
100
I B I CBO
IC 90
1 1
80
Para referencia futura, a la
corriente de colector definida 70
por la condicin IB = 0A se le 60
asignar: 50
40
I CBO
I CEO 30
1 I B 0 A 20 0.7 V
10
VBE (V)
Para propsitos de amplificacin 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
lineal (la menor distorsin) el
corte para la configuracin de El transistor en la regin activa
emisor comn se determinar o de conduccin el voltaje de
mediante IC = ICEO. base a emisor es 0.7V.
El valor de beta () :
En el modo de cd los niveles Para situaciones de ca se
de IC e IB se relacionan por ha definido :
una cantidad beta: I
ca C
IC I B
cd VCE constante
IB ca es el factor de amplificacin de
corriente directa de emisor comn.
Aunque y no sean exactamente iguales podemos
formar algunas relaciones con ecuaciones ya dadas
anteriormente:
I E I C I B , como I E I C / adems I B I C /
IC I 1 1
I C C 1 ( 1)
1 1
Polarizacin
IC
IC
+
VCC
-
IB IE IB IE
+
V
- BB
Polarizacin de
CD: BJT
Todo anlisis o diseo de
circuitos amplificadores
electrnicos (con presencia
del BJT) tiene dos VBE = 0.7 V
componentes:
Componentes de CD IE =(+1)IBIC
Componentes de CA
Punto de operacin
IC (mA)
80 A
70 A
IC(mx) 2
5 60 A
2 50 A
0
PCmx 40 A
Saturacin 15
30 A
B
1 20 A
0
D
10 A
5 C
IB = 0A
A
0 5 10 15 20 VCE(V)
VCE(sat) VCE(mx)
Corte
Diversos puntos de operacin dentro de los lmites de operacin de un transistor
Para el BJT que se polarizar en su regin de
operacin lineal o activa debe cumplirse:
La operacin en las regiones de corte, de
saturacin y lineal de las caractersticas del
BJT se obtienen con lo siguiente
Circuito de polarizacin fija
Por la ecuacin de voltaje de Kirchhoff:
VCC VBE
VCC VCC I B RB VBE 0 IB
RB
I C I B
RC IC Seal de Adems sabemos:
RB salida
de ca Aplicando la LVK en la malla colector-
emisor:
IB C C2
+ VCE I C RC VCC 0 VCE VCC I C RC
VCE
B -
C1 + VCE VC V E
Seal de VBE E Por ndices dobles: (VE=0V)
entrada
-
de ca VC VCE
Anlogamente: V BE V B V E (VE=0V)
V B V BE
Problema: Determine las siguientes cantidades para la
configuracin de polarizacin fija
VCC =+12 V
(a) I BQ e I CQ
RC =2.2 k
(b) VCEQ RB =240 k IC
C2
Salida
(c) V B y VC de ca
IB 10F
+
(d) V BC Entrada
C1
de ca VCE =50
10F
-
Solucin
Circuito de polarizacin estabilizada de emisor
Por la ecuacin de voltaje de Kirchhoff:
VCC VBE
VCC I B RB VBE I E RE 0 (I E ( 1 )I B ) IB
RB ( RC RE )
IC
Adems del grfico: VE I E RE
RC
RB
Vo VCE VC VE VC VCE VE
C2 Por ndices dobles:
IB
Vi VBE VB VE VB VBE VE
C1
IE
VC VCC I C RC
RE
Del grfico:
VB VCC I B RB
Problema: Para la red de polarizacin de emisor.
Determine
+20 V
(a) I B
(b) I C IC 2 k
430 k 10F
(c) VCE
Vo
(d) VC IB
(e) VE Vi =50
10F
(f) VB
(g) V BC
1 k 40F
Solucin
Polarizacin con divisor de voltaje
R1 R2
Primero hallamos el equivalente RTh de : RTh R1 || R2
R1 R2
R2
Ahora aplicamos la regla del divisor de voltaje ETh VR2 VCC
R1 R2
Ahora aplicamos LVK
VCC VCC
ETh I B RTh VBE I E RE 0
Como: I E ( 1) I B
RC
R1
RC
ETh VBE
IB
Vo RTh ( 1) RE
C2 RTh
Adems VCE VCC I C ( RC RE )
Vi
C1 VE I E RE
ETh
VC VCC I C RC
R2 RE
RE VB ETh
Problema: Determine el voltaje polarizado de cd VCE y
la corriente IC para la configuracin con divisor de
voltaje
+22 V
10 k
IC
39 k 10F
Vo
+ =140
Vi VCE
10F -
3.9 k
1.5 k 50F
Solucin
Polarizacin de CD con
retroalimentacin de voltaje
En la malla de base a emisor:
Problema: Determine los niveles quiescentes de IICC y Q
VVCE
CE para la configuracin siguiente
Q
10 V
4.7 k
250 k
Vo
10F
Vi
+
VCE
10F -
1.2 k
Solucin
Tipos de transistores
NPN
Bipolares
PNP
Efecto de
campo Canal N
Metal-Oxido- (Mosfet-N)
Semiconductor
Canal P
(Mosfet-p)
Transistores de
efecto de campo
FET I /V
DSS P
Es un dispositivo de tres terminales que se usa para una alta
variedad de aplicaciones que coinciden en gran parte con los
BJT.
ID
IC
(Corriente de control) IB
BJT FET
+
-
Amplificador controlado por corriente Amplificador controlado por voltaje
COMPARACION DE UN BJT - FET
Es un dispositivo controlado Es un dispositivo controlado
por corriente por voltaje
El nmero de terminales es El nmero de terminales es
tres : C, E, B tres: D, S, G.
IC = f (k IB) ID = f (k VGS)
Es un dispositivo bipolar Es un dispositivo unipolar
(Ie- y IHuecos) (Ie- IHuecos)
C D
B G IG = 0
IE = I C + I B
ID = I S
E S
En el FET se establece un campo elctrico por
medio de las cargas presentes que controlan la
trayectoria del circuito de salida, sin necesidad de
un contacto directo entre la cantidad que controla
y la que es controlada.
Compuerta (G)
p n p
Fuente (S)
Si : VGS = 0V
ID (mA)
D Pinch off (voltaje de estrangulamiento)
IDSS
+ VGS = 0V
VDD
G 0 20V
p n p Casi lineal
VGS = 0V -
S VP VDS (V)
VGS = -4V
:
VGS = 0V - :
S VP VDS
Si VGS << 0, ID = 0 mA
Dispositivos de canal p
El JFET de canal p se construye exactamente de la misma
manera que el dispositivo de canal n, pero invirtiendo los
materiales tipo p y tipo n como se muestra en la siguiente
figura. D
I D
G VDD
IG= 0A
n p n VDS
VGS
VGS = VGG -I
S
S
Caractersticas de un JFET de canal P
ID (mA)
IDSS
Regin ruptura
VGS = 0V
VGS = +1V
VGS = +2V
VGS = +3V
VGS = +5V
VGS = +4V
VP
VDS
observe que para los niveles altos de VDS las curvas
ascienden sbitamente a niveles que parecen ilimitados. la
ascensin vertical es una indicacin que ha ocurrido una
ruptura y que la corriente al final del canal (en la misma
direccin que se encuentra normalmente).
Para el dispositivo de canal n, tambin ocurren para este
si se aplica suficiente cantidad de voltaje.
