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ENGA47 TECNOLOGIA DOS MATERIAIS

Apresentao da Disciplina

Vitaly Felix Rodriguez Esquerre


Bacharel Eng. Eletrnica 1994 (Revalidado como Eng. Eletricista em 2009 UFMG)
Mestre em Eng. Eltrica 1999 - Unicamp
Doutor em Eng. Eltrica 2003 - Unicamp
Ps-doutorado 2003-2005 - Hokkaido University
Ps-doutorado 2005-2006 - Unicamp
Docente 2006 IFBA, Docente 2010 - UFBA
Ps-doutorado 2015 - U.C. San Diego
EMENTA

Materiais condutores: estrutura fsica, propriedades e aplicaes das ligas


metlicas e resistivas. Materiais semicondutores: estrutura cristalina, bandas de
energia, lei de ao das massas, tipos de dopagem, mecanismos de conduo
(deriva e difuso). Materiais isolantes: polarizao, constante dieltrica, fator de
perdas, anlise e aplicaes. Materiais magnticos: campos e grandezas
magnticas, tipos de magnetismo, domnios magnticos e tipos de energia
determinantes, efeito da temperatura, magnetizao e desmagnetizao de um
metal ferromagntico, materiais magnticos duros e macios, ferrites. Materiais
piezoeltricos. Eletrocermicas. Materiais pticos: ptico-eletrnica e fibras
pticas.
OBJETIVOS

Discutir os conceitos bsicos da Fsica Moderna com relevncia para a atual


Cincia dos Materiais. Estudar as relaes entre as caractersticas eltricas,
magnticas e pticas dos materiais com as suas propriedades estruturais visando
sua aplicao em dispositivos de engenharia eltrica. Incentivar o aluno pesquisa
constante acerca do uso de novos materiais em Engenharia Eltrica. Neste
contexto, estimulada a consulta e a discusso de artigos (principalmente on-line)
de grupos de pesquisa em materiais e dispositivos eletro-eletrnicos; promovendo
a constante atualizao do futuro profissional

METODOLOGIA

O contedo ser apresentado em aulas expositivas com discusses dos conceitos


tericos e resoluo de exerccios envolvendo aplicaes em engenharia
CONTEDO

Captulo 1 - Propriedades Gerais dos Materiais

1.1 Introduo a Cincia dos Materiais, Classificao dos Materiais.


1.2 Noes de energia em um tomo, estrutura eletrnica dos elementos; atrao
interatmica; ligaes inica, covalente e mettica
1.3 Propriedades Eltricas: condutividade inica e eletrnica nos slidos, lquidos
ebgases.
1.4 A estrutura de slidos cristalinos: conceitos fundamentais, clula unitria.
1.5. Estruturas Cristalinas: CS, CCC, CFC.
1.6. ndices de Miller: direes e planos.
1.7 Densidade linear e planar.
1.8. Difrao de raios X, lei de Bragg, tcnicas de difrao
CONTEDO

Captulo 2 - Materiais Magnticos e Aplicaes

2.1 Introduo.
2.2 Comportamento magntico; curvas de magnetizao e histerese; classificao
dos materiais quanto permeabilidade, perdas por histerese e correntes parasitas,
domnios de Weiss, Temperatura de Curie.
2.3 Materiais Magnticos: ferro; ligas de ferro e silcio, materiais para ms
permanentes, ligas ferromagnticas diversas.
CONTEDO

Captulo 3 - Materiais Condutores e Aplicaes

3.1 Caractersticas dos materiais condutores: variao da resistncia com a


temperatura e freqncia; resistncia de contato nos metais.
3.2 Materiais de Elevada Condutividade.
3.3 Materiais de Elevada Resistividade.
3.4 Resisitividade de Ligas e Misturas.
3.5 Aplicaes Especiais.
CONTEDO

Captulo 4 - Materiais Isolantes e Aplicaes

4.1 Introduo: polarizao dos dieltricos e constante dieltrica.


4.2 Comportamento dos Dieltricos Slidos Lquidos e Gasosos em Servio:
resistividade superficial; resitncia de isolamento; modelo dos dieltricos slidos;
perdas, efeito corona e ruptura.
4.3 Materiais Isolantes: tipos; caractersticas e classificaes.
4.4 Aplicaes: materiais isolantes para cabos, linhas de transmisso, mquinas
eltricas, etc
CONTEDO

Captulo 5 - Materiais Supercondutores e Aplicaes

5.1 Introduo a Superconduo, Teoria BCS, Campos crticos


5.2 Supercondutores de Tipo I, Tipo II, Vrtices, Tcnicas de Fabricao.
5.3 Materiais Supercondutores e Aplicaes
CONTEDO

Captulo 6 - Materiais Semicondutores e Aplicaes

6.1 Caractersticas Principais: portadores de carga eltrica (eltrons livres e


lacunas); impurezas nos semicondutores; concentrao de portadores; situaes
de desequilbrio; efeito Hall.
6.2 Correntes nos Semicondutores. mobilidade; difuso e drift; resistividade dos
semicondutores
6.3 Materiais e Tecnologia de Fabricao dos Semicondutores.
6.4. Dispositivos Semicondutores: Juno PN, Transistor PNP e NPN.
CONTEDO

Captulo 7 - Materiais pticos e Aplicaes

7.1 Caractersticas Principais: constantes dieltricas, Lei de Snell, Reflexo,


Refrao
7.2 Transmissividade, Refletividade e Absortividade.
7.3 Materiais Opacos e Transparentes.
7.4 Revestimento antireflexivo, Fibras pticas e Guias de Onda Dieltricos
Peridicos. Tcnicas de Fabricao
.
BIBLIOGRAFIA RECOMENDADA:

[1] Pgina da disciplina, http://


http://www.dee.eng.ufba.br/home/vitaly/enga47/enga47.htm e
http://www.cefetba.br/professores/vitaly/eng406/
[2] S. O. Kasap, Principles of Electronic Materials and Devices, 3rd Ed.,
McGraw Hill, 2003.
[3] W. D. Callister Jr, Cincia e Engenharia de Materiais: Uma Introduo, 5a
Ed., LTC Editora, 2002.
[4] W. Schmidt, Materiais Eltricos, Editora Edgard Blcher Ltda; vol. 1 e 2.
2a Ed., 2002.
[5] J. F. Shackelford, Introduction to Material Science for Engineers, 6th Ed.,
Prentice Hall, NJ 2004.
[6] D. R. Askeland e P. P. Phul, The Science and Engineering of Materials,
5th Ed, Thomson, 2006.
.
BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTAR:

[1] G. C. Rolim, Materiais Eltricos - Apostila do Curso EEL7051 Materiais


Eltricos, Universidade Federal de Santa Catarina.
http://www.labspot.ufsc.br/~jackie/matelet.html acessado no dia 29 de julho de
2009.
[2] E. M. Rezende, Materiais usados em Eletrotcnica, Editora Livraria da
Fsica, 2003.
[3] L. Solymar e D. Walsh, Electrical Properties of Materials, Oxford
University Press, 2003.
[4] I Jones, Materials Science for Electrical and Electronic Engineers, Oxford
University Press, 2000.
[5] D. Jiles, Introduction to Magnetism and Magnetic Materials, Chapman and
Hall, New York, 1991.
[6] B. S. Mitchell, An Introduction to Materials Engineering and Science for
Chemical and Materials Engineers, John Wiley & Sons Inc., Canada, 2004.
[7] W. D. Callister Jr., Fundamentals of Materials Science and Engineering,
5th Ed, John Wiley & Sons Inc., 2001.
[8] R. E. Hummel, Electronic Properties of Materials, 3rd Ed., Springer, 2004.
[9] W. D. Callister, Materials science and Engineering: An introduction, 6th
Ed. Wiley, 2002.
MAIO 2017 JUNHO 2017