Smbolos:
Los smbolos grficos para los JFET de canal n y canal p se
presentan en la siguiente figura:
Canal N Canal P
Caractersticas de transferencia
Para el transistor BJT la corriente de salida IC y la corriente de
entrada IB estaban relacionadas por medio del factor beta:
Control variable
I C f ( I B ) I B
Constantes
Constantes
Las caractersticas de transferencia definidas por Shockley se
mantiene sin afectarse por la red en la red en la que se
cumple el dispositivo.
IE (mA)
IDSS VGS = 0V
VGS = -1V
VGS = -2V
Ecuacin Shockley:
VGS = -3V
(funcin de transferencia)
VGS = -4V
:
:
-VGS
VP VDS
Aplicaciones de ecuacin de Shockley
VGS 2 0
I D I DSS (1 ) I DSS (1 ) 2 I D I DSS
VP VP
VGS 2 V
I D I DSS (1 ) I DSS (1 P ) 2 I D 0
VP VP
Mosfet tipo decremental
n
Contactos de metal
Sustrato Sustrato SS
G n p
(compuerta)
S fuente
Regiones con dopado tipo n
MOSFET de tipo incremental da canal n
VGS = 0
IE (mA)
Pinch off
D (voltaje de estrangulamiento)
n VGS = 0V
e
e SS VDD
G ne p
(0V-15V)
VGS = 0V
n
S
ID = IS = IDSS
VP VDS
G p n SS
S
CARACTERISTICAS DE UN
MOSFET DECREMENTAL TIPO P
ID (mA) ID (mA)
VGS = 0V
VGS = +1V
VGS =+ 2V
VGS =
:
:
VDS (V) VP GS = VP VDS
Smbolos:
D D
Canal n: SS
G G
S S
D D
Canal p: SS
G G
S S
Mosfet tipo incremental
Ausencia de canal
ID (mA)
ID
IDSS VGS = 8V
D n
VGS = 6V
+ e
e + VDD
+ e + SS
G e +p VGS = 4V
+ e
e +
+ e +
VGS = 2V
S n
VGS =
IS=ID
:
:
VP VDS
Formacin de canal en el MOSFET tipo incremental de canal n
Ecuacin del funcionamiento del Mosfet
incremental
I D ( Encencido)
I D k (VGS VT ) 2 k
(VGS encendido VT ) 2
VGS = 5V
VGS = 3V
VGS = 2V
VGS = 1V
:
:
VT VDS
MOSFET DE TIPO INCREMENTAL
DE CANAL P
ID (mA)
D VGS = -6V
p VGS = -4V
G
p n SS VGS = -2V
p
VGS =
S :
:
-4 -2 VP VDS
Smbolos:
Canal n Canal p
D D
G G
S S
Captulo
VI
Polarizacin del
FET
Relaciones generales que se pueden aplicarse al
anlisis de cd para todos los amplificadores FET
2
VGS
I D I DSS 1 JFET y MOSFET decremental
VP
I D K VGS VT
2
MOSFET incremental
I Dencendido
K
VGS encendido VT 2
Existen diversas configuraciones, de las
cuales las mas utilizadas son:
Configuracin de autopolarizacin
VDD VGS 2
Utilizando la ecuacin Shockley I D I DSS (1 )
RD
VP
Aplicando la LVK en la malla D-S:
D
1M
- 2V
+
Solucin :
(a) VGS VGG 2V VGS = -2V
VGS 2 2V 2
(b) I D I DSS (1 ) 10mA(1 )
VP 8V
10mA(1 0.25) 2 10mA(0.75) 2 10mA(0.6525)
5.625mA ID = 5.625mA
(c) V DS V DD I D R D 16V (5.625mA)(2k)
16V - 11.25V 4.75V VDS = 4.75mA
(d) V D VDS 4.75V
(e) VG VGS 2V VGS = -2V
(f) VS 0V
VS = 0V
Configuracin de autopolarizacion
VGS 2
ID
VDD
Utilizando la ecuacin Shockley I D I DSS (1 )
VP
RD
I D RS 2 I D RS 2
I D I DSS (1 ) I D I DSS (1 )
D VP VP
V0
G C2
Vi
+
Aplicando la LVK en la malla drenador- s:
C1
VGS - S VRS VDS VRS VDD 0 VDS VDD I D ( RD RS )
RG RS
VS I D RS
VG 0V
VD VDS VS VDD VRD
Problema: Para la red de polarizacin
Determine
(a) VGS 20 V
(b) I D ID
(c) V DS
3.3 k
(d) VS
D
(e) VG
(f) V D
G IDSS = 8mA
+ VP = -6v
VGS
- S
1M RS 1k
Solucin :
(a) VGS I D RS
(b) I D 2.6mA ID = 2.6mA
(c) VDS VDD I D ( RS RD )
20V - (2.6mA)(1k 3.3k)
20V - 11.18V 8.82V
VS I D RS (2.6mA)(1k) 2.6V VDS = 8.82V
(d) VG 0V
VD VDS VS 8.82V 2.6V 11.42V
VD VDD I D RD 20V (2.6mA)(3.3k) 11.42V VS = 2.6V
(e)
VD = 11.42V
(f)
Polarizacion por divisor de voltaje
R1 R2
RTh R1 || R2
Primero hallamos el equivalente RTh de : R1 R2
Vi
C2 VGS VG VRS
C1
Sustituyendo: VRS I S RS I D RS
R2 RS
Obtenemos: VGS VG I D RS
Adems VDS VDD I D ( RD RS )
VD V DD I D RD
VS I D RS
VDD
I R1 I R 2
R1 R2
Problema: Determine lo siguiente para la red:
+16 v
2.4K
(a) VGS 2.1M 10F
(b) I D Vo
C2
(c) V D
IDSS =8mA
Vi
(d) VS VP =-4v
5F
(e) VDS
270K
(f) VDG 1.5K 20F
Solucin
SOLUCIN: RTh R1 || R2
R1 R2 ( 2.1M)(270 k)
239.24 k
R1 R2 2.1M 270 k
R2V DD ( 270k)(16V)
ETh 1.82 V
R1 R2 2.1M 0.27 M
VGS VG I D RS
1.82 - I D RS .................(1)
Aplicando la ecuacin de shockley, tenemos que : ID = -1.8V
I D 2.4mA en (1) VGS 1.8V