DOM SEG TER QUA QUI SEX SB DOM SEG TER QUA QUI SEX SB

30 01 02 03 04 05 06 28 29 30 31 01 02 03

07 08 09 10 11 12 13 04 05 06 07 08 09 10

14 15 16 17 18 19 20 11 12 13 14 15 16 17

21 22 23 24 25 26 27 18 19 20 21 22 23 24

28 29 30 31 01 02 03 25 26 27 28 29 30 01

JULHO 2017 AGOSTO 2017

DOM SEG TER QUA QUI SEX SB DOM SEG TER QUA QUI SEX SB

25 26 27 28 29 30 01 30 31 01 02 03 04 05
02 03 04 05 06 07 08
06 07 08 09 10 11 12
09 10 11 12 13 14 15
13 14 15 16 17 18 19
16 17 18 19 20 21 22
20 21 22 23 24 25 26
23 24 25 26 27 28 29

30 31 01 02 03 04 05 27 28 29 30 31 01 02
SETEMBRO 2017
DOM SEG TER QUA QUI SEX SB

27 28 29 30 31 01 02

03 04 05 06 07 08 09

10 11 12 13 14 15 16

17 18 19 20 21 22 23

24 25 26 27 28 29 30

PROVA P1
A DEFINIR

PROVA P2
05/09/2017

SEGUNDA CHAMADA
08/09/2017
Data das provas: definidas durante o semestre, com antecedncia de 5 dias uteis

Art. 113. As atividades acadmicas passveis de avaliaes devero ser agendadas com pelo
menos cinco (05) dias teis de antecedncia e, preferencialmente, figurar no plano de ensino do
componente curricular, respeitados os dias e horrios destinados ao ensino do mesmo.

Mdia Final: P1 P2
2
Frequncia: 0,75 * 16

Captulo Provas
01
02 P1
03
04
05
P2
06
07
Art. 111. Ser considerado aprovado, em cada componente curricular, o
aluno que cumprir a frequncia mnima de 75% (setenta e cinco por
cento) s aulas e s atividades e obtiver: I - nota final igual ou superior
a 5,0 (cinco)

Art. 112. Ser considerado reprovado, em cada componente curricular,


o aluno que: I - deixar de cumprir a frequncia mnima de 75% (setenta
e cinco por cento) s aulas e s atividades; II - no obtiver nota final
igual ou superior a 5,0 (cinco)

1 Verificada a impossibilidade de cumprir a frequncia mnima


estabelecida, ser vedada a realizao de avaliaes de
aprendizagem.

Art. 113. As atividades acadmicas passveis de avaliaes devero ser


agendadas com pelo menos 5 (cinco) dias teis de antecedncia e,
preferencialmente, figurar no plano de ensino do componente curricular,
respeitados os dias e horrios destinados ao ensino do mesmo.
Pargrafo nico. O resultado de cada avaliao parcial de
aprendizagem dever ser divulgado antes da realizao da avaliao
seguinte com, no mnimo, 2 (dois) dias teis de antecedncia.

Art. 114. A avaliao de aprendizagem poder ter seu resultado


reavaliado por solicitao fundamentada pelo aluno e encaminhada ao
Departamento ou equivalente, no caso da graduao, ou ao Colegiado,
no caso da ps-graduao, se requerida at 3 (trs) dias teis aps a
divulgao do resultado:

I - em primeira instncia, pelo(s)professor(es) que a atribuiu(ram);

II - em segunda instncia, por uma comisso designada pelo


Departamento ou equivalente, composta por 3 (trs) professores,
ouvido o professor responsvel pela avaliao.
Art. 115. O aluno que faltar a qualquer das avaliaes previstas, ter direito
segunda chamada, se a requerer ao Departamento ou equivalente
responsvel pelo componente curricular, at 5 (cinco) dias teis aps a sua
realizao, comprovando-se uma das seguintes situaes:

I - direito assegurado por legislao especifica;

II - motivo de sade comprovado por atestado mdico;

III - razo de fora maior, julgado a critrio do professor responsvel pelo


componente curricular.