V D V DD I D R D
16V ( 2.4mA)(2.4k 1.5k)
VD = 6.64V
6.64V
V DS V D VS 10.24V 3.6V
VDS = 6.64V
6.64V
V DG V D VG 10.24V 1.8V
8.42V VDG = 8.42V
MOSFET DE TIPO DECREMENTAL
VGSQ
I DQ 1.2 k
I DQ IDSS = 6 mA
VP = -4 V
+
VGSQ
-
VDS 1 M 0.43 k V
VD Solucin
VGS VS 0 VGS I DQ RS 0.43KI DQ ................(1)
2
V
I DQ I DSS 1 GS
VP
2
V
2
0.43KI DQ
SOLUCIN: I DQ I DSS 1 GS 6mA 1
VP 4V
0 0.1849 I D2 Q 6.1DQ 16
I DQ 1 30.12mA
I DQ 2 2.87mA
I DQ I DSS
I DQ 2.87 mA IDQ = 2.87mA
VGS 0.43KI DQ . 0.43K(2.87mA) 1.23V
VGS 1.23 V
VDD I DQ ( RD RS ) VDS 0
VGS = 1.23V
I DQ 22 V
VGSQ 1.2 k
V DSQ
1 M + VGS(Th) = 4 V
VD ID(encendido) = 5 mA
VGS(encendido) = 7 V
+ -
VS -
0.51k
V DS
Solucin
SOLUCIN:
I D ( encendido )
K
(VGS ( encendido ) VGS (Th ) ) 2
I D ( encendido ) 5mA
K 0.55 10 3 A / V 2
(VGS ( encendido ) VGS (Th ) ) 2 (7V 4V ) 2
I DQ K (VGS VT ) 2
I DQ K (VGS VT ) 2 0.55 10 3 A / V 2 (22V 1.71I DQ 4V ) 2
0 1.637 I D2 Q 35.477 I DQ 181.44
I DQ 1 13.401mA I DQ 2 8.2705mA ID= 8.27mA
I DQ 8.27 mA
VGS Q 22V 1.71KI DQ VGS Q 22V 1.71K(8.27 mA) 7.857V
VGS= 7.9V
VGSQ 7.9V
VGSQ VDSQ 7.9V
V DSQ 7.9V VDSQ = 7.9V
V D VDD I DQ RD VD 22 V (8.27 mA)(1.2 K) 12.075 V
V D 12.075 V VD = 12.075V
VS I DQ RS VS (2.87 mA)(0.51K) 4.217 V
VS 4.217 V VS = 4.217V
V DS VD VS 12.075V 4.217V 7.85V
VDS 7.858 V VDS = 7.858V
REDES COMBINADAS
1.Para la red de la figura. Determine:
20 V
VG
VGSQ
330 k 1.1 k
I DQ
IE 91 k VC
IB
=160
VD
VC IB IE
VD
+ IDSS = 6 mA
VP = -6 V
-
18 k 1.2 k
Solucin
R2 18 K
VG VTh VDD 20V 3.3V
R1 R2 91K 18 K
VG 3.3 V VG= 3.3V
VGSQ VG I DQ RS VGSQ 3.3V 1.2 KI DQ ....(1)
2
VGS
2
3.3V 1.2I DQ
I DQ I DSS 1 6mA 1
VP 6V
2
0 1.44 I DQ 28.32 I DQ 86.49
I DQ 1 15.8mA
I DQ 2 3.78mA
I DQ I DSS ID= 3.78mA
I DQ 3.78mA
VGSQ 3.3V 1.2 K(3.78mA) 1.237V
VGSQ 1.237 V
I E I DQ 3.78mA IE= 3.78mA
I E 3.78mA
IE 3.78mA
I E ( 1) I B I C I B 0.0234mA IB= 23.4uA
1 160 1
I B 23.4A
VBE VB VE
VBE V B VD
VD VB VBE VBB I B RB V BE 20V (23.4A)(330 K) 0.7V 11.55V
V D 22.55 V VD= 22.55V
VC VCC I E RC 20V (3.78mA)(1.1K) 15.84V
VC 15.84 V VC= 15.84V
Captulo
VII
Modelado
del
transistor BJT re
Un modelo es la combinacin de elementos de
circuito, seleccionados adecuadamente, que
mejor aproximan el comportamiento real de un
dispositivo semiconductor en condiciones
especficas de operacin
Vi Vo
Seal senoidal
RC
R1
Parlante
Micrfono
+
C2
RS
RL Vo
-
C1
+
R2
Vi
RE C3
-
Circuito de la figura redibujado para el
anlisis de pequea seal ca
Ii Ib Ic Io
Circuito
equivalente del
B transistor para C
+ pequea seal +
Vi Vo
+ Zi E Zo
VS
- -
-
Anlisis de sistemas de dos puertos
Ii Io
+ +
Vi
Sistema de Vo
Zi dos puertos Zo
- -
Ii R sensor
Determinacin de Zi: + +
Sistema de
VS Zi Vi
dos puertos
- -
Vs Vi
Ii
Rsensor
Vi Vi Rsensor
Zi Zi
Ii Vs Vi
Ejemplo: Para el sistema de la figura determine el nivel
de la impedancia de entrada
Ii R sensor=1k
+ +
VS=2 mV Zi Sistema de
Vi=1.2 mV
dos puertos
- -
Solucin:
Vs Vi 2mV 1.2mV 0.8mV
Ii 0.8A
Rsensor 1k 1k
Vi 1.2mV
Zi 1.5k
Ii 0.8A
Impedancia de entrada, Zi:
+ +
Sistema de Io
VS=0V Vo VS
dos puertos
Zo -
-
100kHz
V Vo Vo
Io Zo
Rsensor Io
Ejemplo: Para el sistema de la figura determine el nivel
de la impedancia de salida
R sensor
Io
+ +
20k
Sistema de VS =1V
Vo =680 mV
dos puertos
Vi =1V
- Zo -
Solucin:
V Vo 1V 680mV 320mV
Io 16A
Rsensor 20k 20k
Vo 680mV
Zo 42.5k
Io 16
Ganancia de voltaje, Av
+ + +
VS Zi AvNL
Vi Vo
- - -
Vo
Av
NL
Vi RL ( circuito abierto )
Para amplificadores de transistor, la ganancia de
voltaje sin carga es mayor que la ganancia de voltaje
con carga.
(a) Vi
(b) Ii
(c) Zi
R fuente
(d) AvS
+ + +
VS Zi AvNL
Vi Vo
- - -
Solucin:
Vo V 7.68V
(a ) AVNL y Vi o 24mV
Vi AVNL 320
VS Vi 40mV 24mV
(b) I i 13.33
3
RS 1.2k
Vi 24mV
(c ) Z i 1.8k
I i 13.33A
Zi
(d ) AVS AV
Z i RS NL
1.8k
(320)
1.8k 1.2k
192
Ganancia de corriente, Ai
Io
Ai
Ii
Para amplificador BJT, la ganancia de corriente
oscila entre los valores apenas menores a 1 y un
nivel que puede exceder los 100.
Determinacin de la ganancia de corriente con
carga:
Ii Io
+ +
BJT RL V0
Vi
Amplificador
Zi
- -
Vi Vo
Ii y Io
Zi RL
Io Vo / RL Io Zi Zi
Ai Ai Av
Ii Ii / Zi I i RL RL
EL MODELADO DE TRANSISTOR re
Ie Ic Ie Ic
E C e c
I c= I e
B B b b
Transistor BJT de base comn Modelo re para la configuracin
Ie Ic
e c
I c= I e
re 26 mV
re
IE
b b
Vo I o RL ( I C ) RL I C RL I e R L R L R L
Av Av
Vi I e Z i I e re I e re re re
Para la ganancia de voltaje:
I o I C I e
Ai Ai 1
Ii Ie Ie
Configuracin de emisor comn
Ic Ic
C c
I c= I b
Ib Ib
B b
E E e e
Transistor BJT de emisor comn Modelo aproximado para la configuracin
I c I b ;
I e ( 1)I b
Ic
I e I c I b I b I b c
I e I b I c= I b
Ii =Ib
Zi
Vi Vbe
Vbe I b I e b
Ii Ib
;
Zi + + Ie
Vi Vbe I e re I b re Ib Ib Vi Vbe
e
- -
Z i re e
c
Z o ro
r0
Vo I o R L
Z0
Para la configuracin de emisor comn, los valores
tpicos de Zo se encuentran en el intervalo que va de los
e 40 a los 50k
Ii Io
1 2
+ + Vi=h11Ii+h12V0
Vi V0
I0=h21Ii+h22V0
- -
1 2
Anlisis de
pequea
seal del BJT
Configuracin de emisor comn con
polarizacin fija
VCC
RC C Vo
RB Io
Vo Io
C C2 Ii B
B Vi RC
Vi
C1 Zo Zo
RB
Ii Zi E
E
Zi
Clculo de Z o : Z o RC - Zo -
Clculo de Av :
VO I o RC
V o I (b i ) RC
I o I b Vi Vo RC
V o RC AV
Vi Vi re Vi re
Ii
Z i re
Clculo de Ai :
IO
I O I b I i Ai
Ii
Problema: Para la red de la figura. Determine
(a)Determine re
+12 V
(b)Encuentre Z0 (con ro )
(c) Calcule Zo(con ro )
(d) Determine A v (con ro ) 3 k
470 k I0 10F
(e) Encuentre A i (con ro )
Vo
(f) Repita los incisos (c) al (e) incluyendo ro 50k Ii
en todos los clculos y compare los resultados Vi =100
10F ro=50k
Zi Z0
1 k
Solucin
Soluci
n : (a) IB
VCC VBE 12 V 0.7 V
RB
470 k
24.04 A
I E ( 1) I B (101)(24.04 A) 2.428 mA
26mV 26mV
re 10.71
IE 2.428mA
(b) re (100)(10.71) 1.071
Z i RB || re 470 k || 1.071 1.069
(c) Z O RC 3k
R 3k
(d) AV C 280.11
re 10.71
(e) Ai 100
(f) Z o ro || R C 50 k || 3k 2.83k
r || R C 2.83k
Av o 264.24
re 10.71 k
r (50 k)(100)
Ai o 94.34
ro RC 50 k 3 k
Polarizacin por divisor de voltaje
VCC
ii
R1 RC
C Vo
ii
C2 R1 R2
B R ' R1 || R2
Vi
Z0 R1 R2
C1
E
Zi
R2
RE CE
Clculo de Z i : Z i R ' || re
Clculo de Z o : Z o RC
Clculo de Av :
Ii Ib Ic
V0 I o RC I 0 I b
Vo I b RC b c Io
+ Zi +
Vi R Ib
RC
RC C Vi Vi R
re
Vo
rere - Zo -
V R
AV o C
Vi re e e
Clculo de Ai :
R' I i I R'
Ib b I b
R ' re Ii R ' re
I0 I I I R'
Ai O O b Ai
Ib Ii Ib Ii R ' re
Problema: Para la red de la figura. Determine
(a) re +22 V
(b) Z i
(c) Zo
6.8 k
I0
(d) A v 56 k 10F
(e) A i Vo
Zi
Solucin
(a) CD : Al probrar re 10 R2 , empleando el enfoque aproximado
Soluci VB
R2
VCC
8.2 k(22 V)
2.81V
R1 R2 56 k 8.2 k
n : VE VB VBE 2.81V 0.7V 2.11V
VE 2.11V
IE 1.41mA
RE 1.5k
26mV 26mV
re 18.44
IE 1.41mA
(b) R' R1 || R2 (56) || (8.2) 7.15
Z i R ' || re (7.15) || (90)(18.44) (7.15) || (1.66k) 1.35k
(c) Z O RC 6.8k
RC 6.8k
(d) AV re
18.44
368.76
b c
RC + +
RB Ib
IO Io
Zi re
Vo Zb Zo
Ii C2
Vi RB RC Vo
Vi
C1 e
Zo Ie=(+1)Ib
Zi RE
RE
- -
La impedancia de entrada de un transistor con un
resistor sin derivacin RE se determina por: Z b re ( 1) RE
Como >>1: Z b re RE (re RE ) y RE>>re: Z b RE
Calculando Zi : Z i RB || Z b Calculamos Zo : Z 0 RC
Calculando Av : Calculando Av :
RB I i Ib RB
Ib
Vi Ib
Zb RB Z b I i RB Z b
Vi I0
V0 I 0 RC I b RC RC I 0 I b
Zb Ib
Vo R I0 I0 Ib RB
Av C Z b (re RE ) Ai
Vi Zb
Ii Ib Ii RB Z b
adems Z b RE :
I0 RB I0
V R
AV 0 C Ai Av
Vi RE I i RB Z b Ii
RC
CON DERIVACION: Z b re Av
re
Problema:
Para la red de la figura. Sin CE (sin derivacin)
Determine :
+20 V
(a) re
5.6 k
(b) Z i I0
270 k 10F
(c) Zo Vo
(d) Av
=120
(e) Ai Vi
Zo
10F
CE
Ii
1.2 k 10F
Zi
Solucin
Soluci
V V 20 V 0.7 V
n
(a) I: B
CC
R ( 1) R
BE
270 k (121)1.2k
46.5 A
B E
I E ( 1) I B (121)(46.5A ) 5.63 mA
26mV 26mV
re 4.62
IE 5.63mA
(b) Z b re ( 1) RE (120)(4.62) (121)(1.2) 145.75
Z i RB || Z b 270k || 145.75k 94.65k
(c) Z O RC 5.6k
RC (120)5.6k
(d) AV 4.61
Zb 145.75
Z 94.65k
(e) Ai AV i (4.61) 77.92
RC 5.6 k
Configuracin de emisor seguidor
VCC
Ii Ib
b c
+
Ib
RB
Zi re
C
Ii
B Vi RB
Vi
C1 C2 e Io +
E Vo
Zb Zo
Zi RE Vo
RE IO -
- Ie=(+1)Ib
Zo
La impedancia de entrada se determina del mismo
modo como se describi en la seccin anterior: Z i RB || Z b
Z b re ( 1) RE Z b (re RE ) Z b RE
Calculamos Zo :
Vi V ( 1)Vi Vi
Ib I e ( 1) I b ( 1) i I e
Zb Zb re ( 1) RE [ re /( 1)] RE
re r Vi
1 e re I e Z 0 RE || re RE re Z 0 re
1 re RE
Calculamos AV :
Vi V
Por divisor de voltaje : I b ( 1) I e ( 1) I b ( 1) i
Zb Zb
REVi V RE V0
V0 AV 0 Adems : re RE RE AV 1
re RE Vi re RE Vi
Ahora calculamos Ai :
RB I i I RB I
Ib b I 0 I e ( 1) I b o ( 1)
RB Z b I i RB Z b Ib
Io Io Ib RB RB Z
Ai ( 1) 1 Ai Ai AV i
Ii Ib Ii RB Z b RB Z b RE
Problema:
Para la red de emisor de la figura. Determine :
+12 V
(a) re
(b) Z i
220 k
(c) Z o
(d) Av
(e) Ai Vi
=100
10F 10F
Vo
Ii
I0
3.3 k
Zi
Zo
Solucin
Soluci
V V 12 V 0.7 V
n
(a) I :
B CC BE
R ( 1) R
220 k (101)3.3k
20.42 A
B E
I E ( 1) I B (101)(20.42A) 2.062 mA