1 o A avaliao da aprendizagem em segunda chamada ser feita pelo


prprio professor da turma, em horrio por este designado com, pelo
menos, 3 (trs) dias de antecedncia, consistindo do mesmo tipo de
avaliao, com contedo similar da primeira chamada.

2 o A falta segunda chamada implicar na atribuio da nota 0 (zero).


AVALIAO

Escolha das equaes


Clculos
Consistncia dos resultados
Conceitos Tericos
AVALIAO
AVALIAO
AVALIAO
ENGA47 TECNOLGOCIA DOS MATERIAIS

Captulo 01
Propriedades da Matria

Vitaly Esquerre
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Classificao Funcional dos


Materiais

Aerospacial
Biomedica
Materiais Eletrnicos
Energia e Meioambiente
Materiais Magnticos
Fotnicos ou Materiais pticos
Materiais Inteligentes
Materiais Estruturais
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Aerospacial
Compostos de
carbono,
Estruturas SiO2, silcio amorfo, Estruturas
Aos ligas de alumnio Aos
Ligas de alumnio, Zerodur Ligas de alumnio,
Concreto Concreto
Fibras de vidro Fibras de vidro
Plsticos Plsticos
madeiras madeiras

Materiais Eletrnica
Inteligentes Si, GaAs,
Classificao
PZT Ge, PZT,
Funcional
Ligas de Ni-Ti Al, Cu,
dos Materiais
Fludos MR polymeros
Gels polmeros

Energia e
pticos
Ambiental
SiO2, GaAs,
Si:H amorfo,
Vidros, Al2O3,
UO2,
YAG, ITO Magnticos NiCd, ZrO2
Fe, Fe-Si, NiZn
Ferritas,
CoPtTaCr
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Classificao dos Materiais Metais


Elementos puros ou mistura de elementos
metlicos (ligas) ligaes metalicas
Bons condutores de eletricidade
Bons condutores de calor
Structural feature Dimension (m)
Aparincia brilhante no transparentes
atomic bonding < 10 -10
Duros
10-10
Deformveis
crystals (ordered atoms) 10 -8 -10-1
Algumas vezes particles
second phase magnticos 10 -8 -10-4
crystal texturing > 10 -6
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Classificao dos Materiais Cermicos

Compostos entre elementos metlicos e no


metlicos - Ligaes inicas ou covalentes
Duros
Quebradio
Isolantes eltricos
Conduo trmica baixa
Resistentes ao calor e corroso
Podem ser transparentes ou opcos
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Classificao dos MateriaisPolmeros


Compostos orgnicos baseados em C, H e
outros elementos no metlicos ligaes
covalente e secundrias
Propriedades variadas
Densidade baixa
No condutores
Ponto de fuso baixo
Podem ser muito flexveis
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Outras sub-classes de
materiais
Compsitos
-Consistem em mais de um tipo de material
Semicondutores
-Tem propriedades eltricas intermedirias entre
as dos condutores e isolantes
Biomaterials
- Materiais para implantao no interior do corpo
humano
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Estrutura Atmica
tomos compostos de ncleo (prtons e nutrons) circundado por eltrons.

Q=1,6 x 10-19C Mp=Mn=1,67x10-27kg Me=9,11x10-31 kg

Elementos qumicos caracterizados pelo nmero atmico Z.

Z: 1-94.

Massa atmica A = soma da massa de nutrons e prtons


Peso atmico (mdia ponderada da massa dos istopos)

Unidades g/mol.