26mV 26mV
re 12.61
IE 2.062mA
(b) Z b re ( 1) RE (100)(21.61) (101)(3.3k) 334.56k
Z i RB || Z b 220k || 334.56k 132.72k
(c) Z O RE || re 3.3k || 12.61 12.56 re
V0 RE 3.3k
(d) AV 0.996 1
Vi RE re 3.3k 12.61
Zi 132.72k
(e) Ai AV (0.996) 40.06
RE 3.3 k
Configuracin de base comn
Ii Ie Ic
E C
Clculo de Z i : RE || re
+ I0 +
Clculo de Z o : Z o RC
RE RC
B Clculo de Av :
Vi Z0 V0
Zi VO I o RC ( I c ) RC I e RC
VEE VCC
Vi V
- - adems : I e Vo i RC
re re
Configuracin de base comn
Ie V R R
Ii Ic AV o C C
Vi re re
e c Io Clculo de Ai :
+ Zi +
Ie como RE re :
Vi R RC Vo
re
- Zo - I e I i I 0 I e I i
IO
Ai 1
b b Ii
Sustitucin del circuito equivalente re
Problema:
Para la red base comn de la figura. Determine :
Ie
(a) re
(b) Z i +
Ii I0 +
(c) Z o 1 k =0.98 5 k
Vi Z0 V0
(d) Av Zi
2V 8V
(e) Ai - -
Solucin
Solucin:
VEE VBE 2 V 0.7 V
(a) IE 1.3 mA
RE 1 k
26mV 26mV
re 20
IE 1.3mA
(b) Z i RE || rE 1k || 20 19.61 re
(c) Z O RC 5k
RC 5k
(d) AV 250
re 20
(e) Ai 0.98 1
Configuracin de colector con
retroalimentacin
VCC
RC
RF I0
- RF +
Vo
B C
Ii C2
C Ic Io
+ Ii Ib I +
Vi B
Vi re Ib RC Vo
C1 Z0 - Zi Zo -
E
Zi
9 V
(a) re 2.7 k
(b) Av 180 k I0
Vo
(c) Ai Ii 10 F
(d) Z i Vi
=200
(e) Z o 10 F
Zi Z0
Soluci
n
(a) I :
V V CC BE
9 V 0.7 V
11.53 A
RF RC
B
180 k (200)2.7k
I E ( 1) I B (201)(11.53A) 2.32 mA
26mV 26mV
re 11.21
IE 2.32mA
RC 2.7k
(b) Av 240.86
re 11.21
RF (200)(180k)
(c) Ai 50
RF RC 180 k (200)(2.7 k)
RF 180k
(d) Z i re (200)(11.21) 0.56k
Av 240.86
(e) Z O RC || RF 2.7 k || 180 2.66
Configuracin de colector con
retroalimentacin en CD
VCC
RC
RF1 RF2 I0
Ii Ib
Vo
C2
C3 Io
C1 + Zi Ib +
Vi Vi RF1 re RF2 RC Vo
Z0 - Zo -
Ii
Zi
R
12 V
(a) re 3 k
(b) Z i 120 k 68 k I0
Vo
(c) Z o 0.01 F
10 F
(d) Av 10 F
Vi =140
(e) Ai
Ii
Z0
Zi
Soluci
n : V V 12 V 0.7 V
(a) IB CC BE
18.6 A
R F RC (120 k 68 k) (140)3k
I E ( 1) I B (141)(18.6 A) 2.62 mA
26mV 26mV
re 9.92
IE 2.62mA
(b) Z i re (140)(9.92) 1.39k
(c) Z O RC || RF2 3k || 68k 2.87 k
R' RC || RF2 2.87 k
RC || RF2 2.87k
(d) Av 298.3
re 9.92
RF1 R F2 (140)(120k)(68k)
(e) Ai 132.54
( RF1 re )( RF2 RC ) (120 k 1.39 k) (68 k 3 k)
Captulo
IX
Anlisis de
pequea
seal del FET
gm
INTRODUCCIN
Los dispositivos FET pueden emplearse para
construir circuitos amplificadores de pequea seal
brindando ganancia de voltaje a una resistencia de
entrada muy alta.
El FET puede utilizarse como un dispositivo lineal en
circuitos amplificadores o como dispositivo digital en
circuitos lgicos.
Los dispositivos FET tambin son ampliamente
utilizados en aplicaciones de alta frecuencia y en
aplicaciones de acoplamiento (interfasado).
MODELO DE PEQUEA SEAL
DEL FET
Para efectuar el anlisis de ca empleando FET, necesitamos
primero obtener un circuito equivalente de ca para el dispositivo.
Un voltaje de compuerta a fuente controla la corriente de
drenaje fuente (canal) en un FET .
Esta accin de una seal de voltaje en un conjunto de terminales
que afecta la corriente en otro conjunto de terminales, se
describe por medio de una conductancia de transferencia, o
parmetros de transconductancia gm.
MODELO DE PEQUEA SEAL DEL
FET
Donde gm se define generalmente como:
corriente de drenaje fuente
gm
voltaje de compuerta fuente
a) - 0.5 V.
b) - 1.5 V.
c) - 2.5 V.
Solucin
Empleando la ecuacin para calcular gmo, obtenemos:
:
2 I DSS 2 ( 8 mA )
g mo 4 mS
VP 4V
a) Para VGS = - 0.5 V.
VGSQ 0.5V
g m g mo 1 4mS 1 3.5 mS
VP 4V
b) Para VGS = - 1.5 V.
VGSQ 1.5V
g m g mo 1 4mS 1 2.5 mS
VP 4V
D
D Id ID
G G
gmVgs rd
Vgs S Vgs
S
VDS
rd VGS
ID
VGS = -1V
VDS ID
rd VGS constante VDS
ID VGS = -2V
0 VDS
Los datos de la hoja de especificaciones del dispositivo proporciona
un valor de conductancia de salida, yos, cuyo valor reciproco es la
resistencia de salida rd. Es decir:
1
rd
yos
Impedancia de Entrada, Zi
Z i (FET )
Impedancia de Salida, Z0
1
Z 0 ( FET ) rd
yos
Ganancia de Voltaje, AV
Vo Vds ( g m Vgs ) rd
AV ( FET ) g m rd
Vi Vgs Vgs
Las hojas de especificaciones exhiben el valor de gm como:
gm = yfs
CIRCUITO EQUIVALENTE DE CA:
CIRCUITOS JFET BSICOS
+ VDD Circuito equivalente de ca
XC1 = 0 G D XC2 = 0
Vi V0
RD
RG gmVgs rd RD
C2
D
V0
C1 VGG = corto
S
VDD = corto
G
Vi
S
RG Circuito equivalente de ca dibujado de nuevo
G D
VGG
Vi RG Vgs gmVgs rd RD V0
S
Circuito amplificador JFET
Amplificador FET con polarizacin por
divisor de voltaje
R1 RD
+ VDD
XC1 = 0 G D
Vi XC2 = 0 V0
R2 gmVgs rd
RD
R1 C2
V0 S
C1 Circuito equivalente de ca
Vi
R2 G D
RS
CS
Vi R1 R2 Vgs gmVgs RD V0
rd
S
Circuito amplificador FET
Circuito equivalente de ca dibujado de nuevo
GANANCIA DE VOLTAJE
Vo ( g m Vgs ) ( RD || rd )
Vo
Vo g m Vgs ( RD || rd ) AV g m ( RD || rd )
AV Vi
Vi Vgs
2.2 K
C2
D
V0
C1 0.05 F Datos de la hoja de
G especificaciones:
Vi
0.05 F S yos = 40 S
10 M IDSS = 8 mA
750 20 F VGS(apagado) = - 4 V
Solucin 2 I DSS 2 ( 8 mA )
Empleando la ecuacin: g mo 4 mS
: VP 4V
Los clculos de polarizacin de cd resultan en que IDQ = 2.4 mA, VGSQ = - 1.8 V.
En el punto de polarizacin de cd, resulta:
VGSQ 1.8V
g m g mo 1 4mS 1 2.2 mS
VP 4V
Tambin:
1 1
rd 6
25 K
yos 40 *10
RG RD
RG S
RS
RS
RG RD
V0 Vo
S
VO VS
AV
Vi
RS rd
I0
g m RD
AV
1 g m RS ( RD RS ) / rd
Impedancia de entrada
La impedancia de entrada de un circuito FET se debe
principalmente a la resistencia entre la terminal de compuerta y
la tierra.
+ VDD
Z i RG
RD
C2 G D
D
V0
C1 G
Vi Vi RG gmVgs rd RD V0
S Zi
RG S
Zi
RS
CS
Impedancia de entrada
Para el circuito divisor de voltaje, es:
R1 R2
+ VDD Z i R1 // R2
R1 R2
RD
R1 C2
V0 G D
C1
Vi
Vi R1 R2 gmVgs RD V0
rd
Zi R2 Zi
RS S
CS
Impedancia de salida de CA
La impedancia que se observa desde la salida hacia el circuito
amplificador es bsicamente la que se debe a la resistencia del
dispositivo entre drenaje y fuente, y el resistor de polarizacin,
RD.
+ VDD
rd RD
Z o rd // RD
RD
rd RD
C2
D
V0 D
C1 G
Vi Z0
gmVgs rd RD V0
S
RG Z0
RS S
CS
Problema:
2.2 K
C2 Datos de la hoja de
D especificaciones:
V0
C1 0.05 F
G yos = 40 S
Vi
0.05 F IDSS = 8 mA
S
10 M VGS(apagado) = - 4 V
750 20 F
Solucin
:
Empleando la ecuacin para la impedancia de entrada es:
Z i RG 10 M
Para las especificaciones del dispositivo dadas, el valor de rd es:
1 1
rd 25 K
yos 40 S
La impedancia de salida de ca del circuito se calcula entonces empleando la
ecuacin:
rd RD
Z o rd // RD
rd RD
Entonces:
Z o 25 K // 2.2 K 2.0 K
CIRCUITO FUENTE SEQUIDOR
(DRENAJE COMN)
+ VDD
D
G S
C1 G V0
Vi
Vi C2
S gmVgs
V0 rd RS
RG RG
RS D
Ganancia de Voltaje:
Vo ( g m Vgs ) ( RS // rd )
El voltaje Vgs es : Vgs Vg Vs Vi Vo Vo g m ( RS || rd )
AV
Vo g m ( Vi Vo ) ( RS // rd ) Vi 1 g m ( RS || rd )
CIRCUITO FUENTE SEQUIDOR
(DRENAJE COMN)
G S
Vi V0
Zi
gmVgs Zo
rd
RG RS
D
+9V IDSS = 16 mA
VP = - 4 V
D
0.05 F
yos = 25 S
G
S 0.05 F
V0
Vi
1 M 2.2 K
400 mV
Solucin
De los clculos de cd, V = -2.86 V. 2 I DSS 2 (16 mA )
: transconductancia del dispositivo
GSQ g mo 8 mS
La VP 4V
es:
VGSQ 2.86 V
g m g mo 1 8mS 1 2.28 mS
VP 4V
La resistencia de salida de ca 1 1
rd 6
40 K
del dispositivo es: yos 25 *10
La impedancia de salida es :
La impedancia de entrada : 1 1
Z o RS || rd || 2.2 K || 40 K ||
Z i RG 1 M gm 2.28 *10 3
Z o 362
CIRCUITO DE COMPUERTA COMN
+ VDD
RD S D
C1 C2
S D
gmVgs
Vi RS V0
Vi V0 RD
RS
G
G
AV g m ( RD || rd ) Z o RD || rd
Problema:
3.6 K
V0
10 F IDSS = 10 mA
10 F VP = - 4 V
Vi 1.1 K
100 mV
Solucin
:
De los clculos de polarizacin de cd resultan en VGSQ = -2.2 V.
Con gmo = 5 mS, el valor de gm para la condicin de polarizacin es:
VGSQ 2.2 V
g m g mo 1 5mS 1 2.25 mS
VP 4V
G pMOS D
Vgs gmVgs rd
D 1
G nMOS g m y fs rd
yos
S
AMPLIFICADOR MOSFET DE TIPO
INCREMENTAL
RG
+ VDD
Ii
G D
RD V0
C2
V0 Zi Zo
RG D gmVgs rd RD
Vi Vgs
Vi G
C1 S S
Impedancia de Entrada:
Ganancia de voltaje:
RG
V
AV o g m ( RD || rd ) Zi
Vi 1 g m ( RD || rd )
Determinacin del valor de gm : Impedancia de Salida:
g m 2 k ( VGSQ VT )
Z o RD || rd || RG
k = 0.3 mA / V2
Problema:
+ VDD
- 12 V
2 K
0.05 F
V0
D VGS(Th) = - 3 V
10 M
G Yfs = 2 mS
Vi = 10 mV
0.01 F S
Yos = 20 S
Solucin
:
Los clculos de polarizacin de cd resultan en V
los datos de la hoja de especificaciones.
GSQ = - 6.1 V e ID = 2.9 mA. De
1 1
rd 6
50 K
Yos 20 *10
Empleando la ecuacin:
g m 2k (VGSQ VT ) 2 (0.3*10 3)(6.1V 3V )
g m 1.86 mS
La ganancia de voltaje:
Vo
AV g m ( RD || rd ) 1.86 *10 3 (2 K || 50 K)
Vi
AV 3.6
El voltaje de salida es:
Vo AV Vi 3.6 (10 mV ) 36 mV
Captul
oX
Manejo de
sistemas:
efectos de RS
y RL RS /RL
SISTEMAS DE DOS PUERTOS
Parmetros importantes de un sistema de dos puertos:
Ii Io
Zi AVNL Zo
Vi Vo
AiNL
Thvenin
Los niveles de impedancia y las ganancias se determinan para condiciones de
ausencia de carga (ausencia de RL) y ausencia de una resistencia de fuente (RS).
Ii Io
Ro
Z Th Z o Ro
Vo Ri AVNLVi
AVNL Vi Zi Zo Vo
Vi ETh AVNL Vi
Vo AVNL Vi
Sustitucin de elementos internos para el sistema de dos puertos.
Problema:
12 V
3 K
470 K Io
Ii Vo
10 F
Vi
Zo
10 F
= 100
Zi
ro = 50 K
Solucin
: Zi = 1.07 K
Se sabe que: Zo = 3 K
AVNL = -280.11
Ro=3 K
Vi Ri AVNLVi RL Vo
V RL Vo
AV o AVNL Io
Vi RL Ro RL
Relacin entre el voltaje aplicado y la La ganancia de Corriente:
corriente de entrada:
Zi
Ii
Vi Vi
Ai AV
Z i Ri RL
Problema:
En la figura, se ha aplicado una carga al amplificador a transistor de
polarizacin fija:
Determine las ganancias de voltaje y corriente haciendo uso del
manejo de sistemas de dos puertos.