1 mol = 6,023 x 1023 tomos ou molculas

Fe 55,85 g/mol.
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Estrutura Atmica

Porque estudarmos a estrutura atmica?

Algumas propriedades importantes dos materiais dependem dos


arranjos geomtricos dos tomos e tambm das interaes que
existem entre os tomos ou molculas constituintes.

Estrutura atmica
Configuraes Eletrnicas dos tomos e Tabela Peridica
Tipos de ligaes interatmicas
Energias de Ligao
Distncias e Energias de Equilbrio
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Exemplo

Calcular o nmero de tomos em 100 g de prata.

Peso atmico 107,868 g/mol


ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Exemplo

Calcular o nmero de tomos em 100 g de prata.

SOLUO

Nmero de tomos = (100 g )(6.023 1023 atomsmol)


(107.868 g mol)
=5.58 1023
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Exemplo
Pesquisadores esto considerando o uso de nanopartculas de materiais
magnticos como um meio de armazenar gandes quantidades de dados.
Estas partculas podem armazenar dados na ordem de um trilho de bits por
polegada quadrada. 10 a 100 vezes a mais do que qualquer outro dispositivo
tais como discos rgidos
Se os pesquisadores esto considerando o uso de partculas de Ferro (Fe)
com dimetro de 3nm. Quantos tomos existem em cada partcula?

Densidade do Ferro = 7.8 g/cm3.


Peso Atmico do Fe 55,85 g/mol.
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Soluo
O rdio de uma partcula 1.5 nm.
Volume de cada nanopartcula magntica de Ferro
= (4/3)(1.5 10-7 cm)3
= 1.4137 10-20 cm3
Densidade do Ferro = 7.8 g/cm3.
Peso Atmico do Fe 55,85 g/mol.
Peso de cada nanopartcula de Fe
= 7.8 g/cm3 1.4137 10-20 cm3
= 1.102 10-19 g.
Um mol de 55,85 g de Fe contem 6.023 1023
tomos, ento, o nmero de tomos em uma
nanopartcula de Ferro ser 1188.
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Estrutura Atmica

Modelo atmico de Bohr


ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Trs primeiros nveis Comparao dos modelos


ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Energias relativas dos eltrons


ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Estrutura Eletrnica dos Elementos


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Estrutura Eletrnica dos Elementos


ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

tomo de sdio
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Eletronegatividades

Eletronegatividade pequena Eletronegatividade grande


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Foras e Energias de Ligao

E Fdr

EL = EA + ER

EL =energia liquida
EA =energia de atrao
ER =energia de repulso
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Ligaes Inicas: Metal + no metal configuraes estveis


doa aceita eltrons

acontece entre + and - ons.


precisa de transferncia de eltrons
diferncia entre as eletronegatividades deve ser grande
Exemplo: NaCl
Nenio Argnio

Atrao de Coulomb

Ligao inica no cloreto de sdio NaCl


ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Ligaes Inicas:

-
A
B
EL = EA + ER =
r rn

A
1
Z1eZ 2e
40

z1 , z2 Valncias dos dois tipos


de ons.
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Exemplo

Calcule a fora de atrao entre um ion Ca+2 e O-2 cujos centros encontram-se
sepadaros uma distncia de 1,25 nm.
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Exemplo A
1
Z1eZ 2e
40
Calcule a fora de atrao entre um ion Ca+2 e O-2 cujos centros encontram-se
sepadaros uma distncia de 1,25 nm.
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Ligao Covalente
Compartilhamento dos eltrons entre tomos adjacentes
So fortes.