12 V
RC 3 K
RB 470 K
Ii Vo
CC
Vi
Zo
RL 2.2 K
= 100
Zi
Solucin
:
Zi = 1.071 K (con re = 10.71 y =100)
Se sabe que: Zo = 3 K
AVNL = -280.11
VS Ri AVNLVi
Vi Vo
Zi
3 K
470 K
RS
= 100
0.5 K
Zo Vo
VS Vi
Zi
Solucin
:
El equivalente de dos puertos para la red es:
RS Ro
0.5 K 3 K
VS Ri AVNLVi
Vi 1.071 K Vo
Zi -280.11Vi
VS Vi Ri AVNLVi RL
Zi Vo
En el extremo de entrada:
Vi Ri
Puesto que Ii = Vi / Ri:
VS Ri RS
Ri
Ai AV
En el extremo de salidas: RL
Vo RL AVNL
AV
Vi RL Ro Empleando IS = VS / (RS + Ri) :
RS Ri
La ganancia total AVS = Vo/VS resultar: Ais AVS
RL
Vo Ri RL
AVs AVNL
VS Ri RS RL Ro
Proble
ma
Para :
el amplificador de etapa simple de la figura, con R L = 4.7 K y RS
= 0.3 K, determine:
(a) AVS
(b) AV = Vo / Vi
(c) Ai
Los parmetros de dos puertos para la configuracin de
polarizacin fija son Zi = 1.071 K, Zo = 3 K y AVNL = -280.11
12 V
3 K
470 K
Vo
RS 10 F 20 F
= 100
0.3 K
Zo RL 4.7 K
VS Vi
Zi
Solucin
:
(a) Calculando A VS
Vo Ri RL 1.071 K 4.7 K
AVs AVNL (280.11)
VS Ri RS RL Ro 1.071 K 0.3 K 4.7 K 3 K
AVs 133.57
(b) Hallando AV = Vo / Vi
Vo RL AVNL ( 4.7 K) (280.11)
AV 170.98
Vi RL Ro 4.7 K 3 K
(c) Calculando Ai
Ri 1.071 K
Ai AV ( 170.98) 38.96
RL 4.7 K
RS Ri 1.071 K 0.3 K
Ais AVS (133.57) 38.96
RL 4.7 K
REDES DE EMISOR COMN
Polarizacin Fija:
RS Ro
RC
VS Vi Ri re AVNLVi Vo RL
Zi Zo
RL AVNL Vi
Vo
RL Ro
RL || RC
AVNL RC / re y Ro RC AV
re
Vo R ( RC / re )
L
Vi RL RC
REDES DE EMISOR COMN
Polarizacin Fija:
Si el modelo re se sustituye por el transistor, se obtendr:
RS
Zo
VS Vi re Ib RC RL Vo
Zi
Z V Zi
Vi i S AVs AV
Z i RS Z i RS
Vo V V Las respectivas impedancias sern:
AVs i o
VS VS Vi Z i re Z o RC
REDES DE EMISOR COMN
Polarizacin por divisor de voltaje:
VCC
RC Io
R1
RS Ii Ib C2
C1 Zo RL Vo
VS Vi R2
RE CE
Zi
RC || RL
AV
re
Z i R' || re R' R1 || R2
Zi
Z o RC AVs AV
Z i RS
REDES DE EMISOR COMN
Polarizacin de emisor comn sin derivacin:
Las respectivas
VCC
impedancias sern:
RC Io
Z i RB || RE
RB
RS Ii
C2 Z o RC
C1 Zo RL V La ecuacin para las
o
VS Vi ganancias:
RE
Zi
RC || RL
AV
RE
Vo Zi Io Zi
AVs AV Ai AV
Vs Z i RS Ii RL
REDES DE EMISOR COMN
Retroalimentacin de colector:
La ecuacin para la Vo Zi RC || RL
ganancia de voltaje AVs AV AV
ser:
Vs Z i RS re
Proble
ma :
(b) AVS
(c) Ai 2.7 K I
180 K o
0.6 K Ii
= 200
C1
3.3 K Vo
VS Vi
Zi Zo
Solucin
(a) Para :el sistema de dos puertos:
RC || RL 2.7 K || 3.3K
AV 131.42
re 11.3
RF 180 K
Z i re || (200) (11.3 ) || 0.853 K
AV 131.42
El manejo del sistema resultar en la configuracin de la figura con el valor
de Zi controlado por RL y la ganancia de voltaje. Ahora la ecuacin de la
ganancia de dos puertos se puede aplicar (con leve diferencia en AV debida
a la aproximacin Ib >> IRF)
RL AVNL (3.3K)(238.94)
AV 132.3
RL Ro 3.3K 2.66 K
0.6 K 2.66 K
Vo Zi 0.853 K
AVs AV ( 132.3)
Vs Z i RS 0.853 K 0.6 K
AVs 77.67
(c) Calculando Ai
Io Zi 0.853 K
Ai AV ( 132.3)
Ii RL 3.3 K
Ai 34.2
Z i RS 0.853 K 0.6 K
o Ai AVS ( 77.67)
RL 3.3 K
Ai 34.2
REDES DE EMISOR SEGUIDOR
VCC
b c
Ib
RB RS re Ib
RS Ii Ib Vi
Io
C1 VS Ie = (+1)Ib e
VS Vi C2 RE* Vo
RE
Zi RL Vo
Zo
Circuito equivalente re
Configuracin de Emisor-seguidor con RS y RL (RE* = RE || RL)
RS/ + re RS/ + re
Io
Ie Zo
VS RE* Vo VS RE RL Vo
Vo
R'E VS Z b re R ' E ; Z i RB || Z b
R'E ( RS / re )
Z i RB || re RE || RL
Vo RE || RL
AVs
VS RE || RL RS / re La ecuacin de ganancia:
RE RE || RL
Estableciendo R AVNL AV
Z o RE || S re RE R e RE || RL r e
Zo:
REDES DE BASE COMN
RS C1 Ii Io
C2
RE RC
VS Vi RL Vo
Zi Zo
VEE VCC
RC || RL
Ganancia de Voltaje: AV
re
Ganancia de Corriente: Ai 1
Proble
ma :
Para el amplificador de base comn,los parmetros de dos puertos sin carga
son (haciendo uso de = 1): Zi = re =0.553, AVNL = 250, Zo = 5 K.
Empleando el modelo equivalente de dos puertos, determine:
(a) AV
(b) AVS
(c) Ai
0.2 K Ii =1 Io
10 F 10 F
1 K 5 K
VS Vi 8.2 K Vo
2V 8V
Solucin
: equivalente de pequea seal de ca:
(a) La red
0.2 K Ii Io
5 K
VS Vi 1 K 20 250Vi 8.2 K Vo
Zi
RC || RL 5 K || 8.2 K
AV 155.3
re 20
(b) Hallando AVS
Vo Ri 20
AVs AV (155.3) 14.12
Vs Ri RS 20 200
(c) Calculando Ai
Zi 20
Ai AV (155.3) 0.379
RL 8.2 K
REDES DE FET
Resistencia de fuente con derivacin:
+ VCC
RD AV g m ( RD || RL )
C2
D
Rse C1 G
Los niveles de Impedancia
S permanecen en:
Z0
RG RL V0
VS
Zi Vi
RS
Z i RG
CS
Z o RD
REDES DE FET
Resistencia de fuente sin derivacin:
Vo g m ( RD || RL )
AV
RD
Vi 1 g m RS
C2
D
Rse C1 G Las respectivas
impedancias sern:
Z0
RL
VS Zi Vi
RG V0
Z i RG
RS
Z o RD
Proble
ma :
Para el amplificador FET,los parmetros de dos puertos sin carga son: AVNL =
-3.18, Zi = R1 || R2 = 239 K, Zo = 2.4 K, con gm = 2.2 mS.