Eletronegatividade similar
Example: CH4 C: tem 4 e- de valncia
e precisa de mais 4
H: tem 1 e-,de valncia
e precisa de mais 1
Electronegatividades so
similares
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Ligao Covalente Compartilhamento dos eltrons entre tomos adjacentes

Ligao covalente molcula de metano CH4


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Ligao Covalente Compartilhamento dos eltrons entre tomos adjacentes

Ligao covalente no silcio


ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Exemplo

Asumindo que a slica (SiO2) tem 100% de ligaes


covalentes descreva como o slicio e o oxignio formam a
slica (SiO2)
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Exemplo

Asumindo que a slica (SiO2) tem 100% de ligaes


covalentes descreva como o slicio e o oxignio formam a
slica (SiO2)
Soluo
Slicio tem 4 eltrons de valncia e compartilha eltrons
com 4 tomos de oxignio, resultando em 8 eltrons para
cada tomo de silcio.
Porm, o oxignio tem valncia 6 e ompartilha eltrons
com 2 tomos de silcio resultando em 8 eltrons para
cada tomo de oxignio.
Na figura a seguir ilustrada uma estrutura possvel
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS
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(X A -X B )2
-
4

% carter inico = 1- e x (100%)

- (XA -XB)
2

% carter covalente = e 4 x (100%)



Ex: MgO XMg = 1.3


XO = 3.5

( 3.5-1.3)
2
-
% carater ionico 1 - e 4 x (100%) 70.2% ionico


ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Em um exemplo anterior foi considerado que a slica (SiO2)


tem ligao covalente. Porm ela tem ligaes inica e
covalente.
Determine a porcentagem dessas ligaes.
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Em um exemplo anterior foi considerado que a slica (SiO2)


tem ligao covalente. Porm ela tem ligaes inica e
covalente.
Determine a porcentagem dessas ligaes.
Soluo
Da tabela peridica obtem-se que a eletronegatividade do
silcio 1,8 e a do oxignio 3,5.
% covalent = exp[-0.25(3.5 - 1.8)2] x 100%
= exp(-0.72) x 100% = 48,6%
% inica = (1- exp[-0.25(3.5 - 1.8)2]) x 100 %
= (1 - exp(-0.72)) x 100%= 51,4 %
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Ligaes Metlicas

Metais e suas ligas

Eltrons de valncia no esto


ligados aos tomos

Formam um mar de eltrons


ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Calcular o nmero de eltrons capazes de conduzir cargas


eltricas em 10 cm3 de prata.

Densidade da prata 10.49 g/cm3

O peso atmico da prata 107.868 g/mol


ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Calcular o nmero de eltrons capazes de conduzir cargas


eltricas em 10 cm3 de prata.
Soluo
A valncia da prata Ag 1, e apenas os eltrons de valncia
conduzem cargas eltricas. Densidade da prata 10.49 g/cm3
O peso atmico da prata 107.868 g/mol.
Peso de 10 cm3 = (10 cm3)(10.49 g/cm3) = 104.9 g

tomos = (104.9 g )(6.023 1023 atoms / mol)


5.85 1023
107.868 g / mol
eltrons = (5.85 1023 atoms)(1 eltron valncia/atom)
= 5.85 1023 eltrons de valncia em 10 cm3
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Ligaes secundrias Entre dipolos atmicos ou moleculares


Ligaes fracas.
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Ligaes secundrias Entre dipolos atmicos ou moleculares


Ligaes fracas.

Molcula de gua
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Propriedades Eltricas
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Conduo em slidos condutores, mercrio e metais em fuso


ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Conduo nos lquidos


ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Conduo nos gases


ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Conduo nos gases


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Exemplo de Aplicaes Propriedades

Metais e Ligas
Ao Automveis Castable, machinable,
vibration damping
Cermicos e
vidros
SiO2-Na2O-CaO Vidros Opticamente transparentes,
isolantes trmicos
Polmeros
Polietileno Embalagem de comidas Finas espesuras,
flexveis
ENG101 MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

Exemplo de Aplicaes Propriedades

Semicondutores
Silcio Transistor e circuitos comportamento eltrico
integrados nico

Compsitos Ferramentas de corte Duras e resistentes a


Tungstnio carbide mquinas impactos
-cobalt (WC-Co)

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