(a) Determine AV y AVS .
+ VCC
R1 RD
2.1 M 2.4 K
C2
D
Rse C1 G
1 K
RS1 Z0
R2 300 K RL V0
VS Zi Vi 270 K 4.7 K
1.2 K RS2
Solucin
: equivalente de pequea seal de ca:
(a) La red
1 K Ii 2.4 K Io
Zo
VS Vi 239 K -3.18Vi 4.7 K Vo
Zi
Vi Vo Ri (239 K)
AVS AV (2.105)
VS Vi R i Rse 239 K 1 K
AVS 2.096 AV
REDES DE FET
Fuente seguidor:
La ecuacin para la ganancia de
voltaje ser:
+ VCC Vo g m ( RS || RL )
AV
Vi 1 g m ( RS || RL )
Rse C1 G
Las respectivas
C2 impedancias sern:
RG
VS RL
Z i RG
Zi RS Z0 V0
1
Z o RS ||
gm
REDES DE FET
Compuerta comn:
+ VDD
La ecuacin para la ganancia de
voltaje ser:
RD AV g m ( RD || RL )
C2
D
Z o RD
Captulo
XI
Amplificadore
s
operacionales -
+
INTRODUCCION:
Entrada 2 -
Entrada simple (de una sola entrada)
+ +
VO
VO
VI - -
VI
14.b
14.a
Entrada diferencial (de doble entrada)
Adems de utilizar solamente una entrada, es posible aplicar seales en cada una de las
entradas, siendo esto una operacin de doble entrada. La figura 14.3a muestra una
entrada, Vd, que se aplica entre las dos terminales de entrada (recurdese que ninguna de
las entradas est a tierra ), con la salida amplificada que resulta en fase con la que se
aplico entre las entradas con los signos ms y menos. La figura 14.3b ilustra la misma
accin resultante cuando dos seales se aplican por separado a las entradas, siendo la
seal diferencial. V1 V2
+
+ Vd
VO
VO
Vd
V1 -
-
V2
14.3a 14.3b
Salida doble
Mientras que la operacin analizada hasta ahora ha sido de una sola salida, al
amp op tambin puede operarse con salidas opuestas, como se ilustra en la
figura 14.4 Una seal aplicada a cualquiera de las entradas dar por resultado
seales en ambas terminales de salida, siendo siempre estas salidas opuestas en
polaridad . La figura 14.5 muestra una sola entrada con una salida doble. Como
se ve, la seal aplicada a la entrada positiva resulta en dos salidas amplificadas
de dolarizacin opuesta la figura 14.6 muestra la misma operacin con una sola
salida entre las terminales de salida (no con respecto a tierra). Esta seal de
salida diferencial es Vo1 Vo2. la salida diferncial tambien se conoce como seal
flotante debido a que ninguna terminal de salida es la terminal de tierra (de
referencia ) notese que la salida diferencial es dos veces mayor que V o1 Vo2,
puesto que estas son de polaridad opuesta y restarlas se tiene como resultado al
doble de sus amplitudes (es decir: 10V (10V)=20V). La figura 14.7 muestra la
operacin de entrada diferencial, salida diferencial. La entrada se aplica entre
las dos terminales de entrada y la salida se toma de entre las dos terminales de
salida. Esta es la operacin diferncial completa.
V01
Vi1
+ V01 +
Vi 2 - V02
Vi -
V02
14.4 14.5
V01 V01
+ +
Vd Vd Vd
Vi - -
V02 V02
14.6 14.7
Operacin con modo comn
+
VO
-
Vd
Rechazo en modo comn
11
VVcc ((VVi1i1 VVi 2i 2))
22
Voltaje de salida
Vd = voltaje diferencial
Vc = voltaje comn
Ad = ganancia diferencial del amplificador
Ac = ganancia en modo comn del amplificador
Relacin de rechazo en modo comn
A
Add
CMRR
CMRR A
Acc
A
Add
CMRR (log)
CMRR(log) 20
20log
log10
10 A
Ac c
FUNDAMENTOS DEL AMP -OP
Entrada inversora
-
Amp -op salida
Entrada no inversora +
El circuito equivalente de ca para el amp -op aparece en la figura
a .Como se aprecia la seal de entrada que se aplica entre las terminales
de entrada ve una impedancia de entrada, R1, normalmente muy alta. El
voltaje de salida aparece como la ganancia del amplificador multiplicada
por la seal de entrada tomada a travs de una impedancia de salida, R 0, la
que generalmente es muy baja. Un circuito amp -op ideal, como se muestra
en la figura b . tendria una impedacia de entrada infinita, cero
impedancia de salida y una ganancia de voltaje infinita.
Vd Ri Ad.Vd V0 Vd Ad.Vd V0
(a) (b)
La conexin bsica del circuito utilizando un amp -op se ilustra en la
figura adjunta como se aprecia, el circuito proporciona una operacin
como multiplicador de ganancia constante o modificador de escala.
Una seal de entrada, Vi, se aplica a travs del resistor Ri a la entrada.
Luego la salida se conecta de nuevo hacia la misma entrada (en
retroalimentacin) a travs del resistor R f , la entrada se conecta a
tierra. Puesto que la seal V1 se aplica a la entrada.
Rf
R1
V1
+
Amp -op VO
-
En forma general se tiene para la figura anterior:
VV0 RRf
0 f
VV1 RRi
1 i
Ganancia unitaria
Si Rf = Ri, la ganancia es:
RRf
Ganancia de voltaje = f
11
RRi
i
De tal modo que el circuito proporciona una ganancia de voltaje unitaria con
una inversin de fase de 180. Si Rf es exactamente Ri, la ganancia de voltaje es
exactamente 1
Ganancia de magnitud constante
RRf
Ganancia de voltaje = f
10
10
RRi
i
Vi 10V
Vi 0.5mV
AV 20000
V1 VO
Vi = 0V
Ii = 0
CIRCUITOS PRCTICOS DE LOS AMP - OP
Amplificador inversor
RRf
VV0 fVV1 Rf
0 RRi 1
i
R1
V1
+ Rf
Amp -op V0 V1
- Ri
Amplificador no inversor
R
VV1 R1 1 VV0
1 R R 0
R1 1 Rf f
V1 = 0 Rf
V1 + Rf
V0 1 V1
Amp -op R1
- V1
R1 V0
R1 Rf
Seguidor unitario
El seguidor unitario, como el de la figura siguiente (a) proporciona una ganancia
de 1 sin inversin de polaridad o fase. A partir del circuito equivalente (vea figura
(b)) es claro que:
VV00 VV11
Y que la salida es de la misma polaridad y magnitud que la entrada. El circuito
acta en forma muy similar a la de un emisor, excepto en que la ganancia es
mucho ms prxima al valor exacto de 1.
_
Amp op Vi = 0
Vo
+ Vo
V1 V1
(a) (b)
Amplificador sumador
RRf Rf Rf
fV RfV RfV
VV0 3
RR1 V1 RR2 V2 RR3 V3
1 2
0
1 2 3
R1
R1
Rf Rf
V1 R2
R2
V2 R3
R3 +
V3 Amp -op V0 Rf
V0
-
Integrador
11
VV00((tt))
RC
RC
VV11((tt))dt
dt
c R c
R
V1 I I
+ V1 VO
Amp -op VO Vi = 0V
-
Diferenciador
c
V1
+
Amp -op VO
-
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